JPH0142047B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、高密度記録ができる金属薄膜からな
る磁気記録媒体とその製造方法に関し、更に詳し
くは近年実用化研究の盛んな垂直磁気記録方式に
好適な非磁性基板上に低抗磁力層と垂直磁気異方
性を有するコバルト（Co）・クロム（Cr）合金膜
からなる磁気記録層（以下“垂直磁化層”とい
う）とを順次積層した磁気記録媒体の改良に関す
る。 上述の低抗磁力層と垂直磁化層とからなる二層
膜の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において
単極型ヘツドによつて効率良く記録できる垂直磁
気記録媒体として特開昭54−51804号公報に提案
されている。この提案された二層膜構成の垂直磁
気記録媒体（以下“二層膜媒体”という）は、具
体的にはRF2極スパツタ法で作成され、低抗磁力
層をパーマロイで構成したものであり、高い記録
感度と大なる再生出力を得られる優れたものであ
るが、実用面から下記の問題がある。 その１つは、低抗磁力層をパーマロイとした上
述の二層膜媒体においては、記録密度と関係する
垂直磁化層の垂直配向性を示すロツキングカーブ
の半値巾Δθ50の値が、低抗磁力層を設けない垂
直磁化層のみからなる単層膜に比べて悪くなり、
それだけ垂直磁気異方性が低下することである
（昭和54年度電気関係学会東北支部連合大会1F6、
昭和56年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会S7―１参照）。 その他の問題は、その製造法とも関係するもの
である。すなわち、RFスパツタ法のため基板温
度が上昇するので、基板がポリイミドフイルム等
の高価な耐熱性高分子フイルムに限定され、安価
なポリエステルフイルムを基板に用いる場合は膜
形成速度、冷却手段等の制約がある。また、膜形
成速度も前述のポリイミドフイルムを用いた場合
で最大500Å／mm程度と小さく、生産性が悪い。
更に、得られた記録媒体の可撓性が小さく、実用
に際してヘツドの摩耗及び媒体の損傷等の耐久性
が懸念される。 本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、
垂直配向性の低下のない優れた新規な構成の二層
膜媒体と、該二層膜媒体を、ポリエステルフイル
ムのように耐熱性の低い安価な高分子フイルムを
基板として、高速作製できる製造方法を提供する
ものである。 すなわち、本発明は、非磁性材よりなる基板上
に低抗磁力層と膜面に垂直な方向の磁化容易軸を
有するCo―Cr合金薄膜からなる磁気記録層を順
次積層した磁気記録媒体において、前記低抗磁力
層がCoを主成分としたCoとTa（タンタル）の合
金薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体を第
１発明とし、第１発明の磁気記録媒体の低抗磁力
層及び磁気記録層の両層を、一対の対面させたタ
ーゲツトの側方に基板を配して該基板上に膜形成
する対向ターゲツト式スパツタ法により作製する
ことを特徴とする製造方法を第２発明とするもの
である。 以下、本発明の詳細を説明する。 上述の通り本発明の磁気記録媒体は、従来の前
記した二層膜媒体と同じ構造であり、その特徴と
するところはその低抗磁力層をCoを主成分とし
たCo―Ta合金膜となした点にある。そして、こ
の構成により、高密度記録と関連する垂直磁化層
の垂直配向性を大巾に改善するものである。 特にCo―Ta合金膜のTa濃度を15wt％（重量
パーセント）以上にすると、その抗磁力も100oe
以下となり、かつ、耐熱性の低いポリエステルフ
イルムを基板に用いても、ロツキングカーブの半
値巾Δθ50が実用上必要と云われる10度以下とな
り、実用上充分な垂直配向性が実現できる。更
に、Co―Ta合金膜をアモルフアス合金とする
と、抵抗磁力層の抗磁力は5oe以下と小さくな
り、且つ同じ基板において、前記半値巾Δθ50は
４度以下となり、非常に垂直配向性の良い垂直磁
化層が実現される。この場合の垂直配向性は、低
抗磁力層を設けない単層膜の場合より良いという
驚くべきものである。 ところで、本発明の媒体がこのように優れた垂
直配向性を示す理由は定かでないが、以下の如く
推論される。基板上に作製された低抗磁力層とな
るCo―Ta合金膜は、Taの含有量が少ない場合に
はCo原子が膜面に垂直方向結晶をとるのがエネ
ルギー的に最も安定になり易く、TaによつてＣ
面間隔が拡大された結晶組織になつている。この
場合、その表面に堆積する垂直磁化層のCo―Cr
合金膜の格子定数は若干異なるので、Co―Cr合
金結晶は下地のCo―Ta合金膜の影響を受けて層
間には不整合の部分が生じる。従つてCo―Cr結
晶の垂直配向性が低下する。Taの量が増えると
Co原子は六方最密格子の配列が乱されてくる。
と同時に結晶粒界が不明になつてくる。すなわ
ち、Co―Ta合金膜に一様性が生じてくる。この
一様性は表面の平滑性、結晶格子間の局在的構造
不整の消滅を意味する。そしてこの一様な膜面上
にCo―Cr合金が堆積する場合、堆積開始時から
類似の原子同志が隣接するので、Co原子が膜面
垂直方向に配列する結晶格子を構成することが容
易になると思われる。従つて、本発明の媒体は、
優れた垂直配向性を示すと考えられる。 ところで、前述の媒体の如く低抗磁力層がアモ
ルフアス合金の場合、結晶磁気異方性がなく、抗
磁力が小さく、透磁率が大で、電気比抵抗が高い
という特性を示す。従つて、高密度高速記録時に
高感度に記録できるという大きな効果が得られ
る。と同時に、前記特性から低抗磁力層の厚さを
薄くできるので、経済的にも極めて大きな効果が
得られる。特に記録密度を高める場合その効果は
大きい。又、Co―Taアモルフアス合金はキユリ
ー温度が高いので、本磁気記録媒体を磁気テープ
等の如く摺動により熱が加わるような形で使用し
ても、特性が安定していると共に、耐腐食性にお
いても優れており、実用上有利である。 更に、本発明の磁気記録媒体は、その構成から
以下の点でも優れたものである。本発明の対象で
ある二層膜媒体では低抗磁力層と垂直磁化層との
界面が機械的に安定なことが重要である。すなわ
ち、前記各層の膨張係数や比熱が整合し、両層が
よくぬれ合つていることが必要である。一方、一
般に原子構造が似ている原子半径の差の小さい場
合には層と層が固溶し易いことが知られている。
前述の通り本発明の磁気記録媒体では低抗磁力層
及び垂直磁化層ともCoを主成分とした合金膜で
あり、共にCoが約80at％（原子パーセント）前
後となるので、両層の界面は安定したものとな
る。このように、本発明の媒体は優れたものであ
る。 そして、この点からCo―Ta合金膜の組成は、
Coを主成分すなわち50at％以上としたものが好
ましく、更には垂直磁化層のCo濃度（at％で）
と同程度とするのが好ましい。 なお、本発明の磁気記録媒体の垂直磁化層は、
公知の六方最密構造でＣ軸配向に依る垂直磁気異
方性を有するCr含量が10〜25wt％のCo―Cr合金
膜であれば良く、垂直磁化特性を乱さない範囲で
第３元素としてＷ，Mo，Ru，Pt，Os，Ni，
Re，Ta等を添加しても良い。 又、本発明の磁気記録媒体の基板は、非磁性材
であれば良く、実用面からは安価なポリエステル
フイルム等の高分子フイルムが好ましい。 一方、本発明の磁気記録媒体の各層の厚みは、
