JPS58167762A - ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 - Google Patents
ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法Info
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- JPS58167762A JPS58167762A JP5150582A JP5150582A JPS58167762A JP S58167762 A JPS58167762 A JP S58167762A JP 5150582 A JP5150582 A JP 5150582A JP 5150582 A JP5150582 A JP 5150582A JP S58167762 A JPS58167762 A JP S58167762A
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- C23C18/42—Coating with noble metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ステンレス鋼板製魔法瓶（以下ステンレス製
魔法瓶と呼ぶ）に於ける輻射防止用の銀メツキ法の改良
に係り、ステンレス外表面に真空加熱処理と水素還元処
理を施すことにより、二液若しくは三液法による無電解
メッキ方式で、ステンレス外表面へ極めて薄く且つ斑の
無い銀メツキ皮膜を直接形成し得る様にした銀メツキ法
に関するものである。
魔法瓶と呼ぶ）に於ける輻射防止用の銀メツキ法の改良
に係り、ステンレス外表面に真空加熱処理と水素還元処
理を施すことにより、二液若しくは三液法による無電解
メッキ方式で、ステンレス外表面へ極めて薄く且つ斑の
無い銀メツキ皮膜を直接形成し得る様にした銀メツキ法
に関するものである。
近年魔法瓶の強度向上という観点から、内・外槽をステ
ンレス製とした金属製魔法瓶が開発され広く利用されて
いる。
ンレス製とした金属製魔法瓶が開発され広く利用されて
いる。
而して、一般に魔法瓶にあっては、断熱効果を高めるた
めには輻射による熱損失をより少くする必要があり、ス
テンレス製魔法瓶では従前から内槽外表面と外槽内表面
の両方若しくは何れか一方にアルミやニッケル等のメッ
キを施したり、或いは内・外槽の表面を極めて高精度に
研磨してその反射率を高めることにより輻射損失の防止
を図っている。尚、輻射損失の防止性能という点では、
銀メッキの方がアルミやニッケルメッキ等に比較して遥
かに秀れている。しかし、現在の無電解メッキの技術で
は、ステンレス外表面へ斑の無い薄い銀メツキ皮膜を形
成することが困難であり、如何にステンレスの表面を化
学的若しくは機械的に処理しても皮膜厚が大で然かも極
めて斑の多いメッキしかできず、実用に供することが出
来ないという現状にある。その結果、上述の如く銀に替
えアルミやニッケル等のメッキを行なう方法が採用され
ている。
めには輻射による熱損失をより少くする必要があり、ス
テンレス製魔法瓶では従前から内槽外表面と外槽内表面
の両方若しくは何れか一方にアルミやニッケル等のメッ
キを施したり、或いは内・外槽の表面を極めて高精度に
研磨してその反射率を高めることにより輻射損失の防止
を図っている。尚、輻射損失の防止性能という点では、
銀メッキの方がアルミやニッケルメッキ等に比較して遥
かに秀れている。しかし、現在の無電解メッキの技術で
は、ステンレス外表面へ斑の無い薄い銀メツキ皮膜を形
