JPH0145465B2 - - Google Patents
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- JPH0145465B2 JPH0145465B2 JP56157879A JP15787981A JPH0145465B2 JP H0145465 B2 JPH0145465 B2 JP H0145465B2 JP 56157879 A JP56157879 A JP 56157879A JP 15787981 A JP15787981 A JP 15787981A JP H0145465 B2 JPH0145465 B2 JP H0145465B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
- C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
- C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
- C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は新規なカルバゾール誘導体、及びその
製造法に関する。 本発明のカルバゾール誘導体は電子写真方式で
使用される感光体の有機光導電性素材及び螢光増
白剤として使用することができる。特に後述する
ように電子写真用の有機光導電性材料として有用
である。 従来、有機化合物の中に電子写真方式において
使用される感光体の光導電性素材として有用なも
のが知られている。ここでいう電子写真方式とは
一般に光導電性の感光体をまず暗所でコロナ放電
により帯電せしめ、次いで像露光して露光部のみ
の電荷を選択的に放電させることによつて、静電
潜像を得、この潜像部をトナーなどを使用した現
像手段で可視化し、画像を形成するようにした画
像形成法の一つである。そしてこの電子写真方式
における感光体に使用する光導電性有機化合物の
具備すべき物性としては、安定で良質な画質の形
成・維持の観点からは(1)溶媒への良好な溶解性を
持つていること、(2)樹脂との相容性が良好である
こと、(3)一定以上の融点を有すること等である。
感光体製造に使用される溶媒としては、例えばト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素：メチルエ
チルケトン等のケトン類：ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン等の異節環状化合物：メチレンクロラ
イド、１，２―ジクロルエタン等のハロゲン化炭
化水素、またはこれら２種以上の混合溶媒を挙げ
ることができる。樹脂としては、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等を挙げる
ことができる。そして電子写真方式における感光
体の具備すべき性能としては(1)暗所で適当に帯電
できること、(2)暗所での電荷の放電が少ないこ
と、(3)光照射により速やかに電荷を放電すること
などである。上述の条件を満たす光導電性有機化
合物は、未だ完全には見出されていないのが現状
である。また一方セレンや酸化亜鉛などの無機材
料が光導電性素材として知られており、中でもセ
レンが広く実用に供されている。 本発明の目的は、感光体の光導電性素材及び螢
光増白剤として有用なカルバゾール誘導体及びそ
の製造法を提供することにある。 すなわち第１の発明は、一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンジル基、X1は水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基
またはベンジルアミノ基を表わし、ｎは１または
２の整数である。｝ で表わされることを特徴とするカルバゾール誘導
体であり、また第２の発明は、一般式 ｛式中、X2は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表わ
し、ｍは０または１の整数であり、Ｙは次の一般
式 （式中、Zはハロゲンイオンを表わす。） で表わされるトリフエニルフオスフオニウム基、
または次の一般式 ―PO（OR′）2 （式中、R′は低級アルキル基を表わす。） で表わされるジアルキル亜リン酸基である。） で表わされるフエニル誘導体と、次の一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンンジル基を表わす。｝ で表わされるアルデヒド誘導体とを反応させるこ
とを特徴とする次の一般式 （式中、Ｒ，X2およびｍは上で定義した通り
である。） で表わされるカルバゾール誘導体の製造法であ
る。 本発明の具体例を示せば次の通りである。 本発明で原料化合物として用いる一般式〔〕
の化合物は、対応するハロメチル化合物と亜リン
酸トリアルキル又はトリフエニルフオスフインと
を直接あるいはトルエン、Ｎ，Ｎ―ジメチルホル
ムアミド（DMF）などの溶媒中で加熱すること
により容易に製造される。ここで亜リン酸トリア
ルキルとしては炭素数１〜４のアルキル基、特に
