JPH0140979B2 - - Google Patents

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JPH0140979B2
JPH0140979B2 JP57154127A JP15412782A JPH0140979B2 JP H0140979 B2 JPH0140979 B2 JP H0140979B2 JP 57154127 A JP57154127 A JP 57154127A JP 15412782 A JP15412782 A JP 15412782A JP H0140979 B2 JPH0140979 B2 JP H0140979B2
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powder
silica
fine powder
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JP57154127A
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Masanori Takenochi
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Canon Inc
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Priority to SG78/89A priority patent/SG7889G/en
Publication of JPH0140979B2 publication Critical patent/JPH0140979B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は電子写真、静電蚘録、静電印刷、等に
斌ける静電荷像を珟像するための正荷電性珟像剀
に関する。さらに詳しくは盎接又は間接電子写真
珟像方法に斌いお、均䞀に匷く静電荷に垯電し、
負の静電荷像を可芖化しお、高品質な画像を䞎え
る電子写真甚正荷電性珟像剀に関する。 埓来電子写真法ずしおは米囜特蚱第2297691号
明现曞等、倚数の方法が知られおいるが、䞀般に
は光導電性物質を利甚し、皮々の手段により感光
䜓䞊に電気的朜像を圢成し、次いで該朜像を珟像
粉以䞋トナヌず称すを甚いお珟像し、必芁に
応じお玙等の転写材にトナヌ画像を転写した埌、
加熱、圧力あるいは溶剀蒞気などにより定着し耇
写物を埗るものである。たたトナヌ画像を転写す
る工皋を有する堎合には、通垞感光䜓䞊の残䜙の
トナヌを陀去するための工皋が蚭けられる。 電気的朜像をトナヌを甚いお可芖化する珟像方
法は、䟋えば米囜特蚱第2874063号明现曞に蚘茉
されおいる磁気ブラシ法、同2618552号明现曞に
蚘茉されおいるカスケヌド珟像法及び同2221776
号明现曞に蚘茉されおいる粉末雲法、米囜特蚱第
3909258号明现曞に蚘茉されおいる導電性の磁性
トナヌを甚いる方法、特公昭41−9475号公報等に
蚘茉されおいる皮々の絶瞁性の磁性トナヌを甚い
る方法などが知られおいる。 これらの珟像法に適甚するトナヌずしおは、埓
来、倩然あるいは合成暹脂䞭に染料、顔料を分散
させた埮粉末が䜿甚されおいる。䟋えば、ポリス
チレンなどの結着暹脂䞭に着色剀を分散させたも
のを〜30Ό皋床に埮粉砕した粒子がトナヌずし
お甚いられおいる。磁性トナヌずしおはマグネタ
むトなどの磁性䜓粒子を含有せしめたものが甚い
られおいる。いわゆる二成分珟像剀を甚いる方匏
の堎合には、トナヌは通垞ガラスビヌズ、鉄粉な
どのキダリダヌ粒子ず混合されお甚いられる。 この様な也匏珟像甚トナヌに甚いられる正電荷
制埡甚ずしおは䟋えば䞀般にアミノ化合物、第
玚アンモニりム化合物および有機染料特に塩基性
染料ずその塩である。通垞の正電荷制埡剀は、ベ
ンゞルゞメチル−ヘキサデシルアンモニりムクロ
ラむド、デシル−トリメチルアンモニりムクロラ
むド、ニグロシン塩基、ニグロシンヒドロクロラ
むド、サフラニンγ及びクリスタルバむオレツト
等である。特にニグロシン塩基及び、ニグロシン
ヒドロクロラむドがしばしば正電荷制埡剀ずしお
甚いられおいる。これらは、通垞熱可塑性暹脂に
添加され、加熱溶融分散し、これを埮粉砕しお、
必芁に応じお適圓な粒埄に調敎され䜿甚される。 しかしながら、これらの電荷制埡剀ずしおの染
料は、構造が耇雑で性質が䞀定しおいなく、安定
性に乏しい。たた、熱混緎時の分解、機械的衝
撃、摩擊、枩床条件の倉化、などにより分解又は
倉質し、荷電制埡性が、䜎䞋する珟象を生ずる。 埓぀お、これらの染料を荷電制埡匁ずしお含有
したトナヌを耇写機に甚い珟像するず、耇写回数
の増倧に埓い、染料が分解あるいは倉質し、耐久
䞭にトナヌの劣化を匕き起こす。 又、これらの荷電制埡匁ずしおの染料は、熱可
塑性暹脂䞭に均䞀に分散する事が極めお困難であ
るため、粉砕しお埗られたトナヌ粒子間の摩擊垯
電量に差異を生じるずいう臎呜的欠点を有しおい
る。このため、埓来、これらの染料の暹脂䞭ぞの
分散をより均䞀に行なうための皮々の方法が行な
われおいる。䟋えば、塩基性ニグロシン染料は、
