JPH0140510B2 - - Google Patents
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- JPH0140510B2 JPH0140510B2 JP55123873A JP12387380A JPH0140510B2 JP H0140510 B2 JPH0140510 B2 JP H0140510B2 JP 55123873 A JP55123873 A JP 55123873A JP 12387380 A JP12387380 A JP 12387380A JP H0140510 B2 JPH0140510 B2 JP H0140510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main current
- magnetoelectric
- current paths
- output
- magnetoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁電変換素子に関し、特に、互に位相
の異なつた複数の出力波を検出する為の検出機構
に用いて好適なものである。
の異なつた複数の出力波を検出する為の検出機構
に用いて好適なものである。
本出願人は先に特開昭50−28989号により新規
な構造を有する磁電変換素子を提案した。そこで
先ず上記出願に係る磁電変換素子ついてその概略
を説明する。
な構造を有する磁電変換素子を提案した。そこで
先ず上記出願に係る磁電変換素子ついてその概略
を説明する。
第１図はこの磁電変換素子１０の構成を示すも
ので、ガラス等より成る基板１の表面に、ニツケ
ル−コバルトのような磁気抵抗効果の異方性を有
する、即ち、磁界の方向に依つて電気抵抗が変化
する強磁性体Ａ，Ｂの薄膜が形成されている。こ
の強磁性体Ａ，Ｂは例えば櫛歯パターン状に強磁
性材料を蒸着するか又は全面に蒸着した後、エツ
チングして形成することが出来る。この強磁性体
Ａ，Ｂは主電流通路となる複数の直線部分２Ａ，
２Ｂと、これらを連結する屈曲部３Ａ，３Ｂとか
ら夫々構成されており、上記直線部分２Ａ，２Ｂ
は互いに略直交するように配されている。また直
線部分２Ａ，２Ｂの各端部４Ａ，４Ｂは互に接続
されていて強磁性体Ａ，Ｂは直列接続となつてい
る。上記接続部に出力端子５が形成され、さらに
直線部分２Ａ，２Ｂの他端部６Ａ，６Ｂに夫々電
流端子７Ａ，７Ｂが形成されている。
ので、ガラス等より成る基板１の表面に、ニツケ
ル−コバルトのような磁気抵抗効果の異方性を有
する、即ち、磁界の方向に依つて電気抵抗が変化
する強磁性体Ａ，Ｂの薄膜が形成されている。こ
の強磁性体Ａ，Ｂは例えば櫛歯パターン状に強磁
性材料を蒸着するか又は全面に蒸着した後、エツ
チングして形成することが出来る。この強磁性体
Ａ，Ｂは主電流通路となる複数の直線部分２Ａ，
２Ｂと、これらを連結する屈曲部３Ａ，３Ｂとか
ら夫々構成されており、上記直線部分２Ａ，２Ｂ
は互いに略直交するように配されている。また直
線部分２Ａ，２Ｂの各端部４Ａ，４Ｂは互に接続
されていて強磁性体Ａ，Ｂは直列接続となつてい
る。上記接続部に出力端子５が形成され、さらに
直線部分２Ａ，２Ｂの他端部６Ａ，６Ｂに夫々電
流端子７Ａ，７Ｂが形成されている。
第２図は動作原理図で、電流端子７Ａ，７Ｂが
電源８に接続され、且つ一方の電流端子７Ｂはア
ースされており、全体として磁電変換回路９を構
成している。
電源８に接続され、且つ一方の電流端子７Ｂはア
ースされており、全体として磁電変換回路９を構
成している。
今、強磁性体Ａ，Ｂを飽和磁化させるに充分な
強さの磁界Ｈを、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面に於
いて、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電
流方向に対して角度θを以つて加えると、強磁性
体Ａ，Ｂの各電気抵抗ρA、ρBが変化し、その変化
は角度θにより次式で表わされる。
強さの磁界Ｈを、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面に於
いて、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電
流方向に対して角度θを以つて加えると、強磁性
体Ａ，Ｂの各電気抵抗ρA、ρBが変化し、その変化
は角度θにより次式で表わされる。
ρA＝ρ⊥sin2θ＋ρ″cos2θ ……
ρB＝ρ⊥cos2θ＋ρ″sin2θ ……
但し、ρ⊥は強磁性体Ａ，Ｂを電流と垂直方向
に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵
