JPH0143452B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0143452B2 JPH0143452B2 JP56094288A JP9428881A JPH0143452B2 JP H0143452 B2 JPH0143452 B2 JP H0143452B2 JP 56094288 A JP56094288 A JP 56094288A JP 9428881 A JP9428881 A JP 9428881A JP H0143452 B2 JPH0143452 B2 JP H0143452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- developed
- supply device
- constant temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用基板表面に塗布された感
光済みレジストを現像する装置の改良に関する。
光済みレジストを現像する装置の改良に関する。
感光済みレジストの現像にあたつては、被現像
レジストの各部分に均一に一定期間望ましくは一
定温度の未反応現像液を接触させてレジストと反
応させることが必要である。この接触反応は連続
的になすことも可能であるが、現像液の経済的利
用等の現実的利益のため、間欠的に数回実行する
ことが多い。そのため複数の基板を１個の現像液
槽に浸漬して現像液を撹拌する方法よりも、基板
を１枚ずつ現像する方法が有利であり、多用され
ている。
レジストの各部分に均一に一定期間望ましくは一
定温度の未反応現像液を接触させてレジストと反
応させることが必要である。この接触反応は連続
的になすことも可能であるが、現像液の経済的利
用等の現実的利益のため、間欠的に数回実行する
ことが多い。そのため複数の基板を１個の現像液
槽に浸漬して現像液を撹拌する方法よりも、基板
を１枚ずつ現像する方法が有利であり、多用され
ている。
この考え方にもとづき、従来技術におけるレジ
スト現像装置は、第１図に示すように、円板状の
基板支持・回転装置１を設け、この上に被現像基
板２を乗せ、この上面に現像液３をスプレーし又
はノズルを使用して散布して現像液を被現像基板
２上に一定の厚さ例えば１mm程度の厚さに貯溜さ
せた後一定期間例えば数秒程度現像反応をなさし
めた後、基板支持・回転装置１を回転させて反応
済み現像液を被現像基板２上から一旦除去し、再
び現像液を被現像基板２上にスプレーし貯溜させ
て現像反応をなさしめるという工程を数回繰り返
していた。この従来の方法においては、(イ)反応に
寄与することなく捨てられる現像液の量が意外に
多い、(ロ)現像反応期間中現像液の温度を一定に保
持することが困難であり、現像速度が遅い、(ハ)基
板各部分における現像反応速度が必ずしも一定で
はなく、現像結果が基板各部相互間で不均一にな
る、(ニ)現像液の撹拌作用がないため、現像速度が
必ずしも早くない等の欠点が認められた。
スト現像装置は、第１図に示すように、円板状の
基板支持・回転装置１を設け、この上に被現像基
板２を乗せ、この上面に現像液３をスプレーし又
はノズルを使用して散布して現像液を被現像基板
２上に一定の厚さ例えば１mm程度の厚さに貯溜さ
せた後一定期間例えば数秒程度現像反応をなさし
めた後、基板支持・回転装置１を回転させて反応
済み現像液を被現像基板２上から一旦除去し、再
び現像液を被現像基板２上にスプレーし貯溜させ
て現像反応をなさしめるという工程を数回繰り返
していた。この従来の方法においては、(イ)反応に
寄与することなく捨てられる現像液の量が意外に
多い、(ロ)現像反応期間中現像液の温度を一定に保
持することが困難であり、現像速度が遅い、(ハ)基
板各部分における現像反応速度が必ずしも一定で
はなく、現像結果が基板各部相互間で不均一にな
る、(ニ)現像液の撹拌作用がないため、現像速度が
必ずしも早くない等の欠点が認められた。
本発明の目的はこれらの欠点を除去することに
あり、ほぼ水平面内で回転可能な基板支持・回転
装置に乗せられた被現像基板の上面に、現像液の
表面張力によつて現像液が保持される程度の間隔
（基板支持・回転装置上に載置される基板の上に
現像液が供給された時、この現像液が表面張力を
もつて保持されうる程度の間隔、すなわち、具体
的にはウエーハの直径やレジストの種類によつて
決定されるが、現実的には約１〜２mmの間隔）を
もつて対向するように現像液供給装置を設け、こ
の現像液供給装置の下面にはテフロン、PFA、
SUS316等現像液を透過しうる多孔質材料をもつ
て構成される多孔質膜を設け、現像液供給装置の
内部には現像液を一定温度例えば25℃程度に保持
する恒温装置を設け、かつ、現像液供給装置５に
現像液を、現像液源（図示せず）から、間欠的に
供給しうる現像液間欠供給装置例えば間欠動作電