熱可塑性暹脂ずの盞溶性を向䞊させるために、高
玚脂肪酞ず造塩しお甚いられるが、しばしば未反
応分の脂肪酞あるいは、塩の分散生成物が、トナ
ヌ衚面に露出しお、キダリダヌあるいはトナヌ担
持䜓を汚染し、トナヌの流動性䜎䞋やカブリ、画
像濃床の䜎䞋を匕き起こす原因ずな぀おいる。あ
るいは、これらの染料の暹脂䞭ぞの分散向䞊のた
めに、あらかじめ、染料粉末ず暹脂粉末ずを、機
械的粉砕混合しおから、熱溶融混緎する方法もず
られおいるが、本来の分散䞍良性は、回避する事
ができず未だ実甚䞊充分な荷電の均䞀さは埗られ
おいないのが珟実である。 又、正荷電制埡性の染料は、芪氎性のものが倚
く、これらの暹脂䞭ぞの分散䞍良のために、溶融
混緎粉砕した際には、染料がトナヌ衚面に露出す
る。高枩条件䞋での該トナヌの䜿甚の際には、こ
れら、染料が芪氎性であるために良質な画像が埗
られないずいう欠点を有しおいる。 この様に、埓来の正荷電制埡性を有する染料を
トナヌに甚いた際には、トナヌ粒子間に斌いお、
あるいは、トナヌずキダリダヌ間、トナヌずスリ
ヌブのごずきトナヌ担持䜓間に斌いお、トナヌ粒
子衚面に発生電荷量にバラツキを生じ、珟像カブ
リ、トナヌ飛散、キダリダヌ汚染等の障害が発生
する。たたこれらは、耇写枚数を倚く重ねた際に
顕著な珟象ずな぀お珟われ、実質䞊、耇写機には
適さない結果ずなる。 又、高枩条件䞋に斌いおは、トナヌ画像の転写
効率が著しく䜎䞋し、䜿甚に耐えないものであ
る。又、垞枩垞湿に斌いおさえも、該トナヌを長
期保存した際には、甚いた正荷電制埡性の染料の
䞍安定性のために、トナヌ凝集を起こし、䜿甚䞍
可胜になる堎合が倚い。 又、正荷電制埡性の珟像剀を埗る䞀方法ずし
お、特公昭53−22447号公報の提案がある。これ
は、珟像剀の構成成分ずしお、アミノシランで凊
理した金属酞化物粉末を含有させる方法である
が、本発明者がこの方法を詳现に怜蚎したが、
皮々のアミノシラン化合物を甚いお、䟋えばコロ
むドシリカ、アルミナ、二酞化チタン、酞化亜
鉛、酞化鉄、γ−プラむト、酞化マグネシりム
などに凊理をし、該明现曞に蚘茉されおいる実斜
䟋に埓぀お珟像剀を埗た堎合、いずれの組み合わ
せにおいおも、実甚䞊充分な特性を瀺す珟像剀は
埗られずいく぀かの欠点がある事が明らかにな぀
た。 即ち、倚くの珟像剀は、朜像を忠実に再珟する
のに奜たしい特性を保持しえない。初めは望たし
い性胜を瀺すものも、長期間の連続䜿甚で初期の
特性を保持せず、䜿甚に耐えないものにな぀おし
たう。即ち、カブリを生じ、線画の耇写においお
゚ツゞ呚蟺のトナヌの飛び散りを生じ、又、画像
濃床も䜎䞋する。 他の欠点ずしおは、高音高湿床、及び䜎枩䜎湿
床の環境条件䞋で、珟象、転写を行なう際に、画
像濃床の䜎䞋、線画の飛び散り、癜ヌケ、カブリ
などを生ずる。この珟象は、珟像工皋、及び転写
工皋の䞡方においお芳察される。 他の欠点は、珟像剀の長期の保存ができない事
である。即ち、珟像剀の末䜿甚状態が長く続くず
初期の特性が䜎䞋し、䜿甚に耐えないものにな぀
おしたう。特に高枩高湿䞋での保存の際に顕著で
ある。 これらの欠点の原因ずしおは、皮々考えられる
が、本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結
果、䞻たる原因は、埗られた珟像剀の摩擊垯電量
分垃に問題がある事を芋出した。この点に関しお
は具䜓的に䟋を挙げ埌述する。 即ち、本発明の目的は、トナヌ粒子間、たたは
トナヌずキダリダヌ間、䞀成分珟像の堎合のトナ
ヌず、スリヌブの劂きトナヌ担持䜓ずの間の摩擊
垯電量が安定で、か぀摩擊垯電量分垃がシダヌプ
で均䞀であり、䜿甚する珟像システムに適した垯
電量にコントロヌルできる珟像剀の提䟛にある。 さらに他の目的は、朜像に忠実な珟像、及び転
写を行なわしめる珟像剀、即ち、珟像時のバツク
グラりンド領域におけるトナヌの付着即ち、カブ
リや朜像の゚ツゞ呚蟺ぞのトナヌの飛び散りがな
く、高い画像濃床が埗られ、ハヌフトヌンの再珟
性の良い珟像剀の提䟛にある。 さらに他の目的は、珟像剀を長期にわたり連続
䜿甚した際も初期の特性を維持し、トナヌの凝集
や垯電特性の倉化のない珟像剀の提䟛にある。 さらに他の目的は、枩床、湿床の倉化に圱響を
受けない安定した画像を再珟する珟像剀、特に高
湿時及び䜎湿時の転写時の飛び散りや転写ぬけな
どのない転写効率の高い珟像剀の提䟛にある。 さらに他の目的は、高枩高湿条件䞋での長期間
の保存でも初期の特性を維持する保存安定性の優
れた珟像剀の提䟛にある。 本発明者らは、䞊蚘の劂き埓来の正荷電性トナ
ヌにた぀わる皮々の問題点を解決し、均䞀に匷く
正電荷に垯電し、負の静電荷像を可芖化しお、高
品質な画像を䞎える電子写真甚珟像剀を提䟛する
事を目的ずしお鋭意研究した結果、䞋蚘正荷電性
珟像剀に到達したものである。 すなわち、本発明の目的は、少なくずも結着暹
脂ず着色剀ずを有するトナヌずシリカ埮粉䜓ずを
少なくずも含有する正荷電性珟像剀においお、該
シリカ埮粉䜓がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞
化により生成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、該シ
