JPH0142353B2 - - Google Patents
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- JPH0142353B2 JPH0142353B2 JP5150582A JP5150582A JPH0142353B2 JP H0142353 B2 JPH0142353 B2 JP H0142353B2 JP 5150582 A JP5150582 A JP 5150582A JP 5150582 A JP5150582 A JP 5150582A JP H0142353 B2 JPH0142353 B2 JP H0142353B2
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- Japan
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- plating
- silver
- stainless steel
- vacuum
- silver plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1813—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by radiant energy
- C23C18/1817—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1827—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1831—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermally Insulated Containers For Foods (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ステンレス鋼板製魔法瓶（以下ステ
ンレス製魔法瓶と呼ぶ）に於ける輻射防止用の銀
メツキ法の改良に係り、ステンレス外表面に真空
加熱処理と水素還元処理を施すことにより、二液
若しくは三液法による無電解メツキ方式で、ステ
ンレス外表面へ極めて薄く且つ斑の無い銀メツキ
皮膜を直接形成し得る様にした銀メツキ法に関す
るものである。
ンレス製魔法瓶と呼ぶ）に於ける輻射防止用の銀
メツキ法の改良に係り、ステンレス外表面に真空
加熱処理と水素還元処理を施すことにより、二液
若しくは三液法による無電解メツキ方式で、ステ
ンレス外表面へ極めて薄く且つ斑の無い銀メツキ
皮膜を直接形成し得る様にした銀メツキ法に関す
るものである。
近年魔法瓶の強度向上という観点から、内・外
槽をステンレス製とした金属魔法瓶が開発され広
く利用されている。
槽をステンレス製とした金属魔法瓶が開発され広
く利用されている。
而して、一般に魔法瓶にあつては、断熱効果を
高めるためには輻射による熱損失をより少くする
必要があり、ステンレス製魔法瓶では従前から内
槽外表面と外槽内表面の両方若しくは何れか一方
にアルミやニツケル等のメツキを施したり、或い
は内・外槽の表面を極めて高精度に研磨してその
反射率を高めることにより輻射損失の防止を図つ
ている。尚、輻射損失の防止性能という点では、
銀メツキの方がアルミやニツケルメツキ等に比較
して遥かに秀れている。しかし、現在の無電解メ
ツキの技術では、ステンレス外表面へ斑の無い薄
い銀メツキ皮膜を形成することが困難であり、如
何にステンレスの表面を化学的若しくは機械的に
処理しても皮膜厚が大で然かも極めて斑の多いメ
ツキしかできず、実用に供することが出来ないと
いう現状にある。その結果、上述の如く銀に替え
アルミやニツケル等のメツキを行なう方法が採用
されている。
高めるためには輻射による熱損失をより少くする
必要があり、ステンレス製魔法瓶では従前から内
槽外表面と外槽内表面の両方若しくは何れか一方
にアルミやニツケル等のメツキを施したり、或い