メチル基、エチル基が好ましい。こうして得られ
た一般式〔〕で表わされる原料化合物と一般式
〔〕で示されるアルデヒド誘導体とを塩基性触
媒の存在下、室温から100℃程度の温度条件で反
応させる。塩基性触媒としては、苛性ソーダ、苛
性カリ、ナトリウムアミド及びナトリウムメチラ
ート、カリウム―ｔ―ブトキサイドなどのアルコ
ラートを挙げることができる。また反応溶媒に
は、メタノール、エタノール、プロパノール、ト
ルエン、キシレン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルフオキシド、テト
ラヒドロフランなどを挙げることができる。一般
式〔〕で表わされる化合物のうち、トリフエニ
ルフオスフオニウム誘導体を用いて一般式〔〕
で表わされる化合物を得る場合には、この縮合反
応終了液を０〜20％の溶媒量まで濃縮し、60％メ
タノール水溶液で洗浄後、トルエン、キシレン、
０―ジクロルベンゼン、DMF等の溶媒を加え、
さらに少量のヨウ素を添加し、加熱処理すること
により収率向上を図ることができる。 ３―（４―アミノスチリル）―９―エチル―カ
ルバゾールは、例えば３―（４―ニトロスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールを還元すること
によつて製造することができる。また３―（４―
ジエチルアミノスチリル）―９―エチル―カルバ
ゾールは、例えば３―（４―アミノスチリル）―
９―エチル―カルバゾールをアルキル化すること
によつて製造することができる。 本発明で得られるカルバゾール誘導体を用いて
感光体を製造するには、例えば特開昭55−108667
号公報に記載の方法が採りうる。 ９位置にメチル基を有するカルバゾール誘導体
は、ベリヒテ（Berichte）第95巻（1962年）、第
2775頁〜2781頁に開示されている。しかしなが
ら、この９―メチルカルバゾール誘導体を感光体
素材として用いると、併用する透明性樹脂との相
容性が悪く、白濁あるいは結晶が析出し、充分満
足しうる感光体が得られなかつた。 次に、実施例をあげて本発明をさらに詳しく説
明する。 実施例 １ ４―ニトロベンジルホスホン酸ジエチル27.3ｇ
（0.1モル）及び３―ホルミル―９―エチル―カル
バゾール22.3ｇ（0.1モル）をトルエン200ml中に
溶解し、これにナトリウムメチラート6.5ｇ
（0.12モル）をメタノール30mlに溶かした溶液を
室温でかきまぜながら徐々に加えると、ただちに
橙色の結晶が析出した。更に室温で３時間かきま
ぜた後、結晶を別し乾燥した。トルエンより再
結晶してmp224.0−225.0℃の３―（４―ニトロス
チリル）―９―エチル―カルバゾールの結晶29.3
ｇ（収率85.7％）が得られた。この化合物の元素
分析値は、次の通りであり誤差の範囲内で一致し
た。
製造法に関する。 本発明のカルバゾール誘導体は電子写真方式で
使用される感光体の有機光導電性素材及び螢光増
白剤として使用することができる。特に後述する
ように電子写真用の有機光導電性材料として有用
である。 従来、有機化合物の中に電子写真方式において
使用される感光体の光導電性素材として有用なも
のが知られている。ここでいう電子写真方式とは
一般に光導電性の感光体をまず暗所でコロナ放電
により帯電せしめ、次いで像露光して露光部のみ
の電荷を選択的に放電させることによつて、静電
潜像を得、この潜像部をトナーなどを使用した現
像手段で可視化し、画像を形成するようにした画
像形成法の一つである。そしてこの電子写真方式
における感光体に使用する光導電性有機化合物の
具備すべき物性としては、安定で良質な画質の形
成・維持の観点からは(1)溶媒への良好な溶解性を
持つていること、(2)樹脂との相容性が良好である
こと、(3)一定以上の融点を有すること等である。
感光体製造に使用される溶媒としては、例えばト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素：メチルエ
チルケトン等のケトン類：ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン等の異節環状化合物：メチレンクロラ
イド、１，２―ジクロルエタン等のハロゲン化炭
化水素、またはこれら２種以上の混合溶媒を挙げ
ることができる。樹脂としては、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等を挙げる
ことができる。そして電子写真方式における感光
体の具備すべき性能としては(1)暗所で適当に帯電
できること、(2)暗所での電荷の放電が少ないこ
と、(3)光照射により速やかに電荷を放電すること
などである。上述の条件を満たす光導電性有機化
合物は、未だ完全には見出されていないのが現状
である。また一方セレンや酸化亜鉛などの無機材
料が光導電性素材として知られており、中でもセ
レンが広く実用に供されている。 本発明の目的は、感光体の光導電性素材及び螢
光増白剤として有用なカルバゾール誘導体及びそ
の製造法を提供することにある。 すなわち第１の発明は、一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンジル基、X1は水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基