実用上の見地から決定され、公知の範囲で適宜設
計する必要があるが、通常両層は0.1〜0.5μｍの
範囲にある。 本発明の磁気記録媒体は、前述の各層を基板の
片側は勿論両側に設けても良く、その使用態様も
磁気テープ、フロツピデイスク等任意の態様に適
用できるものであることは云うまでもない。 以上本発明の第１発明を説明した。次に本発明
の第２発明を実施例と共に説明する。 まず、本発明に関係する対向ターゲツト式スパ
ツタ法について説明する。 第１図は上述スパツタ法を実施するスパツタ装
置の説明図であり、第２図、第３図はそのターゲ
ツト部の詳細図である。図において、１０は真空
容器、２０は真空容器１０を排気する真空ポンプ
等からなる排気系、３０は真空容器１０内に所定
のガスを導入して真空容器１０内の圧力を10-1〜
10-4Torr程度の所定のガス圧力に設定するガス
導入系である。 ところで、真空容器１０内には、図示の如く真
空容器１０の側板１１，１２の絶縁部材１３，１
４を介して固着されたターゲツトホルダー１５，
１６により１対のターゲツトT1，T2が、そのス
パツタされる面T1s，T2s（第２図、第３図参照）
を空間を隔てて平行に対面するように配設してあ
る。そして、ターゲツトT1，T2とそれに対応す
るターゲツトホルダー１５，１６は、第２図、第
３図に示す如く、水冷パイプ１５１，１６１を介
して冷却水によりターゲツトT1，T2、永久磁石
１５２，１６２が冷却される。磁石１５２，１６
２はターゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対
向するように設けてあり、従つて磁界はターゲツ
トT1，T2に垂直な方向にかつターゲツト間のみ
に形成される。なお、１７，１８は絶縁部材１
３，１４及びターゲツトホルダー１５，１６をス
パツタリング時のみプラズマ粒子から保護するた
めとターゲツト表面以外の部分の異常放電を防止
するためのシールドである。 一方、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空容器１０内のターゲ
ツトT1，T2の側方に設けてある。基板保持手段
４１は、基板４０をターゲツトT1，T2間の空間
に対面するようにスパツタ面T1s，T2sに対して
略直角方向に保持するように配置してある。 なお、基板保持手段４１は第４図に示す枠組み
構成の保持具４２により基板４０を緊張保持でき
るようになしてある。 すなわち、周面を適当な傾斜角のテーパ面とす
ると共に、テーパ面に続く鍔部を形成したテーパ
リング４２ａと、テーパリング４２ａの頂部外径
より締め代分だけ小さい内径のＯリング４２ｂ
と、Ｏリング４２ｂをテーパリング４２ａに押圧
してセツトする押圧リング４２ｃとからなり、基
板４０をテーパリング４２ａとＯリング４２ｂの
間に置き、押圧リング４２ｃを止めネジ４２ｄで
テーパリング４２ａにセツトすることにより基板
４０を緊張保持できるようにしてある。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５２，５３はプラス側をアース
に、マイナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続
する。従つて電力供給手段５２，５３からのスパ
ツタ電力は、アースをアノードとし、ターゲツト
T1，T2をカソードとして、アノード、カソード
間に供給される。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、対向ターゲツト式スパツタ法で
は、一対の対向させたターゲツトT1，T2の側方
に基板４０を配し、ターゲツト間に磁界を印加し
てスパツタし基板４０上に所望の膜を作製するよ
うになしてあるので、以下の通り高速低温スパツ
タが可能となる。すなわち、ターゲツトT1，T2
間の空間に、磁界の作用によりスパツタガスイオ
ン、スパツタにより放出されたγ電子等が束縛さ
れ高密度プラズマが形成される。従つて、ターゲ
ツトT1，T2のスパツタが促進されて前記空間よ
り析出力が増大し基板４０上への堆積速度が増し
高速スパツタが出来る上、基板４０がターゲツト
T1，T2の側方にあるので低温スパツタも出来る。
すなわち、上述の対向ターゲツト式スパツタ法に
よれば高速低温スパツタが可能である。 本発明の第２発明は、前記の通り、上に説明し
た対向ターゲツト式スパツタ法により、第１発明
の磁気記録媒体の低抗磁力層及び垂直磁化層の両
層を作成することを特徴とするものであり、垂直
配向性に優れた磁気記録媒体をポリエステル等の
耐熱性の低い高分子フイルムを基板として高速で
作製できるという大きな効果を奏するもので、垂
直磁気記録方式の実用化及び高密度記録が可能な
金属薄膜記録媒体の実用化に寄与するところ大で
ある。 上述の対向ターゲツト式スパツタ法とは、前述
の装置に限定されるものでなく、一対の対面させ
たターゲツトの側方に基板を配し、ターゲツト間
に垂直方向の磁界を印加してスパツタし基板上に
膜を形成するスパツタ法を云う。従つて、基板は
固定である必要はなくローラ等により移送可能に
保持されても良く、磁界発生手段も永久磁石でな
く、電磁石を用いても良い。磁界もターゲツト間
の空間にγ電子等を閉じ込めるものであれば良
く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲツト周
囲のみに発生させた場合も含む。 ところで、上述の方法において、低抗磁力層を
作製後真空中で室温まで冷却し、大気中に取り出
し長時間放置した後に、低抗磁力層上に垂直磁化
層のCo―Cr合金膜を作製したものでは、Co―Ta
合金膜とCo―Cr合金膜は非常に剥離し易かつた。
なお、剥離後の両膜の界面は非常に平坦であつ
た。これに対し、前述同様に冷却し、一旦大気に
曝してもこれが数時間以内という短時間の場合に
は、Co―Ta合金膜とCo―Cr合金膜とが剥離しな
い良好な媒体が得られた。 すなわち、前述したところより、Co―Ta合金
膜作成後、大気に曝すことも冷却することもなく
直ちにCo―Cr合金膜を作成するのが良いが、大
気曝露時間が数時間以内であれば、実用上支障の
ない媒体が得られるのである。 次に、上述した本発明の実施例を説明する。な
お、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製計数
Ｘ線回析装置を用いて同定し、垂直配向性は六方
最密構造かつ（002）面ピークのロツキングカー
ブを前記Ｘ線回析装置で求めその半値巾Δθ50で
評価した。アモルフアス性は電気比抵抗を測定
し、その値により確認した。 〔実施例 １〕 低抗磁力層のCo―Ta合金膜の特性を把握する
ため、第１図のスパツタ装置を用いて膜形成を行
ない評価した。なお、その一方のターゲツトT1
を第５図に示すように、円形の100％のCo板上
に斜線で示す扇形の100％のTa板を放射状に配
置した複合ターゲツトを用い、Ta板の面積を変
えることによりTa濃度の調整をした。 Ａ 装置条件 ａ ターゲツト材： T1：Co100％及び表面に一部Ta100％配置 T2：Co100％ ｂ 基板 カプトン（デユポン社製）フイルム
25μｍCC ポリエチレンテレフタレート（PET）フ
イルム 16μｍ ｃ ターゲツトT1，T2間隔：75ｍ／ｍ ｄ スパツタ表面の磁界：100〜200ガウス ｅ Coターゲツト形状：110mmφの円形 ｆ 基板とターゲツト端部の距離：30mm Ｂ 操作手順 以下の手順で膜形成を行つた。 ａ 基板を設置後、真空容器１０内を到達真空