は内・外槽の表面を極めて高精度に研磨してその
反射率を高めることにより輻射損失の防止を図つ
ている。尚、輻射損失の防止性能という点では、
銀メツキの方がアルミやニツケルメツキ等に比較
して遥かに秀れている。しかし、現在の無電解メ
ツキの技術では、ステンレス外表面へ斑の無い薄
い銀メツキ皮膜を形成することが困難であり、如
何にステンレスの表面を化学的若しくは機械的に
処理しても皮膜厚が大で然かも極めて斑の多いメ
ツキしかできず、実用に供することが出来ないと
いう現状にある。その結果、上述の如く銀に替え
アルミやニツケル等のメツキを行なう方法が採用
されている。
一方、前述の如き高精度研磨法やニツケル等の
メツキによる輻射損失の防止策の改良として、ニ
ツケルメツキ等の上に更に銀メツキを施す方法や
ステンレスの表面にガラス薄層を固着し、その上
に銀メツキを施す方法等が開発されており、これ
により断熱効果のより一層の向上を図るようにし
た魔法瓶が知られている。
メツキによる輻射損失の防止策の改良として、ニ
ツケルメツキ等の上に更に銀メツキを施す方法や
ステンレスの表面にガラス薄層を固着し、その上
に銀メツキを施す方法等が開発されており、これ
により断熱効果のより一層の向上を図るようにし
た魔法瓶が知られている。
然し乍ら、ニツケルメツキ等の上に銀メツキを
施す方法や、ステンレス表面にガラス薄層を固着
してその上に銀メツキを施すという方法は、何れ
も処理工数が大幅に増え魔法瓶の製造コストの低
減を図り難いという難点がある。又、ガラス層が
介在したり、或いはメツキ層が厚くなると脱ガス
処理がそれだけ困難となり、ガス分子の放出によ
る真空度の低下を招き易いという問題がある。
施す方法や、ステンレス表面にガラス薄層を固着
してその上に銀メツキを施すという方法は、何れ
も処理工数が大幅に増え魔法瓶の製造コストの低
減を図り難いという難点がある。又、ガラス層が
介在したり、或いはメツキ層が厚くなると脱ガス
処理がそれだけ困難となり、ガス分子の放出によ
る真空度の低下を招き易いという問題がある。
本発明は、ステンレス製魔法瓶の輻射防止に於
ける上述の如き問題の解決を課題とするものであ
り、内槽外表面を外槽内表面の両方若しくは何れ
か一方に、所謂二液若しくは三液式の無電解メツ
キにより薄く且つ斑のない銀メツキ皮膜の形成を
可能とすることにより、製造コストの引下げや輻
射損失の大幅な低減を可能としたステンレス製魔
法瓶の銀メツキ方法の提供を目的とするものであ
る。
ける上述の如き問題の解決を課題とするものであ
り、内槽外表面を外槽内表面の両方若しくは何れ
か一方に、所謂二液若しくは三液式の無電解メツ
キにより薄く且つ斑のない銀メツキ皮膜の形成を
可能とすることにより、製造コストの引下げや輻
射損失の大幅な低減を可能としたステンレス製魔
法瓶の銀メツキ方法の提供を目的とするものであ
る。
一般に、ステンレス製魔法瓶の製作に当つて
は、真空断熱空間Ｇの真空度を長期に亘つて一定
に保持するため、内・外槽のベーキング処理が行
なわれる。即ち、内・外槽を真空炉内へ入れ、こ
れを一定時間真空中で高温加熱してステンレス内
のガス分子を強制的に放出せしめ、これにより真
空度の経時変化を防止せんとするものである。本
願発明者は、当該ベーキング処理工程に於いて、
ステンレスの外表面が清浄化されることに着目
し、加熱温度と真空度の夫々異なる多数のテスト
ピースについて無電解方式による銀メツキ実験を
積み重ね、その結果から、先ず真空加熱炉内で予
備的に熱処理した後、一定値以上の温度で水素還
元処理したテストピースについては、無電解メツ
キ方式により極めて薄く且つ均一な厚さの秀れた
反射率を有する銀皮膜の形成が可能であることを
見出したものである。
は、真空断熱空間Ｇの真空度を長期に亘つて一定
に保持するため、内・外槽のベーキング処理が行
なわれる。即ち、内・外槽を真空炉内へ入れ、こ
れを一定時間真空中で高温加熱してステンレス内
のガス分子を強制的に放出せしめ、これにより真
空度の経時変化を防止せんとするものである。本