またはベンジルアミノ基を表わし、ｎは１または
２の整数である。｝ で表わされることを特徴とするカルバゾール誘導
体であり、また第２の発明は、一般式 ｛式中、X2は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表わ
し、ｍは０または１の整数であり、Ｙは次の一般
式 （式中、Zはハロゲンイオンを表わす。） で表わされるトリフエニルフオスフオニウム基、
または次の一般式 ―PO（OR′）2 （式中、R′は低級アルキル基を表わす。） で表わされるジアルキル亜リン酸基である。） で表わされるフエニル誘導体と、次の一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンンジル基を表わす。｝ で表わされるアルデヒド誘導体とを反応させるこ
とを特徴とする次の一般式 （式中、Ｒ，X2およびｍは上で定義した通り
である。） で表わされるカルバゾール誘導体の製造法であ
る。 本発明の具体例を示せば次の通りである。 本発明で原料化合物として用いる一般式〔〕
の化合物は、対応するハロメチル化合物と亜リン
酸トリアルキル又はトリフエニルフオスフインと
を直接あるいはトルエン、Ｎ，Ｎ―ジメチルホル
ムアミド（DMF）などの溶媒中で加熱すること
により容易に製造される。ここで亜リン酸トリア
ルキルとしては炭素数１〜４のアルキル基、特に
メチル基、エチル基が好ましい。こうして得られ
た一般式〔〕で表わされる原料化合物と一般式
〔〕で示されるアルデヒド誘導体とを塩基性触
媒の存在下、室温から100℃程度の温度条件で反
応させる。塩基性触媒としては、苛性ソーダ、苛
性カリ、ナトリウムアミド及びナトリウムメチラ
ート、カリウム―ｔ―ブトキサイドなどのアルコ
ラートを挙げることができる。また反応溶媒に
は、メタノール、エタノール、プロパノール、ト
ルエン、キシレン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ―ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルフオキシド、テト
ラヒドロフランなどを挙げることができる。一般
式〔〕で表わされる化合物のうち、トリフエニ
ルフオスフオニウム誘導体を用いて一般式〔〕
で表わされる化合物を得る場合には、この縮合反
応終了液を０〜20％の溶媒量まで濃縮し、60％メ
タノール水溶液で洗浄後、トルエン、キシレン、
０―ジクロルベンゼン、DMF等の溶媒を加え、
さらに少量のヨウ素を添加し、加熱処理すること
により収率向上を図ることができる。 ３―（４―アミノスチリル）―９―エチル―カ
ルバゾールは、例えば３―（４―ニトロスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールを還元すること
によつて製造することができる。また３―（４―
ジエチルアミノスチリル）―９―エチル―カルバ
ゾールは、例えば３―（４―アミノスチリル）―
９―エチル―カルバゾールをアルキル化すること
によつて製造することができる。 本発明で得られるカルバゾール誘導体を用いて
感光体を製造するには、例えば特開昭55−108667
号公報に記載の方法が採りうる。 ９位置にメチル基を有するカルバゾール誘導体
は、ベリヒテ（Berichte）第95巻（1962年）、第
2775頁〜2781頁に開示されている。しかしなが
ら、この９―メチルカルバゾール誘導体を感光体
素材として用いると、併用する透明性樹脂との相
容性が悪く、白濁あるいは結晶が析出し、充分満
足しうる感光体が得られなかつた。 次に、実施例をあげて本発明をさらに詳しく説
明する。 実施例 １ ４―ニトロベンジルホスホン酸ジエチル27.3ｇ
（0.1モル）及び３―ホルミル―９―エチル―カル
バゾール22.3ｇ（0.1モル）をトルエン200ml中に
溶解し、これにナトリウムメチラート6.5ｇ
（0.12モル）をメタノール30mlに溶かした溶液を
室温でかきまぜながら徐々に加えると、ただちに
橙色の結晶が析出した。更に室温で３時間かきま
ぜた後、結晶を別し乾燥した。トルエンより再
結晶してmp224.0−225.0℃の３―（４―ニトロス
チリル）―９―エチル―カルバゾールの結晶29.3
ｇ（収率85.7％）が得られた。この化合物の元素
分析値は、次の通りであり誤差の範囲内で一致し
た。
【表】
実施例 ２〜６
実施例１に示した方法と同様に、４―ニトロベ
ンジルホスホン酸ジエチルの代りに各種ホスホン
酸誘導体を使用して新規なカルバゾール誘導体を
得た。これらの結果を表―１に示す。
ンジルホスホン酸ジエチルの代りに各種ホスホン
酸誘導体を使用して新規なカルバゾール誘導体を
得た。これらの結果を表―１に示す。
【表】
【表】
実施例 ７
実施例１で得られた３―（４―ニトロスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾール34.2ｇ（0.1モ
ル）及び鉄粉28.0ｇ（0.5モル）をDMF250ml中に
分散し、これに35％塩酸14.2ml（0.16モル）を水
