JPH0145734B2 - - Google Patents
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- JPH0145734B2 JPH0145734B2 JP9553982A JP9553982A JPH0145734B2 JP H0145734 B2 JPH0145734 B2 JP H0145734B2 JP 9553982 A JP9553982 A JP 9553982A JP 9553982 A JP9553982 A JP 9553982A JP H0145734 B2 JPH0145734 B2 JP H0145734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- internal electrodes
- chip
- green
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 38
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は積層セラミツクコンデンサの製造工程
における積層方法に関するものである。 従来積層セラミツクコンデンサの積層方法は、
グリーンシート法の場合、例えばドクターブレー
ド法によりグリーンセラミツク膜を作製し該グリ
ーンセラミツク膜に内部電極となる電極ペースト
を印刷し、対向電極を形成するように複数枚積層
し同時にその両外側に保護の役割をなすグリーン
セラミツク膜（内部電極ペーストの印刷されない
もの）が配置され、積層される。スクリーン印刷
法の場合も構造上は同じでセラミツク膜がスクリ
ーン印刷で形成される点が異なるだけである。い
づれにしろこうして積層する場合、セラミツク組
成物の原料成分のうちで蒸発しやすい成分がある
とこれらの成分が焼成工程で表面から蒸発し積層
セラミツクコンデンサチツプの表面に近い部分の
セラミツク組成物の組成比がチツプ内部と異なつ
たものとなりチツプの表面に近い位置にある内部
電極ではさまれたセラミツク層の容量や絶縁抵抗
が低下するだけでなく、これらのセラミツク層で
絶縁破壊を起し易くなり、信頼性の低い積層セラ
ミツクコンデンサとなつてしまう欠点があつた。 本発明の目的はこのような従来の欠点を除去せ
しめて積層セラミツクコンデンサチツプ表面に近
い位置にある内部電極ではさまたセラミツク層の
容量、絶縁抵抗の低下を抑制しチツプ内部と同レ
ベルの特性をもち、各セラミツク層間の特性が均
一化した信頼性の高い積層セラミツクコンデンサ
の製造方法を提供するものである。本発明は積層
セラミツクコンデンサの製造方法において、その
積層工程において内部電極ではさまれて積層され
る位置にあるグリーンセラミツク膜に比べ、セラ
ミツク組成物の原料成分のうち蒸発しやすい成分
がより多く含まれているグリーンセラミツク膜を
積層セラミツクコンデンサチツプ中の複数のすべ
ての内部電極のうちの両外側のに位置する内部電
極よりもさらにチツプ表面に近い位置に配置して
積層、圧着することを特徴としている。 すなわち本発明は焼成過程において蒸発しやす
い原料成分をより多く含んだセラミツク組成の膜
を複数の内部電極の外側に積層付加させ、焼成中
にチツプの外部のセラミツク組成物の蒸発の不均
一（チツプ表面近くの方がチツプ内部より蒸発が
活発に起こる。）により、蒸発しやすいセラミツ
ク組成物の原料成分が蒸発したのち焼成後のチツ
プの表面近くと内部とのセラミツク組成物の組成
比がほぼ均一になるように配慮したものである。 以下実施例に従つて詳細に説明する。第１図は
本発明の方法の方法によつて作製した積層セラミ
ツクコンデンサを示す模式的断面図である。Pb
（Fe1/2・Nb1/2）0.67（Fe2/3・W1/3）0.33O3で示され
る複合ペロブスカイト系誘電体材料を予焼し、ボ
ールミル粉砕したのちドクターブレード法により
30μｍのグリーンセラミツクシート２を作製し
た。該グリーンセラミツクシート上にスクリーン
印刷法で内部電極ペースト（Ag−Pd系）を印刷
し電極層３，３′とする。それを積層しこの実施
例では61枚さらにその上下に電極層を印刷してい
ないセラミツクシート１を保護膜として積層す
る。（この実施例では10枚）ここで該セラミツク
シート１は焼成過程において蒸発しやすいセラミ
ツク組成物であるPbOを1.0重量パーセント多く
含んだセラミツク組成の膜である。次に熱プレス
機で熱圧着し所定の形状に切断したのち、脱バイ
ンダーおよび焼成及び外部電極形成を行なつた。
得られた積層セラミツクコンデンサチツプの容