願発明者は、当該ベーキング処理工程に於いて、
ステンレスの外表面が清浄化されることに着目
し、加熱温度と真空度の夫々異なる多数のテスト
ピースについて無電解方式による銀メツキ実験を
積み重ね、その結果から、先ず真空加熱炉内で予
備的に熱処理した後、一定値以上の温度で水素還
元処理したテストピースについては、無電解メツ
キ方式により極めて薄く且つ均一な厚さの秀れた
反射率を有する銀皮膜の形成が可能であることを
見出したものである。
本願発明は、内槽及び外槽を真空加熱炉内で予
備的に熱処理した後、内槽及び外槽を水素を含有
するガス雰囲気内で200℃以上に加熱して水素還
元処理をし、当該水素還元処理をした内槽外表面
と、外槽内表面の両方若しくは何れか一方に、二
液又は三液式の無電解メツキにより直接銀メツキ
を施すことを基本構成とするものであり、当該構
成とすることにより、これ迄技術的に不可能とさ
れていたステンレスへの薄くて、然かも斑のない
一様な厚さの秀れた反射率と接着性を有する銀メ
ツキ皮膜の形成が可能となる。
備的に熱処理した後、内槽及び外槽を水素を含有
するガス雰囲気内で200℃以上に加熱して水素還
元処理をし、当該水素還元処理をした内槽外表面
と、外槽内表面の両方若しくは何れか一方に、二
液又は三液式の無電解メツキにより直接銀メツキ
を施すことを基本構成とするものであり、当該構
成とすることにより、これ迄技術的に不可能とさ
れていたステンレスへの薄くて、然かも斑のない
一様な厚さの秀れた反射率と接着性を有する銀メ
ツキ皮膜の形成が可能となる。
以下、第１図及び第２図に示す本発明の一実施
例に基づいてその詳細を説明する。
例に基づいてその詳細を説明する。
第１図は本発明に係るステンレス製魔法瓶の縦
断面図であり、図に於いては１はステンレス製の
内槽、２はステンレス製の外槽、３は断熱栓、４
は真空排気口、５は封板、６は真空断熱空間であ
る。前記内・外槽１，２は厚さ0.5mmのステンレ
ス（SUS304）板を用いて成形されており、内槽
１の外表面には輻射損失を防止するための銀皮膜
７が二液又は三液式の無電解メツキにより形成固
着されている。尚、本実施例にあつては内槽１の
外表面のみに銀皮膜７を形成しているが、外槽２
の内表面側のみに形成してもよく、或いは内・外
槽の両方に形成してもよいことは勿論である。
断面図であり、図に於いては１はステンレス製の
内槽、２はステンレス製の外槽、３は断熱栓、４
は真空排気口、５は封板、６は真空断熱空間であ
る。前記内・外槽１，２は厚さ0.5mmのステンレ
ス（SUS304）板を用いて成形されており、内槽
１の外表面には輻射損失を防止するための銀皮膜
７が二液又は三液式の無電解メツキにより形成固
着されている。尚、本実施例にあつては内槽１の
外表面のみに銀皮膜７を形成しているが、外槽２
の内表面側のみに形成してもよく、或いは内・外
槽の両方に形成してもよいことは勿論である。
第２図は、本発明に係る銀メツキ方法によるス
テンレス製魔法瓶の製造工程を示すものであり、
Ａは内・外槽の成型工程、Ｂは内・外槽の化学洗
浄処理工程、Ｃは前熱処理工程、Ｄは水素還元処
理工程、Ｅは前リンス処理工程、Ｆはメツキ処理
工程、Ｇは後リンス処理工程、Ｈは後熱処理工
程、Ｉは組立・真空封じ工程である。
テンレス製魔法瓶の製造工程を示すものであり、
Ａは内・外槽の成型工程、Ｂは内・外槽の化学洗
浄処理工程、Ｃは前熱処理工程、Ｄは水素還元処
理工程、Ｅは前リンス処理工程、Ｆはメツキ処理
工程、Ｇは後リンス処理工程、Ｈは後熱処理工
程、Ｉは組立・真空封じ工程である。
成型工程Ａで所定の形状に成形された内・外槽
１，２は、洗浄処理工程Ｂへ送られ、ここで先ず
脱脂等の化学処理が施される。脱脂等の化学洗浄
処理を終えた内・外槽１，２は、次に前熱処理工
程Ｃへ送られ、当該工程Ｃを構成する真空炉内に
て、100℃〜700℃の温度で、且つ10-1〜10-4torr
以下の真空下に、約５〜20分間熱処理される。
１，２は、洗浄処理工程Ｂへ送られ、ここで先ず
脱脂等の化学処理が施される。脱脂等の化学洗浄
