JPH0143035B2 - - Google Patents
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- JPH0143035B2 JPH0143035B2 JP56125783A JP12578381A JPH0143035B2 JP H0143035 B2 JPH0143035 B2 JP H0143035B2 JP 56125783 A JP56125783 A JP 56125783A JP 12578381 A JP12578381 A JP 12578381A JP H0143035 B2 JPH0143035 B2 JP H0143035B2
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- plating
- plated
- mask
- plating liquid
- nozzle
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/026—Electroplating of selected surface areas using locally applied jets of electrolyte
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
- Y10S204/07—Current distribution within the bath
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路素子（IC）リードフレー
ムのインナーリード端部等極めて狭隘な被メツキ
物に貴金属等を微小部分メツキ処理するものであ
つて、ハレーシヨンの無い高品質の部分メツキを
精密に且つ連続的に高効率で以つて処理し得る実
用的な微小部分メツキ方法及びその装置に関す
る。
ムのインナーリード端部等極めて狭隘な被メツキ
物に貴金属等を微小部分メツキ処理するものであ
つて、ハレーシヨンの無い高品質の部分メツキを
精密に且つ連続的に高効率で以つて処理し得る実
用的な微小部分メツキ方法及びその装置に関す
る。
周知の如くICや各種半導体素子及び電子部品
のリードフレーム、電極、端子、接点等の特定箇
所には、高導電率を有する貴金属、例えば銀
（At）や白金（Pt）等を部分メツキ処理されてい
る。
のリードフレーム、電極、端子、接点等の特定箇
所には、高導電率を有する貴金属、例えば銀
（At）や白金（Pt）等を部分メツキ処理されてい
る。
而して、これら電子部品に於ける通電容量は、
通常数μA〜数十ｍＡ程度であるから、例えば接
点部分のメツキ部は、直径１mm以下で且つ数μの
厚さで充分であり、ICのリードフレームでは、
そのワイヤーボンデイングエリアに必要とするメ
ツキ域は直径0.2mmの微小点状範囲で充分であり
又、厚さも1μ程度で充分である。
通常数μA〜数十ｍＡ程度であるから、例えば接
点部分のメツキ部は、直径１mm以下で且つ数μの
厚さで充分であり、ICのリードフレームでは、
そのワイヤーボンデイングエリアに必要とするメ
ツキ域は直径0.2mmの微小点状範囲で充分であり
又、厚さも1μ程度で充分である。
このように、高価な貴金属を極小量部分メツキ
すれば実用上は充分足りるものではあるが、在来
の部分メツキ手段では被メツキ物にメツキ液噴射
ノズルを対設し、被メツキ物とノズルを異極性電
極にすると共に、メツキ域を特定する為のマスク
を被メツキ物に当接可能とし、且つメツキ液が外
部に飛散するのを防止する為にノズルを囲繞する
状態で筒体を配設したものが知られている。
すれば実用上は充分足りるものではあるが、在来
の部分メツキ手段では被メツキ物にメツキ液噴射
ノズルを対設し、被メツキ物とノズルを異極性電
極にすると共に、メツキ域を特定する為のマスク
を被メツキ物に当接可能とし、且つメツキ液が外
部に飛散するのを防止する為にノズルを囲繞する
状態で筒体を配設したものが知られている。
上記在来の部分メツキ手段は、ターゲツトに対
しメツキ液を噴射する際の位置決めや、メツキ域
の特定化、或いは使用済メツキ液の回収に配慮さ
れているだけである。例えばマスキングも被メツ
キ物のメツキ不要部分を隠蔽するため、メツキパ
ターンに対応した透孔が穿設されたマスクを被メ
ツキ物に当接し、被メツキ物をマスク以外の部材
で上方からマスクの方に押圧し密着させる手段が
公知である。
しメツキ液を噴射する際の位置決めや、メツキ域
の特定化、或いは使用済メツキ液の回収に配慮さ
れているだけである。例えばマスキングも被メツ
キ物のメツキ不要部分を隠蔽するため、メツキパ
ターンに対応した透孔が穿設されたマスクを被メ
ツキ物に当接し、被メツキ物をマスク以外の部材
で上方からマスクの方に押圧し密着させる手段が
公知である。
これによると、真にメツキを必要とする処もそ
の周囲の空隙も含めた広域をマスキングし、メツ
キ必要部分を確実に包含設定することと、メツキ
液が空隙から噴出することを防止できる。
の周囲の空隙も含めた広域をマスキングし、メツ
キ必要部分を確実に包含設定することと、メツキ
液が空隙から噴出することを防止できる。
又、ノズルに関しても、単に先端を絞り先鋭状
と為した技術が公知である。これも噴射メツキ液
流を細くすることのみに配慮されターゲツトとメ
ツキ液流を一致させメツキ液流速を高める効果は
有する。