磁バルブ等を現像液供給装置の近傍に設けてお
き、まず、現像液供給装置に現像液を供給してこ
れの下面に設けられた多孔質膜から現像液を下方
に滲出させ、被現像基板上面と現像液供給装置の
下面との間隙を現像液をもつて充満させ、これを
反応期間中一定温度に保持して被現像基板の各部
を均一に現像した後、基板支持装置を回転して反
応ずみの現像液を洗い流し、このサイクルを数回
繰り返して現像作業を実行しうるようになしたこ
とを要旨とする。更に、反応期間中超音波発信器
等を動作させて現像液を撹拌すれば、更に、均一
高速の現像が可能となる。この超音波発信号等を
設置する場所は、超音波を被現像レジスト膜に均
一に供給しうる場所であれば、どこでも支障ない
が、現像液供給装置の上部もしくは内部（その下
面に接して設ける）または基板支持回転装置の下
部が現実的である。
あり、ほぼ水平面内で回転可能な基板支持・回転
装置に乗せられた被現像基板の上面に、現像液の
表面張力によつて現像液が保持される程度の間隔
（基板支持・回転装置上に載置される基板の上に
現像液が供給された時、この現像液が表面張力を
もつて保持されうる程度の間隔、すなわち、具体
的にはウエーハの直径やレジストの種類によつて
決定されるが、現実的には約１〜２mmの間隔）を
もつて対向するように現像液供給装置を設け、こ
の現像液供給装置の下面にはテフロン、PFA、
SUS316等現像液を透過しうる多孔質材料をもつ
て構成される多孔質膜を設け、現像液供給装置の
内部には現像液を一定温度例えば25℃程度に保持
する恒温装置を設け、かつ、現像液供給装置５に
現像液を、現像液源（図示せず）から、間欠的に
供給しうる現像液間欠供給装置例えば間欠動作電
磁バルブ等を現像液供給装置の近傍に設けてお
き、まず、現像液供給装置に現像液を供給してこ
れの下面に設けられた多孔質膜から現像液を下方
に滲出させ、被現像基板上面と現像液供給装置の
下面との間隙を現像液をもつて充満させ、これを
反応期間中一定温度に保持して被現像基板の各部
を均一に現像した後、基板支持装置を回転して反
応ずみの現像液を洗い流し、このサイクルを数回
繰り返して現像作業を実行しうるようになしたこ
とを要旨とする。更に、反応期間中超音波発信器
等を動作させて現像液を撹拌すれば、更に、均一
高速の現像が可能となる。この超音波発信号等を
設置する場所は、超音波を被現像レジスト膜に均
一に供給しうる場所であれば、どこでも支障ない
が、現像液供給装置の上部もしくは内部（その下
面に接して設ける）または基板支持回転装置の下
部が現実的である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施例に
ついて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。第２図において、１は基板支持・回
転装置であり、円板状をなし、水平面内に軸１１
を中心として回転可能であり、かつ、上下方向に
移動可能である。２は被現像基板であり真空チヤ
ツク等により基板支持・回転装置１に固着され
る。５は現像液供給装置であり、その下面は被現
像基板２の上面と１mm程度の間隔をもつて対向
し、テフロン、PFA、SUS316等現像液を透過す
る多孔質材料をもつて形成される多孔質膜６をも
つて構成される。又、その内部には現像液の温度
を例えば25℃程度に一定に保つ恒温装置７を有す
る。更に、この現像液供給装置５にはこれに現像
液を間欠的に供給する現像液間欠供給装置例えば
バルブ８が設けられている。この現像液間欠供給
装置８の取り付け位置は特に限定されないが、現
像液供給装置５の上部もしくは内部（その下面に
接して設ける）または基板支持回転装置１の下部
が現実的である。
ついて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。第２図において、１は基板支持・回
転装置であり、円板状をなし、水平面内に軸１１
を中心として回転可能であり、かつ、上下方向に
移動可能である。２は被現像基板であり真空チヤ
ツク等により基板支持・回転装置１に固着され
る。５は現像液供給装置であり、その下面は被現
像基板２の上面と１mm程度の間隔をもつて対向
し、テフロン、PFA、SUS316等現像液を透過す
る多孔質材料をもつて形成される多孔質膜６をも
つて構成される。又、その内部には現像液の温度
を例えば25℃程度に一定に保つ恒温装置７を有す
る。更に、この現像液供給装置５にはこれに現像
液を間欠的に供給する現像液間欠供給装置例えば
バルブ８が設けられている。この現像液間欠供給
装置８の取り付け位置は特に限定されないが、現
像液供給装置５の上部もしくは内部（その下面に
接して設ける）または基板支持回転装置１の下部
が現実的である。
半導体装置用基板２の表面に塗布された感光済
みレジストを現像するにあたつては、まず、基板
２を基板支持・回転装置１に取り付けられた後、