処理を終えた内・外槽１，２は、次に前熱処理工
程Ｃへ送られ、当該工程Ｃを構成する真空炉内に
て、100℃〜700℃の温度で、且つ10-1〜10-4torr
以下の真空下に、約５〜20分間熱処理される。
真空加熱炉内で前熱処理を終えたあと、当該真
空加熱炉内を水素５％と不活性ガス95％より成る
混合ガスの雰囲気とすると共に、炉内温度を100
℃〜700℃に保持し、約20〜60分間内・外槽１，
２をこの状態に保持することにより、夫々の外表
面に所謂水素還元処理を施す。当該水素還元処理
をすることにより、ステンレス板の表面は略完全
な清浄状態となり、酸洗いやパプ研磨の如き従前
の化学的若しくは機械的洗浄処理では得られな
い、極めて高グレードの清浄面が得られることに
なる。尚、本実施例では化学洗浄工程Ｂと前熱処
理工程Ｃを予備処理工程として用いているが、こ
れを省略してもよいことは勿論である。
空加熱炉内を水素５％と不活性ガス95％より成る
混合ガスの雰囲気とすると共に、炉内温度を100
℃〜700℃に保持し、約20〜60分間内・外槽１，
２をこの状態に保持することにより、夫々の外表
面に所謂水素還元処理を施す。当該水素還元処理
をすることにより、ステンレス板の表面は略完全
な清浄状態となり、酸洗いやパプ研磨の如き従前
の化学的若しくは機械的洗浄処理では得られな
い、極めて高グレードの清浄面が得られることに
なる。尚、本実施例では化学洗浄工程Ｂと前熱処
理工程Ｃを予備処理工程として用いているが、こ
れを省略してもよいことは勿論である。
水素還元処理工程Ｄを出た内・外槽１，２は、
引き続きリンス処理工程Ｅへ送られ、ここで錫並
びに適宜の水和剤より成るリンス処理液例えばア
メリカ合衆国、ロンドン・ラボラトリー社製の
RBL、RNA処理液（商品名）により所謂リンス
処理が行なわれる。当該リンス処理を行なうこと
により、ステンレス表面が親水性になると共に、
その表面に固着した錫を核として銀が固着するこ
とになり、銀メツキ皮膜７の形成が容易になると
共にその接着力がより一層向上する。尚、前記
RBL及びRNA処理液で処理したあと、最後に純
水により軽くリンスが行なわれる。こうすれば、
後述する後熱処理工程Ｈによる脱ガス量が少なく
なり、更にメツキ液の品質保持という点でも好都
合である。
引き続きリンス処理工程Ｅへ送られ、ここで錫並
びに適宜の水和剤より成るリンス処理液例えばア
メリカ合衆国、ロンドン・ラボラトリー社製の
RBL、RNA処理液（商品名）により所謂リンス
処理が行なわれる。当該リンス処理を行なうこと
により、ステンレス表面が親水性になると共に、
その表面に固着した錫を核として銀が固着するこ
とになり、銀メツキ皮膜７の形成が容易になると
共にその接着力がより一層向上する。尚、前記
RBL及びRNA処理液で処理したあと、最後に純
水により軽くリンスが行なわれる。こうすれば、
後述する後熱処理工程Ｈによる脱ガス量が少なく
なり、更にメツキ液の品質保持という点でも好都
合である。
リンス処理を終えた内・外槽は、メツキ処理工
程Ｆへ送られ、ここで無電解メツキ方式により銀
メツキが行なわれる。本願第１実施例にあつて
は、メツキ液として銀液と還元液とを容量比１：
１で混合した所謂二液式のメツキ液を使用してお
り、前記銀液及び還元液の成分は下記のとおりで
ある。
程Ｆへ送られ、ここで無電解メツキ方式により銀
メツキが行なわれる。本願第１実施例にあつて
は、メツキ液として銀液と還元液とを容量比１：
１で混合した所謂二液式のメツキ液を使用してお
り、前記銀液及び還元液の成分は下記のとおりで
ある。
銀液
硝酸銀 3.5ｇ
アンモニア水 沈澱を再溶解するに要する量
水 60ml
水酸化ナトリウム 2.5ｇ
還元液
ブドウ糖 45ｇ
酒石酸 ４ｇ
アルコール 100ml
水 1000ml
前記銀液の調整は、硝酸銀3.5ｇにアンモニヤ
水を加え、いつたん生じた沈澱物が再溶解するま
でアンモニヤ水を加える。次に、この銀液60mlに
水酸化ナトリウム2.5ｇと水60mlを加え、黒色と
なつた溶液が清澄になるまで再度アンモニヤ水を
