JPH0145961B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145961B2 JPH0145961B2 JP58098552A JP9855283A JPH0145961B2 JP H0145961 B2 JPH0145961 B2 JP H0145961B2 JP 58098552 A JP58098552 A JP 58098552A JP 9855283 A JP9855283 A JP 9855283A JP H0145961 B2 JPH0145961 B2 JP H0145961B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- plating film
- lead terminals
- ceramic substrate
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正特性サーミスタやコンデンサなどの
セラミツク電子部品の製造方法に関する。
セラミツク電子部品の製造方法に関する。
従来この種のセラミツク電子部品においては、
NiやCu等の無電解メツキ膜を電極として付与す
ることが行なわれている。ところがこのメツキ膜
は、通常電極としての安定性を得るために熱処理
されることが多い。ところがろメツキ膜を酸化雰
囲気中で熱処理すると、表面が酸化され、後のリ
ード端子の半田付けに大きな支障となつていた。
そこで実際にリード端子を半田付けする際には、
強力なフラツクス（Cl系）を用いることになる
が、このフラツクスは電子部品としての耐電圧レ
ベルを著しく低下させたり、特性を劣化させるな
どの問題があつた。特に正特性サーミスタの場合
の抵抗温度特性の劣化は大きな問題となつてい
た。
NiやCu等の無電解メツキ膜を電極として付与す
ることが行なわれている。ところがこのメツキ膜
は、通常電極としての安定性を得るために熱処理
されることが多い。ところがろメツキ膜を酸化雰
囲気中で熱処理すると、表面が酸化され、後のリ
ード端子の半田付けに大きな支障となつていた。
そこで実際にリード端子を半田付けする際には、
強力なフラツクス（Cl系）を用いることになる
が、このフラツクスは電子部品としての耐電圧レ
ベルを著しく低下させたり、特性を劣化させるな
どの問題があつた。特に正特性サーミスタの場合
の抵抗温度特性の劣化は大きな問題となつてい
た。
この問題点に鑑み、従来、熱処理を中性あるい
は還元性雰囲気で行ない、メツキ膜の表面に酸化
膜を形成させないことが行なわれているが、これ
は設備や条件などが特殊となるため、量産的でな
く、コストも高くなるという問題があるばかり
か、電子部品が正特性サーミスタの場合には、こ
の雰囲気中に晒すことにより、特性が劣化すると
いう問題も新に生じていた。また従来では、メツ
キ膜上に、リード端子の半田付性を考慮してAg
電極を付与することも行なわれているが、高価な
Ag電極の使用により、製品コストが大幅に高く
なり、実用上これも大きな問題となつていた。
は還元性雰囲気で行ない、メツキ膜の表面に酸化
膜を形成させないことが行なわれているが、これ
は設備や条件などが特殊となるため、量産的でな
く、コストも高くなるという問題があるばかり
か、電子部品が正特性サーミスタの場合には、こ
の雰囲気中に晒すことにより、特性が劣化すると
いう問題も新に生じていた。また従来では、メツ
キ膜上に、リード端子の半田付性を考慮してAg
電極を付与することも行なわれているが、高価な
Ag電極の使用により、製品コストが大幅に高く
なり、実用上これも大きな問題となつていた。
そこで本発明の目的は、品質がすぐれ、量産的
で安価なセラミツク電子部品を製造する方法を提
供することにある。
で安価なセラミツク電子部品を製造する方法を提
供することにある。
要約すれば、本発明は、セラミツク基体表面に
付与され熱処理された無電解メツキ膜の表面を、
粒状半田によつて研磨し、その表面の酸化膜を除
去して、その後リード端子を半田付けするセラミ
ツク電子部品の製造方法である。
付与され熱処理された無電解メツキ膜の表面を、
粒状半田によつて研磨し、その表面の酸化膜を除
去して、その後リード端子を半田付けするセラミ
ツク電子部品の製造方法である。
以下本発明の実施例を図面を参考にしながら説
明する。以下の説明では、セラミツク基体とし
て、チタン酸バリウム系半導体基体を用いてい
る。
明する。以下の説明では、セラミツク基体とし
て、チタン酸バリウム系半導体基体を用いてい
る。
第１図はセラミツク基体１の両平面にNiの無
電解メツキ膜２，２を付与した状態が示されてい
る。このメツキ膜２，２はセラミツク基体１にオ
ーミツク接触させるため、300℃程度の温度で熱
処理される。この熱処理は酸化（自然）雰囲気中
で行なわれる。従つて熱処理後のメツキ膜２，２
表面は、第２図示のように、酸化膜層（Ni Ox）
３，３が形成される。
電解メツキ膜２，２を付与した状態が示されてい
る。このメツキ膜２，２はセラミツク基体１にオ
ーミツク接触させるため、300℃程度の温度で熱
処理される。この熱処理は酸化（自然）雰囲気中
で行なわれる。従つて熱処理後のメツキ膜２，２
表面は、第２図示のように、酸化膜層（Ni Ox）
３，３が形成される。
次にこのセラミツク基体１をバレル研磨機（図
示せず）に研磨材とともに収納する。この研磨材
は約0.1〜2.5μｍ程度の粒径を有する粒状半田が
用いられるまた半田の他に研磨を助ける目的で必
要により半田外の材料を加えてもよい。この状態
で研磨機を約30〜60分回転させ、セラミツク基体
１を取り出す。取り出したセラミツク基体は、第
３図示のように、Niの酸化膜層３，３が研磨材
としての粒状半田によつて研削除去され、代りに
粒状半田がNiメツキ膜２，２上に残存した状態
で４，４のように付着されている。これは、研磨
材としての粒状半田が、こすられている間に付着
されるのである。またNiメツキ膜２，２は、研
磨されることによりその表面は粗面化される。
示せず）に研磨材とともに収納する。この研磨材
は約0.1〜2.5μｍ程度の粒径を有する粒状半田が
用いられるまた半田の他に研磨を助ける目的で必