リカ埮粉䜓が、400℃以䞊の枩床で熱凊理された
埌、䞀般匏 RnSgiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
剀及び疎氎化凊理剀で凊理され、か぀、メタノヌ
ル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が55〜80
の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ埮
粉䜓を含有する事を特城ずする正荷電性珟像剀を
提䟛するこずにある。 ここで蚀うケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化
により生成されたシリカ埮粉䜓ずは、いわゆる也
匏法シリカ、又はヒナヌムドシリカず称されるも
ので、埓来公知の技術によ぀お補造されるもので
ある。䟋えば四塩化ケむ玠ガスの酞氎玠焔䞭にお
ける熱分解酞化反応を利甚する方法で、基瀎ずな
る反応匏は次の様なものである。 SiCl42H2O2→SiO24HCl 又、この補造工皋においお䟋えば、塩化アルミ
ニりム又は、塩化チタンなど他の金属ハロゲン化
合物をケむ玠ハロゲン化合物ず共に甚いる事によ
぀おシリカず他の金属酞化物の耇合埮粉䜓を埗る
事も可胜であり、それらも包含する。 その粒埄は平均の䞀次粒埄ずしお、0.001〜2ÎŒ
の範囲内である事が望たしく、特に奜たしくは、
0.002〜0.2Όの範囲内のシリカ埮粉䜓を䜿甚する
のが良い。 本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成された垂販のシリカ埮粉䜓ず
しおは、䟋えば、以䞋の様な商品名で垂販されお
いるものがある。 AEROSIL 130 日本ア゚ロゞル瀟 200 300 380 TT600 MOX80 MOX170 COK84 Ca−−SiL − CABOT Co.瀟 MS− MS−75 HS− EH− Wacker HDK N20 V15 WACKER−CHEMIE GMBH瀟 N20 T30 T40 − Fine Sillca ダりコヌニングCo.瀟 Fransol Fransil瀟 これらのシリカ埮粉䜓を400℃以䞊の枩床で熱
凊理したものが本発明に䜿甚するシリカ埮粉䜓で
ある。熱凊理は䟋えば電気炉䞭にシリカ埮粉䜓を
入れ400℃以䞊の枩床で適圓な時間䟋えば10分〜
10時間攟眮しお行えば良い。珟像剀の特性を著し
く䜎䞋させないものならば、熱凊理法に制限はな
く、いずれの方法も適甚出来る。たた熱凊理枩床
は450℃〜1500℃が奜たしく、特に、500℃〜1000
℃であるのが奜たしい。 埓来、珟像剀にケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞
酞化により生成されたシリカ埮粉䜓を添加する䟋
は公知である。しかしながら、正荷電制埡性を有
する染料を含有した珟像剀でも、この様なシリカ
を添加するず垯電性が負に倉化しおしたい、負の
静電荷像を可芖化するためには䞍適圓であ぀た。
本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結果、埓
来のケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生
成されたシリカ埮粉䜓は正荷電性珟像剀の電荷を
枛じ、あるい極性を反転させる事を芋出した。さ
らに、摩擊垯電量が安定で高くか぀摩擊垯電量分
垃がシダヌプで均䞀なる正荷電性を瀺す珟像剀を
埗る目的に詳现な怜蚎を行なうず、ケむ玠ハロゲ
ン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮
粉䜓を400℃以䞊奜たしくは450℃〜1500℃、特
に奜たしくは500℃〜1000℃の枩床で熱凊理さ
れた埌、䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
剀で凊理し、か぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀お
枬定された疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す様
に疎氎化凊理し、該凊理シリカ埮粉䜓を珟像剀に
含有させるのが有効である事を芋出した。 しかも、䞊蚘シランカツプリング剀ず疎氎化凊
理剀の量比及びトヌタルの凊理量を倉化させお疎
氎化床を遞定する事で、該凊理シリカ埮粉䜓を珟
像剀に含有させるずトナヌ垯電量の倀ずその分垃
を自由にコントロヌルできる事を芋出した。 本発明に適甚するシランカツプリング剀には次
のようなものがある。 特に本発明に甚いるのに奜たしいシランカツプ
リング剀はアミノ基を含有する化合物で次の様な
構造匏で瀺されるものである。
【衚】 

HC

【衚】 などが挙げられる。又、䞊蚘化合物のアルコキシ
基が塩玠原子であ぀おもよい。これらのシランカ
ツプリング剀は皮たたは皮以䞊の混合系で甚
いられおよい。 又本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓に芁求され
る疎氎化床、即ち、メタノヌル滎定詊隓によ぀お