加えて調整する。又、前記還元液の調整は、水
1000mlにブドウ糖、酒石酸を順次溶解させた後、
10分間ほど煮沸し、常温まで冷却したあとアルコ
ールを加えることにより調整する。温度を15〜30
℃とした前記メツキ液内へ、内槽外表面を所定時
間例えば１〜２分間浸漬することにより、内槽外
表面には極めて薄く且つ厚さの均一な銀メツキ皮
膜７が形成固着されることになる。又、外槽内表
面の銀メツキも同様であり、外槽２内へ前記メツ
キ液を満たし、所定時間貯溜したあとこれを排出
することにより、同様の銀メツキ皮膜７が固着形
成されることになる。
水を加え、いつたん生じた沈澱物が再溶解するま
でアンモニヤ水を加える。次に、この銀液60mlに
水酸化ナトリウム2.5ｇと水60mlを加え、黒色と
なつた溶液が清澄になるまで再度アンモニヤ水を
加えて調整する。又、前記還元液の調整は、水
1000mlにブドウ糖、酒石酸を順次溶解させた後、
10分間ほど煮沸し、常温まで冷却したあとアルコ
ールを加えることにより調整する。温度を15〜30
℃とした前記メツキ液内へ、内槽外表面を所定時
間例えば１〜２分間浸漬することにより、内槽外
表面には極めて薄く且つ厚さの均一な銀メツキ皮
膜７が形成固着されることになる。又、外槽内表
面の銀メツキも同様であり、外槽２内へ前記メツ
キ液を満たし、所定時間貯溜したあとこれを排出
することにより、同様の銀メツキ皮膜７が固着形
成されることになる。
尚、メツキ液は、前記のものに限定されるもの
ではなく、二液式の銀鏡反応を利用するメツキ液
であれば、どの様な成分のものでもよく、例えば
前記アメリカ合衆国ロンドン・ラボラトリー社製
の二液式メツキ液（商品名ATA、商品名ATS）
などは、本発明の実施に最も好適である。
ではなく、二液式の銀鏡反応を利用するメツキ液
であれば、どの様な成分のものでもよく、例えば
前記アメリカ合衆国ロンドン・ラボラトリー社製
の二液式メツキ液（商品名ATA、商品名ATS）
などは、本発明の実施に最も好適である。
又、前記第１実施例に於いては、二液式の無電
解メツキを採用しているが、三液式のメツキ液を
用いてもよいことは勿論である。例えば、前記ア
メリカ合衆国ロンドン・ラボラトリー社製の銀液
（商品名MS−1L）と還元液（商品名MA−260L）
を１：１の割合で混合し、これに中和液（商品名
KDR）を小量加えて形成した三液式のメツキ液
を用い、温度50℃〜70℃とした当該メツキ液の中
へ内槽外表面を１〜２分間浸漬することにより、
銀メツキ皮膜を形成するようにしてもよい。
解メツキを採用しているが、三液式のメツキ液を
用いてもよいことは勿論である。例えば、前記ア
メリカ合衆国ロンドン・ラボラトリー社製の銀液
（商品名MS−1L）と還元液（商品名MA−260L）
を１：１の割合で混合し、これに中和液（商品名
KDR）を小量加えて形成した三液式のメツキ液
を用い、温度50℃〜70℃とした当該メツキ液の中
へ内槽外表面を１〜２分間浸漬することにより、
銀メツキ皮膜を形成するようにしてもよい。
尚、本願第２実施例にあつては、前記MS−1L
とMA−260LとKDRの具体的な調合は、先ず水
200c.c.の中へMS−1L（20c.c.）とMA−260L（20c.c.）
を混合し、次に別の水200c.c.の中へKDR（10c.c.）
を混合して、最後に両者を混合撹拌することによ
つて行なわれており、当該メツキ液を60℃位に保
ち、その中へ内槽を２〜３分間浸漬することによ
り銀メツキが行なわれている。
とMA−260LとKDRの具体的な調合は、先ず水
200c.c.の中へMS−1L（20c.c.）とMA−260L（20c.c.）
を混合し、次に別の水200c.c.の中へKDR（10c.c.）
を混合して、最後に両者を混合撹拌することによ
つて行なわれており、当該メツキ液を60℃位に保
ち、その中へ内槽を２〜３分間浸漬することによ
り銀メツキが行なわれている。
銀メツキ処理工程Ｆを終えた内・外槽１，２は
後リンス処理工程Ｇにて銀メツキ皮膜７を純水及
びRNA処理液（アメリカ合衆国ロンドン・ラボ
