JPH0145813B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145813B2 JPH0145813B2 JP11258482A JP11258482A JPH0145813B2 JP H0145813 B2 JPH0145813 B2 JP H0145813B2 JP 11258482 A JP11258482 A JP 11258482A JP 11258482 A JP11258482 A JP 11258482A JP H0145813 B2 JPH0145813 B2 JP H0145813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- resistance element
- resistance
- elements
- communication line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、通信用保安器などに使用される電圧
非直線抵抗回路に関するものである。
非直線抵抗回路に関するものである。
第１図は、かかる保安器の従来の構成例を示す
回路図である。同図において、Ａ，Ｂは入力端子
L1，L2は出力端子、１は避雷管、２，３はそれ
ぞれ抵抗器、Ｇはアース端子、４，５，６はそれ
ぞれバリスタなどから成る電圧非直線抵抗素子、
であり、入力端子Ａ，Ｂに誘導雷サージの如き不
要な高電圧が入力されても、内部の回路で吸収さ
れ、出力端子L1，L2には出力されないようにな
つている。
回路図である。同図において、Ａ，Ｂは入力端子
L1，L2は出力端子、１は避雷管、２，３はそれ
ぞれ抵抗器、Ｇはアース端子、４，５，６はそれ
ぞれバリスタなどから成る電圧非直線抵抗素子、
であり、入力端子Ａ，Ｂに誘導雷サージの如き不
要な高電圧が入力されても、内部の回路で吸収さ
れ、出力端子L1，L2には出力されないようにな
つている。
第１図において、出力端子L1とアース端子Ｇ
の間、および出力端子L2とアース端子Ｇの間に
それぞれ接続された電圧非直線抵抗素子４および
５は、端子L1，L2にそれぞれ接続される通信線
とアース端子Ｇとの間に生じる不要な縦電圧（一
般に通信線とアースの間に生じる不要電圧を縦電
圧と云い、通信線と通信線の間に生じる不要電圧
を横電圧と云う）を吸収するために設けられたも
のであり、出力端子L1とL2の間に接続された電
圧非直線抵抗素子６は、素子４と５の動作特性が
不揃いであること等の発生する端子L1とL2の間
の不要な横電圧を吸収するためのものである。
の間、および出力端子L2とアース端子Ｇの間に
それぞれ接続された電圧非直線抵抗素子４および
５は、端子L1，L2にそれぞれ接続される通信線
とアース端子Ｇとの間に生じる不要な縦電圧（一
般に通信線とアースの間に生じる不要電圧を縦電
圧と云い、通信線と通信線の間に生じる不要電圧
を横電圧と云う）を吸収するために設けられたも
のであり、出力端子L1とL2の間に接続された電
圧非直線抵抗素子６は、素子４と５の動作特性が
不揃いであること等の発生する端子L1とL2の間
の不要な横電圧を吸収するためのものである。
さて本発明は、第１図において、電圧非直線抵
抗素子４，５およびアース端子Ｇから成る電圧非
直線抵抗回路（破線で囲んだ領域Ｓ）に関するも
のであるが、これらの縦電圧吸収用の素子４，５
は避雷管１が動作しない様な、例えばピーク電圧
が400V以下であるような雷サージを吸収したり、
或いは避雷管１が動作するに至るまでの雷サージ
による大電流を流すので、エネルギー耐量の大き
な電圧非直線抵抗素子を用いることが必要であつ
た。
抗素子４，５およびアース端子Ｇから成る電圧非
直線抵抗回路（破線で囲んだ領域Ｓ）に関するも
のであるが、これらの縦電圧吸収用の素子４，５
は避雷管１が動作しない様な、例えばピーク電圧
が400V以下であるような雷サージを吸収したり、
或いは避雷管１が動作するに至るまでの雷サージ
による大電流を流すので、エネルギー耐量の大き
な電圧非直線抵抗素子を用いることが必要であつ
た。
しかし従来のエネルギー耐量の大きな素子とし
ての金属酸化物バリスタは、静電容量が大きく、
これを用いた電圧非直線抵抗回路を通信機用保安
定器に用いる場合、通信線における伝送損失が大
きくなるという欠点があつた。
ての金属酸化物バリスタは、静電容量が大きく、
これを用いた電圧非直線抵抗回路を通信機用保安
定器に用いる場合、通信線における伝送損失が大
きくなるという欠点があつた。
本発明は、上述のような従来技術の欠点を除去