抗、ρ″は同じく電流と平行方向に飽和磁化したと
きの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵
抗、ρ″は同じく電流と平行方向に飽和磁化したと
きの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗である。
また出力端子５の電圧Vθは、強磁性体Ａ，Ｂ
は直列接続であるから、電源電圧をV0とすれば
次式で表わされる。
は直列接続であるから、電源電圧をV0とすれば
次式で表わされる。
Vθ＝ρB／ρA＋ρBV0 ……
式に式を代入して整理すると、
Vθ＝V0／２−Δρ／２（ρ″＋ρ⊥）・cos2θ・V0
…… （但しΔρ＝ρ″−ρ⊥とする。） となる。この式において右辺第１項は基準電圧
を表し、第２項は変化量ΔVθを表すものとなり、 ΔV（θ）＝Δρ／4ρ0cos2θ・V0 …… で表わされる。但し2ρ0＝ρ″＋ρ⊥とし、ρ0は消
磁状態の電気抵抗である。
…… （但しΔρ＝ρ″−ρ⊥とする。） となる。この式において右辺第１項は基準電圧
を表し、第２項は変化量ΔVθを表すものとなり、 ΔV（θ）＝Δρ／4ρ0cos2θ・V0 …… で表わされる。但し2ρ0＝ρ″＋ρ⊥とし、ρ0は消
磁状態の電気抵抗である。
従つて出力端子５の電圧Vθは、磁界Ｈの方向
に依り変化し、その出力変化は第３図のように、
0゜、180゜で最小値、90゜、270゜で最大値をとる正弦
波形となる。
に依り変化し、その出力変化は第３図のように、
0゜、180゜で最小値、90゜、270゜で最大値をとる正弦
波形となる。
第４図は等価回路を示すもので、強磁性体Ａ，
Ｂを可変抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向に
依り変化するものとして考えることができる。
Ｂを可変抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向に
依り変化するものとして考えることができる。
このような磁電変換素子１０を用いて回転を検
出する場合、第６図に示すように、検出される回
転軸に関連されて設けられ且つ外周部に磁極Ｎ、
Ｓが着磁されたロータ１１の外周囲近傍にこの素
子１０が配され、ロータ１１の回転に依る磁力線
の変化をこの素子１０で検出する。ところが、こ
のような素子１０を用いた回転検出機構に依り、
例えば波長選択機能を持たせる為、第５図に示す
ような互に位相がφだけずれた２つの出力波Ｐ、
Ｑを検出しようとすると、第６図に示すように、
２つの素子１０を所定の間隔ｌだけ離して用いな
ければならない。この時磁極パターンＮ又はＳの
間隔をλとすると、 λ／ｌ＝180゜／φ …… である。即ち、素子１０間の間隔ｌが磁極パター
ンの間隔λに密接に関係していることが分る。そ
こで、このような回転検出機構を設計する場合、
磁極パターンの間隔λから計算して素子１０の配
置を決定せねばならず、例えば、ロータ１１の径
や着磁されている極数が異なる為に磁極パターン
の間隔λが異なる場合には、その都度素子１０の
間隔ｌを変更しなければならない。又、素子１０
はロータ１１から或る程度のクリアランスｄを置
いて設けられる為、この距離ｄも考慮に入れる必
要があつた。例えば、２つの素子１０のクリアラ
ンスｄが互に異なつていると、得られる合成出力
波の波形が歪んでしまう恐れがある。
出する場合、第６図に示すように、検出される回
転軸に関連されて設けられ且つ外周部に磁極Ｎ、
Ｓが着磁されたロータ１１の外周囲近傍にこの素
子１０が配され、ロータ１１の回転に依る磁力線
の変化をこの素子１０で検出する。ところが、こ
のような素子１０を用いた回転検出機構に依り、
例えば波長選択機能を持たせる為、第５図に示す
ような互に位相がφだけずれた２つの出力波Ｐ、
Ｑを検出しようとすると、第６図に示すように、
２つの素子１０を所定の間隔ｌだけ離して用いな
ければならない。この時磁極パターンＮ又はＳの
間隔をλとすると、 λ／ｌ＝180゜／φ …… である。即ち、素子１０間の間隔ｌが磁極パター
ンの間隔λに密接に関係していることが分る。そ
こで、このような回転検出機構を設計する場合、
磁極パターンの間隔λから計算して素子１０の配
置を決定せねばならず、例えば、ロータ１１の径
や着磁されている極数が異なる為に磁極パターン
の間隔λが異なる場合には、その都度素子１０の
間隔ｌを変更しなければならない。又、素子１０
はロータ１１から或る程度のクリアランスｄを置
いて設けられる為、この距離ｄも考慮に入れる必
要があつた。例えば、２つの素子１０のクリアラ
ンスｄが互に異なつていると、得られる合成出力
波の波形が歪んでしまう恐れがある。
本発明は上述の欠点を克服する為に為されたも
