JPH0334055B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0334055B2 JPH0334055B2 JP58076203A JP7620383A JPH0334055B2 JP H0334055 B2 JPH0334055 B2 JP H0334055B2 JP 58076203 A JP58076203 A JP 58076203A JP 7620383 A JP7620383 A JP 7620383A JP H0334055 B2 JPH0334055 B2 JP H0334055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seconds
- ultraviolet rays
- resist
- acid ester
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体、磁気バブル素子及び光応用部
品の製造における微細レジストのパターン形成方
法に関するものである。
品の製造における微細レジストのパターン形成方
法に関するものである。
（従来技術）
近年、半導体集積回路等の高集積化に対する要
求は極めて高く、これに伴なつてリソグラフイの
分野では従来の光（特に紫外線）に変つて電子
線、Ｘ線又は遠紫外線等の波長の短かい光源が使
用されてきた。
求は極めて高く、これに伴なつてリソグラフイの
分野では従来の光（特に紫外線）に変つて電子
線、Ｘ線又は遠紫外線等の波長の短かい光源が使
用されてきた。
そして特に上記遠紫外線を用いるリソグラフイ
は、従来のフオトリソグラフイの延長上の技術で
ありながら容易にサブミクロンの転写が可能であ
り、今後の微細加工技術に大きな期待がかけられ
ている。
は、従来のフオトリソグラフイの延長上の技術で
ありながら容易にサブミクロンの転写が可能であ
り、今後の微細加工技術に大きな期待がかけられ
ている。
ところでかかる微細加工のために用いるレジス
ト材料は、遠紫外領域において高感度でありしか
も特にその解像力及び耐熱性、耐ドライエツチン
グ性のよいことが要求される一方ポリメチルメタ
クリレート（以下PMMAと略す）はかかる遠紫
外線用レジストとして良く知られておりコンホー
マブルマスクを用いた密着露光を行うことにより
0.2μｍ以下の高い解像力を示す。しかしこの
PMMAはその感度が低く又ドライエツチング耐
性も十分であるとは云い難い。
ト材料は、遠紫外領域において高感度でありしか
も特にその解像力及び耐熱性、耐ドライエツチン
グ性のよいことが要求される一方ポリメチルメタ
クリレート（以下PMMAと略す）はかかる遠紫
外線用レジストとして良く知られておりコンホー
マブルマスクを用いた密着露光を行うことにより
0.2μｍ以下の高い解像力を示す。しかしこの
PMMAはその感度が低く又ドライエツチング耐
性も十分であるとは云い難い。
又他に遠紫外線用レジストとして、メタクリル
酸エステル重合体やメタクリル酸エステルの共重
合体が知られているがこれらも特にドライエツチ
ング耐性に関して上記PMMAと同様十分でない。
酸エステル重合体やメタクリル酸エステルの共重
合体が知られているがこれらも特にドライエツチ
ング耐性に関して上記PMMAと同様十分でない。
即ち上述の遠紫外線に対して高感度で、しかも
その解像性が良好でかつドライエツチング耐性及
び耐熱性の高いレジスト材料は未開発であり、か
かるレジストパターンの形成方法の確立が要求さ
れているのが実情である。
その解像性が良好でかつドライエツチング耐性及
び耐熱性の高いレジスト材料は未開発であり、か
かるレジストパターンの形成方法の確立が要求さ
れているのが実情である。
（発明の目的）
本発明者等はかかる問題を解決し上記要求に応
ずるよう研究を重ねた結果ノボラツク樹脂のナフ
トキノンジアジドスルフオン酸エステルによるレ
ジスト皮膜に遠紫外線を照射し現像前に所定温度
にて加熱することにより上記の耐ドライエツチン
グ性及び耐熱性に優れ、かつ解像力の良いレジス
トパターンを高感度で形成し得ることを見出しこ
の発明に到達したのである。
ずるよう研究を重ねた結果ノボラツク樹脂のナフ
トキノンジアジドスルフオン酸エステルによるレ
ジスト皮膜に遠紫外線を照射し現像前に所定温度
にて加熱することにより上記の耐ドライエツチン
グ性及び耐熱性に優れ、かつ解像力の良いレジス
トパターンを高感度で形成し得ることを見出しこ
の発明に到達したのである。
（発明の構成）
即ち本発明は、基板上に形成したノボラツク樹
脂のナフトキノンジアジドスルフオン酸エステル
によるレジスト皮膜に180〜300nｍの遠紫外線を
照射し、50〜120℃の温度で加熱した後酢酸イソ
アミルを主成分とする現像液で現像することを特
徴とするネガ型レジストのパターン形成方法であ
る。
脂のナフトキノンジアジドスルフオン酸エステル
によるレジスト皮膜に180〜300nｍの遠紫外線を
照射し、50〜120℃の温度で加熱した後酢酸イソ