度が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ アルゴン（Ar）ガスを所定の圧力まで導
入し、３〜５分間のプレスパツタを行ない、
シヤツターを開き、基板に膜形成を行なつ
た。なおスパツタ時のArガス圧は４×
10-3Torrとした。 ｃ スパツタ時投入電力は250w，500wで行な
い、Co―Ta合金の密度膜厚で約0.55μｍまで
形成した。 Ｃ 実施結果 第７図に、Ta濃度（wt％）に対するCo―
Ta合金薄膜の面内方向の抗磁力Hc（oe）、飽和
磁化Ms（emu／c.c.）の結果を示す。又代表サン
プルの特性データを第１表に示す。 Ta濃度が15wt％以下では、Hc100oe，Ms
1100emu／c.c.となる。そしてTa濃度の増加
に従いHc，Msは低下する。なお、Ta濃度が
22wt％以下ではDX回析ピークが2θ＝43.80〜
44.02（度）で表われる。 Ta濃度が23wt％以上では、Hcが急激に低下
しHc5oeとなり、良好な軟磁性特性を示す。
なお、Ta濃度が23wt％以上では、DX回析ピ
ークが消滅し、Co―Ta合金膜はアモルフアス
合金となる。なお、この点は電気比抵抗の測定
によつても確認した。
る磁気記録媒体とその製造方法に関し、更に詳し
くは近年実用化研究の盛んな垂直磁気記録方式に
好適な非磁性基板上に低抗磁力層と垂直磁気異方
性を有するコバルト（Co）・クロム（Cr）合金膜
からなる磁気記録層（以下“垂直磁化層”とい
う）とを順次積層した磁気記録媒体の改良に関す
る。 上述の低抗磁力層と垂直磁化層とからなる二層
膜の磁気記録媒体は、垂直磁気記録方式において
単極型ヘツドによつて効率良く記録できる垂直磁
気記録媒体として特開昭54−51804号公報に提案
されている。この提案された二層膜構成の垂直磁
気記録媒体（以下“二層膜媒体”という）は、具
体的にはRF2極スパツタ法で作成され、低抗磁力
層をパーマロイで構成したものであり、高い記録
感度と大なる再生出力を得られる優れたものであ
るが、実用面から下記の問題がある。 その１つは、低抗磁力層をパーマロイとした上
述の二層膜媒体においては、記録密度と関係する
垂直磁化層の垂直配向性を示すロツキングカーブ
の半値巾Δθ50の値が、低抗磁力層を設けない垂
直磁化層のみからなる単層膜に比べて悪くなり、
それだけ垂直磁気異方性が低下することである
（昭和54年度電気関係学会東北支部連合大会1F6、
昭和56年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会S7―１参照）。 その他の問題は、その製造法とも関係するもの
である。すなわち、RFスパツタ法のため基板温
度が上昇するので、基板がポリイミドフイルム等
の高価な耐熱性高分子フイルムに限定され、安価
なポリエステルフイルムを基板に用いる場合は膜
形成速度、冷却手段等の制約がある。また、膜形
成速度も前述のポリイミドフイルムを用いた場合
で最大500Å／mm程度と小さく、生産性が悪い。
更に、得られた記録媒体の可撓性が小さく、実用
に際してヘツドの摩耗及び媒体の損傷等の耐久性
が懸念される。 本発明は、かかる現状に鑑みなされたもので、
垂直配向性の低下のない優れた新規な構成の二層
膜媒体と、該二層膜媒体を、ポリエステルフイル
ムのように耐熱性の低い安価な高分子フイルムを
基板として、高速作製できる製造方法を提供する
ものである。 すなわち、本発明は、非磁性材よりなる基板上
に低抗磁力層と膜面に垂直な方向の磁化容易軸を
有するCo―Cr合金薄膜からなる磁気記録層を順
次積層した磁気記録媒体において、前記低抗磁力
層がCoを主成分としたCoとTa（タンタル）の合
金薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体を第
１発明とし、第１発明の磁気記録媒体の低抗磁力
層及び磁気記録層の両層を、一対の対面させたタ
ーゲツトの側方に基板を配して該基板上に膜形成
する対向ターゲツト式スパツタ法により作製する
ことを特徴とする製造方法を第２発明とするもの
である。 以下、本発明の詳細を説明する。 上述の通り本発明の磁気記録媒体は、従来の前
記した二層膜媒体と同じ構造であり、その特徴と
するところはその低抗磁力層をCoを主成分とし
たCo―Ta合金膜となした点にある。そして、こ
の構成により、高密度記録と関連する垂直磁化層
の垂直配向性を大巾に改善するものである。 特にCo―Ta合金膜のTa濃度を15wt％（重量
パーセント）以上にすると、その抗磁力も100oe
以下となり、かつ、耐熱性の低いポリエステルフ
イルムを基板に用いても、ロツキングカーブの半
値巾Δθ50が実用上必要と云われる10度以下とな
り、実用上充分な垂直配向性が実現できる。更
に、Co―Ta合金膜をアモルフアス合金とする
と、抵抗磁力層の抗磁力は5oe以下と小さくな
り、且つ同じ基板において、前記半値巾Δθ50は
４度以下となり、非常に垂直配向性の良い垂直磁
化層が実現される。この場合の垂直配向性は、低
抗磁力層を設けない単層膜の場合より良いという
驚くべきものである。 ところで、本発明の媒体がこのように優れた垂
直配向性を示す理由は定かでないが、以下の如く
推論される。基板上に作製された低抗磁力層とな
るCo―Ta合金膜は、Taの含有量が少ない場合に
はCo原子が膜面に垂直方向結晶をとるのがエネ
ルギー的に最も安定になり易く、TaによつてＣ
面間隔が拡大された結晶組織になつている。この
場合、その表面に堆積する垂直磁化層のCo―Cr
合金膜の格子定数は若干異なるので、Co―Cr合
金結晶は下地のCo―Ta合金膜の影響を受けて層
間には不整合の部分が生じる。従つてCo―Cr結
晶の垂直配向性が低下する。Taの量が増えると
Co原子は六方最密格子の配列が乱されてくる。
と同時に結晶粒界が不明になつてくる。すなわ
ち、Co―Ta合金膜に一様性が生じてくる。この
一様性は表面の平滑性、結晶格子間の局在的構造
不整の消滅を意味する。そしてこの一様な膜面上
にCo―Cr合金が堆積する場合、堆積開始時から
類似の原子同志が隣接するので、Co原子が膜面
垂直方向に配列する結晶格子を構成することが容
易になると思われる。従つて、本発明の媒体は、
優れた垂直配向性を示すと考えられる。 ところで、前述の媒体の如く低抗磁力層がアモ
ルフアス合金の場合、結晶磁気異方性がなく、抗
磁力が小さく、透磁率が大で、電気比抵抗が高い
という特性を示す。従つて、高密度高速記録時に
高感度に記録できるという大きな効果が得られ
る。と同時に、前記特性から低抗磁力層の厚さを
薄くできるので、経済的にも極めて大きな効果が
得られる。特に記録密度を高める場合その効果は
大きい。又、Co―Taアモルフアス合金はキユリ
ー温度が高いので、本磁気記録媒体を磁気テープ
等の如く摺動により熱が加わるような形で使用し
ても、特性が安定していると共に、耐腐食性にお
いても優れており、実用上有利である。 更に、本発明の磁気記録媒体は、その構成から
以下の点でも優れたものである。本発明の対象で
ある二層膜媒体では低抗磁力層と垂直磁化層との
界面が機械的に安定なことが重要である。すなわ
ち、前記各層の膨張係数や比熱が整合し、両層が
よくぬれ合つていることが必要である。一方、一
般に原子構造が似ている原子半径の差の小さい場
