JPH0144012B2 - - Google Patents

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JPH0144012B2
JPH0144012B2 JP59199460A JP19946084A JPH0144012B2 JP H0144012 B2 JPH0144012 B2 JP H0144012B2 JP 59199460 A JP59199460 A JP 59199460A JP 19946084 A JP19946084 A JP 19946084A JP H0144012 B2 JPH0144012 B2 JP H0144012B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
temperature
surface treatment
liquid
cleaning
Prior art date
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Expired
Application number
JP59199460A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6178123A (ja
Inventor
Kazuo Nishii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP59199460A priority Critical patent/JPS6178123A/ja
Publication of JPS6178123A publication Critical patent/JPS6178123A/ja
Publication of JPH0144012B2 publication Critical patent/JPH0144012B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、薄板からなる基板(以下ウエハと称
す)の表面処理、特にウエハを回転させながら、
ウエハ表面に処理液を散布して、ウエハの表面処
理を行う表面処理装置に関する。
〔従来技術〕
例えば半導体の製造工程において、露光処理さ
れたレジスト面を有するウエハを回転体に載置
し、現像液を、この回転体の上方に設けたノズル
よりウエハのレジスト面に供給して、現像処理を
行う際、ウエハの表面に供給される現像液の温度
条件は、ウエハの現像処理に、極めて大きな影響
を与える。
特に、高密度化したパターンをウエハ表面に形
成する場合においては、ポジ・レジストに対す
る、スプレー現像処理における現像液の温度制御
は、きわめて重要な技術的課題である。
このような要求に応えるため、処理液の貯蔵容
器から、処理液供給ノズルに至る配管系を、恒温
装置により、ほぼ一定温度に維持するようにした
装置は、例えば、特開昭54−78981号公報等によ
り公知である。
低速回転するウエハの表面に、現像液をシヤワ
状態として散布することにより、ノズルから噴出
した現像液の気化による液温低下を防ぐようにし
た装置は、特開昭56−33834号公報に記載されて
いる。
また、回転するウエハの表面に、表面処理液を
供給し、ウエハの表面処理を行う際、ウエハの裏
面に洗浄液を吹きあてることにより、ウエハの裏
面に表面処理液が附着するのを防ぐことは、例え
ば特開昭55−11311号公報に記載されているよう
に、公知に属する。
本出願人は、ウエハを保持するために、ウエハ
の下方に位置する回転板の周囲に、多数の上向き
の細孔が小ピツチで穿設されている環状管体を設
け、前記細孔より水を噴出させて、ウエハの裏面
と、環状管体との間に水膜を形成することによ
り、ウエハの裏面及び回転板が、ウエハの表面に
供給される処理液で汚染されないようにした装置
を、特開昭57−147478号公報をもつて開示してい
る。
〔本発明が解決しようとする問題点〕
従来の表面処理装置の概要図を、第2図に示
す。
これは、ウエハ1を回転板2の上に載置し、図
示しない回転駆動手段にて回転板2を回転させ、
かつその上方のノズル5より、供給管6が送られ
てくる所要の表面処理液をウエハ1の表面に供給
し、かつウエハ1の裏面に、供給管4により送ら
れて、ウエハ1の下方に位置するノズル3より噴
出する洗浄液(通常は純水)をもつて洗浄するよ
うにしたものである。
この装置において、表面処理液は、図示しない
温度制御手段により、所要の温度に保たれて、ウ
エハ1の表面に供給される。しかし、洗浄ノズル
3よりウエハ1の裏面に供給される洗浄液の温度
は、従来温度制御されていなかつたため、洗浄液
の温度変化により、ウエハ1の表面の周辺部分と
中央部分とでは、温度差が生じ、表面処理液の温
度制御の効果がなくなるか、あるいは著しく減少
するという問題点があつた。
特に、生産性を向上させるために、ウエハの口
径が大きくなり、かつウエハの表面処理の精度が
高くなるに従つて、上記した従来の問題点は、無
視できないものとなつている。
また、工場内で製造される純水の温度変化によ
つて、ウエハの裏面に供給される洗浄液の温度も
変化し、ウエハの表面処理の精度が不均一となる
という問題点もある。
このような従来の技術における問題点を解決す
ることが、本発明の目的である。
〔問題点を解決するための手段〕
回転するウエハの表面に供給される表面処理液
の温度を制御する手段をもつて、ウエハの裏面を
洗浄する洗浄液の温度をも、同時にほぼ同一温度
の制御することにより、ウエハの表面に供給する
表面処理液の温度と、ウエハの裏面に供給する洗
浄液の温度とを、常にほぼ同一に保つことによ
り、従来の洗浄液の温度ムラをなくすことが、本
発明の眼目である。
表面処理液を温度調節する手段を恒温水槽と
し、恒温水槽内の恒温水を、ウエハ裏面の洗浄液
に利用し、恒温水槽内に付設した熱交換用配管
に、表面処理液を供給すれば、1個の温度制御手
段で、表面処理液と洗浄液を、同時に温度腸節す
ることができる。