するためになされたものであり、従つて本発明の
目的は通信機用保安器などに用いた場合、通信線
における伝送損失が小さくすむような電圧非直線
抵抗回路を提供することにある。
するためになされたものであり、従つて本発明の
目的は通信機用保安器などに用いた場合、通信線
における伝送損失が小さくすむような電圧非直線
抵抗回路を提供することにある。
本発明の構成の要点、第１の通信線と接地用端
子との間にエネルギー耐量の大きな第１の電圧非
直線抵抗素子（以下、第１の伝送損失と云う）を
接続し、第２の通信線と前記接地用端子との間に
エネルギー耐量の大きな第２の電圧非直線抵抗素
子（以下、第２の抵抗素子と云う）を接続して成
る電圧非直線抵抗回路において、前記第１の通信
線と第１の抵抗素子との間、第２の通信線と第２
の抵抗素子との間、および前記第１の抵抗素子と
第２の抵抗素子との接続点と前記接地用端子との
間、にそれぞれ前記第１または第２の抵抗素子に
比較して制限電圧が小さく、かつ請電容量の小さ
な第３の電圧非直線抵抗素子を接続することによ
り、通信線における伝送損失の低減化を図つた点
にある。
子との間にエネルギー耐量の大きな第１の電圧非
直線抵抗素子（以下、第１の伝送損失と云う）を
接続し、第２の通信線と前記接地用端子との間に
エネルギー耐量の大きな第２の電圧非直線抵抗素
子（以下、第２の抵抗素子と云う）を接続して成
る電圧非直線抵抗回路において、前記第１の通信
線と第１の抵抗素子との間、第２の通信線と第２
の抵抗素子との間、および前記第１の抵抗素子と
第２の抵抗素子との接続点と前記接地用端子との
間、にそれぞれ前記第１または第２の抵抗素子に
比較して制限電圧が小さく、かつ請電容量の小さ
な第３の電圧非直線抵抗素子を接続することによ
り、通信線における伝送損失の低減化を図つた点
にある。
次に図を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第２図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。同図において、第１図におけるのと同じ符号
は同じものを示している。電圧非直線抵抗素子
４，５は、縦電圧吸収用として金属酸化物バリス
タが用いられている。そのほか、９，１０，１１
はそれぞれ双方向シリコンダイオードバリスタか
ら成る電圧非直線抵抗素子である。
る。第２図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。同図において、第１図におけるのと同じ符号
は同じものを示している。電圧非直線抵抗素子
４，５は、縦電圧吸収用として金属酸化物バリス
タが用いられている。そのほか、９，１０，１１
はそれぞれ双方向シリコンダイオードバリスタか
ら成る電圧非直線抵抗素子である。
第２図に示した電圧非直線抵抗回路は、シリコ
ンダイオードバリスタから成る素子９，１０，１
１を金属酸化物バリスタから成る素子４，５に直
列接続した構成を採つているため、その効果とし
ては、シリコンダイオードバリスタのもの接合容
量CDと、金属酸化物バリスタのもつ静電容量CZ
が直列接続されているところから通信線接続端子
L1，L2とアース端子Ｇとの間の静電容量を低減
できることを挙げうる。
ンダイオードバリスタから成る素子９，１０，１
１を金属酸化物バリスタから成る素子４，５に直
列接続した構成を採つているため、その効果とし
ては、シリコンダイオードバリスタのもの接合容
量CDと、金属酸化物バリスタのもつ静電容量CZ
が直列接続されているところから通信線接続端子
L1，L2とアース端子Ｇとの間の静電容量を低減
できることを挙げうる。
金属酸化物バリスタから成る素子４，５の各制
限電圧をVZとし、シリコンダイオードバリスタ
から成る素子９〜１１の各制限電圧をVDとする
とVD《VZの関係にある。今、端子L1とアース端子
Ｇの間、および端子L2とアース端子Ｇの間の各
印加電圧が金属酸化物バリスタから成る素子４，
５の制限電圧VZ以下であるとすると、印加電圧
は金属酸化物バリスタから成る素子４，５に加わ
り、シリコンダイオードバリスタから成る素子９
〜１１には電圧がほとんど加わらないので、静電
容量としては、シリコンダイオードバリスタの無
バイアス時の接合容量CDが素子が素子９〜１１
において得られる。また金属酸化物バリスタから
成る素子４，５の静電容量をCZとするとCD＜CZ
の関係にある。
限電圧をVZとし、シリコンダイオードバリスタ
から成る素子９〜１１の各制限電圧をVDとする
とVD《VZの関係にある。今、端子L1とアース端子