基板２の表面と現像液供給装置５の下面に取り付
けられる多孔質膜６の下面との距離を適当に調節
し、バルブ等８を調節して現像液供給装置５に現
像液を供給し、同時に恒温装置７を動作させる
と、一定温度例えば25℃の現像液が現像液供給装
置５の下面に取り付けられる多孔質膜６の下面か
ら滲出してこの下面に取り付けられる多孔質膜６
の下面と基板２の上面との間隙に充満する。ここ
で、バルブ等８を閉塞すると、現像液の追加供給
は停止される。ここで重要なことは反応に寄与せ
ず捨てられる現像液が存在しない程度に最適量の
現像液を無駄なく供給しうることと、基板各部に
均一に現像液が供給されることである。かくし
て、現像反応が進行するが、反応に寄与する現像
液は恒温装置７に近接しているので、反応期間中
ほぼ一定温度に保たれる。一定期間例えば５秒経
過後、基板支持・回転装置１を回転させ、反応済
み現像液を捨てた後、再びバルブ等８を開放して
現像液を供給し、上記の現像工程を所望回数繰り
返す。この繰り返される現像工程の夫々の現像反
応に要する時間が10秒、20秒と次第に長くされる
ことは当然である。又、超音波発信器（図示せ
ず。）を基板支持・回転装置１の下部又は現像液
供給装置５の上部に設ければ現像反応期間中現像
液を撹拌する効果があり、均一に且つ高速で現像
反応を進行させるに有効である。
みレジストを現像するにあたつては、まず、基板
２を基板支持・回転装置１に取り付けられた後、
基板２の表面と現像液供給装置５の下面に取り付
けられる多孔質膜６の下面との距離を適当に調節
し、バルブ等８を調節して現像液供給装置５に現
像液を供給し、同時に恒温装置７を動作させる
と、一定温度例えば25℃の現像液が現像液供給装
置５の下面に取り付けられる多孔質膜６の下面か
ら滲出してこの下面に取り付けられる多孔質膜６
の下面と基板２の上面との間隙に充満する。ここ
で、バルブ等８を閉塞すると、現像液の追加供給
は停止される。ここで重要なことは反応に寄与せ
ず捨てられる現像液が存在しない程度に最適量の
現像液を無駄なく供給しうることと、基板各部に
均一に現像液が供給されることである。かくし
て、現像反応が進行するが、反応に寄与する現像
液は恒温装置７に近接しているので、反応期間中
ほぼ一定温度に保たれる。一定期間例えば５秒経
過後、基板支持・回転装置１を回転させ、反応済
み現像液を捨てた後、再びバルブ等８を開放して
現像液を供給し、上記の現像工程を所望回数繰り
返す。この繰り返される現像工程の夫々の現像反
応に要する時間が10秒、20秒と次第に長くされる
ことは当然である。又、超音波発信器（図示せ
ず。）を基板支持・回転装置１の下部又は現像液
供給装置５の上部に設ければ現像反応期間中現像
液を撹拌する効果があり、均一に且つ高速で現像
反応を進行させるに有効である。
以上説明せるとおり、本発明によれば、現像液
供給装置の現像液供給媒体は多孔質の平板よりな
る多孔質膜よりなり、現像液は基板各部に同時的
に均一に供給され、現像期間中恒温に保たれ、基
板各部を均一に現像しうるとともに、現像液の表
面張力によつて保持される程度の間隙を現像液で
充満されるに十分な量だけ現像液を毎回供給する
ことにしてあるので、現像液を無駄に使用するこ
とがないという大きな効果がある。
供給装置の現像液供給媒体は多孔質の平板よりな
る多孔質膜よりなり、現像液は基板各部に同時的
に均一に供給され、現像期間中恒温に保たれ、基
板各部を均一に現像しうるとともに、現像液の表
面張力によつて保持される程度の間隙を現像液で
充満されるに十分な量だけ現像液を毎回供給する
ことにしてあるので、現像液を無駄に使用するこ
とがないという大きな効果がある。
第１図は従来技術におけるレジスト現像装置の
概念的立面図であり、第２図は本発明の一実施例
に係るレジスト現像装置の概念的立面図である。 １……基板支持・回転装置、１１……基板支
持・回転装置回転軸、２……被現像基板、３……
現像液、５……現像液供給装置、６……多孔質
膜、７……恒温装置、８……現像液間欠供給装
置。
概念的立面図であり、第２図は本発明の一実施例
に係るレジスト現像装置の概念的立面図である。 １……基板支持・回転装置、１１……基板支
持・回転装置回転軸、２……被現像基板、３……
現像液、５……現像液供給装置、６……多孔質
膜、７……恒温装置、８……現像液間欠供給装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 現像される感光済みレジスト膜を表面に有す
る被現像基板２がその上面に載置され、該基板２
をほゞ水平に、かつ、回転自在に支持する基板支
持・回転装置１と、 該基板支持・回転装置１の上面に対向し、該基
板支持・回転装置１の上面に載置される前記基板
２の表面に供給される現像液の上面に接し、該現
像液の表面張力をもつて該現像液が保持される間
隔を介して、その下面を有し、該下面には現像液