と為した技術が公知である。これも噴射メツキ液
流を細くすることのみに配慮されターゲツトとメ
ツキ液流を一致させメツキ液流速を高める効果は
有する。
更に、開頭筒状に形成された筒体にメツキ液吸
引ポンプ等を付設して、メツキ液の飛散防止と、
使用済後のメツキ液回収を確実化する技術も公知
である。
引ポンプ等を付設して、メツキ液の飛散防止と、
使用済後のメツキ液回収を確実化する技術も公知
である。
然し乍ら、上記公知手段では以下に述べるよう
な欠陥があつた。
な欠陥があつた。
(1) メツキ液が被メツキ面に衝突した後、この流
速を制御することは困難であるから、メツキ液
の濡れ面積がマスクの開口面積以上迄広がり、
真に必要とする微小面積部分のみを正確にメツ
キすることが困難である。
速を制御することは困難であるから、メツキ液
の濡れ面積がマスクの開口面積以上迄広がり、
真に必要とする微小面積部分のみを正確にメツ
キすることが困難である。
(2) メツキ液中に於ける金属イオンの供給量が低
く、20〜30A／ｄm2程度の低電流密度であるた
め、メツキ処理時間が長くなり、而かもメツキ
処理中の電流変動が大きいため、メツキ厚が不
均一になり易い。
く、20〜30A／ｄm2程度の低電流密度であるた
め、メツキ処理時間が長くなり、而かもメツキ
処理中の電流変動が大きいため、メツキ厚が不
均一になり易い。
(3) 被メツキ部材の形態に対応してマスキングし
乍らメツキしても、メツキ液流量の制御が難し
く、又ノズルと被メツキ部材間の距離調整も限
界である処から、メツキ境界面でハレーシヨン
を起し易くメツキ斑やメツキ境界のだれが生
じ、メツキ母材も必要以上消耗する。
乍らメツキしても、メツキ液流量の制御が難し
く、又ノズルと被メツキ部材間の距離調整も限
界である処から、メツキ境界面でハレーシヨン
を起し易くメツキ斑やメツキ境界のだれが生
じ、メツキ母材も必要以上消耗する。
(4) 被メツキ部材の種類に応じてマスクを変更す
る際、マスク交換作業は固より、ノズルやマス
ク等の設置調整の手間がかかり、所謂段取り時
間がかかり作業性が悪い処から、多品種小量生
産には不向きである。
る際、マスク交換作業は固より、ノズルやマス
ク等の設置調整の手間がかかり、所謂段取り時
間がかかり作業性が悪い処から、多品種小量生
産には不向きである。
(5) フープ材のような長尺の被メツキ部材に、連
続的な部分メツキ処理を行なう際には、ノズ
ル・マスク系もメツキ液供給制御系と共にマル
チシステム化するが、マルチシステム化する
と、被メツキ部材とノズル間の距離のバラツキ
や、メツキ液の流量や流速及び吸排気量の変動
が生じ易く、而かもこれらの調整が難しいた
め、メツキ処理製品のメツキ品位の品質管理が
困難であり、大量生産上大きな障害となる。
続的な部分メツキ処理を行なう際には、ノズ
ル・マスク系もメツキ液供給制御系と共にマル
チシステム化するが、マルチシステム化する
と、被メツキ部材とノズル間の距離のバラツキ
や、メツキ液の流量や流速及び吸排気量の変動
が生じ易く、而かもこれらの調整が難しいた
め、メツキ処理製品のメツキ品位の品質管理が
困難であり、大量生産上大きな障害となる。
(6) 前記の如くメツキ時間が長い処から、メツキ
装置全体が大型化し且つ制御系も複雑化するた
め、設備費が嵩み、又設置占有面積の多大化や
メンテナンスが面倒なこともあつて、新設や増
改設或いは移設等の際大きな問題となる。
装置全体が大型化し且つ制御系も複雑化するた
め、設備費が嵩み、又設置占有面積の多大化や
メンテナンスが面倒なこともあつて、新設や増
改設或いは移設等の際大きな問題となる。
(7) 設備費と相俟つて、メツキ品位のバラツキに
よる歩留りの劣化や、工程管理及び品質管理上
の稼動要員、工数、余分な治具や検査設備等を
要する処から、ランニングコストが高くなる。
よる歩留りの劣化や、工程管理及び品質管理上
の稼動要員、工数、余分な治具や検査設備等を
要する処から、ランニングコストが高くなる。
以上の如き問題点に鑑み、先に特願昭54年第
100772号に係る「微小面積のメツキ方法及びその
装置」が提供されているが、これによつて高精度
と高品位の部分メツキが可能となつた。
100772号に係る「微小面積のメツキ方法及びその
装置」が提供されているが、これによつて高精度
と高品位の部分メツキが可能となつた。
以下に、これについて第１図を参照し乍ら説明
する。
する。
加圧されたメツキ液を噴射するノズル２は、所
定容量のチヤンバー３とこれに連通する排除管４
を備えた外套管５に、着脱自在に固着してある。
定容量のチヤンバー３とこれに連通する排除管４
を備えた外套管５に、着脱自在に固着してある。
又、上記外套管５の頂部には、前記ノズル２の
先端を臨ませる透孔部７が形成されたマスク８を
着脱自在に固着してあり、メツキ処理に際してこ
のマスク８に被メツキ部材９を当接する状態で配
置し、メツキを施す場合は、ノズル２を直流電源
の（＋）極に、又、被メツキ部材９を同じく
（−）極に接続してある。更に、被メツキ部材９
の表面の金属等を溶解する場合、即ち逆メツキの
際には直流電源の極性を反転すれば良い。尚、マ
スク８には外気と連通する通気路１０を形成し、
圧縮された気体（空気や不活性ガス）を流入する
場合には、この通気路１０と外部配管（図示せ
ず）を連結する。
先端を臨ませる透孔部７が形成されたマスク８を
着脱自在に固着してあり、メツキ処理に際してこ