Ｇの間、および端子L2とアース端子Ｇの間の各
印加電圧が金属酸化物バリスタから成る素子４，
５の制限電圧VZ以下であるとすると、印加電圧
は金属酸化物バリスタから成る素子４，５に加わ
り、シリコンダイオードバリスタから成る素子９
〜１１には電圧がほとんど加わらないので、静電
容量としては、シリコンダイオードバリスタの無
バイアス時の接合容量CDが素子が素子９〜１１
において得られる。また金属酸化物バリスタから
成る素子４，５の静電容量をCZとするとCD＜CZ
の関係にある。
第２図の回路の容量等価回路を第３図に示す。
第３図から、端子L1とアース端子Ｇとの間、端
子L2とアース端子Ｇとの間、の各静電容量は、
次式で与えらることが判る。
第３図から、端子L1とアース端子Ｇとの間、端
子L2とアース端子Ｇとの間、の各静電容量は、
次式で与えらることが判る。
CZ・CD／（CZ＋CD）
これは、従来の金属酸化物バリスタから成る素
子４，５だけを用いたときの静電容量CZに比べ
て、CD／（CZ＋CD）倍だけ静電容量が小さくな
つたことに相当する。
子４，５だけを用いたときの静電容量CZに比べ
て、CD／（CZ＋CD）倍だけ静電容量が小さくな
つたことに相当する。
例えば通信機用保安器に用いる金属酸化物バリ
スタから成る素子４，５の各静電容量CZを、CZ
＝280pF、制限電圧VZをVZ＝120Vとし、シリコ
ンダイオードバリスタから成る素子９，１０，１
１の無バイアス時の各接合容量CDをCD＝50pF、
制限電圧VDをVD＝1Vとすると、金属酸化物バリ
スタから成る素子４，５を用いただけのときは、
端子L1およびL2とアース端子Ｇとの間の各静電
容量は、280pFであるが、シリコンダイオードバ
リスタから成る素子９〜１１を図示の如く接続す
ると、同じ個所の静電容量は42pFとなり、約1/7
に静電容量を低減することができる。
スタから成る素子４，５の各静電容量CZを、CZ
＝280pF、制限電圧VZをVZ＝120Vとし、シリコ
ンダイオードバリスタから成る素子９，１０，１
１の無バイアス時の各接合容量CDをCD＝50pF、
制限電圧VDをVD＝1Vとすると、金属酸化物バリ
スタから成る素子４，５を用いただけのときは、
端子L1およびL2とアース端子Ｇとの間の各静電
容量は、280pFであるが、シリコンダイオードバ
リスタから成る素子９〜１１を図示の如く接続す
ると、同じ個所の静電容量は42pFとなり、約1/7
に静電容量を低減することができる。
以上の説明は、金属酸化物バリスタから成る素
子および双方向シリコンダイオードバリスタから
成る素子が各１個の場合についての説明である
が、各々を任意の個数直列接続することによつ
て、より静電容量を低減できることは明らかであ
ろう。
子および双方向シリコンダイオードバリスタから
成る素子が各１個の場合についての説明である
が、各々を任意の個数直列接続することによつ
て、より静電容量を低減できることは明らかであ
ろう。
第４図は、第１図に示した保安器における入出
力電圧・周波数伝達特性を示したグラフである。
ただし、入力電圧VINを入力電圧Ａ，Ｂ間の加入
者線接続端子間電圧、出力端子Vputを出力端子
L1，L2間の加入者回路接続端子間電圧とし、抵
抗器２，３の各値は15Ωとした。
力電圧・周波数伝達特性を示したグラフである。
ただし、入力電圧VINを入力電圧Ａ，Ｂ間の加入
者線接続端子間電圧、出力端子Vputを出力端子
L1，L2間の加入者回路接続端子間電圧とし、抵
抗器２，３の各値は15Ωとした。
第４図において、２３は従来の保安器における
伝達特性を示し、２４は本発明による電圧非直線
回路を用いた保安器における伝達特性を示してい
る。遮断周波数が従来の15MHzから本発明を採用
した場合は100MHzと、ずつと改善されているこ
とで第４図から続取れるであろう。
伝達特性を示し、２４は本発明による電圧非直線
回路を用いた保安器における伝達特性を示してい
る。遮断周波数が従来の15MHzから本発明を採用
した場合は100MHzと、ずつと改善されているこ
とで第４図から続取れるであろう。
以上説明したように、本発明による低伝送損失
の電圧非直線抵抗回路は、金属酸化物バリスタな
どから成るエネルギー耐量の大きな素子に、シリ
コンダイオードバリスタなどから成る静電容量な
らびに制限電圧の小さな素子を直列接続するだけ
で低静電容量化を図つたものであり、これを高
速、広帯域通信回線における通信機用保安器に用
いれば伝送損失を少なくできるという利点があ
る。
の電圧非直線抵抗回路は、金属酸化物バリスタな