を透過しうる多孔質膜６を有し、その内部には前
記現像液を恒温に保持する恒温装置７を有する現
像液供給装置５と、 該現像液供給装置５の内部に向かつて前記現像
液を、現像液供給源から、間欠的に供給する現像
液間欠供給装置８と を有することを特徴とするレジスト現像装置。 ２ 前記現像液供給装置５の上部もしくは内部ま
たは前記基板支持・回転装置１の下部に、前記現
像される感光済みレジスト膜と接触している現像
液に撹拌作用を与える超音波発振装置を有する、
特許請求の範囲第１項記載のレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56094288A JPS57208134A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Resist developing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56094288A JPS57208134A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Resist developing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208134A JPS57208134A (en) | 1982-12-21 |
| JPH0143452B2 true JPH0143452B2 (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=14106067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56094288A Granted JPS57208134A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Resist developing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10382920B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-08-13 | Sprint Communications Company L.P. | Delivery of branding content and customizations to a mobile communication device |
| US10506398B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-12-10 | Sprint Communications Company Lp. | Implementation of remotely hosted branding content and customizations |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132620A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体ウエハ現像装置 |
| US6265323B1 (en) | 1998-02-23 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing method and apparatus |
-
1981
- 1981-06-18 JP JP56094288A patent/JPS57208134A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10382920B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-08-13 | Sprint Communications Company L.P. | Delivery of branding content and customizations to a mobile communication device |
| US10506398B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-12-10 | Sprint Communications Company Lp. | Implementation of remotely hosted branding content and customizations |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208134A (en) | 1982-12-21 |
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