のマスク８に被メツキ部材９を当接する状態で配
置し、メツキを施す場合は、ノズル２を直流電源
の（＋）極に、又、被メツキ部材９を同じく
（−）極に接続してある。更に、被メツキ部材９
の表面の金属等を溶解する場合、即ち逆メツキの
際には直流電源の極性を反転すれば良い。尚、マ
スク８には外気と連通する通気路１０を形成し、
圧縮された気体（空気や不活性ガス）を流入する
場合には、この通気路１０と外部配管（図示せ
ず）を連結する。
尚又、排除管４は排気ポンプ（図示せず）と連
通してある。叙上のメツキ装置１に於いて、メツ
キ処理に際しては、排気ポンプを駆動することに
よりチヤンバー３乃至排除管４内を負圧状態と成
し、直流電源の印加と共に通気路１０から外気又
は加圧気体を流入せしめ、且つノズル２よりメツ
キ液を噴射させる。
通してある。叙上のメツキ装置１に於いて、メツ
キ処理に際しては、排気ポンプを駆動することに
よりチヤンバー３乃至排除管４内を負圧状態と成
し、直流電源の印加と共に通気路１０から外気又
は加圧気体を流入せしめ、且つノズル２よりメツ
キ液を噴射させる。
このメツキ液は、ノズル２の内径に近似した太
さの柱状のまゝマスク８を介して被メツキ部材９
に衝突するが、この時被メツキ部材９に金属が析
出され、透孔部７に対応した部分メツキが行なわ
れる。
さの柱状のまゝマスク８を介して被メツキ部材９
に衝突するが、この時被メツキ部材９に金属が析
出され、透孔部７に対応した部分メツキが行なわ
れる。
又、通気路１０から流入した外気又は加圧気体
が透孔部７の近傍に集中し、チヤンバー３内に流
入するので、メツキ液の拡散が防止されて被メツ
キ部材９への集中度が高くなり、電流密度も上昇
するからメツキ品位が向上安定する。
が透孔部７の近傍に集中し、チヤンバー３内に流
入するので、メツキ液の拡散が防止されて被メツ
キ部材９への集中度が高くなり、電流密度も上昇
するからメツキ品位が向上安定する。
更に、排除管４乃至チヤンバー３が負圧であ
り、且つ通気路１０から外気又は加圧気体が流入
するので、ノズル２から噴射されたメツキ液は、
用済後速やかに強制排除される。
り、且つ通気路１０から外気又は加圧気体が流入
するので、ノズル２から噴射されたメツキ液は、
用済後速やかに強制排除される。
従つて、マスク８と被メツキ部材９との接合面
が濡れメツキ液が外部に浸潤するのを妨げるた
め、ハレーシヨンを防止できる。
が濡れメツキ液が外部に浸潤するのを妨げるた
め、ハレーシヨンを防止できる。
更に又、被メツキ部材（固相）とメツキ液（液
相）との境界には、常に新鮮な液相があるため、
この境界に生じ易い拡散層の厚みが極めて薄くな
つてイオン濃度が均一となり、メツキ液固有の電
気的比抵抗のみで形成された電解液柱を形成した
ことと同じになつて、電流値が定常安定化するか
ら金属の析出速度も安定し高品位のメツキが得ら
れる。
相）との境界には、常に新鮮な液相があるため、
この境界に生じ易い拡散層の厚みが極めて薄くな
つてイオン濃度が均一となり、メツキ液固有の電
気的比抵抗のみで形成された電解液柱を形成した
ことと同じになつて、電流値が定常安定化するか
ら金属の析出速度も安定し高品位のメツキが得ら
れる。
処が、上記メツキ手段によると、マスク８に外
部と連通する通気路１０を形成し、ここから透孔
部７を介してメツキ部に影響を与えないように外
気又は加圧気体（以下外気等と云う。）を導入す
るため、比較的メツキゾーンが広く且つ単発的に
メツキ処理を行なう際には、メツキ液圧力、流
速、流量等の諸条件調整範囲及びその作業性や負
圧保持状態に余裕があるから、外気導入状態を予
め所定の条件に制御調整可能であり、有効的であ
る。
部と連通する通気路１０を形成し、ここから透孔
部７を介してメツキ部に影響を与えないように外
気又は加圧気体（以下外気等と云う。）を導入す
るため、比較的メツキゾーンが広く且つ単発的に
メツキ処理を行なう際には、メツキ液圧力、流
速、流量等の諸条件調整範囲及びその作業性や負
圧保持状態に余裕があるから、外気導入状態を予
め所定の条件に制御調整可能であり、有効的であ
る。
然し、この部分メツキがICリードフレームの
インナーリード端部の個々に、真にメツキを必要
とする範囲（被メツキ域が0.2mm程度）と云う微
細なもので、且つこれを連続的に高速度処理を行
なう実用化段階では次のような問題があつた。
インナーリード端部の個々に、真にメツキを必要
とする範囲（被メツキ域が0.2mm程度）と云う微
細なもので、且つこれを連続的に高速度処理を行
なう実用化段階では次のような問題があつた。
周知の如く、外気等の質量はメツキ液のそれよ
り小さく、圧縮効果を有するため、外気等を連続
的に供給する場合、供給される場所の容量が微少
である程、その圧力、流量、流速を精密に一定制
御することは、極めて困難であり、予め負圧状態
となつている密閉空間部内の負圧値変動が避け難
い。
り小さく、圧縮効果を有するため、外気等を連続
的に供給する場合、供給される場所の容量が微少
である程、その圧力、流量、流速を精密に一定制
御することは、極めて困難であり、予め負圧状態
となつている密閉空間部内の負圧値変動が避け難
い。
これにより、ノズルからのメツキ液流速もそれ
に対応して変化し、メツキ電流値が脈動する。こ
の結果メツキ電流の平均値が低下し必然的にメツ
キ品質やメツキ処理効率が低下する。
に対応して変化し、メツキ電流値が脈動する。こ
の結果メツキ電流の平均値が低下し必然的にメツ