枬定された疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す様
に疎氎化凊理するには、埓来公知の疎氎化方法が
甚いられ、シリカ埮粉䜓ず反応あるいは物理吞着
する有機ケむ玠化合物などの疎氎化凊理剀で化孊
的に凊理するこずによ぀お付䞎される。奜たしい
方法ずしおは、ケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞
化により生成されたシリカ埮粉䜓を前蚘したシラ
ンカツプリング剀で凊理した埌、あるいはシラン
カツプリング剀で凊理するず同時に疎氎化凊理剀
で凊理する。 その様な疎氎化凊理剀の䟋は、トリメチルクロ
ルシラン、ゞメチルゞクロルシラン、メチルトリ
クロルシラン、アリルゞメチルクロルシラン、ア
リルプニルゞクロルシラン、ベンゞルクロルシ
ラン、α−クロル゚チルトリクロルシラン、β−
クロル゚チルトリクロルシラン、クロルメチルゞ
メチルクロルシラン、ヘキサメチルゞシロキサ
ン、−ゞビニルテトラメチルゞシロキサ
ン、−ゞプニルテトラメチルゞシロキサ
ンが挙げられる。 本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓は前述したシ
ランカツプリング剀ず疎氎化凊理剀の䞡凊理剀で
凊理されおいる事により、珟像剀に含有された堎
合、珟像剀の摩擊垯電量が安定で高く、か぀摩擊
垯電量分垃がシダヌプで均䞀なる正荷電性を瀺す
様になる。シリカ埮粉䜓に察しお凊理するシラン
カツプリング剀ず疎氎化凊理剀の奜たしい重量の
比率は、1585〜8515であり、この比率を倉化
させる事によ぀お、該シリカ埮粉䜓を含有した珟
像剀の摩擊垯電量の倀を垌望の倀にする事がで
き、この比率を任意に遞択できる。又、甚いるシ
ランカツプリング剀及び疎氎化床剀の皮類によ぀
おも異なる。シランカツプリング剀ず疎氎化凊理
剀の総量は、奜たしくは、シリカ埮粉䜓に察し
お、0.1〜30wt、さらに奜たしくは、0.5〜20wt
であるのが望たしい。 最終的に、凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床
がメタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化
床ずしお、55〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化さ
れた堎合にこの様なシリカ埮粉䜓を含有する珟像
剀の摩擊垯電量がシダヌプで均䞀なる正荷電性を
瀺す様になるので奜たしい。 ここでメタノヌル滎定詊隓は疎氎化された衚面
を有すシリカ埮粉䜓の疎氎化床の皋床を確認する
実隓的詊隓である。 凊理されたシリカ埮粉䜓に疎氎化床を評䟡する
ために本明现曞においお芏定される“メタノヌル
滎定詊隓”は次の劂く行う。䟛詊シリカ埮粉䜓
0.2を容量250mlの䞉角フラスコ䞭の氎50mlに添
加する。メタノヌルをビナヌレツトからシリカの
党量が湿最されるたで滎定する。この際、フラス
コ内の溶液はマグネチツクスタヌラヌで垞時撹拌
する。その終点はシリカ埮粉䜓の党量が液䜓䞭に
懞濁されるこずに぀お芳察され、疎氎化床は終点
に達した際のメタノヌルおよび氎の液状混合物䞭
のメタノヌルの癟分率ずしお衚わされる。 たた、これらの凊理されたシリカ埮粉䜓の適甚
量は珟像剀重量に察しお、0.01〜20のずきに効
果を発揮し、特に奜たしくは0.1〜添加した
際に優れた安定性を有する正の垯電性を瀺す。添
加圢態に぀いお奜たしい態様を述べれば、珟像剀
重量に察しお0.01〜重量の凊理されたシリカ
埮粉䜓がトナヌ粒子衚面に付着しおいる状態にあ
るのが良い。 ここで、本発明の珟像剀が朜像に忠実な珟像及
び転写を行わしめる理由に぀いお掚察する。 たず、特公昭53−22447号公報の提案である珟
像剀の構成成分ずしお、アミノシランのみで凊理
した金属酞化物粉末を含有させる方法では、前述
した様にいく぀かの欠点を有しおいる。 これらの欠点の原因ずしおは、皮々考えられる
が、本発明者は䞊蚘の珟象に぀いお研究せる結
果、䞻たる原因は、埗られた珟像剀の摩擊垯電量
分垃に問題がある事を芋出した。 すなわち、アミノシラン化合物のみで凊理した
シリカ埮粉䜓など金属酞化物粉末を珟像剀に含有
した際には、倚くの堎合、朜像を忠実に再珟する
のに奜たしい特性を保持しえないが、その珟像剀
の摩擊垯電量分垃は、きわめおブロヌドであり、
その倀も、䜿甚する環境条件によ぀お倉化したバ
ラツキを生じおしたう。たた、負垯電性を有する
珟像剀が存圚する事も確認される。 ここで蚀う摩擊垯電量分垃ずは、䜿甚する珟像
系に近䌌した状態で枬定されるべき垯電量であ
る。䟋えばキダリダヌを甚いる二成分珟像方法、
即ち、カスケヌド珟像方匏や二成分磁気ブラシ方
匏などの堎合、珟像剀粒子の垯電は、䞻ずしお、
キダリダヌ粒子衚面ずの接觊、剥離の工皋で行わ
れるが、この様な珟像剀系での摩擊垯電量分垃の
枬定方法は、䟋えば、L.B.ScheinらJ.Appl.
Phys.46、No.12、P51401975の方法、ある
いはR.W.Stover1969 Proc.Ann.Conf.photo.Sci.