量、絶縁抵抗を測定するとともに内部電極ではさ
まれた各セラミツク層のそれぞれの容量、絶縁抵
抗も測定した。その結果を表、及び第２図に示
す。
における積層方法に関するものである。 従来積層セラミツクコンデンサの積層方法は、
グリーンシート法の場合、例えばドクターブレー
ド法によりグリーンセラミツク膜を作製し該グリ
ーンセラミツク膜に内部電極となる電極ペースト
を印刷し、対向電極を形成するように複数枚積層
し同時にその両外側に保護の役割をなすグリーン
セラミツク膜（内部電極ペーストの印刷されない
もの）が配置され、積層される。スクリーン印刷
法の場合も構造上は同じでセラミツク膜がスクリ
ーン印刷で形成される点が異なるだけである。い
づれにしろこうして積層する場合、セラミツク組
成物の原料成分のうちで蒸発しやすい成分がある
とこれらの成分が焼成工程で表面から蒸発し積層
セラミツクコンデンサチツプの表面に近い部分の
セラミツク組成物の組成比がチツプ内部と異なつ
たものとなりチツプの表面に近い位置にある内部
電極ではさまれたセラミツク層の容量や絶縁抵抗
が低下するだけでなく、これらのセラミツク層で
絶縁破壊を起し易くなり、信頼性の低い積層セラ
ミツクコンデンサとなつてしまう欠点があつた。 本発明の目的はこのような従来の欠点を除去せ
しめて積層セラミツクコンデンサチツプ表面に近
い位置にある内部電極ではさまたセラミツク層の
容量、絶縁抵抗の低下を抑制しチツプ内部と同レ
ベルの特性をもち、各セラミツク層間の特性が均
一化した信頼性の高い積層セラミツクコンデンサ
の製造方法を提供するものである。本発明は積層
セラミツクコンデンサの製造方法において、その
積層工程において内部電極ではさまれて積層され
る位置にあるグリーンセラミツク膜に比べ、セラ
ミツク組成物の原料成分のうち蒸発しやすい成分
がより多く含まれているグリーンセラミツク膜を
積層セラミツクコンデンサチツプ中の複数のすべ
ての内部電極のうちの両外側のに位置する内部電
極よりもさらにチツプ表面に近い位置に配置して
積層、圧着することを特徴としている。 すなわち本発明は焼成過程において蒸発しやす
い原料成分をより多く含んだセラミツク組成の膜
を複数の内部電極の外側に積層付加させ、焼成中
にチツプの外部のセラミツク組成物の蒸発の不均
一（チツプ表面近くの方がチツプ内部より蒸発が
活発に起こる。）により、蒸発しやすいセラミツ
ク組成物の原料成分が蒸発したのち焼成後のチツ
プの表面近くと内部とのセラミツク組成物の組成
比がほぼ均一になるように配慮したものである。 以下実施例に従つて詳細に説明する。第１図は
本発明の方法の方法によつて作製した積層セラミ
ツクコンデンサを示す模式的断面図である。Pb
（Fe1/2・Nb1/2）0.67（Fe2/3・W1/3）0.33O3で示され
る複合ペロブスカイト系誘電体材料を予焼し、ボ
ールミル粉砕したのちドクターブレード法により
30μｍのグリーンセラミツクシート２を作製し
た。該グリーンセラミツクシート上にスクリーン
印刷法で内部電極ペースト（Ag−Pd系）を印刷
し電極層３，３′とする。それを積層しこの実施
例では61枚さらにその上下に電極層を印刷してい
ないセラミツクシート１を保護膜として積層す
る。（この実施例では10枚）ここで該セラミツク
シート１は焼成過程において蒸発しやすいセラミ
ツク組成物であるPbOを1.0重量パーセント多く
含んだセラミツク組成の膜である。次に熱プレス
機で熱圧着し所定の形状に切断したのち、脱バイ
ンダーおよび焼成及び外部電極形成を行なつた。
得られた積層セラミツクコンデンサチツプの容
量、絶縁抵抗を測定するとともに内部電極ではさ
まれた各セラミツク層のそれぞれの容量、絶縁抵
抗も測定した。その結果を表、及び第２図に示
す。
【表】
比較の為に内部電極層の上下に各10枚のチツプ
内部のグリーンセラミツク膜と同一組成の印刷し
ないグリーンセラミツク膜を積層した従来の積層
構造の生チツプも同時に焼成して同様に容量、絶
縁抵抗を測定した。第２図は積層セラミツクコン
デンサチツプ中の内部電極ではさまれたセラミツ
ク層にチツプ表面に近い位置から番号を付け、そ
れぞれの場所での容量及び絶縁抵抗を測定し、各
セラミツク層とその場所の容量抵抗積の関係を示
した図である。 表、第２図から明らかなように本発明による製
造方法では従来のものに比べ内部電極ではさまれ
たセラミツク層の容量と絶縁抵抗の積が表面に近
い部分でも全く低下せず、全層にわたつてほぼフ
ラツトな値を示し全体的に従来品よりも高レベル
の値であり、またチツプ全体の容量と絶縁抵抗の