キ品質やメツキ処理効率が低下する。
特に、ノズルを多連設したマルチシステムでは
各マスキング部全部の外気導入量を均一とし、且
つ安定状態で保持することは事実上不可能であ
る。
各マスキング部全部の外気導入量を均一とし、且
つ安定状態で保持することは事実上不可能であ
る。
更に、極めて微細な被メツキ域を負圧を利用し
てマスキングしている為、被メツキ物とマスクと
の密着性も損なわれる。これらの事は、本願出願
人が多々の試験を重ねた結果確認されたことであ
るが、前記した如く極微小部分を高品位で高速メ
ツキ処理する場合は、わづかな負圧変動によるメ
ツキ電流変化も無視できない高レベルの技術管理
が必要となり、外気導入手段は実用化段階では逆
効果を生じる場合もある。
てマスキングしている為、被メツキ物とマスクと
の密着性も損なわれる。これらの事は、本願出願
人が多々の試験を重ねた結果確認されたことであ
るが、前記した如く極微小部分を高品位で高速メ
ツキ処理する場合は、わづかな負圧変動によるメ
ツキ電流変化も無視できない高レベルの技術管理
が必要となり、外気導入手段は実用化段階では逆
効果を生じる場合もある。
又、メツキ液中の金属イオンの流速は、電界に
よる泳動と、電極近傍の濃度変化による拡散と、
メツキ液の流速に比例する対流移動の和であり、
電極近傍での濃度変化は反応速度を抑制し、電流
効率を悪化させることは周知である。
よる泳動と、電極近傍の濃度変化による拡散と、
メツキ液の流速に比例する対流移動の和であり、
電極近傍での濃度変化は反応速度を抑制し、電流
効率を悪化させることは周知である。
従つて、極微小部分をメツキする場合は、メツ
キ液流速変化の重要性は固より、ノズルや被メツ
キ物の口径比（アノード、カソードの面積比）
や、極間距離が及ぼす電界への影響も極めて重要
であるが、先の発明では、これらの検討が完全と
は云えなかつた。
キ液流速変化の重要性は固より、ノズルや被メツ
キ物の口径比（アノード、カソードの面積比）
や、極間距離が及ぼす電界への影響も極めて重要
であるが、先の発明では、これらの検討が完全と
は云えなかつた。
本発明は、叙上の点に鑑み、且つ先の発明をよ
り実用的に完成させる為成されたものであり、そ
の第１の目的とする処は、マスキングに際し外気
導入を阻んだ完全密閉空間を形成すると共に、そ
の内部を負圧状態とし、且つ電極間の距離を一定
条件に設定し、又電極口径比も一定条件に設定す
ることにより、メツキ電界強度と電流密度分布を
高レベルで保持し、極めて微小面積の部分メツキ
を高品質で、且つ高効率に処理し得るようにした
微小部分メツキ方法の提供にある。
り実用的に完成させる為成されたものであり、そ
の第１の目的とする処は、マスキングに際し外気
導入を阻んだ完全密閉空間を形成すると共に、そ
の内部を負圧状態とし、且つ電極間の距離を一定
条件に設定し、又電極口径比も一定条件に設定す
ることにより、メツキ電界強度と電流密度分布を
高レベルで保持し、極めて微小面積の部分メツキ
を高品質で、且つ高効率に処理し得るようにした
微小部分メツキ方法の提供にある。
又、本発明の他の目的とする処は、ICリード
フレームのインナーリード端部のように狭隘な部
分へ直径が0.2mm程度の微小部分メツキを一つず
つ高速処理可能にし、且つメツキ品位を高め、又
使用済のメツキ液を回収分離して連続的に行なう
ようにしたものであつて、マスキングに際して密
着させた被メツキ物でマスク内部を完全密閉状態
可能なマスク及び外套管内を所定の負圧値に保持
し、被メツキ物とノズル迄の距離を所定条件に設
定すると共にノズルとマスクの口径比を特定し、
これにより上記の如く実用的なメツキを行ない、
且つ吸引排除したメツキ液を再生使用可能とした
微小部分メツキ装置の提供にある。
フレームのインナーリード端部のように狭隘な部
分へ直径が0.2mm程度の微小部分メツキを一つず
つ高速処理可能にし、且つメツキ品位を高め、又
使用済のメツキ液を回収分離して連続的に行なう
ようにしたものであつて、マスキングに際して密
着させた被メツキ物でマスク内部を完全密閉状態
可能なマスク及び外套管内を所定の負圧値に保持
し、被メツキ物とノズル迄の距離を所定条件に設
定すると共にノズルとマスクの口径比を特定し、
これにより上記の如く実用的なメツキを行ない、
且つ吸引排除したメツキ液を再生使用可能とした
微小部分メツキ装置の提供にある。
以下に本発明の実施例について、第２図以下を
参照し乍ら説明する。
参照し乍ら説明する。
次に、マスク１２及びノズル１６について説明
する。前記した如く、本発明の対象である被メツ
キ物１１がICリードフレームのインナーリー
ド・ボンデイングエリアであり、そのメツキ域が
直径0.2mmの円形であるため、冒頭の公知手段で
は、これを正確に微小部分メツキ処理することが
不可能である。
する。前記した如く、本発明の対象である被メツ
キ物１１がICリードフレームのインナーリー
ド・ボンデイングエリアであり、そのメツキ域が
直径0.2mmの円形であるため、冒頭の公知手段で
は、これを正確に微小部分メツキ処理することが
不可能である。
何故ならば、単にマスクへ直径0.2mmの微細な
透孔を穿設し、被メツキ物をマスキングした後ノ
ズルからメツキ液を噴射すると、透孔近傍のメツ
キ液が背圧となり拡散層が増加し有効的な金属析
出が行なわれない。又、ノズルからのメツキ液流
速は中心部が高く管壁側（周辺部）が低いので、
