JPH0141033B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体用リードピンの製造方法に関
する。

近時、半導体IC或いはLSIは、高集積化の要請
から従来使用されてきたデユアル・イン・パツケ
ージ型のものからプラグ・イン・パツケージ型の
ものに変りつつある。

そのプラグ・イン・パツケージ型の半導体IC
に用いるリードピンのセラミツク基板へのろう付
は、従来第１図ａに示す如くセラミツク１の表面
にメタライズ２を行い、次にそのメタライズした
セラミツクにニツケルめつき３を施し、次いで第
１図ｂに示す如くカーボン治具１０をセツトし、
次にセラミツク１のニツケルめつき３の上にろう
材４をセツトし、次いでろう材４の上にリードピ
ン５をセツトし、然る後電気炉中でリードピン５
をろう付する方法が一般的であつた。

ところで、かかるろう付方法では、ろう材を所
定の位置に正確に位置させることが極めて困難で
あり、またろう付強度にばらつきがあつて低く不
安定であり、さらにはろう付されないものが生じ
るものである。従つてろう付不良の半導体ICが
多量に生じ、しかも一度ろう付不良を起した半導
体ICは処分するか、或いは再ろう付を行わなけ
ればならない。

然し乍ら、前者の手段では歩留りが甚だ悪く、
後者の手段では手間が掛り、この点の改善が要望
されていた。

この為、第一工程で第２図ａ，ｂに示す如くろ
う材４が予め融着されたリードピン５′を作り、
第二工程で第１図ａに示されるようにメタライズ
２が行われ、さらにニツケルめつき３が施された
セラミツク１のニツケルめつき３上に治具を用い
て前記リードピン５′をセツトし、電気炉中でリ
ードピン５′をろう付する方法が考えられている。

ところで、ろう材４が予め融着されたリードピ
ン５′を作るには、カツトしたリードピン５にカ
ツトしたろう材４を電気炉中でろう付する所調バ
ツクろう方式を用いるのであるが、この方式では
カツトしたろう材４が小さいので、これをリード
ピン５をセツトせる治具内に入れると、リードピ
ン５一本に対し複数個のろう材４が入つたり、全
く入らなかつたりすることがあつた。またリード
ピン５一本に対し一個ずつろう材４が入つてもろ
う材４のセツト位置の調整が難しく第３図ａ，ｂ
に示す如くろう材４のリードピン５に対するろう
付位置の不良や第３図ｃ，ｄに示す如くろう材４
のリードピン５への回り込み、或いは第３図ｅ，
ｆに示す如くろう材４がリードピン５に融着しな
いなどの現象が生じ、リードピン５′の品質が甚
だばらつき、不良品も多かつた。

本発明は、かかる問題を解決すべくなされたも
のであり、ろう材が予めリードピンのセラミツク
基板とのろう付部に接合されて一体化されて成る
半導体用リードピンを、効率良く且つ確実に精度
良く作ることのできる方法を提供せんとするもの
である。

本発明の半導体用リードピンの製造方法は、第
４図ａ，ｂ，ｃに夫々示されるように、リードピ
ンとなるべき材料を所要の断面形状の板材６，
６′６″に成形加工し、次にこの板材６，６，′
６″の一側端部の所要位置に第５図ａ，ｂ，ｃに
夫々示されるように所要の断面形状の線条ろう材
７，７′，７″をシーム溶接、レーザー溶接、熱圧
接等により接合して一体化して複合板材８，８′，
８″を作り、次いでこの複合板材８，８′，８″を
順次一定寸法に切断して第６図ａ，ｂ，ｃに夫々
示されるような複合線材の半導体用リードピン
９，９′，９″を作ることを特徴とするものであ
る。

尚、前記半導体用リードピン９，９′，９″は横
断面角形であるが、場合によつてはこれらリード
ピン９，９′，９″を転造機などを用いて第７図
ａ，ｂ，ｃに夫々示されるように所要の部分を円
形に成形しても良いものである。

本発明による半導体用リードピンの製造方法
は、前述の如くリードピンとなるべき材料を板材
に成形加工し、この板材の板端部に線条ろう材を
接合して一体化し、この複合板材を一定寸法に切
断するのであるから、得られるリードピンのろう
材はセラミツク基板とのろう付部の正確な位置に
確実に接合され且つその形状は所要の一定した形
状となり、極めて精度の良いリードピンとなる。
従つてかかるリードピンはセラミツク基板とのろ
う付が確実、容易に行われ、そのろう付強度は高
く安定するものである。またろう付されないもの
が全く生じないので、極めて歩留りが良く、品質
良好な半導体ICを得ることができる。