どから成るエネルギー耐量の大きな素子に、シリ
コンダイオードバリスタなどから成る静電容量な
らびに制限電圧の小さな素子を直列接続するだけ
で低静電容量化を図つたものであり、これを高
速、広帯域通信回線における通信機用保安器に用
いれば伝送損失を少なくできるという利点があ
る。
第１図は従来の保安器の構成例を示す回路図、
第２図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図
は第２図の回路の容量等価回路図、第４図は保安
器における入出力電圧・周波数伝達特性を示すグ
ラフ、である。 符号説明、１……避雷管、２，３……抵抗、
４，５，６……電圧非直線抵抗素子（金属酸化物
バリスタ）、９，１０，１１……電圧非直線抵抗
素子（シリコンダイオードバリスタ）、Ａ，Ｂ…
…入力端子、L1，L2……出力端子、Ｇ……アー
ス端子。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図
は第２図の回路の容量等価回路図、第４図は保安
器における入出力電圧・周波数伝達特性を示すグ
ラフ、である。 符号説明、１……避雷管、２，３……抵抗、
４，５，６……電圧非直線抵抗素子（金属酸化物
バリスタ）、９，１０，１１……電圧非直線抵抗
素子（シリコンダイオードバリスタ）、Ａ，Ｂ…
…入力端子、L1，L2……出力端子、Ｇ……アー
ス端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の通信線と接地用端子との間にエネルギ
ー耐量の大きな第１の電圧非直線抵抗素子（以
下、第１の抵抗素子と云う）を接続し、第２の通
信線と前記接地用端子との間にエネルギー耐量の
大きな第２の電圧非直線抵抗素子（以下、第２の
抵抗素子と云う）を接続して成る電圧非直線抵抗
回路において、前記第１の通信線と第１の抵抗素
子との間、第２の通信線と第２の抵抗素子との
間、および前記第１の抵抗素子と第２の抵抗素子
との接続点と前記接地用端子との間、にそれぞれ
前記第１または第２の抵抗素子に比較して制限電
圧が小さく、かつ静電容量の小さな第３の電圧非
直線抵抗素子を接続することにより、通信線にお
ける伝送損失の低減化を図つたことを特徴とする
電圧非直線抵抗回路。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の電圧非直線抵
抗回路において、前記第１、第２および第３の抵
抗素子のうちの何れか一つまたは複数が、それぞ
れ同種の複数個の抵抗素子から構成されているこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11258482A JPS596726A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 電圧非直線抵抗回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11258482A JPS596726A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 電圧非直線抵抗回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596726A JPS596726A (ja) | 1984-01-13 |
| JPH0145813B2 true JPH0145813B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=14590380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11258482A Granted JPS596726A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 電圧非直線抵抗回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596726A (ja) |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP11258482A patent/JPS596726A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS596726A (ja) | 1984-01-13 |
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