成することが困難であり、如何にステンレスの表面を化
学的若しくは機械的に処理しても皮膜厚が大で然かも極
めて斑の多いメッキしかできず、実用に供することが出
来ないという現状にある。その結果、上述の如く銀に替
えアルミやニッケル等のメッキを行なう方法が採用され
ている。
一方、前述の如き高精度研磨法やニッケル等のメッキに
よる輻射損失の防止策の改良として、ニッケルメッキ等
の上に更に銀メッキを施す方法やステンレスの表面にガ
ラス薄層を固着し、その上に銀メッキを施す方法等が開
発されており、これにより断熱効果のより一層の向りを
図るようにした魔法瓶が知られている。
よる輻射損失の防止策の改良として、ニッケルメッキ等
の上に更に銀メッキを施す方法やステンレスの表面にガ
ラス薄層を固着し、その上に銀メッキを施す方法等が開
発されており、これにより断熱効果のより一層の向りを
図るようにした魔法瓶が知られている。
然し乍ら、ニッケルメッキ等の上に銀メッキを施す方法
や、ステンレス表面にガラス薄層を固着してその上に銀
メッキを施すという方法は、何れも処理工数が大幅に増
え魔法瓶の製造コストの低減を図り難いという難点があ
る、又、ガラス層が介在したり、或いはメッキ層が厚く
なると脱ガス処理がそれだけ困難となり、ガス分子の放
出による真空度の低下を招き易いという問題がある。
や、ステンレス表面にガラス薄層を固着してその上に銀
メッキを施すという方法は、何れも処理工数が大幅に増
え魔法瓶の製造コストの低減を図り難いという難点があ
る、又、ガラス層が介在したり、或いはメッキ層が厚く
なると脱ガス処理がそれだけ困難となり、ガス分子の放
出による真空度の低下を招き易いという問題がある。
本発明は、ステンレス製魔法瓶の輻射防止に於ける上述
の如き問題の解決を課題とするものであり、内槽外表面
と外槽内表面の両方若しくは何れか一方に、所謂二液若
しくは三液式の無電解メッキにより薄く且つ斑のない銀
メツキ皮膜の形成を可能とすることにより、製造コスト
の引下げや輻射損失の大幅な低減を可能としたステンレ
ス製魔法瓶の銀メツキ方法の提供を目的とするものであ
る〇 一般に、ステンレス製魔法瓶の製作に当っては、真空断
熱空間（Ｇ）の真空度を長期に亘って一定に保持するた
め、内・外槽のベーキング処理が行なわれる。即ち、内
・外槽を真空炉内へ入れ、これを一定時開成空中で高温
加熱してステンレス内のガス分子を強制的に放出せしめ
、これにより真空度の経時変化を防止せんとするもので
ある。本願発明者は、当該ベーキング処理工程に於いて
、ステンレスの外表面が清浄化されることに着目し、加
熱温度と真空度の夫々異なる多数のテストピースについ
て無電解方式による銀メツキ実験を積み重ね、その結果
から、先ず真空加熱炉内で予備的に熱処理した後、一定
値以上の温度で水素還元処理したテストピースについて
は、無電解メッキ方式により極めて薄く且つ均一な厚さ
の秀れた反射率を有する銀皮膜の形成が可能であること
を見出したものである、 本願発明は、内槽及び外槽を真空加熱炉内で予備的に熱
処理した後、内槽及び外槽を水素を含有するガス雰囲気
・内で２００℃以上に加熱して水素還元処理をし、当該
水素還元処理をした内槽外表面と、外槽内表面の両方若
しくは何れか一方に、二液又は三液式の無電解メッキに
より直接銀メッキを施すことを基本構成とするものであ
り、当該構成とすることにより、これ迄技術的に不可能
とされていたステンレスへの薄くて、然かも斑のない一
様な厚さの秀れた反射率と接着性を有する銀メツキ皮膜
の形成が可能となる。
の如き問題の解決を課題とするものであり、内槽外表面