Eng.、SPSE P156およびR.B.Levisら4th
International Conf.on Electrophoto.Adv.Print
P611981の方法を甚いお枬定されるものであ
る。 この様なブロヌドな摩擊垯電量分垃を有する珟
像剀では、その垯電量の小さい珟像剀成分はカブ
リや朜像の゚ツゞ郚での飛び散りの原因ずなり、
逆垯電成分も同様な悪圱響を及がす。たた、垯電
量の倧きい珟像剀成分はキダリダヌや珟像スリヌ
ブの劂きトナヌ担持䜓ぞの物理的鏡映力が倧ずな
぀お珟像されにくく、画像濃床の䜎䞋やガサツキ
の原因ずな぀お奜たしくない。たた、この様なア
ミノシラン化合物のみで凊理したシリカ埮粉䜓を
含有せしめた珟像剀の摩擊垯電量分垃は環境条件
によ぀お倉化しやすく、特に高枩高湿床及び䜎枩
䜎湿床の条件においお珟像に適さない分垃ずな
る。すなわち、高枩高湿床においおは垯電量の小
さい珟像剀成分が増加し、カブリ、画像濃床の䜎
䞋、朜像の゚ツゞ郚での飛び散り、転写効率の䜎
䞋がさらに顕著ずなる。この䞀䟋を第図のに
瀺す。各図にいお、暪軞は摩擊垯電量、瞊軞は
各々の垯電量を瀺したトナヌの割合である。 䟋えば、アミノシラン化合物のみで凊理したシ
リカ埮粉䜓を含有せしめた珟像剀の摩擊垯電量分
垃は、シリカ埮粉䜓に察するアミノシラン化合物
の皮類や量を倉化させおも、いずれもブロヌドで
あり、キダリダヌや珟像スリヌブの劂きトナヌ担
持䜓に察する摩擊垯電量の小さい成分からきわめ
お倧きい成分たで存圚する珟像剀が埗られるだけ
である。たた、倀の倧きい逆垯電成分も僅かに存
圚する。珟像剀に該シリカ埮粉䜓を含有させた珟
像剀の摩擊垯電量分垃の䟋を第図のに瀺す。
埓来公知である珟像方法では、珟像剀粒子にかか
わる力は朜像ぞの静電気的吞匕力及び、堎合によ
぀おは倖郚からの電気力ずキダリダヌや珟像スリ
ヌブの劂きトナヌ担持䜓ぞの鏡映力、付着凝集力
であり、個々の珟像剀粒子に察する䞡者の力の差
によ぀お朜像ぞの珟像剀粒子の付着は行われる。 䜎枩䜎湿床においおは、垯電量の倧きい珟像剀
成分が増加し、画像濃床の䜎䞋、ガサツキ、カブ
リ、が顕著ずなり、転写の際の飛び散りや䞭抜け
も増倧する。䜎枩䜎湿䞋での摩擊垯電量分垃の䞀
䟋を第図のに瀺す。たた、特に䜎枩䜎湿床に
おいおは、珟像剀の連続䜿甚によ぀おこの傟向は
さらに顕著ずなり初期の特性を維持し埗ず䜿甚に
耐えないものになる。 䞀方、本発明の珟像剀の摩擊垯電量分垃の䞀䟋
を第図のからに瀺す。図から分かる様に、
その分垃がきわめおシダヌプである。この様なシ
ランカツプリング剀で凊理され、か぀、メタノヌ
ル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が55〜80
の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ埮
粉䜓を含有する珟像剀がこの様に均䞀でシダヌプ
な摩擊垯電量分垃を有する事の詳现な理由は明ら
かではないが、おそらくは、カツプリング剀ず
疎氎化剀の盞互䜜甚により過剰の電荷のリヌク
ず、電荷蓄積がある平衡倀で安定化しおいるため
であろう珟像、転写に悪圱響を及がす成分が少
なく、その分垃ず倀は高枩高湿床及び䜎枩䜎湿床
の条件䞋でも倉化が少ない。 さらに本発明の珟像剀は長期間高枩高湿䞭に保
存しおも摩擊垯電量の枛少が極めお少なく、耇写
品質が殆ど䜎䞋しないが、これは以䞋の理由によ
るず思われる。すなわち、ケむ玠ハロゲン化合物
の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓は衚
面に倚数の氎酞基を圢成しおいる。これらは次の
様な皮類のものである。  衚面のシラノヌル基、これは他のシラノヌル
基に察しお空間的に遠ざけられおいるために、
その䜜甚領域内で互いに盞互䜜甚の可胜性を有
せず、それ故孀立された、又は“遊離のシラノ
ヌル基”ず呌べるものである。  それ自䜓がず同じ皮類のシラノヌル基、䜆
しこれは氎玠架橋を介しお盞互䜜甚し埗る皋床
近接しおおり、それ故“結合氎玠架橋結合
シラノヌル基”ず呌ぶこずができる。  衚面に吞着された氎の氎酞基。 これらのシリカ衚面䞊の氎酞基は、400℃以䞊
の枩床で熱凊理するこずによ぀おシラノヌル基ど
うしの瞮合が起こり、その結果衚面が安定化する
ためず思われる。400℃未満で熱凊理するず、加
熱時には吞着氎が陀かれおケむ酞埮粉䜓の含氎量
が枛少するが、垞枩に戻すず再び氎分を吞収しお
含氎量が熱凊理する前ず同量になる。しかしなが
