JPS61222013A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS61222013A JPS61222013A JP6476085A JP6476085A JPS61222013A JP S61222013 A JPS61222013 A JP S61222013A JP 6476085 A JP6476085 A JP 6476085A JP 6476085 A JP6476085 A JP 6476085A JP S61222013 A JPS61222013 A JP S61222013A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果へヴド（以下、ＭＲへ・ｊドと記
す）の基本構造忙関する。
す）の基本構造忙関する。
本発明はＭＲヘヅド分野に於て、基板上に異方性磁気抵
抗効果を有する強磁性薄膜パターンと絶縁層を交互に複
数層積層するとともに、該強磁性薄膜パターンを電気的
に導通することにより。
抗効果を有する強磁性薄膜パターンと絶縁層を交互に複
数層積層するとともに、該強磁性薄膜パターンを電気的
に導通することにより。
狭ピッチで配置され几磁気信号の検出を可能ならしめた
ものである。
ものである。
従来のＭＲ素子は異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄
膜をｆａ４図のようにパターニングされていた。このよ
うなＭＲ素子ｈｚ ｌＡ部磁界Ｈ中にあるとき、外部磁
界の方向が抵抗パターンを流れる電流に対して角度０傾
いているとすればＭＲ素子の抵抗Ｒ（０）は Ｒ（θ１ ’＝ Ｒ＊１− ΔＲ８１ｎ ”θ但し Δ
Ｒ＝＝Ｒ＃ −Ｒふ で表わされる。ＲＩＩとＲＬｔｆそれぞれ外部磁界Ｈと
電流が平行及び直角のときの抵抗値を表わし、ΔＲＦｉ
最大変化量を表わしている。第５図けＦ’Ｇ（’Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ Ｇｅｎｅｒａｔｃｒ）信号のピック７９
１図であり、ＭＲ素子の抵抗Ｒ（θ］は極の境界部で最
大にな炒 Ｒ（θ）＝ＲＪＬ となる。簗５図の’Ｆ Ｇ （’ｙｒｇｑｘｅｎｃｙ
Ｇｔｒｎｅｒａｔｏｒ＋磁石の磁束の流れは第６図のよ
うになっており、ｐＧ信号のピグクアヴプには磁極境界
部の磁界町を使５゜ＭＲ素子の抵抗値は極の境界部で最
大となり極の中央で最小となる。
膜をｆａ４図のようにパターニングされていた。このよ
うなＭＲ素子ｈｚ ｌＡ部磁界Ｈ中にあるとき、外部磁
界の方向が抵抗パターンを流れる電流に対して角度０傾
いているとすればＭＲ素子の抵抗Ｒ（０）は Ｒ（θ１ ’＝ Ｒ＊１− ΔＲ８１ｎ ”θ但し Δ
Ｒ＝＝Ｒ＃ −Ｒふ で表わされる。ＲＩＩとＲＬｔｆそれぞれ外部磁界Ｈと
電流が平行及び直角のときの抵抗値を表わし、ΔＲＦｉ
最大変化量を表わしている。第５図けＦ’Ｇ（’Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ Ｇｅｎｅｒａｔｃｒ）信号のピック７９
１図であり、ＭＲ素子の抵抗Ｒ（θ］は極の境界部で最
大にな炒 Ｒ（θ）＝ＲＪＬ となる。簗５図の’Ｆ Ｇ （’ｙｒｇｑｘｅｎｃｙ
Ｇｔｒｎｅｒａｔｏｒ＋磁石の磁束の流れは第６図のよ
うになっており、ｐＧ信号のピグクアヴプには磁極境界
部の磁界町を使５゜ＭＲ素子の抵抗値は極の境界部で最
大となり極の中央で最小となる。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術ではＭＲ素子の抵抗パターン全体の幅がＦ
Ｇ磁石のピッチ幅より小さくなければならず、ＦＧ磁石
のピッチが小さくなるにつれ限界が出てくる。本発明け
このような問題点を解決するもので、その目的とすると
ころは微細な磁気記録の検出を可能ならしめるＭＲヘッ
リド提供するところにある。
述の従来技術ではＭＲ素子の抵抗パターン全体の幅がＦ
Ｇ磁石のピッチ幅より小さくなければならず、ＦＧ磁石