14.2mlに溶かした溶液を室温でかきまぜながら
徐々に滴下した。更に100−105℃で２時間かきま
ぜた後、室温で93％カセイソーダ8.2ｇ（0.19モ
ル）を水8.2mlに溶かした溶液を加えた。反応液
を70−80℃でロ過し、ロ液に水１を加え析出し
た結晶をロ別し乾燥した。トルエンより再結晶し
てmp167.5―168.5℃の３―（４―アミノスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールの結晶22.0ｇ
（収率70.5％）が得られた。この化合物の元素分
析値は次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
ル）―９―エチル―カルバゾール34.2ｇ（0.1モ
ル）及び鉄粉28.0ｇ（0.5モル）をDMF250ml中に
分散し、これに35％塩酸14.2ml（0.16モル）を水
14.2mlに溶かした溶液を室温でかきまぜながら
徐々に滴下した。更に100−105℃で２時間かきま
ぜた後、室温で93％カセイソーダ8.2ｇ（0.19モ
ル）を水8.2mlに溶かした溶液を加えた。反応液
を70−80℃でロ過し、ロ液に水１を加え析出し
た結晶をロ別し乾燥した。トルエンより再結晶し
てmp167.5―168.5℃の３―（４―アミノスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールの結晶22.0ｇ
（収率70.5％）が得られた。この化合物の元素分
析値は次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
【表】
実施例 ８
実施例７で得られた３―（４―アミノスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾール31.2ｇ（0.1モ
ル）及び無水炭酸ナトリウム31.8ｇ（0.3モル）
をトルエン230ml中に分散し、これにジエチル硫
酸46.2ｇ（0.3モル）を室温でかきまぜながら
徐々に滴下した。更に80〜90℃で10時間かきまぜ
た後、室温で、93％カセイソーダ13.0ｇ（0.3モ
ル）を水150mlに溶かした溶液を加え、次いで80
〜90℃で３時間かきまぜた。反応液を常温で分液
し、油層を取り出した。これから溶剤を除去して
得た結晶をシクロヘキサンで再結晶してmp131.0
―132.0℃の３―（４―ジエチルアミノスチリル）
―９―エチル―カルバゾールの結晶25.1ｇ（収率
68.2％）が得られた。この化合物の元素分析値は
次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
ル）―９―エチル―カルバゾール31.2ｇ（0.1モ
ル）及び無水炭酸ナトリウム31.8ｇ（0.3モル）
をトルエン230ml中に分散し、これにジエチル硫
酸46.2ｇ（0.3モル）を室温でかきまぜながら
徐々に滴下した。更に80〜90℃で10時間かきまぜ
た後、室温で、93％カセイソーダ13.0ｇ（0.3モ
ル）を水150mlに溶かした溶液を加え、次いで80
〜90℃で３時間かきまぜた。反応液を常温で分液
し、油層を取り出した。これから溶剤を除去して
得た結晶をシクロヘキサンで再結晶してmp131.0
―132.0℃の３―（４―ジエチルアミノスチリル）
―９―エチル―カルバゾールの結晶25.1ｇ（収率
68.2％）が得られた。この化合物の元素分析値は
次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
【表】
実施例 ９
２―メチルベンジル―トリフエニルフオスフオ
ニウムクロライド40.3ｇ（0.1モル）及び３―ホ
ルミル―９―エチル―カルバゾール22.3ｇ（0.1
モル）をトルエン200ml中に分散し、これにカリ
ウム―ｔ―ブトキサイド13.4ｇ（0.12モル）をメ
タノール50mlに溶かした溶液を、室温でかきまぜ
ながら徐々に加えた。更に室温で２時間かきまぜ
た。反応終了液から溶剤を回収した後、60％メタ
ノール水溶液200mlで洗浄した。これにトルエン
200ml及びヨウ素6.3ｇ（0.05モル）を添加し、
110℃で３時間かきまぜた。放冷後、析出してい
る結晶を別し乾燥した。トルエンより再結晶し
てmp156.0−157.0℃の３―（２―メチルスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールの結晶28.6ｇ
（92.0％）が得られた。この化合物の元素分析値
は次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
ニウムクロライド40.3ｇ（0.1モル）及び３―ホ
ルミル―９―エチル―カルバゾール22.3ｇ（0.1
モル）をトルエン200ml中に分散し、これにカリ
ウム―ｔ―ブトキサイド13.4ｇ（0.12モル）をメ
タノール50mlに溶かした溶液を、室温でかきまぜ
ながら徐々に加えた。更に室温で２時間かきまぜ
た。反応終了液から溶剤を回収した後、60％メタ
ノール水溶液200mlで洗浄した。これにトルエン
200ml及びヨウ素6.3ｇ（0.05モル）を添加し、
110℃で３時間かきまぜた。放冷後、析出してい