中心部は新鮮なメツキ液が供給され集中的に金属
が析出するのに対し、周辺部では薄いメツキ層し
か得られない。
透孔を穿設し、被メツキ物をマスキングした後ノ
ズルからメツキ液を噴射すると、透孔近傍のメツ
キ液が背圧となり拡散層が増加し有効的な金属析
出が行なわれない。又、ノズルからのメツキ液流
速は中心部が高く管壁側（周辺部）が低いので、
中心部は新鮮なメツキ液が供給され集中的に金属
が析出するのに対し、周辺部では薄いメツキ層し
か得られない。
従つて、中心部のみ先鋭な山形状のメツキとな
り、該メツキ部にはICチツプとのワイヤーボン
デイングが全く不可能である。
り、該メツキ部にはICチツプとのワイヤーボン
デイングが全く不可能である。
更に、上記微細部分に高精度で高速処理する場
合は、電界強度が充分保持されないと機能上有効
的なメツキが得られない。これに対し従来は電極
への印加電圧を上げることが行なわれているが、
電圧を高くしすぎるとメツキ液中の水が分解して
H+イオンを発生しメツキ能力が激減する。
合は、電界強度が充分保持されないと機能上有効
的なメツキが得られない。これに対し従来は電極
への印加電圧を上げることが行なわれているが、
電圧を高くしすぎるとメツキ液中の水が分解して
H+イオンを発生しメツキ能力が激減する。
このようなことから、本発明では、被メツキ物
１１とノズル１６の距離を接近状態とし、且つこ
れを可能とするためマスク１２の透孔１３部分の
厚さを可能な限り薄くしてあり、又、ノズル１６
の口径と透孔１３の径の比を限定してある。
１１とノズル１６の距離を接近状態とし、且つこ
れを可能とするためマスク１２の透孔１３部分の
厚さを可能な限り薄くしてあり、又、ノズル１６
の口径と透孔１３の径の比を限定してある。
即ち、第３図に於いて、ノズル１６の内半径を
Ｒ、マスク１２の透孔１３の半径をｒ、ノズル１
６の開口端中心と被メツキ物１１との距離（極間
距離）をＬとすると、ノズル１６の周辺から被メ
ツキ物１１の中心迄の距離（l1）は、l1＝√2＋
R2である。
Ｒ、マスク１２の透孔１３の半径をｒ、ノズル１
６の開口端中心と被メツキ物１１との距離（極間
距離）をＬとすると、ノズル１６の周辺から被メ
ツキ物１１の中心迄の距離（l1）は、l1＝√2＋
R2である。
一方、ノズル１６の周辺から透孔１３の内周縁
に接して被メツキ物１１に達する迄の距離（l2）
は、l2＝√2＋（−）2である。
に接して被メツキ物１１に達する迄の距離（l2）
は、l2＝√2＋（−）2である。
今、l1≒l2とすれば透孔１３で規制される範囲
内は、比抵抗値が均一となり、メツキ電流密度も
均一化することになる。
内は、比抵抗値が均一となり、メツキ電流密度も
均一化することになる。
この為、第４図に図示の如くマスク１２の厚さ
（ｔ）を薄くする一方ノズル１６を被メツキ物１
１の方に接近させるとl1≒l2の関係が得られる。
勿論この場合透孔１３の穴径とノズル１６の口径
及び被メツキ物１１の位置は予め設定した寸法と
してある。
（ｔ）を薄くする一方ノズル１６を被メツキ物１
１の方に接近させるとl1≒l2の関係が得られる。
勿論この場合透孔１３の穴径とノズル１６の口径
及び被メツキ物１１の位置は予め設定した寸法と
してある。
然し上記条件のみを満足させても、前記したよ
うに透孔１３の近傍でメツキ液が背圧状態になる
と有効的なメツキができないので、本発明では更
にマスク１２と被メツキ物１１とを完全密着さ
せ、該マスク１２を装着した外套管１４内を密閉
空間とし、外気流入を防止した状態で所定の負圧
値に保持するようにしてある。
うに透孔１３の近傍でメツキ液が背圧状態になる
と有効的なメツキができないので、本発明では更
にマスク１２と被メツキ物１１とを完全密着さ
せ、該マスク１２を装着した外套管１４内を密閉
空間とし、外気流入を防止した状態で所定の負圧
値に保持するようにしてある。
この負圧値は、透孔１３近傍の滞溜メツキ液を
強制的に排除するのに充分なものとし、常維一定
状態で維持する必要があるため、マスキングに際
して外気流入阻止も必要とする。
強制的に排除するのに充分なものとし、常維一定
状態で維持する必要があるため、マスキングに際
して外気流入阻止も必要とする。
叙上の構成に於いて、メツキに際しては、マス
ク１２を被メツキ物１１の特定箇所（例えばイン
ナーリードのボンデイングエリア）に密着する一
方吸引装置を作動させる。透孔１３が微小である
為被メツキ物１１との接触面は、容易且つ確実に
密着して外気が流入しない状態となり、マスク１
２乃至外套管１４で外気が流入しない完全密閉空
間が形成され負圧状態が維持される。勿論マーク
である被メツキ物１１を移動乃至別体のものと交
換する際には透孔１３が開口するため外気が流入
するが、一旦透孔１３が被メツキ物１１で閉塞さ
れると再び負圧が保持される。
ク１２を被メツキ物１１の特定箇所（例えばイン
ナーリードのボンデイングエリア）に密着する一
方吸引装置を作動させる。透孔１３が微小である
為被メツキ物１１との接触面は、容易且つ確実に
密着して外気が流入しない状態となり、マスク１
２乃至外套管１４で外気が流入しない完全密閉空
間が形成され負圧状態が維持される。勿論マーク
である被メツキ物１１を移動乃至別体のものと交
換する際には透孔１３が開口するため外気が流入
するが、一旦透孔１３が被メツキ物１１で閉塞さ
れると再び負圧が保持される。
要は、メツキ処理の際に所定の負圧値が得られ