合には層と層が固溶し易いことが知られている。
前述の通り本発明の磁気記録媒体では低抗磁力層
及び垂直磁化層ともCoを主成分とした合金膜で
あり、共にCoが約80at％（原子パーセント）前
後となるので、両層の界面は安定したものとな
る。このように、本発明の媒体は優れたものであ
る。 そして、この点からCo―Ta合金膜の組成は、
Coを主成分すなわち50at％以上としたものが好
ましく、更には垂直磁化層のCo濃度（at％で）
と同程度とするのが好ましい。 なお、本発明の磁気記録媒体の垂直磁化層は、
公知の六方最密構造でＣ軸配向に依る垂直磁気異
方性を有するCr含量が10〜25wt％のCo―Cr合金
膜であれば良く、垂直磁化特性を乱さない範囲で
第３元素としてＷ，Mo，Ru，Pt，Os，Ni，
Re，Ta等を添加しても良い。 又、本発明の磁気記録媒体の基板は、非磁性材
であれば良く、実用面からは安価なポリエステル
フイルム等の高分子フイルムが好ましい。 一方、本発明の磁気記録媒体の各層の厚みは、
実用上の見地から決定され、公知の範囲で適宜設
計する必要があるが、通常両層は0.1〜0.5μｍの
範囲にある。 本発明の磁気記録媒体は、前述の各層を基板の
片側は勿論両側に設けても良く、その使用態様も
磁気テープ、フロツピデイスク等任意の態様に適
用できるものであることは云うまでもない。 以上本発明の第１発明を説明した。次に本発明
の第２発明を実施例と共に説明する。 まず、本発明に関係する対向ターゲツト式スパ
ツタ法について説明する。 第１図は上述スパツタ法を実施するスパツタ装
置の説明図であり、第２図、第３図はそのターゲ
ツト部の詳細図である。図において、１０は真空
容器、２０は真空容器１０を排気する真空ポンプ
等からなる排気系、３０は真空容器１０内に所定
のガスを導入して真空容器１０内の圧力を10-1〜
10-4Torr程度の所定のガス圧力に設定するガス
導入系である。 ところで、真空容器１０内には、図示の如く真
空容器１０の側板１１，１２の絶縁部材１３，１
４を介して固着されたターゲツトホルダー１５，
１６により１対のターゲツトT1，T2が、そのス
パツタされる面T1s，T2s（第２図、第３図参照）
を空間を隔てて平行に対面するように配設してあ
る。そして、ターゲツトT1，T2とそれに対応す
るターゲツトホルダー１５，１６は、第２図、第
３図に示す如く、水冷パイプ１５１，１６１を介
して冷却水によりターゲツトT1，T2、永久磁石
１５２，１６２が冷却される。磁石１５２，１６
２はターゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対
向するように設けてあり、従つて磁界はターゲツ
トT1，T2に垂直な方向にかつターゲツト間のみ
に形成される。なお、１７，１８は絶縁部材１
３，１４及びターゲツトホルダー１５，１６をス
パツタリング時のみプラズマ粒子から保護するた
めとターゲツト表面以外の部分の異常放電を防止
するためのシールドである。 一方、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空容器１０内のターゲ
ツトT1，T2の側方に設けてある。基板保持手段
４１は、基板４０をターゲツトT1，T2間の空間
に対面するようにスパツタ面T1s，T2sに対して
略直角方向に保持するように配置してある。 なお、基板保持手段４１は第４図に示す枠組み
構成の保持具４２により基板４０を緊張保持でき
るようになしてある。 すなわち、周面を適当な傾斜角のテーパ面とす
ると共に、テーパ面に続く鍔部を形成したテーパ
リング４２ａと、テーパリング４２ａの頂部外径
より締め代分だけ小さい内径のＯリング４２ｂ
と、Ｏリング４２ｂをテーパリング４２ａに押圧
してセツトする押圧リング４２ｃとからなり、基
板４０をテーパリング４２ａとＯリング４２ｂの
間に置き、押圧リング４２ｃを止めネジ４２ｄで
テーパリング４２ａにセツトすることにより基板
４０を緊張保持できるようにしてある。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５２，５３はプラス側をアース
に、マイナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続
する。従つて電力供給手段５２，５３からのスパ
ツタ電力は、アースをアノードとし、ターゲツト
T1，T2をカソードとして、アノード、カソード
間に供給される。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、対向ターゲツト式スパツタ法で
は、一対の対向させたターゲツトT1，T2の側方
に基板４０を配し、ターゲツト間に磁界を印加し
てスパツタし基板４０上に所望の膜を作製するよ
うになしてあるので、以下の通り高速低温スパツ
タが可能となる。すなわち、ターゲツトT1，T2
間の空間に、磁界の作用によりスパツタガスイオ
ン、スパツタにより放出されたγ電子等が束縛さ
れ高密度プラズマが形成される。従つて、ターゲ
ツトT1，T2のスパツタが促進されて前記空間よ
り析出力が増大し基板４０上への堆積速度が増し
高速スパツタが出来る上、基板４０がターゲツト
T1，T2の側方にあるので低温スパツタも出来る。
すなわち、上述の対向ターゲツト式スパツタ法に
よれば高速低温スパツタが可能である。 本発明の第２発明は、前記の通り、上に説明し
た対向ターゲツト式スパツタ法により、第１発明
の磁気記録媒体の低抗磁力層及び垂直磁化層の両
層を作成することを特徴とするものであり、垂直
配向性に優れた磁気記録媒体をポリエステル等の
耐熱性の低い高分子フイルムを基板として高速で
作製できるという大きな効果を奏するもので、垂
直磁気記録方式の実用化及び高密度記録が可能な
金属薄膜記録媒体の実用化に寄与するところ大で
ある。 上述の対向ターゲツト式スパツタ法とは、前述
の装置に限定されるものでなく、一対の対面させ
たターゲツトの側方に基板を配し、ターゲツト間
に垂直方向の磁界を印加してスパツタし基板上に
膜を形成するスパツタ法を云う。従つて、基板は
固定である必要はなくローラ等により移送可能に
保持されても良く、磁界発生手段も永久磁石でな
く、電磁石を用いても良い。磁界もターゲツト間
の空間にγ電子等を閉じ込めるものであれば良
く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲツト周
囲のみに発生させた場合も含む。 ところで、上述の方法において、低抗磁力層を
作製後真空中で室温まで冷却し、大気中に取り出
し長時間放置した後に、低抗磁力層上に垂直磁化
層のCo―Cr合金膜を作製したものでは、Co―Ta
合金膜とCo―Cr合金膜は非常に剥離し易かつた。
なお、剥離後の両膜の界面は非常に平坦であつ
た。これに対し、前述同様に冷却し、一旦大気に
曝してもこれが数時間以内という短時間の場合に
は、Co―Ta合金膜とCo―Cr合金膜とが剥離しな
い良好な媒体が得られた。 すなわち、前述したところより、Co―Ta合金
膜作成後、大気に曝すことも冷却することもなく
直ちにCo―Cr合金膜を作成するのが良いが、大
気曝露時間が数時間以内であれば、実用上支障の
ない媒体が得られるのである。 次に、上述した本発明の実施例を説明する。な
お、得られた合金膜の結晶構造は理学電機製計数
Ｘ線回析装置を用いて同定し、垂直配向性は六方
最密構造かつ（002）面ピークのロツキングカー