る結晶を別し乾燥した。トルエンより再結晶し
てmp156.0−157.0℃の３―（２―メチルスチリ
ル）―９―エチル―カルバゾールの結晶28.6ｇ
（92.0％）が得られた。この化合物の元素分析値
は次の通りであり誤差の範囲内で一致した。
【表】
実施例 10〜11
実施例11に示した方法と同様に、２―メチルベ
ンジル―トリフエニルフオスフオニウムクロライ
ドの代りに２―クロロベンジル―トリフエニルフ
オスフオニウムクロライドを使用（実施例10）又
は３―メチルベンジル―トリフエニルフオスフオ
ニウムクロライドを使用（実施例11）して、新規
なカルバゾール関連化合物が得られた。 これらの結果を次表に示す。
ンジル―トリフエニルフオスフオニウムクロライ
ドの代りに２―クロロベンジル―トリフエニルフ
オスフオニウムクロライドを使用（実施例10）又
は３―メチルベンジル―トリフエニルフオスフオ
ニウムクロライドを使用（実施例11）して、新規
なカルバゾール関連化合物が得られた。 これらの結果を次表に示す。
【表】
実施例 12
ベンジルホスホン酸ジエチル22.8ｇ（0.1モル）
及び３―ホルミル―９―ｎ―ブチル―カルバゾー
ル25.1ｇ（0.1モル）をDMF100ml中に溶かし、こ
れにカリウム―ｔ―ブトキサイド13.4ｇ（0.12モ
ル）をDMF50mlに溶かした溶液を室温でかきま
ぜながら徐々に加えた。更に室温で３時間かきま
ぜた後、反応液を水１中に移し、析出して来た
結晶を別し乾燥した。トルエンより再結晶して
mp.84.0−85.0℃の３―スチリル―９―ｎ―ブチ
ル―カルバゾールの結晶27.4ｇ（収率84.3％）が
得られた。この化合物の元素分析値は次の通りで
あり誤差の範囲内で一致した。
及び３―ホルミル―９―ｎ―ブチル―カルバゾー
ル25.1ｇ（0.1モル）をDMF100ml中に溶かし、こ
れにカリウム―ｔ―ブトキサイド13.4ｇ（0.12モ
ル）をDMF50mlに溶かした溶液を室温でかきま
ぜながら徐々に加えた。更に室温で３時間かきま
ぜた後、反応液を水１中に移し、析出して来た
結晶を別し乾燥した。トルエンより再結晶して
mp.84.0−85.0℃の３―スチリル―９―ｎ―ブチ
ル―カルバゾールの結晶27.4ｇ（収率84.3％）が
得られた。この化合物の元素分析値は次の通りで
あり誤差の範囲内で一致した。
【表】
実施例 13
実施例12に示した方法と同様に、３―ホルミル
―９―ｎ―ブチル―カルバゾールの代りに３―ホ
ルミル―９―ベンジル―カルバゾールを使用し
て、mp.172.0−173.0℃の３―スチリル―９―ベ
ンジル―カルバゾールの結晶28.8ｇ（収率80.2
％）が得られた。この化合物の元素分析値は次の
通りであり誤差の範囲内で一致した。
―９―ｎ―ブチル―カルバゾールの代りに３―ホ
ルミル―９―ベンジル―カルバゾールを使用し
て、mp.172.0−173.0℃の３―スチリル―９―ベ
ンジル―カルバゾールの結晶28.8ｇ（収率80.2
％）が得られた。この化合物の元素分析値は次の
通りであり誤差の範囲内で一致した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンジル基、X1は水素原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基
またはベンジルアミノ基を表わし、ｎは１または
２の整数である。） で表わされることを特徴とするカルバゾール誘導
体。 ２ 一般式 ｛式中、X2は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基を表わ
し、ｍは０または１の整数であり、Ｙは次の一般
式 （式中、Zはハロゲンイオンを表わす。） で表わされるトリフエニルフオスフオニウム基、
または次の一般式 ―PO（OR′）2 （式中、R′は低級アルキル基を表わす。） で表わされるジアルキル亜リン酸基である。｝ で表わされるフエニル誘導体と、次の一般式 ｛式中、Ｒは低級アルキル基（但し、メチル基
を除く）またはベンジル基を表わす。｝ で表わされるアルデヒド誘導体とを反応させるこ
とを特徴とする次の一般式 （式中、Ｒ，X2およびｍは上で定義した通り
である。） で表わされるカルバゾール誘導体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157879A JPS5859969A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-03 | カルバゾ−ル誘導体およびその製造法 |
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| JP56157879A JPS5859969A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-03 | カルバゾ−ル誘導体およびその製造法 |
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Family Applications (1)
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