と外槽内表面の両方若しくは何れか一方に、所謂二液若
しくは三液式の無電解メッキにより薄く且つ斑のない銀
メツキ皮膜の形成を可能とすることにより、製造コスト
の引下げや輻射損失の大幅な低減を可能としたステンレ
ス製魔法瓶の銀メツキ方法の提供を目的とするものであ
る〇 一般に、ステンレス製魔法瓶の製作に当っては、真空断
熱空間（Ｇ）の真空度を長期に亘って一定に保持するた
め、内・外槽のベーキング処理が行なわれる。即ち、内
・外槽を真空炉内へ入れ、これを一定時開成空中で高温
加熱してステンレス内のガス分子を強制的に放出せしめ
、これにより真空度の経時変化を防止せんとするもので
ある。本願発明者は、当該ベーキング処理工程に於いて
、ステンレスの外表面が清浄化されることに着目し、加
熱温度と真空度の夫々異なる多数のテストピースについ
て無電解方式による銀メツキ実験を積み重ね、その結果
から、先ず真空加熱炉内で予備的に熱処理した後、一定
値以上の温度で水素還元処理したテストピースについて
は、無電解メッキ方式により極めて薄く且つ均一な厚さ
の秀れた反射率を有する銀皮膜の形成が可能であること
を見出したものである、 本願発明は、内槽及び外槽を真空加熱炉内で予備的に熱
処理した後、内槽及び外槽を水素を含有するガス雰囲気
・内で２００℃以上に加熱して水素還元処理をし、当該
水素還元処理をした内槽外表面と、外槽内表面の両方若
しくは何れか一方に、二液又は三液式の無電解メッキに
より直接銀メッキを施すことを基本構成とするものであ
り、当該構成とすることにより、これ迄技術的に不可能
とされていたステンレスへの薄くて、然かも斑のない一
様な厚さの秀れた反射率と接着性を有する銀メツキ皮膜
の形成が可能となる。
以下、第１図及び第２図に示す本発明の一実施例に基づ
いてその詳細を説明する。
いてその詳細を説明する。
第１図は本発明に係るステンレス製魔法瓶の縦断面図で
あり、図に於いて１はステンレス製の内槽、２はステン
レス製の外槽、３は断熱栓、４は真空排気口、５は封板
、６は真空断熱空間である。
あり、図に於いて１はステンレス製の内槽、２はステン
レス製の外槽、３は断熱栓、４は真空排気口、５は封板
、６は真空断熱空間である。
前記内・外槽１，２は厚さ０．５ ｍｍのステンレス（
ＳＵＳ３０４）板を用いて成形されており、内槽ｌの外
表面には輻射損失を防止するための銀皮膜７が二液又は
三液式の無電解メッキにより形成固着されている。尚、
本実施例にあっては内槽１の外表面のみに銀皮膜７を形
成しているが、外槽２の内表面側のみに形成してもよく
、或いは内・外槽の両方に形成してもよいことは勿論で
ある。
ＳＵＳ３０４）板を用いて成形されており、内槽ｌの外
表面には輻射損失を防止するための銀皮膜７が二液又は
三液式の無電解メッキにより形成固着されている。尚、
本実施例にあっては内槽１の外表面のみに銀皮膜７を形
成しているが、外槽２の内表面側のみに形成してもよく
、或いは内・外槽の両方に形成してもよいことは勿論で
ある。
第２図は、本発明に係る銀メツキ方法によるステンレス
製魔法瓶の製造工程を示すものであり、Ａは内・外槽の
成型工程、Ｂは内・外槽の化学洗浄処理工程、Ｃは前熱
処理工程、Ｄは水素還元処理工程、Ｅは前リンス処理工
程、Ｆはメッキ処理工程、Ｇは後リンス処理工程、Ｈは
後熱処理工程、Ｉは組立・真空封じ工程である。
製魔法瓶の製造工程を示すものであり、Ａは内・外槽の
成型工程、Ｂは内・外槽の化学洗浄処理工程、Ｃは前熱
処理工程、Ｄは水素還元処理工程、Ｅは前リンス処理工
程、Ｆはメッキ処理工程、Ｇは後リンス処理工程、Ｈは
後熱処理工程、Ｉは組立・真空封じ工程である。