のピッチが小さくなるにつれ限界が出てくる。本発明け
このような問題点を解決するもので、その目的とすると
ころは微細な磁気記録の検出を可能ならしめるＭＲヘッ
リド提供するところにある。
ｒ問題を解決するｔめの手段〕
本発明のＭＲへリドは、基板上に異方性磁気抵抗効果を
有する強磁性薄模パターンと絶縁層を交互に複数層積層
するとともに該強磁性薄嗅パターンは電気的に導通され
ることを特徴とする。
有する強磁性薄模パターンと絶縁層を交互に複数層積層
するとともに該強磁性薄嗅パターンは電気的に導通され
ることを特徴とする。
本発明の上記の構造によれば、従来のＭＦｊ素子の平面
的な抵抗パターンを立体的にすることＫより抵抗パター
ンを微小部分に集中させることができるため、微少磁界
に対する検出能力を飛躍的に向上させることｂ″−でき
る。
的な抵抗パターンを立体的にすることＫより抵抗パター
ンを微小部分に集中させることができるため、微少磁界
に対する検出能力を飛躍的に向上させることｂ″−でき
る。
＠１図は本発明の一実施例の外形図であす、第２図は第
１図の抵抗パターン図であり、第３図は第１図の抵抗パ
ターン部１１−１．の断面図である。
１図の抵抗パターン図であり、第３図は第１図の抵抗パ
ターン部１１−１．の断面図である。
基板１の上にパーマロイ（Ｎｉ −Ｆｓ＋ ）系の抵抗
パターン２と絶縁層３を電気的に導通をとりながら積層
させて最後に保護膜４で覆う構造になっている。パーマ
ロイ系の抵抗パターンは磁場中で蒸着或はスパッタリン
グして形成される。ま几絶縁層けＢｉ Ｏ膜などによっ
て形成している。本発明の一実施例は次のような工程に
よって製造することｂＺできる。まずガラス基板やセラ
ミック基板上に第７図のような抵抗パターンを形成する
。次ＫｔＪＥ８図のよ５に抵抗パターンの導通部を除い
て絶縁層を形成する。次に再び第９図のように抵抗パタ
ーンを形成し、第１０図のようＫＪＩＴｈ縁層を形成す
る。
パターン２と絶縁層３を電気的に導通をとりながら積層
させて最後に保護膜４で覆う構造になっている。パーマ
ロイ系の抵抗パターンは磁場中で蒸着或はスパッタリン
グして形成される。ま几絶縁層けＢｉ Ｏ膜などによっ
て形成している。本発明の一実施例は次のような工程に
よって製造することｂＺできる。まずガラス基板やセラ
ミック基板上に第７図のような抵抗パターンを形成する
。次ＫｔＪＥ８図のよ５に抵抗パターンの導通部を除い
て絶縁層を形成する。次に再び第９図のように抵抗パタ
ーンを形成し、第１０図のようＫＪＩＴｈ縁層を形成す
る。
更に第１１図、第１２図のように同様の工程を経てｌ！
１３図のような抵抗パターンを形成し、最後に屓１４図
のように保護膜で覆う。以上のような製造工程をとるこ
とにより、第３図に示し友ように抵抗パターンの両端で
交互ＶＣ電気的な導通をとることができ、微小部分に多
くの抵抗パターンを集中させることができる。−１！友
本発明の一実施例では端子部も抵抗パターンと同一材料
で形成しているが、異方性磁気抵抗効果の小さな導体層
で形成干る等良好な特性を得る。抵抗パターンと導体層
の電気的な導通は第３図の抵抗パターンのように膜の重
ね合わせによって行う。
１３図のような抵抗パターンを形成し、最後に屓１４図
のように保護膜で覆う。以上のような製造工程をとるこ
とにより、第３図に示し友ように抵抗パターンの両端で
交互ＶＣ電気的な導通をとることができ、微小部分に多
くの抵抗パターンを集中させることができる。−１！友
本発明の一実施例では端子部も抵抗パターンと同一材料
で形成しているが、異方性磁気抵抗効果の小さな導体層
で形成干る等良好な特性を得る。抵抗パターンと導体層
の電気的な導通は第３図の抵抗パターンのように膜の重
ね合わせによって行う。
本発明は薄嘆技術を基礎にしたものであるが、薄喚技術
はＩＣの高密度化などによりパターン幅数μｍを笑現し
ており、本発明のＭＲへリドに於ても数μｍの薄嘆抵抗
パターンを積層することにより飛躍的に分解能を向上さ
せることができる。
はＩＣの高密度化などによりパターン幅数μｍを笑現し
ており、本発明のＭＲへリドに於ても数μｍの薄嘆抵抗