ら400℃以䞊で熱凊理するず、ケむ酞埮粉䜓粒子
の衚面の氎酞基が瞮合しお氎分を攟出するので、
垞枩に戻しおも含氎量は熱凊理前に比べお著しく
少ないものずなる。完党には氎酞基数は陀去され
ないが、これは埌工皋の有機凊理にず぀お奜぀ご
うな量である。 本発明においお熱凊理の時間は凊理枩床、ケむ
酞埮粉䜓の粒埄その他の特性により異なるが、お
よそ分〜10時間の範囲であ぀お、熱凊理の結果
吞湿量がおよそ重量パヌセント以内特に奜た
しくは重量パヌセント以内ずなるこずを目安
にしお決定すれば良い。吞湿量はおよそ20℃にお
いお玄時間チオ硫酞゜ヌダの液底䜓を有する飜
和氎溶液䞊に、すなわち湿床78䞭に攟眮した熱
凊理されたケむ酞埮粉䜓を熱倩秀により℃分
の枩床䞊昇で垞枩から400℃たで加熱枛量曲線を
枬定し、その枛少量を吞湿量ずしお求める。 本発明のトナヌの結着暹脂ずしおは、ポリスチ
レン、ポリ−クロルスチレン、ポリビニルトル
゚ンなどのスチレン及びその眮換䜓の単量合䜓
スチレン−−クロルスチレン共重合䜓、スチレ
ン−プロピレン共重合䜓、スチレン−ビニルトル
゚ン共重合䜓、スチレン−ビニルナフタリン共重
合䜓、スチレン−アクリル酞メチル共重合䜓、ス
チレン−アクリル酞゚チル共重合䜓、スチレン−
アクリル酞ブチル共重合䜓、スチレン−アクリル
酞オクチル共重合䜓、スチレン−メタクリル酞メ
チル共重合䜓、スチレン−メタクリル酞゚チル共
重合䜓、スチレン−メタクリル酞ブチル共重合
䜓、スチレン−α−クロルメアクリル酞メチル共
重合䜓、スチレン−アクリロニトリル共重合䜓、
スチレン−ビニルメチル゚ヌテル共重合䜓、スチ
レン−ビニル゚チル゚ヌテル共重合䜓、スチレン
−ビニルメチルケトン共重合䜓、スチレン−ブタ
ゞ゚ン共重合䜓、スチレン−む゜プレン共重合
䜓、スチレン−アクリロニトリル−むンデン共重
合䜓、スチレン−マレむン酞共重合䜓、スチレン
−マレむン酞゚ステル共重合䜓などのスチレン系
共重合䜓ポリメチルメタクリレヌト、ポリブチ
ルメタクリレヌト、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酞ビ
ニル、ポリ゚チレン、ポリプロピレン、ポリ゚ス
テル、ポリりレタン、ポリアミド、゚ポキシ暹
脂、ポリビニルブチラヌル、ポリアマむド、ポリ
アクリル酞暹脂、ロゞン、倉性ロゞン、テルペン
暹脂、プノヌル暹脂、脂肪族又は脂環族炭化氎
玠暹脂、芳銙族系石油暹脂、塩玠化パラフむン、
パラフむンワツクスなどが単独或いは混合しお䜿
甚できる。 本発明のトナヌに甚いる着色材料ずしおは、埓
来公知のカヌボンブラツク、鉄黒などが䜿甚で
き、埓来公知の正荷電制埡剀ずしおの染料党おが
本発明に甚いられる凊理シリカ埮粉䜓ずの組み合
せで䜿甚する事ができる。䟋えば、ベンゞルメチ
ル−ヘキサデシルアンモニりムクロラむド、デシ
ル−トリメチルアンモニりムクロラむド、ニグロ
シン塩基、ニグロシンヒドロクロラむド、サフラ
ニンγ及びクリスタルバむオレツトなど皮々の染
料である。 たた本発明のトナヌを磁性トナヌずしお甚いる
ために、磁性粉を含有せしめおも良い。このよう
な磁性粉ずしおは、磁堎の䞭に眮かれお磁化され
る物質が甚いられ、鉄、コバルト、ニツケルなど
の匷磁性金属の粉末もしくはマグネタむト、ヘマ
タむト、プラむトなどの合金や化合物がある。
この磁性粉の含有量はトナヌ重量に察しお15〜70
重量である。 さらに本発明のトナヌは必芁に応じお鉄粉、ガ
ラスビヌズ、ニツケル粉、プラむト粉などのキ
ダリダヌ粒子ず混合されお、電気的朜像の珟像剀
ずしお甚いられる。 本発明の珟像剀は皮々の珟像方法に適甚されう
る。䟋えば、磁気ブラシ珟像方法、カスケヌド珟
像方法、特開昭53−31136号公報に蚘茉された高
抵抗磁性トナヌを甚いる方法、特開昭54−42141
号公報、同55−18656号公報、同54−43027号公報
などに蚘茉された方法、フアヌブラシ珟像方法、
パりダヌクラりド法、むンプレツシペン珟像法な
どがある。 この様にしお構成された正荷電性珟像剀の第
の特性は、荷電制埡剀ずしお400℃以䞊の枩床で
熱凊理された埌、シランカツプリング剀で凊理さ
れ、か぀疎氎化床が55〜80の範囲の倀を瀺す様に
疎氎化凊理されたシリカ埮粉䜓を䜿甚しおいるた
めに、特に電子写真甚珟像剀ずしお甚いられた堎
合、トナヌ粒子間、たたはトナヌずキダリダヌ
間、䞀成分珟像の堎合のトナヌず、スリヌブの劂
きトナヌ担持䜓ずの間の摩擊垯電量が安定でか぀
摩擊垯電量分垃がシダヌプで均䞀であり、䜿甚す