成型工程Ａで所定の形状に成形された内・外槽１．２は
、洗浄処理工程Ｂへ送られ、ここで先ず脱脂等の化学処
理が施される。脱脂等の化学洗浄処理を終えた内・外槽
１，２は、次に前熱処理工程Ｃへ送られ、当該工程Ｃを
構成する真空炉内にて、１００℃〜７００°Ｃの温度で
、且つ１Ｏ１−１Ｏ″ｔｏｒｒ以下の真空下に、約５〜
２０分間熱処理される。
、洗浄処理工程Ｂへ送られ、ここで先ず脱脂等の化学処
理が施される。脱脂等の化学洗浄処理を終えた内・外槽
１，２は、次に前熱処理工程Ｃへ送られ、当該工程Ｃを
構成する真空炉内にて、１００℃〜７００°Ｃの温度で
、且つ１Ｏ１−１Ｏ″ｔｏｒｒ以下の真空下に、約５〜
２０分間熱処理される。
真空加熱炉内で前熱処理を終えたあと、当該真空加熱炉
内を水素５％と不活性ガス９５％より成る混合ガスの雰
囲気とすると共に、炉内温度を１００°Ｃ〜７００℃に
保持し、約２０〜６０分間内・外槽１，２をこの状態に
保持することにより、夫々の外表面に所謂水素−還元処
理を施す。当該水素還元処理をすることにより、ステン
レス板の表面は略完全な清浄状態となり、酸洗いやパフ
研磨の如き従前の化学的若しくは機械的洗浄処理では得
られない、極めて高グレードの清浄面が得られることに
なる。尚、本実施例では化学洗浄工程Ｂと前熱処理工程
Ｃを予備処理工程として用いているが、これを省略して
もよいことは勿論である。
内を水素５％と不活性ガス９５％より成る混合ガスの雰
囲気とすると共に、炉内温度を１００°Ｃ〜７００℃に
保持し、約２０〜６０分間内・外槽１，２をこの状態に
保持することにより、夫々の外表面に所謂水素−還元処
理を施す。当該水素還元処理をすることにより、ステン
レス板の表面は略完全な清浄状態となり、酸洗いやパフ
研磨の如き従前の化学的若しくは機械的洗浄処理では得
られない、極めて高グレードの清浄面が得られることに
なる。尚、本実施例では化学洗浄工程Ｂと前熱処理工程
Ｃを予備処理工程として用いているが、これを省略して
もよいことは勿論である。
水素還元処理工程りを出た内・外槽１，２は、引き続き
リンス処理工程Ｅへ送られ、ここで錫並びに適宜の水和
剤より成るリンス処理液例えばアメリカ合衆国、ロンド
ンぜラボラトリ−社製のＲＢＬ、ＲＮＡ処理液（商品名
）により所謂リンス処理が行なわれる。当該リンス処理
を行なうことにより、ステンレス表面が親水性になると
共に、その表面に固着した錫を核として銀が固着するこ
とになり、銀メツキ皮膜７の形成が容易になると共にそ
の接着力がより一層向上する。尚、前記ＲＢＬ及びＲＮ
Ａ処理液で処理したあと、最後に抽水により軽くリンス
が行なわれる。こうすれば後述する後熱処理工程Ｈによ
る脱ガス量が少なくなり、更にメッキ液の品質保持とい
う点でも好都合である。
リンス処理工程Ｅへ送られ、ここで錫並びに適宜の水和
剤より成るリンス処理液例えばアメリカ合衆国、ロンド
ンぜラボラトリ−社製のＲＢＬ、ＲＮＡ処理液（商品名
）により所謂リンス処理が行なわれる。当該リンス処理
を行なうことにより、ステンレス表面が親水性になると
共に、その表面に固着した錫を核として銀が固着するこ
とになり、銀メツキ皮膜７の形成が容易になると共にそ
の接着力がより一層向上する。尚、前記ＲＢＬ及びＲＮ
Ａ処理液で処理したあと、最後に抽水により軽くリンス
が行なわれる。こうすれば後述する後熱処理工程Ｈによ
る脱ガス量が少なくなり、更にメッキ液の品質保持とい
う点でも好都合である。
リンス処理を終えた内・外槽は、メッキ処理工程Ｆへ送
られ、ここで無電解メッキ方式により銀メッキが行なわ
れる。本願第１実施例にあっては、メッキ液として銀波