れば良い。
れば良い。
この結果、透孔１３の処には常時新鮮なメツキ
液が連続的に供給されることになり、且つ均一な
電流密度分布を有する上、高電界強度が得られる
ので極めて有効的に金属が析出する。
液が連続的に供給されることになり、且つ均一な
電流密度分布を有する上、高電界強度が得られる
ので極めて有効的に金属が析出する。
その上、表面張力で被メツキ物１１とマスク１
２の接触面の処へ浸潤したメツキ液は、透孔１３
で規制された範囲より縁面距離が長くなり大きな
比抵抗を有する状態になるためメツキ電流が著し
く小さくなる。
２の接触面の処へ浸潤したメツキ液は、透孔１３
で規制された範囲より縁面距離が長くなり大きな
比抵抗を有する状態になるためメツキ電流が著し
く小さくなる。
従つて、上記のようにメツキ液が浸潤した処で
は金属の析出が殆んど生じない。
は金属の析出が殆んど生じない。
この結果、マスキングされた処には断面メサ形
の均一な厚さを有するメツキ層が得られ、ハレー
シヨンが全く生じない高品位の微小部分メツキが
得られる。
の均一な厚さを有するメツキ層が得られ、ハレー
シヨンが全く生じない高品位の微小部分メツキが
得られる。
勿論、高価な貴金属も、真に機能メツキとして
必要な微小範囲内に最底量使用されるためその消
費量は著しく微量なもので済む。
必要な微小範囲内に最底量使用されるためその消
費量は著しく微量なもので済む。
尚、本発明に於いては、ノズル１６と被メツキ
物１１の電極間距離が極めて短く且つ調整が重要
であるため、単体のメツキ装置でも、多連のメツ
キ装置のいづれもノズル保持具１７で、電極間距
離の微調整を行なう。
物１１の電極間距離が極めて短く且つ調整が重要
であるため、単体のメツキ装置でも、多連のメツ
キ装置のいづれもノズル保持具１７で、電極間距
離の微調整を行なう。
又、被メツキ物が曲面を有する場合、例えば第
４図で図示のような電気接触子（被メツキ物）２
０の場合は、その曲面と密着する曲面状のマスク
本体２１を、マスク支持部材２２に固着し、マス
ク本体２１及びマスク部材２２にはノズル２３と
対向し且つその内径と略等面積の連通透孔部２４
を穿設してある。
４図で図示のような電気接触子（被メツキ物）２
０の場合は、その曲面と密着する曲面状のマスク
本体２１を、マスク支持部材２２に固着し、マス
ク本体２１及びマスク部材２２にはノズル２３と
対向し且つその内径と略等面積の連通透孔部２４
を穿設してある。
ノズル２３の先端は、被メツキ物２０の被メツ
キ面と相似的な曲面に形成してあり、その開口縁
の各点と被メツキ面との距離を一定間隔にしてあ
る。
キ面と相似的な曲面に形成してあり、その開口縁
の各点と被メツキ面との距離を一定間隔にしてあ
る。
今、ノズル２３から噴射されたメツキ液は、マ
スク本体２１及びマスク部材２２の連通透孔部２
４を介して被メツキ物２０に接触し金属を析出し
た後、負圧により排除管１８から速かに排出され
るから、前記実施例と同様にして被メツキ物２０
の処には、その曲率に対応した曲面状で且つ厚さ
が均一なメツキ層が生成される。
スク本体２１及びマスク部材２２の連通透孔部２
４を介して被メツキ物２０に接触し金属を析出し
た後、負圧により排除管１８から速かに排出され
るから、前記実施例と同様にして被メツキ物２０
の処には、その曲率に対応した曲面状で且つ厚さ
が均一なメツキ層が生成される。
上記２実施例共、マスク１２やマスク本体２１
を被メツキ物１１，２０に密着して密閉空間を形
成し、且つその空間内を負圧とすることにより、
ハレーシヨンの無いメサ型の微小部分メツキが得
られるものであるが、本発明に於いて重要な点
は、ノズル１６，２３と被メツキ物１１，２０と
の電極間距離を極めて接近せしめ、電界効果を高
めると共に負圧変動を抑止しメツキ液流速の高速
安定化に伴う、メツキ電流密度分布を安定化する
ことにある。
を被メツキ物１１，２０に密着して密閉空間を形
成し、且つその空間内を負圧とすることにより、
ハレーシヨンの無いメサ型の微小部分メツキが得
られるものであるが、本発明に於いて重要な点
は、ノズル１６，２３と被メツキ物１１，２０と
の電極間距離を極めて接近せしめ、電界効果を高
めると共に負圧変動を抑止しメツキ液流速の高速
安定化に伴う、メツキ電流密度分布を安定化する
ことにある。
従つて、前記したようにこの電極間距離の調整
は極めて重要であるが、電極間距離が短くなると
必然的に、メツキ済液の排除速度が問題となるた
め、本発明に於いては、メツキ液の種類や形態、
寸法或いは単独メツキ処理又は多連同時メツキ処
理等に応じて予め設定した負圧値を常に安定状態
に保持し、負圧変動の影響を完全に防止する。
は極めて重要であるが、電極間距離が短くなると
必然的に、メツキ済液の排除速度が問題となるた
め、本発明に於いては、メツキ液の種類や形態、
寸法或いは単独メツキ処理又は多連同時メツキ処
理等に応じて予め設定した負圧値を常に安定状態
に保持し、負圧変動の影響を完全に防止する。
勿論、本発明に係る微小部分メツキ装置は、前
記した発明（特願昭54年第100772号）に係る微小
面積メツキ装置に利用可能であつて、具体的には
マスク・ノズル系に置換して用いることにより、
極めて有用的なものとなる。
記した発明（特願昭54年第100772号）に係る微小
面積メツキ装置に利用可能であつて、具体的には
マスク・ノズル系に置換して用いることにより、
極めて有用的なものとなる。