のであつて、磁極パターンの間隔に無関係な磁電
変換素子を提供しようとするものである。
のであつて、磁極パターンの間隔に無関係な磁電
変換素子を提供しようとするものである。
以下、本発明を一実施例に就き第７図及び第８
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第７図に示すように、本実施例に依る磁電変換
素子１５は、第１の素子部１６と第２の素子部１
７とが互に積層構造をなすように形成されてい
る。即ち、シリコン基板１８の表面に形成された
酸化膜１９上に、Ni−Co等の磁気抵抗効果の異
方性を有する強磁性体から成る第１の素子部１６
が所定パターン状に形成され、更にこの上面に絶
縁層２０を介して第２の素子部１７がやはり所定
のパターン状に形成されている。これら第１及び
第２の素子部１６，１７は夫々既述した磁電変換
素子１０と同様に、屈曲部に依り連結された直線
状の主電流通路２１，２２及び２３，２４を具備
しており、その際、第１の素子部１６及び第２の
素子部１７に於ける主電流通路２１と２２及び２
３と２４との方向が夫々互に直角方向をなすよう
に構成されている。そして、更に、第１の素子部
１６に於ける第１の主電流通路２１と第２の素子
部１７に於ける第１の主電流通路２３とは、その
方向を互に所定の角度、例えばφだけ傾けて重ね
られており、従つて第１の素子部１６に於ける第
２の主電流通路２２と第２の素子部１７に於ける
第２の主電流通路２４も互にやはりφだけ傾いて
いる。第１の素子部１６と第２の素子部１７とに
は夫々、既述した磁電変換素子１０と同様に出力
端子２５，２６及び電流端子２７，２８が設けら
れている。
素子１５は、第１の素子部１６と第２の素子部１
７とが互に積層構造をなすように形成されてい
る。即ち、シリコン基板１８の表面に形成された
酸化膜１９上に、Ni−Co等の磁気抵抗効果の異
方性を有する強磁性体から成る第１の素子部１６
が所定パターン状に形成され、更にこの上面に絶
縁層２０を介して第２の素子部１７がやはり所定
のパターン状に形成されている。これら第１及び
第２の素子部１６，１７は夫々既述した磁電変換
素子１０と同様に、屈曲部に依り連結された直線
状の主電流通路２１，２２及び２３，２４を具備
しており、その際、第１の素子部１６及び第２の
素子部１７に於ける主電流通路２１と２２及び２
３と２４との方向が夫々互に直角方向をなすよう
に構成されている。そして、更に、第１の素子部
１６に於ける第１の主電流通路２１と第２の素子
部１７に於ける第１の主電流通路２３とは、その
方向を互に所定の角度、例えばφだけ傾けて重ね
られており、従つて第１の素子部１６に於ける第
２の主電流通路２２と第２の素子部１７に於ける
第２の主電流通路２４も互にやはりφだけ傾いて
いる。第１の素子部１６と第２の素子部１７とに
は夫々、既述した磁電変換素子１０と同様に出力
端子２５，２６及び電流端子２７，２８が設けら
れている。
即ち、上述のように構成された磁電変換素子１
５に於いては、各素子部１６，１７が各々、既述
した磁電変換素子１０と同じ機能を有している。
従つて、各出力端子２５，２６からは第３図に示
したものと同じ出力波形が得られ、しかも、第１
の素子部１６の主電流通路２１，２２と第２の素
子部１７の主電流通路２３，２４とが互に角度φ
だけ傾けられているので、得られる出力波の位相
はφだけずれたものになる。つまり、本実施例の
磁電変換素子１５は、第６図に示すような所定間
隔ｌで配された２つの磁電変換素子１０と全く同
じ機能を持つていることが分る。しかも、第１の
素子部１６と第２の素子部１７とが互に積重ねら
れた構造なので、位相のずれφは、ロータの磁極
間隔に依らず常に一定である。
５に於いては、各素子部１６，１７が各々、既述
した磁電変換素子１０と同じ機能を有している。
従つて、各出力端子２５，２６からは第３図に示
したものと同じ出力波形が得られ、しかも、第１
の素子部１６の主電流通路２１，２２と第２の素
子部１７の主電流通路２３，２４とが互に角度φ
だけ傾けられているので、得られる出力波の位相
はφだけずれたものになる。つまり、本実施例の
磁電変換素子１５は、第６図に示すような所定間
隔ｌで配された２つの磁電変換素子１０と全く同
じ機能を持つていることが分る。しかも、第１の
素子部１６と第２の素子部１７とが互に積重ねら
れた構造なので、位相のずれφは、ロータの磁極
間隔に依らず常に一定である。
次に、この磁電変換素子１５の製造方法の一例
を第８Ａ図〜第８Ｃ図を参照して説明する。
を第８Ａ図〜第８Ｃ図を参照して説明する。
第８Ａ図に示すように、先ずシリコン基板１８
の表面に酸化膜１９を形成し、その上にNi−Co
から成る第１の素子部１６を蒸着等によりパター