また本発明による半導体用リードピンの製造方
法は、前記の如く板材から製造するので、極めて
作業性ひいては生産性に優れているので安価に量
産できるものである。

次に本発明による半導体用リードピンの製造方
法の具体的な実施例と従来例について説明する。

実施例 １ 通常42合金と呼ばれるFe−Ni42重量％合金で
厚さ0.4mm、幅４mmの第４図ａに示されるような
板材６を作り、次にこの板材６の一側端面に第８
図ａに示す如く直径0.4mmのAg−Cu28重量％合金
より成る線条ろう材７ａをシーム溶接にて溶接し
一体化して複合板材８ａを作り、次いでこの複合
板材８ａを0.4mmずつ順次切断して第８図ｂに示
す如き複合線材の半導体用リードピン９ａを得
た。

実施例 ２ コバールと呼ばれるFe−Ni29重量％−Co17重
量％合金で厚さ0.88mm、幅５mm、一側部に厚さ
0.18mm、幅0.15mmの直交するフランジを有する第
４図ｃに示されるような板材６″を作り、次にこ
の板材６″のフランジの上面基部に第５図ｃに示
す如く直径0.05mmのAgより成る線条ろう材７″を
YAGレーザーを用いてシーム溶接し一体化して
複合板材８″を作り、次いでこの複合板材８″を
0.88mmずつ順次切断して第６図ｃに示す如き複合
線材の半導体用リードピン９″を作り、さらにリ
ードピン９″の下部を直径0.5mmの円柱状に成形し
た。

従来例 Fe−Ni42合金を直径0.4mmに線引し、これを長
さ5.0mmに切断の上ヘツダー加工して頭径0.6mm、
頭高0.5mm、脚径0.4mm、脚長４mmのリードピンを
成形した。次にAg−Cu28重量％合金を直径0.4mm
に線引し、これを0.4mmの厚さで切断して粒状ろ
う材を作つた。次いで治具内に粒状ろう材をセツ
トし、その上に前記リードピンを載せ、800℃、
N₂＋H₂5％の雰囲気のコンベア炉中でろう付を
行い、ろう材の接合されたリードピンを作つた。
このリードピンを検査した処第３図ｂ，ｄに示す
ような不良品が発生し不良率は30〜40％であつ
た。

然して実施例１、２のリードピン及び従来例の
選別した良品のリードピンを夫々セラミツク基板
上にろう付けした処、実施例１、２のリードピン
に於いてはろう付不良は皆無であつたのに対し、
従来例のリードピンに於いてはろう付不良率が10
〜20％もあつた。これは選別しきれないリードピ
ンの不良によるものと考えられる。

以上詳記した通り本発明による半導体用リード
ピンの製造方法によれば、ろう材が予めリードピ
ンのセラミツク基板とのろう付部の正確な位置に
確実に接合され且つその形状が所要の一定した形
状で極めて精度の良いリードピンを能率良く製造
できるという優れた効果がある。

また本発明の製造方法により得られたリードピ
ンをセラミツク基板にろう付けすれば、そのろう
付が確実、容易に行われ、ろう付強度は高く安定
し、歩留りの良い品質良好な半導体ICが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂはセラミツク基板にリードピンを
ろう付する従来の方法の工程を示す図、第２図
ａ，ｂはろう材が了め融着された従来のリードピ
ンの例を示す図、第３図ａ乃至ｆは第２図ａ，ｂ
に示すリードピンの製造において生じる不良品を
示す図、第４図乃至第６図の各ａ，ｂ，ｃは夫々
本発明による半導体用リードピンの製造方法の工
程を示す図、第７図ａ，ｂ，ｃは第６図ａ，ｂ，
ｃのリードピンをさらに円形に成形した状態を示
す図、第８図ａ，ｂは第４図ａに示す板材からリ
ードピンを製造する本発明の製造方法の具体的な
実施例を示す図である。 ６，６′，６″……板材、７，７′，７″，７ａ…
…線条ろう材、８，８′，８″，８ａ……複合板
材、９，９′，９″，９ａ……リードピン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体用リードピンとなるべき材料を所要の
   断面形状の板材に成形加工し、次にこの板材の一
   側部に所要の断面形状の線条ろう材を接合して一
   体化し、次いでこの複合板材を順次一定寸法に切
   断して複合線材の半導体用リードピンを作ること
   を特徴とする半導体用リードピンの製造方法。