〔実施例〕
本発明の実施例の概略構成を第1図に示す。
密閉型の表面処理液貯留槽10の内部に処理液
を収容し、かつこの貯留槽10に、窒素等の不活
性ガス供給管9、及び表面処理液供給管8を接続
する。
表面処理液供給管8の末端は、回転板2の表面
に載置したウエハ1の上方に載置したノズル5に
連なり、かつその管路途中に、恒温水槽12の内
部に位置する熱交換用管7が設けられている。
恒温水槽12の内部に純水を収容し、水位検知
手段Lを介して、自動弁V1を開閉し、純水供給
管11より純水を補充することにより、恒温水槽
内12の液位を、常時ほぼ一定に保つようにして
ある。
恒温水槽12内の純水は、循環パイプ14の途
中に設けた循環パンプP2により、恒温装置13
及び恒温水槽12内を循環し、恒温状態を維持で
きるようになつている。
恒温装置13内部には、加熱手段又は冷却手
段、及び温度検知手段が設けられている。
恒温水槽12内の純水は、所定の温度に保持さ
れ、かつ途中にポンプP1を備える供給管4をも
つて、ウエハ1の下方に位置するノズル3に供給
される。
ノズル3から噴出して、ウエハ1の裏面を洗浄
する純水と等しい量の純水が、純水供給管11よ
り補充されるが、補充され純粋と、恒温水槽12
内の純水の温度の差、及び表面処理液の熱交換用
管7における熱交換量は、恒温温度13により、
十分補償されるようになつている。
〔実施例の作用〕
回転体2の上にウエハ1を載置して所要の回転
数にて回転させるとともに、自動弁V2を開閉さ
せて、恒温水槽12内にて所定の温度に維持され
た表面処理液を、不活性ガス配管9のガス圧力に
よつて、ノズル5より、ウエハ1の表面に供給す
る。
これと同時に、ポンプP1により恒温水槽12
内の純水を、ノズル3よりウエハ1の裏面に供給
し、ウエハ1の裏面が、ウエハ1の表面に供給さ
れた表面処理液によつて汚染されるのを防止す
る。
この純水は、恒温水槽12内で、表面処理液と
ほぼ同一温度に、常に保持されているため、ウエ
ハ1の表裏の温度差がなくなり、従来の純水の温
度変化による表面処理ムラを防止することができ
る。
ノズル3により供給された純水の量は、恒温水
槽12の液位検知手段Lにより、水位低下分とし
て検知され、純水供給管11における自動弁V1
を開閉することにより、補充される。
恒温装置13は、恒温水槽12の内部に付設し
てもよく、第1図の実施例に限定されるものでは
ない。
また、表面処理液貯留槽10そのものに恒温装
置を付設し、かつ貯留槽10の内部に、純水配管
を貫通させても、実施できることは明らかであ
る。
さらに、恒温水槽内に熱媒を入れ、その内部に
洗浄水及び表面処理液の配管を位置させて実施す
ることもできる。
〔効果〕
(1) 従来の表面処理工程においては、ウエハ裏面
に噴出させた洗浄水の温度ムラや変化によつ
て、ウエハの表面周辺部と中央部の表面処理が
不均一となる、という問題があつたが、これを
完全に解決することができる。
(2) 特に、フオトタイプの現像処理工程やエツチ
ング処理工程において、従来に比して、より微
細なパターンを形成することができる。
(3) 1個のユニツトにて、表面処理液及び洗浄水
を、同時に恒温状態に維持することができ、装
置を小型かつ安価とすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を、概念的に示す
図である。第2図は、従来の基板表面処理装置の
概要を示す図である。 1……ウエハ、2……回転板、3……ノズル、
4……供給管、5……ノズル、6……供給管、7
……熱交換管、8……表面処理液供給管、9……
不活性ガス供給管、10……表面処理液貯留槽、
11……純水供給管、12……恒温水槽、13…
…恒温装置、14……循環パイプ、L……水位液
知手段、V1……自動弁、P1……ポンプ、、P2……
循環ポンプ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 表面に被処理基板を載置して、該基板ととも
    に回転する回転体と、 該回転体の上方に配設され、基板の表面に表面
    処理液を散布する処理液散布用ノズルと、 前記回転体に載置された基板の裏面に洗浄液を
    噴射するように、基板の下方に配設された洗浄用
    ノズルと、 該洗浄用ノズルから噴射される洗浄液を貯溜
    し、所要温度に調節する恒温液槽と、 該恒温液槽内に貯溜した洗浄液中に浸漬して設
    置され、前記表面処理液を通過させてその温度を
    調節した後、前記処理液散布用ノズルに供給する
    熱交換用管と、 を備えた基板の表面処理装置。
JP59199460A 1984-09-26 1984-09-26 基板の表面処理装置 Granted JPS6178123A (ja)

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JP59199460A JPS6178123A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 基板の表面処理装置

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JP59199460A JPS6178123A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 基板の表面処理装置

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JPS6178123A JPS6178123A (ja) 1986-04-21
JPH0144012B2 true JPH0144012B2 (ja) 1989-09-25

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JPS6178123A (ja) 1986-04-21

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