ブを前記Ｘ線回析装置で求めその半値巾Δθ50で
評価した。アモルフアス性は電気比抵抗を測定
し、その値により確認した。 〔実施例 １〕 低抗磁力層のCo―Ta合金膜の特性を把握する
ため、第１図のスパツタ装置を用いて膜形成を行
ない評価した。なお、その一方のターゲツトT1
を第５図に示すように、円形の100％のCo板上
に斜線で示す扇形の100％のTa板を放射状に配
置した複合ターゲツトを用い、Ta板の面積を変
えることによりTa濃度の調整をした。 Ａ 装置条件 ａ ターゲツト材： T1：Co100％及び表面に一部Ta100％配置 T2：Co100％ ｂ 基板 カプトン（デユポン社製）フイルム
25μｍCC ポリエチレンテレフタレート（PET）フ
イルム 16μｍ ｃ ターゲツトT1，T2間隔：75ｍ／ｍ ｄ スパツタ表面の磁界：100〜200ガウス ｅ Coターゲツト形状：110mmφの円形 ｆ 基板とターゲツト端部の距離：30mm Ｂ 操作手順 以下の手順で膜形成を行つた。 ａ 基板を設置後、真空容器１０内を到達真空
度が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ アルゴン（Ar）ガスを所定の圧力まで導
入し、３〜５分間のプレスパツタを行ない、
シヤツターを開き、基板に膜形成を行なつ
た。なおスパツタ時のArガス圧は４×
10-3Torrとした。 ｃ スパツタ時投入電力は250w，500wで行な
い、Co―Ta合金の密度膜厚で約0.55μｍまで
形成した。 Ｃ 実施結果 第７図に、Ta濃度（wt％）に対するCo―
Ta合金薄膜の面内方向の抗磁力Hc（oe）、飽和
磁化Ms（emu／c.c.）の結果を示す。又代表サン
プルの特性データを第１表に示す。 Ta濃度が15wt％以下では、Hc100oe，Ms
1100emu／c.c.となる。そしてTa濃度の増加
に従いHc，Msは低下する。なお、Ta濃度が
22wt％以下ではDX回析ピークが2θ＝43.80〜
44.02（度）で表われる。 Ta濃度が23wt％以上では、Hcが急激に低下
しHc5oeとなり、良好な軟磁性特性を示す。
なお、Ta濃度が23wt％以上では、DX回析ピ
ークが消滅し、Co―Ta合金膜はアモルフアス
合金となる。なお、この点は電気比抵抗の測定
によつても確認した。
実施例１でCo―Ta合金膜の低抗磁力層を作成
したサンプルを真空中で常温まで冷却後、大気に
開放して取り出し、下記条件の第１図の構成のス
パツタ装置にセツトし、Co―Ta合金膜上にCo―
Cr合金膜の垂直磁化層を形成して二層膜媒体を
作製し評価した。同時に、Co―Cr合金膜のみか
らなる単層膜媒体を作製し比較した。 Ａ 装置条件 ａ ターゲツト材：Co―Cr合金（Cr量：17wt
％） ｂ 基板：実施例１のサンプル、16mm厚の
PETフイルム、及び25μｍ厚のカプトンフ
イルム ｃ ターゲツトT1，T2間隔：100ｍ／ｍ ｄ スパツタ表面近傍の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツト形状：150ｍ／ｍＬ×100 ｍ／ｍｗ×10ｍ／ｍｔの矩形板、２枚 ｆ 基板とターゲツト端部の距離：50ｍ／ｍ なお、基板保持手段４１を第６図の如く構成
した。すなわち、第４図に示した保持具４２３
組を回転駆動軸４３回りに同心円状に取着板４
４により配置し、ほゞ等速に回転させながら各
保持具４２にセツトした３枚の基板４０に同時
にCo―Cr膜を形成できるようにした。 Ｂ 操作手順 以下の手順で膜形成した。 ａ 基板を設置後、真空容器１０内を到達真空
度が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ Arガスを所定の圧力まで導入し、３〜５
分間のプレスパツタを行ないシヤツタを開き
基板に膜形成を行なつた。 Arガス圧４×10-3Torr、基板の回転速度
は40rpmで行なつた。 ３個の基板のうち１ケにはカプトン又は
PETフイルムを設置して成膜した。 ｃ スパツタ時投入電力は1000wで行ない膜厚
は約0.5μｍに形成した。 Ｃ 実施結果 第８図に二層膜媒体のTa濃度（wt％）に対
するCo―Cr合金膜の結晶配向性Δθ50の関係を
示す。又、第２表作成した各媒体の代表的特性
のデータを示す。Co―Ta合金のDXピークが
消滅するアモルフアス領域、すなわち本例では
Ta23wt％以上の領域ではCo―Cr合金最密六方
格子結晶の膜面垂直（Ｃ軸）配向性を示すＣ面
のロツキングカーブの半値巾Δθ50が極めて改
善されることが判る。 特に本発明によれば、カプトンあるいは
PETフイルムに直接Co―Cr合金を形成した単
層膜媒体のΔθ50の値と比較してDXピークが
ほゞ消滅するアモルフアス領域のCo―Ta合金
の上に形成したCo―Cr合金の垂直配向性Δθ50
の値の方がすぐれているという驚くべき結果を
得た。 また、第２表より明らかなようにCo―Ta合
金のTa濃度が22wt％以下では結晶性を示して
おり、Co―Ta合金はhcp構造Ｃ軸配向を示す。
面間隔はCoの格子間隔より若干広くなつてい
ることがわかる。 また、得られた二層膜媒体の構造を電顕観察
したところ、Co―Cr合金膜の表面は500Å以下
の均一な粒子形状を示し、割断面はCo―Cr膜、
Co―Ta膜とも結晶粒界がほとんど観察され
ず、わずかに細片粒子形状が散在するのが検知
できた。ところで、この膜構造は膜表面及び割
断面を反射電子顕微鏡（日本電子(株)製JSM―
35C）により観察して評価した。なお、観察は
サンプル表面にAu（金）―Pd（パラジウム）を
スパツタ法で約200Å厚付着して、加速電圧
25KVで、倍率４万倍で写真観察により行なつ
た。又、割断面は、サンプルをエタノールと共
にゼラチンカプセルに入れ、液体窒素を用い２
時間冷却後に割断ナイフを用い割断する凍結割
断法により作成した。使用装置はエイコーエン
ジニアリング製TF―１型凍結割断器である。 また、上記観察において、Co―Ta合金膜と
Co―Cr合金膜の層間には極めて平坦な境界が
見られたが、その界面で剥離し易いものがあつ
た。検討の結果、剥離し易い例はCo―Ta合金
膜を形成後、真空から大気に取り出し数日間放
置後にCo―Ta合金膜面上にCo―Cr合金膜を堆
積したものであつた。Co―Ta合金膜を形成し
て大気へ取り出し後、数時間以内にCo―Cr合
金膜を形成した場合には、Co―Ta合金膜とCo
―Cr合金膜の界面での剥離の問題はなかつた。
したサンプルを真空中で常温まで冷却後、大気に
開放して取り出し、下記条件の第１図の構成のス
パツタ装置にセツトし、Co―Ta合金膜上にCo―
Cr合金膜の垂直磁化層を形成して二層膜媒体を
作製し評価した。同時に、Co―Cr合金膜のみか
らなる単層膜媒体を作製し比較した。 Ａ 装置条件 ａ ターゲツト材：Co―Cr合金（Cr量：17wt
％） ｂ 基板：実施例１のサンプル、16mm厚の
PETフイルム、及び25μｍ厚のカプトンフ
イルム ｃ ターゲツトT1，T2間隔：100ｍ／ｍ ｄ スパツタ表面近傍の磁界：100〜200ガウス ｅ ターゲツト形状：150ｍ／ｍＬ×100 ｍ／ｍｗ×10ｍ／ｍｔの矩形板、２枚 ｆ 基板とターゲツト端部の距離：50ｍ／ｍ なお、基板保持手段４１を第６図の如く構成
した。すなわち、第４図に示した保持具４２３
組を回転駆動軸４３回りに同心円状に取着板４
４により配置し、ほゞ等速に回転させながら各
保持具４２にセツトした３枚の基板４０に同時