叙上の如く本発明によれば、マスクを被メツキ
物に密着して密閉空間を形成すると共にノズルと
被メツキ物の電極間距離を接近せしめ、且つノズ
ルから噴射されマスクの透孔近傍で滞留し易いメ
ツキ液を負圧により強制排除するようにしてある
から、微細なメツキ域にハレーシヨンのない断面
メサ形の均一メツキ層が得られ、真の機能メツキ
上必要最底限の範囲しか貴金属を消費しないため
資材費が在来手段のに比較して極めて廉価であ
り、メツキ処理効率と高品位化による歩留り向上
により低廉なコストで済み、又マスクに透孔以外
の加工を要しないのでマスクの製造コストも安価
である等極めて有為性に富むものである。
物に密着して密閉空間を形成すると共にノズルと
被メツキ物の電極間距離を接近せしめ、且つノズ
ルから噴射されマスクの透孔近傍で滞留し易いメ
ツキ液を負圧により強制排除するようにしてある
から、微細なメツキ域にハレーシヨンのない断面
メサ形の均一メツキ層が得られ、真の機能メツキ
上必要最底限の範囲しか貴金属を消費しないため
資材費が在来手段のに比較して極めて廉価であ
り、メツキ処理効率と高品位化による歩留り向上
により低廉なコストで済み、又マスクに透孔以外
の加工を要しないのでマスクの製造コストも安価
である等極めて有為性に富むものである。
第１図は公知の微少小面積メツキ装置のマス
ク・ノズル系の断面図、第２図以下は本発明の実
施例に係るものであつて、第２図は本発明のマス
ク・ノズル系の縦断面図、第３図はマスク部分の
拡大縦断面説明図、第４図は、ノズルとマスクの
配置関係を示す拡大断面説明図である。 １１，２０……被メツキ物、１２……マスク、
１３……透孔、１４……外套管、１５……チヤン
バー、１６，２３……ノズル、１８……排除管、
２１……マスク本体、２４……透孔部。
ク・ノズル系の断面図、第２図以下は本発明の実
施例に係るものであつて、第２図は本発明のマス
ク・ノズル系の縦断面図、第３図はマスク部分の
拡大縦断面説明図、第４図は、ノズルとマスクの
配置関係を示す拡大断面説明図である。 １１，２０……被メツキ物、１２……マスク、
１３……透孔、１４……外套管、１５……チヤン
バー、１６，２３……ノズル、１８……排除管、
２１……マスク本体、２４……透孔部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被メツキ物と異極性の電極としたメツキ液噴
射ノズルの開口部周辺から被メツキ物の中心迄の
距離（l1）と、該ノズルの開口部周辺からマスク
の透孔内周縁に接して被メツキ物に達する迄の距
離（l2）とが略等しくなる迄極間距離を接近さ
せ、この極間に介装し得る薄さに形成され且つ微
小透孔のみが穿設されたマスクを、被メツキ物に
密着せしめそこからの外気流入を阻止する状態で
マスキングし、且つ該マスキング手段及びマスク
を保持する外套管により密閉空間を形成すると共
に、該密閉空間内は前記マスクの透孔部に滞留背
圧状態となるメツキ液を強制排除し得る負圧値に
維持し、この負圧空間内で上記マスキング部に対
しメツキ液を噴射せしめ部分メツキするようにし
たことを特徴とする微小部分メツキ方法。 ２ 被メツキ物に密着して外気流入を阻止する形
状で且つメツキ部位のみを設定する透孔のみが穿
設されたマスクを、メツキ液噴射ノズルの開口部
周辺から被メツキ物の中心迄の距離（l1）と、該
ノズルの開口部周辺からマスクの透孔内周縁に接
して被メツキ物に達する迄の距離（l2）とを略等
距離にし得る薄さとし、このマスクを装着して密
閉空間を形成する外套管と、該外套管内を所定値
の負圧状態に保持し且つメツキ液を吸引排除する
排除部を具備し、被メツキ物とノズルとを各々異
極性の電極とし、且つ排除部により回収した流体
中からメツキ液を分離する気液分離器と、該気液
分離器に最終的に連通し且つ再生メツキ液の補充
を受けるメツキ液タンクを具備して成る微小部分
メツキ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125783A JPS5827993A (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 微小部分メツキ方法及びその装置 |
| US06/508,659 US4483749A (en) | 1981-08-10 | 1983-06-28 | Method and apparatus for plating minute parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56125783A JPS5827993A (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 微小部分メツキ方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827993A JPS5827993A (ja) | 1983-02-18 |
| JPH0143035B2 true JPH0143035B2 (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=14918735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56125783A Granted JPS5827993A (ja) | 1981-08-10 | 1981-08-10 | 微小部分メツキ方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4483749A (ja) |