ン状に形成する。次に第８Ｂ図に示すように、こ
の上面に絶縁層２０として例えばポリイミド系樹
脂（日立化成社製：商品名PIQ）を硬化条件120
℃×1h、200℃×1h、300℃×1h等で塗布する。
最後に、第８ｃ図に示すように、これらの上面
に、やはりNi−Coから成る第２の素子部１７を
蒸着等によりパターン状に形成する。実際には１
個のシリコン基板上に数個あるいはそれ以上の磁
電変換素子を形成し、上述の工程が終了した後に
各素子に分割して、数個あるいはそれ以上の磁電
変換素子を同時に製造するのが良い。
の表面に酸化膜１９を形成し、その上にNi−Co
から成る第１の素子部１６を蒸着等によりパター
ン状に形成する。次に第８Ｂ図に示すように、こ
の上面に絶縁層２０として例えばポリイミド系樹
脂（日立化成社製：商品名PIQ）を硬化条件120
℃×1h、200℃×1h、300℃×1h等で塗布する。
最後に、第８ｃ図に示すように、これらの上面
に、やはりNi−Coから成る第２の素子部１７を
蒸着等によりパターン状に形成する。実際には１
個のシリコン基板上に数個あるいはそれ以上の磁
電変換素子を形成し、上述の工程が終了した後に
各素子に分割して、数個あるいはそれ以上の磁電
変換素子を同時に製造するのが良い。
尚、本例に於いては、第１及び第２の素子部１
６，１７としてNi−Coを用いたが、Insb等を用
いることも出来る。又、絶縁層２０としては、
SiO2、Si3N4、セラミツク等を用いることが出来
るが、本例に使用したポリイミド系樹脂は、絶縁
物として要求される耐熱性（300℃以上）、面のフ
ラツト性、耐薬品性及び密着性の点で優れ、上記
のような気相成長（SiO2、Si3N4）、蒸着、ある
いはスパツタリング等による薄膜と比較して有利
な材料であると言えよう。更に、本例ではシリコ
ン基板上に素子パターンを形成したが、基板内に
トランジスタ、ダイオード、IC等を形成し、こ
の表面に絶縁層（望ましくはSiO2層−ポリイミ
ド系樹脂層）を介して素子パターンを形成するこ
とも出来る。この場合、基板のトランジスタ等と
磁電変換素子とは、絶縁層に設けられたコンタク
トホールを通じて、Al、Au等の一般に使用され
る導体金属で接続されて良い。
６，１７としてNi−Coを用いたが、Insb等を用
いることも出来る。又、絶縁層２０としては、
SiO2、Si3N4、セラミツク等を用いることが出来
るが、本例に使用したポリイミド系樹脂は、絶縁
物として要求される耐熱性（300℃以上）、面のフ
ラツト性、耐薬品性及び密着性の点で優れ、上記
のような気相成長（SiO2、Si3N4）、蒸着、ある
いはスパツタリング等による薄膜と比較して有利
な材料であると言えよう。更に、本例ではシリコ
ン基板上に素子パターンを形成したが、基板内に
トランジスタ、ダイオード、IC等を形成し、こ
の表面に絶縁層（望ましくはSiO2層−ポリイミ
ド系樹脂層）を介して素子パターンを形成するこ
とも出来る。この場合、基板のトランジスタ等と
磁電変換素子とは、絶縁層に設けられたコンタク
トホールを通じて、Al、Au等の一般に使用され
る導体金属で接続されて良い。
又、本実施例による磁電変換素子１５は次のよ
うな長所を有している。即ち、本実施例の磁電変
換素子１５に於いては、第１の素子部１６と第２
の素子部１７とが絶縁層２０を介して互に積層さ
れ、両素子部１６，１７の各主電流通路２１，２
２と２３，２４とが互いに、略平行な面内におい
て略完全に重なり合つている。従つて、例えば、
ロータ等からの各素子部１６，１７の距離（クリ
アランス）ｄが均等となり、位置関係に依つて両
素子部１６，１７に出力差を生じることがないの
で、歪のない合成出力波が得られる。又、素子１
５全体の大きさを小さくすることが出来、コスト
ダウンを図ることが出来る。更に、第１の素子部
１６が絶縁層２０で被覆されるので、その断線を
効果的に防止できると共に、酸化等から素子パタ
ーンを保護することが出来る。又、各素子部１
６，１７に於ける主電流通路２１，２２及び２
３，２４は互いに略平行な面内に存在しているか
ら、磁界が基板１８と平行に加わつた際に磁界が
各素子部１６，１７に一様に加わることになり、
従つて、出力特性のばらつきが小さくなつて、や
はり、得られる合成出力波の歪が小さくなる。
うな長所を有している。即ち、本実施例の磁電変
換素子１５に於いては、第１の素子部１６と第２
の素子部１７とが絶縁層２０を介して互に積層さ
れ、両素子部１６，１７の各主電流通路２１，２
２と２３，２４とが互いに、略平行な面内におい
て略完全に重なり合つている。従つて、例えば、
ロータ等からの各素子部１６，１７の距離（クリ
アランス）ｄが均等となり、位置関係に依つて両
素子部１６，１７に出力差を生じることがないの
で、歪のない合成出力波が得られる。又、素子１