る珟像システムに適した垯電量にコントロヌルで
きるために、埓来充分には解決できなか぀た珟像
カブリや、朜像の゚ツヂ呚蟺ぞのトナヌの飛び散
りがなく、高い画像濃床が埗られ、ハヌフトヌン
の再珟性が良い事にある。 さらに、珟像剀を長期にわたり連続䜿甚した際
も初期の特性を維持し、高品質な画像を長期間䜿
甚できる事にある。 さらにいく぀かの実甚䞊重芁な特性がある。そ
の䞀぀は、高枩高湿床の環境条件の䜿甚におい
お、珟像剀の摩擊垯電量分垃がシマヌプで垞枩垞
湿床のそれずほずんど倉化しいため、カブリや、
画像濃床の䜎䞋や朜像に忠実な珟像を行える事に
あり、さらには、転写効率の優れおいる事にあ
る。 たた、䜎枩䜎湿床条件の䜿甚においおも摩擊垯
電量分垃は垞枩垞湿床のそれずほずんど倉化がな
く、垯電量のきわめお倧きい珟像剀成分の生成が
ないため、画像濃床の䜎䞋やカブリもなく、ガサ
ツキや転写の際の飛び散りもほずんどないずいう
おどろくべき特性がある。 他の特城は、高枩高湿床条件䞋での長期間の保
存でも初期の特性を維持する保存安定性の優れた
点にある。 さらに他の特城は、埓来の正に荷電制埡する色
玠・染料は、その分散性䞍良のためから甚いる結
着暹脂ずの間に遞択性があり、どの暹脂ずの組み
合せも可胜ずいう事はなか぀たが、本発明に甚い
られるシリカ埮粉䜓ず暹脂ずの間には遞択性がな
く、いかなる暹脂ずも組み合せる事ができ、応甚
可胜なトナヌの構成が広く遞択できる事にある。
䟋えば、熱定着甚トナヌの他に、圧力定着性トナ
ヌ、カプセルトナヌに甚いる事ができる。 特に、本発明に甚いられる凊理されたシリカ埮
粉䜓をトナヌ粒子衚面に付着させた堎合には、ト
ナヌ衚面の空間電荷調敎をトナヌ衚面に存圚する
該シリカ埮粉䜓粒子が䞻ずしお行うため、この効
果は顕著である。 以䞊本発明の基本的な構成ず特色に぀いお述べ
たが、以䞋実斜䟋にもずづいお具䜓的に本発明の
方法に぀いお説明する。しかしながら、これによ
぀お本発明の実斜の態様がなんら限定されるもの
ではない。実斜䟋䞭の郚数は重量郚である。 実斜䟋  スチレン−ブチルメタクリリヌト 100重量郹 カヌボンブラツク  〃 ニグロシン  〃 䞊蚘材料をブレンダヌでよく混合した埌150℃
に熱した本ロヌルで混緎した。混緎物を自然攟
冷埌、カツタヌミルで粗粉砕した埌、ゞ゚ツト気
流を甚いた埮粉砕機を甚いお粉砕し、さらに颚力
分玚機を甚いお分玚しお粒埄〜20Όの埮粉䜓を
埗た。 次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200日本ア゚ロゞ
ル瀟補を800℃で時間熱凊理しお生成したシ
リカ埮粉䜓を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミ
キサヌ䞭に入れ、シリカに察しおシランカツプリ
ング剀2.0重量パヌセントの凊理量ずなる様にア
ルコヌルで垌釈したγ−アミノプロピルトリ゚ト
キシシランを滎䞋しながら高速で撹拌した。埗ら
れた埮粉䜓を120℃にお也燥した埌、再びヘンシ
゚ルミキサヌ䞭に入れ、撹拌しながら該シリカに
察しおゞメチルゞクロルシランが2.0重量パヌセ
ントずなる様に噎霧した。宀枩で時間高速撹拌
し、さらに80℃で24時間撹拌し、぀いでミキサヌ
を倧気圧たで開攟した。この混合物をさらに䜎速
にお倧気圧で60℃、時間也燥した。疎氎化床は
55であ぀た。 該凊理シリカ埮粉䜓を䞊蚘埮粉䜓に察し0.6重
量パヌセント加え、ヘンシ゚ルミキサヌで混合し
たもの郚に、粒埄50〜80Όの鉄粉キダリダヌ
100郚加え混合しお珟像剀を埗た。 次いでOPC感光䜓䞊に埓来公知の電子写真法
により、負の静電荷像を圢成し、これを䞊蚘の珟
像剀を甚い磁気ブラシ法で粉䜓珟像しおトナヌ画
像を䜜り、普通玙に転写し加熱定着させた。埗ら
れた転写画像は濃床が1.53ず充分高く、かぶりも
党くなく、画像呚蟺のトナヌ飛び散りがなく解像
力の高い良奜な画像が埗られた。䞊蚘珟像剀を甚
いお連続しお転写画像を䜜成し、耐久性を調べた
が、30000枚埌の転写画像も初期の画像ず比范し
お、党く、そん色のない画像であ぀た。 たた、環境条件を35℃、85にしたずころ、画
像濃床は1.50ず垞枩垞湿ずほずんど倉化のない倀
であり、カブリや飛び散りもなく鮮明な画像が埗
られ、耐久性も30000枚たでほずんど倉化なか぀
た。次に10℃、10の䜎枩䜎湿床においお転写画
像を埗たずころ画像濃床は1.50ず高く、ベタ黒も
極もお滑らかに珟像、転写され飛び散りや䞭抜け
のない優秀な画像であ぀た。この環境条件で耐久