と還元液とを容量比１：１で混合した所謂二液式のメッ
キ液を使用しており、前記銀波及び還元液の成分は下記
のとおりである。
られ、ここで無電解メッキ方式により銀メッキが行なわ
れる。本願第１実施例にあっては、メッキ液として銀波
と還元液とを容量比１：１で混合した所謂二液式のメッ
キ液を使用しており、前記銀波及び還元液の成分は下記
のとおりである。
銀 液
硝 酸 銀 ３５７アンモニア水
沈澱を再溶解するに要する量水
６０肩ｌ水酸化ナトリウム ２．５
９ 還元液 ブドウ糖 ４５ｆ 酒 石 酸 ４ｆアルコール
１００ｅｔ／ 水 １０００＋ｌ！／前記
銀液の調整は、硝酸銀３．５ｆにアンモニヤ水を加え、
いったん生じた沈澱物が再溶解するまでアンモニヤ水を
加える。次に、この銀波６０ｍ／に水酸化ナトリウム２
．５ ｆと水６０ｍ１を加え、黒色となった溶液が清澄
になるまで再度アンモニヤ水を加えて調整する。又、前
記還元液の調整は、水１０００ｍ／にブドウ糖、酒石酸
を順次溶解させた後、１０分間はど煮沸し、常温まで冷
却したあとアルコールを加えることにより調整する。温
度を１５〜３０°Ｃとした前記メッキ液内へ、内槽外表
面を所定時間例えば１〜２分間浸漬することにより、内
槽外表面には極めて薄く且つ厚゛さの均一な銀メツキ皮
膜７が形成固着されることになる。又、外槽内表面の銀
メッキも同様であり、外槽２内へ前記メッキ液を満たし
、所定時間貯溜したあとこれを排出することにより、同
様の銀メツキ皮膜７が固着形成されることになる。
沈澱を再溶解するに要する量水
６０肩ｌ水酸化ナトリウム ２．５
９ 還元液 ブドウ糖 ４５ｆ 酒 石 酸 ４ｆアルコール
１００ｅｔ／ 水 １０００＋ｌ！／前記
銀液の調整は、硝酸銀３．５ｆにアンモニヤ水を加え、
いったん生じた沈澱物が再溶解するまでアンモニヤ水を
加える。次に、この銀波６０ｍ／に水酸化ナトリウム２
．５ ｆと水６０ｍ１を加え、黒色となった溶液が清澄
になるまで再度アンモニヤ水を加えて調整する。又、前
記還元液の調整は、水１０００ｍ／にブドウ糖、酒石酸
を順次溶解させた後、１０分間はど煮沸し、常温まで冷
却したあとアルコールを加えることにより調整する。温
度を１５〜３０°Ｃとした前記メッキ液内へ、内槽外表
面を所定時間例えば１〜２分間浸漬することにより、内
槽外表面には極めて薄く且つ厚゛さの均一な銀メツキ皮
膜７が形成固着されることになる。又、外槽内表面の銀
メッキも同様であり、外槽２内へ前記メッキ液を満たし
、所定時間貯溜したあとこれを排出することにより、同
様の銀メツキ皮膜７が固着形成されることになる。
尚、メッキ液は、前述のものに限定されるものではなく
、二液式の銀鏡反応を利用するメッキ液であれば、どの
様な成分のものでもよく、例えば□前記アメリカ合衆国
ロンドン・ラボラトリ−社製の二液式メッキ液（商品名
ＡＴＡ、商品名ＡＴＳ ）などは、本発明の実施に最も
好適である。
、二液式の銀鏡反応を利用するメッキ液であれば、どの
様な成分のものでもよく、例えば□前記アメリカ合衆国
ロンドン・ラボラトリ−社製の二液式メッキ液（商品名
ＡＴＡ、商品名ＡＴＳ ）などは、本発明の実施に最も
好適である。
又、前記第１実施例に於いては、二液式の無電解メッキ
を採用しているが、三液式のメッキ液を用いてもよいこ
とは勿論である。例えば、前記アメリカ合衆国ロンドン
・ラボラトリ−社製の銀波（商品名ＡＴＡ ）と還元液
（商品名ＡＴＳ）をｌ：１の割合で混合し、これに中和
液（商品名ＫＤＲ）を小量加えて形成した三液式のメッ
キ液を用い、温度５０℃〜７０°Ｃとした当該メッキ液