| JP (1) | JPS5827993A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931883A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-21 | Sonitsukusu:Kk | 極微小部分メツキ処理部材 |
| JPS616817A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPS61138691A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | ハノ−バ−・リサ−チ・コ−ポレイシヨン | 固体から軽質油を除去する為の方法及び装置 |
| LU86119A1 (fr) * | 1985-10-15 | 1987-06-02 | Centre Rech Metallurgique | Dispositif de depot electrolytique et procede pour sa mise en oeuvre |
| FR2592895B1 (fr) * | 1986-01-16 | 1990-11-16 | Selectrons France | Installation pour la realisation de traitements electrolytiques localises de surfaces. |
| GB8708945D0 (en) * | 1987-04-14 | 1987-05-20 | Atomic Energy Authority Uk | Electrolytic polishing device |
| US5389961A (en) * | 1991-11-25 | 1995-02-14 | Eastman Kodak Company | Ink jet printer with variable-force ink declogging apparatus |
| US5597412A (en) * | 1995-02-15 | 1997-01-28 | Fujitsu Limited | Apparatus for forcing plating solution into via openings |
| JP3949504B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2007-07-25 | 英夫 吉田 | 母材表面の活性化処理方法および活性化処理装置 |
| EP1653788A1 (de) * | 2004-10-28 | 2006-05-03 | Delphi Technologies, Inc. | Schattenmaske zur erzeugung eines elektrisch leitenden bereiches auf einem dreidimensionalen schaltungsträger |
| US9583125B1 (en) * | 2009-12-16 | 2017-02-28 | Magnecomp Corporation | Low resistance interface metal for disk drive suspension component grounding |
| CN113737264B (zh) * | 2021-09-22 | 2023-05-23 | 中国计量大学 | 一种微孔前处理和电镀一体化装置及方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2987460A (en) * | 1958-10-21 | 1961-06-06 | United States Steel Corp | Holder for sheet-metal sample |
| US3536594A (en) * | 1968-07-05 | 1970-10-27 | Western Electric Co | Method and apparatus for rapid gold plating integrated circuit slices |
| JPS56102590A (en) * | 1979-08-09 | 1981-08-17 | Koichi Shimamura | Method and device for plating of microarea |
-
1981
- 1981-08-10 JP JP56125783A patent/JPS5827993A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-28 US US06/508,659 patent/US4483749A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4483749A (en) | 1984-11-20 |
| JPS5827993A (ja) | 1983-02-18 |
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