を行぀た。連続及び間け぀でコピヌしたが、やは
り30000枚たで濃床倉動は±0.2ず実甚䞊充分であ
぀た。 たた保存安定性を調べる詊隓ずしお35℃、90
の条件䞋でケ月保存したが、その埌においおも
保存前に比べお画像濃床の䜎䞋は殆どなく鮮明な
画像であ぀た。 この珟像剀の摩擊垯電量分垃の枬定結果を第
図のからに瀺したが、垞枩垞湿、高枩高湿、
䜎枩䜎湿の各条件においお、シダヌプな分垃状態
を瀺した。 比范䟋  ア゚ロゞル200をγ−アミノプロピルトリ゚ト
キシシランず、ゞメチルゞクロルシランで凊理し
ない他は実斜䟋ず同様に珟像剀を埗、珟像、転
写を行぀たが、反転した画像が埗られたのみであ
り、摩擊垯電量は−3.2ÎŒcず負の垯電性を瀺
した。 比范䟋  ゞメチルゞクロルシランで凊理しない他は実斜
䟋ず同様に珟像剀を埗、同様に画像を埗た。垞
枩垞湿ではカブリは少ないが画像濃床が0.84ず䜎
く線画も飛び散り、ベタ黒がガサツキが目立぀
た。耐久性を調べたが、2000枚時に濃床は0.46ず
䜎䞋した。35℃、85の条件䞋で画像を埗たずこ
ろ画像濃床は0.50ず䜎くなりカブリ、飛び散り、
ガサツキが増倧し、䜿甚に耐えないものであ぀
た。転写効率も63ず䜎か぀た。 10℃、10の条件䞋で画像を埗たずころ、画像
濃床は0.70ず䜎く、飛び散り、カブリ、ガサツキ
がひどく転写ぬけが目立぀た。連続画像出しを行
぀たが、500枚皋床で濃床は0.40ずなり、実甚䞍
可ずな぀た。この珟像剀の摩擊垯電量分垃の枬定
結果を第図のからに実線で瀺したが、前述
した様にいずれの環境においおもその分垃はブロ
ヌドであり、珟像、転写に亜圱響を及がす成分を
倚く含んでいる事が認められた。 参考䟋  ア゚ロゞル200の熱凊理枩床を430℃ず倉えるこ
ずを陀いおは実斜䟋ずほが同様にしお疎氎化床
50の凊理シリカ埮粉䜓を調補し、実斜䟋ず同様
に珟像剀を埗、珟像、転写をおこな぀た。結果を
衚に瀺す。 参考䟋  ア゚ロゞル200の熱凊理枩床を480℃ず倉えるこ
ずを陀いおは実斜䟋ずほが同様にしお疎氎化床
50の凊理シリカ埮粉䜓を調補し、実斜䟋ず同様
に珟像剀を埗、珟像、転写をおこな぀た。結果を
衚に瀺す。 実斜䟋 〜 ア゚ロゞル200の熱凊理枩床をそれぞれ500℃、
600℃、700℃、900℃、1000℃、1200℃ず代える
こずを陀いおは実斜䟋ずほが同様に行぀たずこ
ろ良奜な結果が埗られた。 実斜䟋  ア゚ロゞル200に察するγ−アミノプロピルト
リ゚トキシシランずゞメチルゞクロルシランの凊
理量をそれぞれ10重量パヌセントず5.0重量パヌ
セントずするこずを陀いおは、実斜䟋ずほが同
様に行぀たずころ良奜な結果が埗られた。 実斜䟋  ポリ゚チレン 100重量郹 カヌボンブラツク  〃 スピリツトブラツク  〃 䞊蚘材料を実斜䟋の方法でトナヌずした他は
実斜䟋ず同様に行぀たずころ良奜な結果が埗ら
れた。 各実斜䟋、参考䟋及び比范䟋の評䟡を衚に瀺
す。
【衚】 【図面の簡単な説明】
第図は比范䟋で甚いた珟像剀の摩擊垯電量
分垃を瀺すグラフ。第図は実斜䟋で甚いた珟
像剀の摩擊垯電量分垃を瀺すグラフ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少なくずも結着暹脂ず着色剀ずを有するトナ
    ヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する正荷
    電性珟像剀においお、該シリカ埮粉䜓が、ケむ玠
    ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシ
    リカ埮粉䜓であ぀お、該シリカ埮粉䜓が、400℃
    以䞊の枩床で熱凊理された埌、䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子は〜
    の敎数はアミノ基を含有する炭化氎玠基
    は〜の敎数で瀺されるシランカツプリング
    剀及び疎氎化凊理剀で凊理され、か぀、メタノヌ
    ル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が55〜80
    の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理されたシリカ埮
    粉䜓を含有する事を特城ずする正荷電性珟像剀。
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