め中へ内槽外表面を１〜２分間浸漬することにより、銀
メツキ皮膜を形成するようにしてもよい。
を採用しているが、三液式のメッキ液を用いてもよいこ
とは勿論である。例えば、前記アメリカ合衆国ロンドン
・ラボラトリ−社製の銀波（商品名ＡＴＡ ）と還元液
（商品名ＡＴＳ）をｌ：１の割合で混合し、これに中和
液（商品名ＫＤＲ）を小量加えて形成した三液式のメッ
キ液を用い、温度５０℃〜７０°Ｃとした当該メッキ液
め中へ内槽外表面を１〜２分間浸漬することにより、銀
メツキ皮膜を形成するようにしてもよい。
尚、本願第２実施例にあっては、前記ＡＴＡとＡＴＳと
ＫＤＲの具体的な調合は、先ず水２００ｃｃの中へＡＴ
Ａ（２０ｃｃ）とＡ Ｔ Ｓ （２０ｃｃ）を混合し、
次に別の水２００ｃｃの中へＫＤＲ（ｌＯｃｃ）を混合
し°て、最後に両者を混合攪拌することによって行なわ
れており、当該メッキ液を６０℃位に保ち、その中へ内
槽を２〜３分間浸漬することにより銀メッキが行なわれ
ている。
ＫＤＲの具体的な調合は、先ず水２００ｃｃの中へＡＴ
Ａ（２０ｃｃ）とＡ Ｔ Ｓ （２０ｃｃ）を混合し、
次に別の水２００ｃｃの中へＫＤＲ（ｌＯｃｃ）を混合
し°て、最後に両者を混合攪拌することによって行なわ
れており、当該メッキ液を６０℃位に保ち、その中へ内
槽を２〜３分間浸漬することにより銀メッキが行なわれ
ている。
銀メツキ処理工程Ｆを終えた内・外槽１，２は後リンス
処理工程Ｇにて銀メツキ皮膜、７を純水及びＲＮＡ処理
液（アメリカ合衆国ロンドン・ラボラトリ−社の商品名
）でリンスしたあと、後熱処理工程Ｈへ送られ、ここで
真空炉を用いてメッキ層内の脱ガス処理が行なわれる。
処理工程Ｇにて銀メツキ皮膜、７を純水及びＲＮＡ処理
液（アメリカ合衆国ロンドン・ラボラトリ−社の商品名
）でリンスしたあと、後熱処理工程Ｈへ送られ、ここで
真空炉を用いてメッキ層内の脱ガス処理が行なわれる。
当該後熱処理Ｈは、銀メツキ皮膜７の耐熱性等の面から
、比較的低温度で、且つ高真空度の下で行なわれ、当該
熱処理によりメッキ層内の吸着ガス分子が略完全に脱ガ
スされることになる。
、比較的低温度で、且つ高真空度の下で行なわれ、当該
熱処理によりメッキ層内の吸着ガス分子が略完全に脱ガ
スされることになる。
後熱処理Ｈを終えた内・外槽１，２は、最後に組立・真
空封じ工程Ｉへ送られ、真空炉内で外槽２底面の真空排
気口４に封板５を瞳付けするか、又は電子ビーム溶接に
より排気口４を閉鎖することにより、真空断熱空間６の
封じ切りが行なわれる。尚、通常は前記後熱処理工程Ｈ
と真空封じ工程Ｉとは同一の真空炉内で行なわれ、空間
６内はｌＯ〜１０ ｔｏｒｒ程度の真空度に保持され
る。
空封じ工程Ｉへ送られ、真空炉内で外槽２底面の真空排
気口４に封板５を瞳付けするか、又は電子ビーム溶接に
より排気口４を閉鎖することにより、真空断熱空間６の
封じ切りが行なわれる。尚、通常は前記後熱処理工程Ｈ
と真空封じ工程Ｉとは同一の真空炉内で行なわれ、空間
６内はｌＯ〜１０ ｔｏｒｒ程度の真空度に保持され
る。
尚、本願第実施例に於いては、上述の如く無電解メッキ
方式のメッキ処理工程Ｆについて述べているが、所謂電
解メッキ方式による銀メッキを採用してもよく、本発明
に係るステンレスの処理工程（Ｃ） （Ｄ）によれば、
従来不可能とされてきたステンレスへの電解メッキ方式
による直接銀メッキが可能となる。
方式のメッキ処理工程Ｆについて述べているが、所謂電
解メッキ方式による銀メッキを採用してもよく、本発明
に係るステンレスの処理工程（Ｃ） （Ｄ）によれば、
従来不可能とされてきたステンレスへの電解メッキ方式
による直接銀メッキが可能となる。