パターンを積層することにより飛躍的に分解能を向上さ
せることができる。
し７ｔｘ−って、本発明によれば従来のＭＲ素子では実
現し難い微細な磁気記録の検出にも充分対処できる。ｔ
ｆｃＭＲ素子と同一の抵抗パターンであれば１本発明の
方が積層している分だけ検出能力ｂＺ優れているため微
弱磁界でも検出できる。したがって、第５図のようなＦ
Ｇ倍信号ピヴクアダプに於てはＦＧ磁石とのギャップを
大きくとることができギャップ管ＡＩｈ＝しやすい。こ
のことは磁気エンコータなどＫは非常に大きなメリット
となる。
現し難い微細な磁気記録の検出にも充分対処できる。ｔ
ｆｃＭＲ素子と同一の抵抗パターンであれば１本発明の
方が積層している分だけ検出能力ｂＺ優れているため微
弱磁界でも検出できる。したがって、第５図のようなＦ
Ｇ倍信号ピヴクアダプに於てはＦＧ磁石とのギャップを
大きくとることができギャップ管ＡＩｈ＝しやすい。こ
のことは磁気エンコータなどＫは非常に大きなメリット
となる。
以上述べ友ように本発明は磁界検出に対して極めて有効
であり且つ適用分野も広く、その効果は抜群である。
であり且つ適用分野も広く、その効果は抜群である。
第１図は本発明の一実施例の外形図。
第２図はｉｉｌ！１図の抵抗パターン図。
第３図は第１図の抵抗パターン部Ａ１−１２の断面図。
第４図は従来のＭＲ素子の抵抗パターン図。
第５図はＰＧ倍信号ビ９クアップ図。
ｌ＠６図は第５図のラジアル方向の断面図。
第７〜１４図は本発明の一実施例の製造工程図。
１・・・・・・基板
２・・・・・・パーマロイ（Ｎｉ −Ｆ’ｇｌ系の抵抗
ハターン３・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・保膿膜 ５・・・・・・端子部 ６・・・・・・積層部 ７・・・・・・ＭＲ素子 ８・・・・・・ＦＧ磁石 ９・・・・・・ＭＲ素子の抵抗パターン以 上 出門人 株式会社 −訪精工舎 ７１図 第４口 第５図 ７７１ｇ 牙３図 オ９閃 ７１Ｏｆ！］ 才＋１［ｐ ７１２図 ７１５図 第１４０
ハターン３・・・・・・絶縁層 ４・・・・・・保膿膜 ５・・・・・・端子部 ６・・・・・・積層部 ７・・・・・・ＭＲ素子 ８・・・・・・ＦＧ磁石 ９・・・・・・ＭＲ素子の抵抗パターン以 上 出門人 株式会社 −訪精工舎 ７１図 第４口 第５図 ７７１ｇ 牙３図 オ９閃 ７１Ｏｆ！］ 才＋１［ｐ ７１２図 ７１５図 第１４０
Claims (1)
- 基板上に異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜パター
ンと絶縁層を交互に複数層積層するとともに該強磁性薄
膜パターンは電気的に導通されることを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6476085A JPS61222013A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6476085A JPS61222013A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222013A true JPS61222013A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13267454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6476085A Pending JPS61222013A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222013A (ja) |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6476085A patent/JPS61222013A/ja active Pending
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