ラストリー社の商品名）でリンスしたあと、後熱
処理工程Ｈへ送られ、ここで真空炉を用いてメツ
キ層内の脱ガス処理が行なわれる。当該後熱処理
Ｈは、銀メツキ皮膜７の耐熱性等の面から、比較
的低温度で、且つ高真空度の下で行なわれ、当該
熱処理によりメツキ層内の吸着ガス分子が略完全
に脱ガスされることになる。
後リンス処理工程Ｇにて銀メツキ皮膜７を純水及
びRNA処理液（アメリカ合衆国ロンドン・ラボ
ラストリー社の商品名）でリンスしたあと、後熱
処理工程Ｈへ送られ、ここで真空炉を用いてメツ
キ層内の脱ガス処理が行なわれる。当該後熱処理
Ｈは、銀メツキ皮膜７の耐熱性等の面から、比較
的低温度で、且つ高真空度の下で行なわれ、当該
熱処理によりメツキ層内の吸着ガス分子が略完全
に脱ガスされることになる。
後熱処理Ｈを終えた内・外槽１，２は、最後に
組立・真空封じ工程Ｉへ送られ、真空炉内で外槽
２底面の真空排気口４に封板５を鑞付けするか、
又は電子ビーム溶接により排気口４を閉鎖するこ
とにより、真空断熱空間６の封じ切りが行なわれ
る。尚、通常は前記後熱処理工程Ｈと真空封じ工
程Ｉとは同一の真空炉内で行なわれ、空間６内は
10-3〜10-5torr程度の真空度に保持される。
組立・真空封じ工程Ｉへ送られ、真空炉内で外槽
２底面の真空排気口４に封板５を鑞付けするか、
又は電子ビーム溶接により排気口４を閉鎖するこ
とにより、真空断熱空間６の封じ切りが行なわれ
る。尚、通常は前記後熱処理工程Ｈと真空封じ工
程Ｉとは同一の真空炉内で行なわれ、空間６内は
10-3〜10-5torr程度の真空度に保持される。
尚、本願各実施例に於いては、上述の如く無電
解メツキ方式のメツキ処理工程Ｆについて述べて
いるが、所謂電解メツキ方式による銀メツキを採
用してもよく、本発明に係るステンレスの処理工
程Ｃ，Ｄによれば、従来不可能とされてきたステ
ンレスへの電解メツキ方式による直接銀メツキが
可能となる。
解メツキ方式のメツキ処理工程Ｆについて述べて
いるが、所謂電解メツキ方式による銀メツキを採
用してもよく、本発明に係るステンレスの処理工
程Ｃ，Ｄによれば、従来不可能とされてきたステ
ンレスへの電解メツキ方式による直接銀メツキが
可能となる。
本発明による銀メツキ法によれば、ステンレス
材の表面に均一な厚さで斑の全く無い極めて薄い
銀メツキ皮膜７を容易に形成固着することが可能
となる。例えば、塩酸による脱脂洗浄と超音波洗
浄を組合せた従前の表面処理法によつてステンレ
ス材を処理し、これに所謂無電解メツキ方式又は
電解メツキ方式によつて銀メツキをした様な場合
には、皮膜が厚くて極めて斑が多く、然かも厚さ
が不均一で接着力が弱く、そのうえ反射率が極く
低くして実用に供することが出来ない程度の銀メ
ツキ皮膜７しか形成できないのに対して、本発明
によれば厚さ及び斑、接着性、反射率、経年変化
等の面で極めて秀れた特性を有する銀メツキ皮膜
７を得ることが出来るうえ、銀効率もガラス上に
メツキする場合に比較して略同一か、これよりも
稍々優る値となる。
材の表面に均一な厚さで斑の全く無い極めて薄い
銀メツキ皮膜７を容易に形成固着することが可能
となる。例えば、塩酸による脱脂洗浄と超音波洗
浄を組合せた従前の表面処理法によつてステンレ
ス材を処理し、これに所謂無電解メツキ方式又は
電解メツキ方式によつて銀メツキをした様な場合
には、皮膜が厚くて極めて斑が多く、然かも厚さ
が不均一で接着力が弱く、そのうえ反射率が極く
低くして実用に供することが出来ない程度の銀メ
ツキ皮膜７しか形成できないのに対して、本発明
によれば厚さ及び斑、接着性、反射率、経年変化
等の面で極めて秀れた特性を有する銀メツキ皮膜
７を得ることが出来るうえ、銀効率もガラス上に
メツキする場合に比較して略同一か、これよりも
稍々優る値となる。
又、内容積2.2の本発明に係る魔法瓶（外槽
内径121mmφ、内槽内径100mmφ、真空断熱空間厚
さ10mm、内・外槽ステンレス板厚0.5mm、内槽外
表面のみを銀メツキ処理、電子ビーム溶接による