本発明による銀メツキ法によれば、ステンレス材の表面
に均一な厚さで斑の全く無い極めて薄い銀メツキ皮膜７
を容易に形成固着することが可能となる。例えば、塩酸
による脱脂洗浄と超音波洗浄を組合せた従前の表面処理
法によってステンレス材を処理し、これに所謂無電解メ
ッキ方式又は電解メッキ方式によって銀メッキをした様
な場合には、皮膜が厚くて極めて斑が多く、然かも厚さ
が不均一で接着力が弱く、そのうえ反射率が極く低くて
実用に供することが出来ない程度の銀メツキ皮膜７しか
形成できないのに対して、本発明によれば厚さ及び斑、
接着性、反射率、経年変化等の面で極めて秀れた特性を
有する銀メツキ皮膜７を得ることが出来るうえ、銀効率
もガラス上にメッキする場合に比較して略同−か、これ
よりも稍々優る値となる。
に均一な厚さで斑の全く無い極めて薄い銀メツキ皮膜７
を容易に形成固着することが可能となる。例えば、塩酸
による脱脂洗浄と超音波洗浄を組合せた従前の表面処理
法によってステンレス材を処理し、これに所謂無電解メ
ッキ方式又は電解メッキ方式によって銀メッキをした様
な場合には、皮膜が厚くて極めて斑が多く、然かも厚さ
が不均一で接着力が弱く、そのうえ反射率が極く低くて
実用に供することが出来ない程度の銀メツキ皮膜７しか
形成できないのに対して、本発明によれば厚さ及び斑、
接着性、反射率、経年変化等の面で極めて秀れた特性を
有する銀メツキ皮膜７を得ることが出来るうえ、銀効率
もガラス上にメッキする場合に比較して略同−か、これ
よりも稍々優る値となる。
又、内容積２．２１の本発明に係る魔法瓶（外槽内径１
２１叫〆、内槽内径１００■ｙ１真空断熱空間厚さ１０
ｍｍ、内・外槽ステンレス板厚０．５ ｒｔｒｍ 、内
槽外表面のみを銀メッキ処理、電子ビーム溶接による真
空封じ）を用いた保温試験によれば、沸き上り温度９５
℃の高温湯（２，２１）が２４時間後に６７℃となる。
２１叫〆、内槽内径１００■ｙ１真空断熱空間厚さ１０
ｍｍ、内・外槽ステンレス板厚０．５ ｒｔｒｍ 、内
槽外表面のみを銀メッキ処理、電子ビーム溶接による真
空封じ）を用いた保温試験によれば、沸き上り温度９５
℃の高温湯（２，２１）が２４時間後に６７℃となる。
これに対して、従前の表面研磨、アルミ等のメッキ処理
を採用した同容量の魔法瓶では、２４時間後に６２℃〜
６３℃となり、約４〜５℃の温度差が表われる。
を採用した同容量の魔法瓶では、２４時間後に６２℃〜
６３℃となり、約４〜５℃の温度差が表われる。
更：ど“、本発明に係るメッキ法によれば、ガラス皮膜
−ヒに銀メッキするものや二層メッキとする場合に比較
して、製造原価の大幅な削減を図り得る。
−ヒに銀メッキするものや二層メッキとする場合に比較
して、製造原価の大幅な削減を図り得る。
本発明は上述の通り、秀れた実用的効用を有するもので
ある。
ある。
第１図は本発明に係るステンレス製魔法瓶の縦断面図で
ある。 第２図は本発明に係る魔法瓶の製造工程図である０ １ 内 博 ２７′外 槽 ３ 断熱栓 ４ 真空排気口 ５ 封 板 ６ 真空断熱空間 ７ 銀皮膜 Ａ 成形工程 Ｂ 化学洗浄処理工程 覇 Ｃ傘侮熱処理工程 Ｄ 水素還元処理工程 Ｅ 前リンス処理工程 Ｆ メッキ処理工程 Ｇ 後リンス処理工程 ゛ Ｈ後熱処理工程 ■ 組立・真空封じ工程 特許出願人 大陽酸素株式会社代表者 川 口
源兵衛 手続補正書（自発） 昭和５７年５月１８日 特許庁長官殿 １、 事件の表示 特願昭５７−５１５０５２ 発明
の名称 ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市浪速区元町３丁目１８２番地の１氏名