要により半田外の材料を加えてもよい。この状態
で研磨機を約30〜60分回転させ、セラミツク基体
１を取り出す。取り出したセラミツク基体は、第
３図示のように、Niの酸化膜層３，３が研磨材
としての粒状半田によつて研削除去され、代りに
粒状半田がNiメツキ膜２，２上に残存した状態
で４，４のように付着されている。これは、研磨
材としての粒状半田が、こすられている間に付着
されるのである。またNiメツキ膜２，２は、研
磨されることによりその表面は粗面化される。
その後、第４図に示すように半田４，４が残存
付着されているNiメツキ膜２，２上にリード端
子５，５を当接し、新な半田により半田付けされ
る。この半田付けは、たとえば溶融半田中への浸
漬により行なわれる。この場合、Niメツキ膜２，
２上に残存付着されていた半田４，４は、当然溶
融して新な半田中に混在されることになるが、こ
の際新な半田の付着性を良くする作用をもつ。こ
のことから研磨材としての半田と新な半田とは、
できるだけ同質のものを用いることが望ましい。
第４図においては、リード端子５，５とNiメツ
キ膜２，２との間に半田４，４が介在されている
ように示しているが、これは研磨により残存した
半田により、リード端子５，５が直接Niメツキ
膜上に当接されるのが阻げられるためである。こ
れによればリード端子５，５が、実質的に半田中
に埋設されたようになるため、リード端子５，５
の固着強度が大きくなる。なおこのような状態
は、残存する半田の量を加減することによつて容
易に得られる。
付着されているNiメツキ膜２，２上にリード端
子５，５を当接し、新な半田により半田付けされ
る。この半田付けは、たとえば溶融半田中への浸
漬により行なわれる。この場合、Niメツキ膜２，
２上に残存付着されていた半田４，４は、当然溶
融して新な半田中に混在されることになるが、こ
の際新な半田の付着性を良くする作用をもつ。こ
のことから研磨材としての半田と新な半田とは、
できるだけ同質のものを用いることが望ましい。
第４図においては、リード端子５，５とNiメツ
キ膜２，２との間に半田４，４が介在されている
ように示しているが、これは研磨により残存した
半田により、リード端子５，５が直接Niメツキ
膜上に当接されるのが阻げられるためである。こ
れによればリード端子５，５が、実質的に半田中
に埋設されたようになるため、リード端子５，５
の固着強度が大きくなる。なおこのような状態
は、残存する半田の量を加減することによつて容
易に得られる。
上記の実施例では、セラミツク基体として半導
体基体を用いたもので示したが、その他の誘電体
等であつてもよく、またメツキ膜の材質や研磨の
手段等も任意に選定される。
体基体を用いたもので示したが、その他の誘電体
等であつてもよく、またメツキ膜の材質や研磨の
手段等も任意に選定される。
以上のように本発明セラミツク電子部品の製造
方法においては、メツキ膜上の酸化膜層を粒状半
田によつて研削除去する工程を加えることによ
り、リード端子の半田付けをフラツクスを用いる
ことなく良好に行なえ、特性の安定なものが得ら
れるのである。また本発明では、研磨によりメツ
キ膜が粗面化されるので、リード端子の接着強度
が向上するばかりか、高価なAgの使用も必要で
なく、安価で省資源をも促せる等、実用上の効果
は大きい。
方法においては、メツキ膜上の酸化膜層を粒状半
田によつて研削除去する工程を加えることによ
り、リード端子の半田付けをフラツクスを用いる
ことなく良好に行なえ、特性の安定なものが得ら
れるのである。また本発明では、研磨によりメツ
キ膜が粗面化されるので、リード端子の接着強度
が向上するばかりか、高価なAgの使用も必要で
なく、安価で省資源をも促せる等、実用上の効果
は大きい。
第１図〜第４図は本発明の製造過程を示すいず
れも側断面図である。 １……セラミツク基体、２……メツキ膜、３…
…酸化膜層、４……半田、５……リード端子。
れも側断面図である。 １……セラミツク基体、２……メツキ膜、３…
…酸化膜層、４……半田、５……リード端子。
Claims (1)
- １ 表面に無電解メツキ膜を付与したセラミツク
基体を熱処理した後、粒状半田によつて前記メツ
キ膜の表面を研磨除去し、その後、このメツキ膜
上にリード端子を半田付けしてなることを特徴と
するセラミツク電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098552A JPS59222901A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58098552A JPS59222901A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222901A JPS59222901A (ja) | 1984-12-14 |
| JPH0145961B2 true JPH0145961B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14222847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58098552A Granted JPS59222901A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222901A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205615A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 株式会社村田製作所 | セラミツクスの金属化方法 |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP58098552A patent/JPS59222901A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59222901A (ja) | 1984-12-14 |
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