５全体の大きさを小さくすることが出来、コスト
ダウンを図ることが出来る。更に、第１の素子部
１６が絶縁層２０で被覆されるので、その断線を
効果的に防止できると共に、酸化等から素子パタ
ーンを保護することが出来る。又、各素子部１
６，１７に於ける主電流通路２１，２２及び２
３，２４は互いに略平行な面内に存在しているか
ら、磁界が基板１８と平行に加わつた際に磁界が
各素子部１６，１７に一様に加わることになり、
従つて、出力特性のばらつきが小さくなつて、や
はり、得られる合成出力波の歪が小さくなる。
以上、本発明を一実施例に就き説明したが、上
記実施例は本発明を限定するものでは決してな
く、本発明の技術的思想に基いて種々の変更が可
能である。例えば、第１の素子部１６の主電流通
路２１，２２と第２の素子部１７の主電流通路２
３，２４との間の傾きφは所望の値に選定してお
くことが出来る。又、この傾きφを順次違えた３
つ以上の素子部を積層することも出来、この場合
には、夫々の位相差を持つた３つ以上の出力波を
得ることが出来る。更に、磁界強度が強くて、場
所に依り磁束密度が不均一になるような場合に
は、第１の素子部１６の主電流通路２１と２２及
び第２の素子部１７の主電流通路２３と２４、即
ち、全ての主電流通路を積層した構造のものと用
いることが出来る。
記実施例は本発明を限定するものでは決してな
く、本発明の技術的思想に基いて種々の変更が可
能である。例えば、第１の素子部１６の主電流通
路２１，２２と第２の素子部１７の主電流通路２
３，２４との間の傾きφは所望の値に選定してお
くことが出来る。又、この傾きφを順次違えた３
つ以上の素子部を積層することも出来、この場合
には、夫々の位相差を持つた３つ以上の出力波を
得ることが出来る。更に、磁界強度が強くて、場
所に依り磁束密度が不均一になるような場合に
は、第１の素子部１６の主電流通路２１と２２及
び第２の素子部１７の主電流通路２３と２４、即
ち、全ての主電流通路を積層した構造のものと用
いることが出来る。
以上説明したように、本発明に依る磁電変換素
子に於いては、磁界の方向に依つて電気抵抗が変
化する強磁性体から成り且つ互に直角方向をなす
ように配されて直列接続された第１及び第２の主
電流通路を有する複数の素子部を、対応する主電
流通路の方向を互に所定の角度設けた状態で積層
している。従つて、例えばロータ等の磁極パター
ンとは無関係に、所望の位相差を持つた出力波を
得ることが出来、この為、種々の磁極パターンに
対して用いることが出来る。又、例えばロータ等
からのクリアランスの変動を考慮に入れる必要が
なくなるので、その取扱いが簡単になる。更に、
素子全体の大きさを小さくすることが出来、コス
トダウンを図ることが出来る。
子に於いては、磁界の方向に依つて電気抵抗が変
化する強磁性体から成り且つ互に直角方向をなす
ように配されて直列接続された第１及び第２の主
電流通路を有する複数の素子部を、対応する主電
流通路の方向を互に所定の角度設けた状態で積層
している。従つて、例えばロータ等の磁極パター
ンとは無関係に、所望の位相差を持つた出力波を
得ることが出来、この為、種々の磁極パターンに
対して用いることが出来る。又、例えばロータ等
からのクリアランスの変動を考慮に入れる必要が
なくなるので、その取扱いが簡単になる。更に、
素子全体の大きさを小さくすることが出来、コス
トダウンを図ることが出来る。
第１図は従来の磁電変換素子の構造を示す平面
図、第２図はその原理回路図、第３図は出力電圧
波形図、第４図は等価回路図、第５図は位相がφ
だけずれた２つの出力波を示す第３図と同様の出
力電圧波形図、第６図は第５図の出力を得る為の
従来の磁電変換素子の配置を示す概略平面図であ
る。第７図は本発明の一実施例に依る磁電変換素
子の構造を示す分解斜視図、第８図はこの磁電変
換素子の製造方法を工程順に示すもので、第８Ａ
図は基板上に第１の素子部を形成した状態を示す
概略断面図、第８Ｂ図はその上に絶縁層を形成し
た状態を示す第８Ａ図と同様の概略断面図、第８
Ｃ図は更にその上に第２の素子部を形成した状態
を示す第８Ａ図と同様の概略断面図である。 なお図面に用いられている符号において、１５
……磁電変換素子、１６……第１の素子部、１７
……第２の素子部、２１，２２，２３，２４……
主電流通路である。
図、第２図はその原理回路図、第３図は出力電圧
波形図、第４図は等価回路図、第５図は位相がφ
だけずれた２つの出力波を示す第３図と同様の出
力電圧波形図、第６図は第５図の出力を得る為の
従来の磁電変換素子の配置を示す概略平面図であ
る。第７図は本発明の一実施例に依る磁電変換素
子の構造を示す分解斜視図、第８図はこの磁電変
換素子の製造方法を工程順に示すもので、第８Ａ