アミルを主成分とする現像液で現像することを特
徴とするネガ型レジストのパターン形成方法であ
る。
この発明において、前述のノボラツク樹脂のナ
フトキノンジアジドスルフオン酸エステルによる
レジスト、具体的には後記実施例に示したノボラ
ツク樹脂のナフトキノン１，２−ジアジド−５−
スルホン酸エステル（以下LMRと略す）が遠紫
外線の照射後に加熱することにより感度が上昇す
る理由としては次の様に考えられる。即ちLMR
は遠紫外線によりそのキノンジアジド基が構造変
化を生じて酢酸イソアミルに不溶性となりネガの
レジストパターンが形成できるのである。
フトキノンジアジドスルフオン酸エステルによる
レジスト、具体的には後記実施例に示したノボラ
ツク樹脂のナフトキノン１，２−ジアジド−５−
スルホン酸エステル（以下LMRと略す）が遠紫
外線の照射後に加熱することにより感度が上昇す
る理由としては次の様に考えられる。即ちLMR
は遠紫外線によりそのキノンジアジド基が構造変
化を生じて酢酸イソアミルに不溶性となりネガの
レジストパターンが形成できるのである。
そして又加熱することにより高感度を示すのは
該遠紫外線の照射のみでは最終生成物（酢酸イソ
アミルに不溶性）まで反応が100％進行せず中間
物質（酢酸アミルに不溶性）にとどまり、これが
加熱して始めて中間物質から最終生成物に移行す
ると考えられる。
該遠紫外線の照射のみでは最終生成物（酢酸イソ
アミルに不溶性）まで反応が100％進行せず中間
物質（酢酸アミルに不溶性）にとどまり、これが
加熱して始めて中間物質から最終生成物に移行す
ると考えられる。
又、LMRは遠紫外領域では吸収が大きいため、
光は基板近くには到達し得ない。即ち、照射部
は、反応層である上部と、未反応層である下部と
よりなり、現像時に現像液がその間からしみ込み
易い。しかし、現像後の加熱を行えば、反応層と
未反応層は密着が良くなり、しみ込みによるパタ
ーンの欠陥は無くなる。
光は基板近くには到達し得ない。即ち、照射部
は、反応層である上部と、未反応層である下部と
よりなり、現像時に現像液がその間からしみ込み
易い。しかし、現像後の加熱を行えば、反応層と
未反応層は密着が良くなり、しみ込みによるパタ
ーンの欠陥は無くなる。
かかる温度条件の下限は約50℃であり、又上限
を超える例えば130℃でパターニングできないの
は、このLMRが130℃以上でキノンジアジド基の
分解による熱架橋が生じるため溶媒に不溶化する
ためである。
を超える例えば130℃でパターニングできないの
は、このLMRが130℃以上でキノンジアジド基の
分解による熱架橋が生じるため溶媒に不溶化する
ためである。
即ち本発明において露光後の加熱は50〜120℃
が高感度化に効果を示す範囲であり特に80〜110
℃が最も望ましい。
が高感度化に効果を示す範囲であり特に80〜110
℃が最も望ましい。
（実施例）
以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
LMRをメチルセルソルブアセテートに溶解し、
0.2μｍのフイルタで過した後Si基板上に0.6μｍ
厚に塗布した。60℃で30分ベーキングを行つた
後、500WのXe−Hgランプにより、コンタクト
方式下に３秒、５秒、10秒の露光を行つた。
0.2μｍのフイルタで過した後Si基板上に0.6μｍ
厚に塗布した。60℃で30分ベーキングを行つた
後、500WのXe−Hgランプにより、コンタクト
方式下に３秒、５秒、10秒の露光を行つた。
100℃で30分加熱を行つた後酢酸イソアミル
（0.1％水を添加したもの）で現像したところ0.5μ
ｍのラインアンドスペースは上記露光量３秒、５
秒、10秒共に充分解像されていた。そして得られ
たレジストの断面形状はオーバーハング形状とな
つていた。
（0.1％水を添加したもの）で現像したところ0.5μ
ｍのラインアンドスペースは上記露光量３秒、５
秒、10秒共に充分解像されていた。そして得られ
たレジストの断面形状はオーバーハング形状とな
つていた。
比較例 １
実施例１において同様に露光を行つた後直ちに
同様の現像液で現像したところ、10秒の場合はパ
ターンが形成できたが、３秒と５秒ではパターン
が形成できなかつた。
同様の現像液で現像したところ、10秒の場合はパ
ターンが形成できたが、３秒と５秒ではパターン
が形成できなかつた。
又、レジストの反応層と未反応層の間の現像液
のしみ込みが若干みられた。
のしみ込みが若干みられた。
実施例 ２
実施例１と同様にして露光を行つた後、50℃及
び130℃で30分加熱し同様に現像を行つた。50℃
の加熱の場合に５秒、10秒では解像できたが３秒
では解像が充分でなかつた。又130℃では全くパ
ターンが現像液に溶解せずパターンを得ることは
できなかつた。
び130℃で30分加熱し同様に現像を行つた。50℃
の加熱の場合に５秒、10秒では解像できたが３秒
では解像が充分でなかつた。又130℃では全くパ
ターンが現像液に溶解せずパターンを得ることは
できなかつた。