積も従来品に比し高い値を示している。また実施
例ではPbOが1.0重量％だけ多く含んだ場合を示
したが、種々の条件によつてはPbOの量を５重量
％程度まで増してもよい。 以上述べたごとく本発明によれば積層セラミツ
クコンデンサの特性を飛躍的に向上させることが
出来、信頼性の高い積層セラミツクコンデンサの
製造方法の提供が可能となつた。
内部のグリーンセラミツク膜と同一組成の印刷し
ないグリーンセラミツク膜を積層した従来の積層
構造の生チツプも同時に焼成して同様に容量、絶
縁抵抗を測定した。第２図は積層セラミツクコン
デンサチツプ中の内部電極ではさまれたセラミツ
ク層にチツプ表面に近い位置から番号を付け、そ
れぞれの場所での容量及び絶縁抵抗を測定し、各
セラミツク層とその場所の容量抵抗積の関係を示
した図である。 表、第２図から明らかなように本発明による製
造方法では従来のものに比べ内部電極ではさまれ
たセラミツク層の容量と絶縁抵抗の積が表面に近
い部分でも全く低下せず、全層にわたつてほぼフ
ラツトな値を示し全体的に従来品よりも高レベル
の値であり、またチツプ全体の容量と絶縁抵抗の
積も従来品に比し高い値を示している。また実施
例ではPbOが1.0重量％だけ多く含んだ場合を示
したが、種々の条件によつてはPbOの量を５重量
％程度まで増してもよい。 以上述べたごとく本発明によれば積層セラミツ
クコンデンサの特性を飛躍的に向上させることが
出来、信頼性の高い積層セラミツクコンデンサの
製造方法の提供が可能となつた。
第１図は本発明の積層構造を示す模式的断面
図。第２図は本発明品と従来品の積層セラミツク
コンデンサチツプ中の内部電極ではさまれた各セ
ラミツク層の位置と容量抵抗積の関係を示す図。 図において、１は、セラミツク組成物の原料成
分のうち焼成過程において蒸発しやすい成分をよ
り多く含んだセラミツク膜であり、２は、所定の
セラミツク組成物のセラミツク膜であり、３，
３′は内部電極である。
図。第２図は本発明品と従来品の積層セラミツク
コンデンサチツプ中の内部電極ではさまれた各セ
ラミツク層の位置と容量抵抗積の関係を示す図。 図において、１は、セラミツク組成物の原料成
分のうち焼成過程において蒸発しやすい成分をよ
り多く含んだセラミツク膜であり、２は、所定の
セラミツク組成物のセラミツク膜であり、３，
３′は内部電極である。
Claims (1)
- １ グリーンセラミツク膜と内部電極を交互に積
層し、その後圧着、焼成、外部電極形成を行なう
積層セラミツクコンデンサの製造方法において、
その積層をする際に用いるグリーンセラミツク膜
を内部電極ではさまれて積層される位置に配置さ
れるものと、複数の内部電極のうちの両外側に位
置する内部電極よりコンデンサ表面に近い位置に
配置されるものの２種類に分けるとき前者のグリ
ーンセラミツク膜に比べ後者のグリーンセラミツ
ク膜としてセラミツク組成物の原料成分のうち焼
成中に蒸発しやすい成分がより多く含まれるグリ
ーンセラミツク膜を用いることを特徴とする積層
セラミツクコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9553982A JPS58212121A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9553982A JPS58212121A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212121A JPS58212121A (ja) | 1983-12-09 |
| JPH0145734B2 true JPH0145734B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=14140363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9553982A Granted JPS58212121A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212121A (ja) |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP9553982A patent/JPS58212121A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58212121A (ja) | 1983-12-09 |
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