にCo―Cr膜を形成できるようにした。 Ｂ 操作手順 以下の手順で膜形成した。 ａ 基板を設置後、真空容器１０内を到達真空
度が１×10-6Torr以下まで排気する。 ｂ Arガスを所定の圧力まで導入し、３〜５
分間のプレスパツタを行ないシヤツタを開き
基板に膜形成を行なつた。 Arガス圧４×10-3Torr、基板の回転速度
は40rpmで行なつた。 ３個の基板のうち１ケにはカプトン又は
PETフイルムを設置して成膜した。 ｃ スパツタ時投入電力は1000wで行ない膜厚
は約0.5μｍに形成した。 Ｃ 実施結果 第８図に二層膜媒体のTa濃度（wt％）に対
するCo―Cr合金膜の結晶配向性Δθ50の関係を
示す。又、第２表作成した各媒体の代表的特性
のデータを示す。Co―Ta合金のDXピークが
消滅するアモルフアス領域、すなわち本例では
Ta23wt％以上の領域ではCo―Cr合金最密六方
格子結晶の膜面垂直（Ｃ軸）配向性を示すＣ面
のロツキングカーブの半値巾Δθ50が極めて改
善されることが判る。 特に本発明によれば、カプトンあるいは
PETフイルムに直接Co―Cr合金を形成した単
層膜媒体のΔθ50の値と比較してDXピークが
ほゞ消滅するアモルフアス領域のCo―Ta合金
の上に形成したCo―Cr合金の垂直配向性Δθ50
の値の方がすぐれているという驚くべき結果を
得た。 また、第２表より明らかなようにCo―Ta合
金のTa濃度が22wt％以下では結晶性を示して
おり、Co―Ta合金はhcp構造Ｃ軸配向を示す。
面間隔はCoの格子間隔より若干広くなつてい
ることがわかる。 また、得られた二層膜媒体の構造を電顕観察
したところ、Co―Cr合金膜の表面は500Å以下
の均一な粒子形状を示し、割断面はCo―Cr膜、
Co―Ta膜とも結晶粒界がほとんど観察され
ず、わずかに細片粒子形状が散在するのが検知
できた。ところで、この膜構造は膜表面及び割
断面を反射電子顕微鏡（日本電子(株)製JSM―
35C）により観察して評価した。なお、観察は
サンプル表面にAu（金）―Pd（パラジウム）を
スパツタ法で約200Å厚付着して、加速電圧
25KVで、倍率４万倍で写真観察により行なつ
た。又、割断面は、サンプルをエタノールと共
にゼラチンカプセルに入れ、液体窒素を用い２
時間冷却後に割断ナイフを用い割断する凍結割
断法により作成した。使用装置はエイコーエン
ジニアリング製TF―１型凍結割断器である。 また、上記観察において、Co―Ta合金膜と
Co―Cr合金膜の層間には極めて平坦な境界が
見られたが、その界面で剥離し易いものがあつ
た。検討の結果、剥離し易い例はCo―Ta合金
膜を形成後、真空から大気に取り出し数日間放
置後にCo―Ta合金膜面上にCo―Cr合金膜を堆
積したものであつた。Co―Ta合金膜を形成し
て大気へ取り出し後、数時間以内にCo―Cr合
金膜を形成した場合には、Co―Ta合金膜とCo
―Cr合金膜の界面での剥離の問題はなかつた。
実施例２と同様に実施例１でCo―Ta合金膜の
低抗磁力層を作成したサンプルの上にCo―Cr合
金膜を形成して二層膜媒体を作製し評価した。同
時にCo―Cr合金膜のみからなる単層膜媒体を作
製し比較した。 Ａ 装置条件 ａ〜ｅは実施例２と同じ ｆ 基板とターゲツト端部の距離：25ｍ／ｍ なお、基板保持手段のうち保持具４２の基板
背面に冷却用板（図省略）を設けた。 Ｂ 操作手順 スパツタは基板を固定し行なつた。 ３個の基板のうち１ケにはPETフイルムを
設置して成膜した。 Ｃ スパツタ時投入電力は最大5kw投入し、膜厚
は約0.5μｍに形成した。 Ｄ 実施結果 実施例２と同様な評価を行なつた。 実施例１のサンプル―４と同じ条件で作製
したCo―Ta合金膜とPETフイルムとの比較結
果を第９図に示す。なお、図において〇は
PETフイルムにCo―Cr合金膜のみ形成した単
層膜の場合、●はPETフイルムにCo―Ta合金
膜を形成し、次いでCo―Cr合金膜を形成した
二層膜の場合の配向性Δθ50を示す。 驚くべきことに、本発明によれば、堆積速度
約0.7μｍ／mmの高速領域に到るまでPETフイル
ム上に良好な特性を有する二層膜を形成するこ
とが出来た。 なお、冷却用板として表面粗さ0.1S，0.6Sの
ステンレス板を用い、冷却用板温度を25℃〜80
℃まで変えて行なつた場合、Co―Cr合金膜の
垂直抗磁力Hcvは200〜400oeであつた（堆積速
度に強い相関はなかつた）。又、冷却用板とし
て梨地面を用いる場合、冷却用板温度を25℃で
Hcvは830oe（堆積速度0.3μｍ／mm）であつた。
配向性Δθ50は第９図に示すように垂直抗磁力
Hcvの大小に関係なく一様であつた。 垂直磁気記録術では、記録密度を増す条件と
しては、記録再生ヘツドと垂直抗磁力Hcvとの
整合性が重要であり、適用システムに合わせて
垂直抗磁力Hcvの大きさ（200〜1300oe）を決
める必要がある。この際、垂直異方性にすぐれ
た特性を有することが最も重要である。従つ
て、垂直結晶配向性Δθ50に優れた本発明の技
術的、経済的効果は極めて大きいのである。 更に、以上の本発明により、高密度記録特に
垂直磁気記録を実用化するに際しての極めて重
要な課題が以下の通り解決された。 その第１は、ポリイミドあるいはポリエステ
ルフイルム等のプラスチツクフイルムの基板上
に低抗磁力層を介して形成するCo―Cr合金か
らなる垂直磁化層が膜面垂直の結晶配向性
Δθ50にすぐれているので垂直磁化が従来の垂
直磁性媒体に比較して格段に向上した。これは
高密度記録再生時の磁化の揺らぎを減少させ
る、すなわち信号ＳとノイズＮの比Ｓ／Ｎを向
上させることになる。 その第２は、低抗磁力層としてアモルフアス
合金層を実現したことにより、高密度記録時に
おける透磁率の低下又はうず電流損による記録
感度の低下が激減することにある。従来提案さ
れている低抗磁力層としてパーマロイ層に代表
される金属結晶系の薄膜では磁気異方性エネル
ギーに起因する透磁率の低下、ヒステリシス損
失・うず電流損失があるため、高密度記録再生
時のＳ／Ｎ比の低下が著しくなる場合が多い。 その第３は、アモルフアス合金としてCo―
Ta合金を用いたことにある。Co―Ta合金には
その性能を損なわない範囲でCr，Mo，Ｗ等の
第３元素を加えても良い。Co―Cr合金膜とCo
―Ta合金膜との組合せではCoという同質の組
成が用いられているために真空中で形成される
二層膜の境界領域では固溶体が形成されるの
で、耐久性、耐食性にもすぐれた垂直磁気記録
媒体が形成される。従来のパーマロイ層等Fe
系低抗磁力層では、薄膜に特有な酸化等による
膜質の変化、それに対応して、Co―Cr合金膜
との界面の接着力低下等耐久性、耐食性に問題
が発生する懸念がある。 その第４は、最も重要な課題である製膜速度
の飛躍的改善であり、しなやかな媒体の提供に
ある。 ポリエステルフイルム上に堆積速度0.5μｍ／
mm以上のすぐれた垂直磁性層を形成できたこと
にある。Co合金をスパツタするプラズマ領域
と、堆積すべき基板上へのプラズマの衝撃力を
緩和した対向ターゲツト式スパツタ法により、
Co―Ta合金、Co―Cr合金のアモルフアスある
いは結晶層の内部残留歪を軽減した、すなわち
しなやかな媒体を実現できた。 以上の通り、本発明は、磁気記録の高密度化に
寄与するところ非常に大なものである。
低抗磁力層を作成したサンプルの上にCo―Cr合
金膜を形成して二層膜媒体を作製し評価した。同
時にCo―Cr合金膜のみからなる単層膜媒体を作