（発明の効果）
本発明は以上の記載から明らかなように遠紫外
線を用い耐ドライエツチング性、耐熱性に優れし
かも解像力の優れたレジストパターンを高感度に
形成し得るものであり、特に得られたパターン断
面形状は上述の如く概ねオーバーハングを呈する
等良好となり、アルミ、金等の金属のリフトオフ
が容易であり、高密度化された半導体部品、磁気
バブル素子等の製造に直接利用しての効果が顕著
である等工業的な利用価値が大きい。
線を用い耐ドライエツチング性、耐熱性に優れし
かも解像力の優れたレジストパターンを高感度に
形成し得るものであり、特に得られたパターン断
面形状は上述の如く概ねオーバーハングを呈する
等良好となり、アルミ、金等の金属のリフトオフ
が容易であり、高密度化された半導体部品、磁気
バブル素子等の製造に直接利用しての効果が顕著
である等工業的な利用価値が大きい。
Claims (1)
- １ 基板上に形成したノボラツク樹脂のナフトキ
ノンジアジドスルフオン酸エステルによるレジス
ト皮膜に180〜300nｍの遠紫外線を照射し、50〜
120℃の温度で加熱した後酢酸イソアミルを主成
分とする現像液で現像することを特徴とするネガ
型レジストのパターン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076203A JPS59202462A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| US06/594,481 US4609615A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| DE8484302145T DE3466741D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| EP84302145A EP0124265B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| CA000450963A CA1214679A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Process for forming pattern with negative resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076203A JPS59202462A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202462A JPS59202462A (ja) | 1984-11-16 |
| JPH0334055B2 true JPH0334055B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=13598596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076203A Granted JPS59202462A (ja) | 1983-03-31 | 1983-05-02 | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202462A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045243A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61241745A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 |
| EP0212482B1 (de) * | 1985-08-12 | 1989-04-19 | Hoechst Celanese Corporation | Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist |
| JPH01158451A (ja) * | 1987-09-25 | 1989-06-21 | Toray Ind Inc | 水なし平版印刷板の製版方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49127615A (ja) * | 1973-04-07 | 1974-12-06 | ||
| JPS6029936B2 (ja) * | 1979-12-27 | 1985-07-13 | 富士通株式会社 | パタ−ン形成法 |
-
1983
- 1983-05-02 JP JP58076203A patent/JPS59202462A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59202462A (ja) | 1984-11-16 |
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