真空封じ）を用いた保温試験によれば、沸き上り
温度95℃の高温湯（2.2）が24時間後に67℃と
なる。これに対して、従前の表面研磨、アルミ等
のメツキ処理を採用した同容量の魔法瓶では、24
時間後に62℃〜63℃となり、約４〜５℃の温度差
が表われる。
内径121mmφ、内槽内径100mmφ、真空断熱空間厚
さ10mm、内・外槽ステンレス板厚0.5mm、内槽外
表面のみを銀メツキ処理、電子ビーム溶接による
真空封じ）を用いた保温試験によれば、沸き上り
温度95℃の高温湯（2.2）が24時間後に67℃と
なる。これに対して、従前の表面研磨、アルミ等
のメツキ処理を採用した同容量の魔法瓶では、24
時間後に62℃〜63℃となり、約４〜５℃の温度差
が表われる。
更に、本発明に係るメツキ法によれば、ガラス
皮膜上に銀メツキするものや二層メキとする場合
に比較して、製造原価の大幅な削減を図り得る。
皮膜上に銀メツキするものや二層メキとする場合
に比較して、製造原価の大幅な削減を図り得る。
本発明は上述の通り、秀れた実用的効用を有す
るものである。
るものである。
第１図は本発明に係るステンレス製魔法瓶の縦断
面図である。第２図は本発明に係る魔法瓶の製造
工程図である。 １……内槽、２……外槽、３……断熱栓、４…
…真空排気口、５……封板、６……真空断熱空
間、７……銀皮膜、Ａ……成形工程、Ｂ……化学
洗浄処理工程、Ｃ……前熱処理工程、Ｄ……水素
還元処理工程、Ｅ……前リンス処理工程、Ｆ……
メツキ処理工程、Ｇ……後リンス処理工程、Ｈ…
…後熱処理工程、Ｉ……組立・真空封じ工程。
面図である。第２図は本発明に係る魔法瓶の製造
工程図である。 １……内槽、２……外槽、３……断熱栓、４…
…真空排気口、５……封板、６……真空断熱空
間、７……銀皮膜、Ａ……成形工程、Ｂ……化学
洗浄処理工程、Ｃ……前熱処理工程、Ｄ……水素
還元処理工程、Ｅ……前リンス処理工程、Ｆ……
メツキ処理工程、Ｇ……後リンス処理工程、Ｈ…
…後熱処理工程、Ｉ……組立・真空封じ工程。
Claims (1)
- １ 内槽及び外槽をステンレス鋼板製とした魔法
瓶の銀メツキ処理に於いて、先ず内槽及び外槽を
真空加熱炉内で前熱処理し、次に該内槽及び外槽
を水素を含有するガス雰囲気内で200℃以上に加
熱して水素還元処理をし、当該水素還元処理後の
内槽外表面と外槽内表面の両方若しくは何れか一
方に無電解メツキ方式により直接銀メツキを施す
ことを特徴とするステンレス鋼板製魔法瓶の銀メ
ツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150582A JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150582A JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167762A JPS58167762A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0142353B2 true JPH0142353B2 (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12888847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150582A Granted JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167762A (ja) |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5150582A patent/JPS58167762A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58167762A (ja) | 1983-10-04 |
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