製し比較した。 Ａ 装置条件 ａ〜ｅは実施例２と同じ ｆ 基板とターゲツト端部の距離：25ｍ／ｍ なお、基板保持手段のうち保持具４２の基板
背面に冷却用板（図省略）を設けた。 Ｂ 操作手順 スパツタは基板を固定し行なつた。 ３個の基板のうち１ケにはPETフイルムを
設置して成膜した。 Ｃ スパツタ時投入電力は最大5kw投入し、膜厚
は約0.5μｍに形成した。 Ｄ 実施結果 実施例２と同様な評価を行なつた。 実施例１のサンプル―４と同じ条件で作製
したCo―Ta合金膜とPETフイルムとの比較結
果を第９図に示す。なお、図において〇は
PETフイルムにCo―Cr合金膜のみ形成した単
層膜の場合、●はPETフイルムにCo―Ta合金
膜を形成し、次いでCo―Cr合金膜を形成した
二層膜の場合の配向性Δθ50を示す。 驚くべきことに、本発明によれば、堆積速度
約0.7μｍ／mmの高速領域に到るまでPETフイル
ム上に良好な特性を有する二層膜を形成するこ
とが出来た。 なお、冷却用板として表面粗さ0.1S，0.6Sの
ステンレス板を用い、冷却用板温度を25℃〜80
℃まで変えて行なつた場合、Co―Cr合金膜の
垂直抗磁力Hcvは200〜400oeであつた（堆積速
度に強い相関はなかつた）。又、冷却用板とし
て梨地面を用いる場合、冷却用板温度を25℃で
Hcvは830oe（堆積速度0.3μｍ／mm）であつた。
配向性Δθ50は第９図に示すように垂直抗磁力
Hcvの大小に関係なく一様であつた。 垂直磁気記録術では、記録密度を増す条件と
しては、記録再生ヘツドと垂直抗磁力Hcvとの
整合性が重要であり、適用システムに合わせて
垂直抗磁力Hcvの大きさ（200〜1300oe）を決
める必要がある。この際、垂直異方性にすぐれ
た特性を有することが最も重要である。従つ
て、垂直結晶配向性Δθ50に優れた本発明の技
術的、経済的効果は極めて大きいのである。 更に、以上の本発明により、高密度記録特に
垂直磁気記録を実用化するに際しての極めて重
要な課題が以下の通り解決された。 その第１は、ポリイミドあるいはポリエステ
ルフイルム等のプラスチツクフイルムの基板上
に低抗磁力層を介して形成するCo―Cr合金か
らなる垂直磁化層が膜面垂直の結晶配向性
Δθ50にすぐれているので垂直磁化が従来の垂
直磁性媒体に比較して格段に向上した。これは
高密度記録再生時の磁化の揺らぎを減少させ
る、すなわち信号ＳとノイズＮの比Ｓ／Ｎを向
上させることになる。 その第２は、低抗磁力層としてアモルフアス
合金層を実現したことにより、高密度記録時に
おける透磁率の低下又はうず電流損による記録
感度の低下が激減することにある。従来提案さ
れている低抗磁力層としてパーマロイ層に代表
される金属結晶系の薄膜では磁気異方性エネル
ギーに起因する透磁率の低下、ヒステリシス損
失・うず電流損失があるため、高密度記録再生
時のＳ／Ｎ比の低下が著しくなる場合が多い。 その第３は、アモルフアス合金としてCo―
Ta合金を用いたことにある。Co―Ta合金には
その性能を損なわない範囲でCr，Mo，Ｗ等の
第３元素を加えても良い。Co―Cr合金膜とCo
―Ta合金膜との組合せではCoという同質の組
成が用いられているために真空中で形成される
二層膜の境界領域では固溶体が形成されるの
で、耐久性、耐食性にもすぐれた垂直磁気記録
媒体が形成される。従来のパーマロイ層等Fe
系低抗磁力層では、薄膜に特有な酸化等による
膜質の変化、それに対応して、Co―Cr合金膜
との界面の接着力低下等耐久性、耐食性に問題
が発生する懸念がある。 その第４は、最も重要な課題である製膜速度
の飛躍的改善であり、しなやかな媒体の提供に
ある。 ポリエステルフイルム上に堆積速度0.5μｍ／
mm以上のすぐれた垂直磁性層を形成できたこと
にある。Co合金をスパツタするプラズマ領域
と、堆積すべき基板上へのプラズマの衝撃力を
緩和した対向ターゲツト式スパツタ法により、
Co―Ta合金、Co―Cr合金のアモルフアスある
いは結晶層の内部残留歪を軽減した、すなわち
しなやかな媒体を実現できた。 以上の通り、本発明は、磁気記録の高密度化に
寄与するところ非常に大なものである。
第１図〜第４図は対向ターゲツト式スパツタ法
を実施するスパツタ装置の説明図、第５図はCo
―Ta合金膜作成に用いた複合ターゲツトの説明
図、第６図は実施例２，３に用いた基板保持手段
の説明図、第７図〜第９図は実施例１〜３の結果
を示すグラフである。 T1，T2はターゲツト、１０は真空容器、４０
は基板、４１は基板保持手段。
を実施するスパツタ装置の説明図、第５図はCo
―Ta合金膜作成に用いた複合ターゲツトの説明
図、第６図は実施例２，３に用いた基板保持手段
の説明図、第７図〜第９図は実施例１〜３の結果
を示すグラフである。 T1，T2はターゲツト、１０は真空容器、４０
は基板、４１は基板保持手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性材よりなる基板上に低抗磁力層と膜面
に垂直な方向の磁化容易軸を有するコバルト・ク
ロム合金膜からなる磁気記録層を順次形成した磁
気記録媒体において、前記低抗磁力層がコバルト
を主成分としたコバルトとタンタルの合金膜であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 前記低抗磁力層のタンタル濃度が15wt％以
上である特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体。 ３ 前記低抗磁力層がコバルトとタンタルとのア
モルフアス合金膜である特許請求の範囲第１項記
載の磁気記録媒体。 ４ 非磁性材よりなる基板上にコバルト・タンタ
ル合金薄膜よりなる低抗磁力層と、膜面に垂直な
方向の磁化容易軸を有するコバルト・クロム合金
薄膜よりなる磁気記録層とを順次形成した磁気記
録媒体中の製造方法において、前記低抗磁力層及
び前記磁気記録層を、対面させた一対のターゲツ
トの側方に基板を配して前記ターゲツトの垂直方
向に磁界を印加して基板上に膜形成する対向ター
ゲツト式スパツタ法により作成することを特徴と
する製造方法。 ５ 前記低抗磁力層を形成後、大気曝露が高々数
時間以内で前記磁気記録層を形成する特許請求の
範囲第４項記載の製造方法。 ６ 前記基板がポリエステルフイルムである特許
請求の範囲第４項若しくは第５項記載の製造方
法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022080A JPS58141433A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
| CA000421590A CA1221165A (en) | 1982-02-16 | 1983-02-15 | Perpendicular magnetic recording medium and method for producing the same |
| DE8383101484T DE3381630D1 (de) | 1982-02-16 | 1983-02-16 | Medium fuer senkrechte magnetische aufzeichnung und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP83101484A EP0093838B1 (en) | 1982-02-16 | 1983-02-16 | Perpendicular magnetic recording medium and method for producing the same |