大陽酸素株式会社 代表者 川 口 源兵衛 ４代理人 住 所 大阪市天王寺区大道１丁目５番１３号の’ＡＩ
Ａ″′を、“’ＭＳ−４Ｌ”に補正する。 の”°ＡＴＳ′′を、−ＭＡ −２６０１−” ニＭｉ
ｉＥに補正する。
ある。 第２図は本発明に係る魔法瓶の製造工程図である０ １ 内 博 ２７′外 槽 ３ 断熱栓 ４ 真空排気口 ５ 封 板 ６ 真空断熱空間 ７ 銀皮膜 Ａ 成形工程 Ｂ 化学洗浄処理工程 覇 Ｃ傘侮熱処理工程 Ｄ 水素還元処理工程 Ｅ 前リンス処理工程 Ｆ メッキ処理工程 Ｇ 後リンス処理工程 ゛ Ｈ後熱処理工程 ■ 組立・真空封じ工程 特許出願人 大陽酸素株式会社代表者 川 口
源兵衛 手続補正書（自発） 昭和５７年５月１８日 特許庁長官殿 １、 事件の表示 特願昭５７−５１５０５２ 発明
の名称 ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法３ 補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市浪速区元町３丁目１８２番地の１氏名
大陽酸素株式会社 代表者 川 口 源兵衛 ４代理人 住 所 大阪市天王寺区大道１丁目５番１３号の’ＡＩ
Ａ″′を、“’ＭＳ−４Ｌ”に補正する。 の”°ＡＴＳ′′を、−ＭＡ −２６０１−” ニＭｉ
ｉＥに補正する。
Claims (1)
- 内槽及び外槽をステンレス鋼板製とした魔法瓶の銀メッ
キ処理に於いて、先ず内槽及び外槽を真空加熱炉内で前
熱処理し、次に該内槽及び外槽を水素を含有するガス雰
囲気内で２００℃以上に加熱して水素還元処理をし、当
該水素還元処理後の内槽外表面と外槽内表面の両方若し
くは何れか一方に無電解メッキ方式により直接銀メッキ
を施すことを特徴とするステンレス鋼板製魔法瓶の銀メ
ツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150582A JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5150582A JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167762A true JPS58167762A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0142353B2 JPH0142353B2 (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12888847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150582A Granted JPS58167762A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | ステンレス鋼板製魔法瓶の銀メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167762A (ja) |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5150582A patent/JPS58167762A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142353B2 (ja) | 1989-09-12 |
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