図は基板上に第１の素子部を形成した状態を示す
概略断面図、第８Ｂ図はその上に絶縁層を形成し
た状態を示す第８Ａ図と同様の概略断面図、第８
Ｃ図は更にその上に第２の素子部を形成した状態
を示す第８Ａ図と同様の概略断面図である。 なお図面に用いられている符号において、１５
……磁電変換素子、１６……第１の素子部、１７
……第２の素子部、２１，２２，２３，２４……
主電流通路である。
Claims (1)
- １ 磁界の方向に依つて電気抵抗が変化する強磁
性体から成り且つ互に直角方向をなすように配さ
れて直列接続された第１及び第２の主電流通路を
有する少なくとも２つの素子部が、対応する主電
流通路の方向を互に所定の角度傾けた状態で積層
されていることを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55123873A JPS5748281A (en) | 1980-09-06 | 1980-09-06 | Magnetoelectric transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55123873A JPS5748281A (en) | 1980-09-06 | 1980-09-06 | Magnetoelectric transducer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5748281A JPS5748281A (en) | 1982-03-19 |
| JPH0140510B2 true JPH0140510B2 (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=14871478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55123873A Granted JPS5748281A (en) | 1980-09-06 | 1980-09-06 | Magnetoelectric transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5748281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924639B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-08-02 | Denso Corporation | Position determination device using magnetoresistive element |
| US6954063B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Motion detecting device using magnetoresistive unit |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193705A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | プラネタリ−ミルラインによる熱間圧延方法 |
| JP4742816B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-08-10 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
-
1980
- 1980-09-06 JP JP55123873A patent/JPS5748281A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954063B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-10-11 | Denso Corporation | Motion detecting device using magnetoresistive unit |
| US6924639B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-08-02 | Denso Corporation | Position determination device using magnetoresistive element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5748281A (en) | 1982-03-19 |
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