| US06/466,863 US4576700A (en) | 1982-02-16 | 1983-02-16 | Perpendicular magnetic recording medium method for producing the same, and sputtering device |
| US06/819,229 US4666788A (en) | 1982-02-16 | 1986-01-15 | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
| CA000499902A CA1228572A (en) | 1982-02-16 | 1986-01-20 | Sputtering device suitable for perpendicular recording medium |
| US07/022,664 US4842708A (en) | 1982-02-16 | 1987-03-06 | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022080A JPS58141433A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141433A JPS58141433A (ja) | 1983-08-22 |
| JPH0142047B2 true JPH0142047B2 (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12072899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57022080A Granted JPS58141433A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4576700A (ja) |
| EP (1) | EP0093838B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58141433A (ja) |
| CA (2) | CA1221165A (ja) |
| DE (1) | DE3381630D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116180025A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-05-30 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 一种TaCo二元非晶合金薄膜及其制备方法 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666788A (en) * | 1982-02-16 | 1987-05-19 | Teijin Limited | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
| JPS59142739A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6057524A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6063710A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-12 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク媒体 |
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| GB2175013B (en) * | 1985-03-28 | 1989-01-18 | Victor Company Of Japan | Perpendicular magnetic recording medium |
| US4798765A (en) * | 1985-03-28 | 1989-01-17 | Victor Company Of Japan Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US4629548A (en) * | 1985-04-03 | 1986-12-16 | Varian Associates, Inc. | Planar penning magnetron sputtering device |
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1982
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1983
- 1983-02-15 CA CA000421590A patent/CA1221165A/en not_active Expired
- 1983-02-16 US US06/466,863 patent/US4576700A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-02-16 EP EP83101484A patent/EP0093838B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-02-16 DE DE8383101484T patent/DE3381630D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-01-20 CA CA000499902A patent/CA1228572A/en not_active Expired
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|---|---|---|---|---|
| CN116180025A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-05-30 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 一种TaCo二元非晶合金薄膜及其制备方法 |
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|---|---|
| US4576700A (en) | 1986-03-18 |
| DE3381630D1 (de) | 1990-07-12 |
| CA1228572A (en) | 1987-10-27 |
| CA1221165A (en) | 1987-04-28 |
| EP0093838A2 (en) | 1983-11-16 |
| EP0093838B1 (en) | 1990-06-06 |
| EP0093838A3 (en) | 1986-04-16 |
| JPS58141433A (ja) | 1983-08-22 |
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