JPH0145962B2 - - Google Patents
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- JPH0145962B2 JPH0145962B2 JP58104483A JP10448383A JPH0145962B2 JP H0145962 B2 JPH0145962 B2 JP H0145962B2 JP 58104483 A JP58104483 A JP 58104483A JP 10448383 A JP10448383 A JP 10448383A JP H0145962 B2 JPH0145962 B2 JP H0145962B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
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- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
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-
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス封入型PTCサーミスタの製造
法に関するものである。
法に関するものである。
周知のようにサーミスタは温度だけを検知する
という目的のため、樹脂やガラスでサーミスタ素
子を封入し、ガス、湿度等の温度以外の影響をま
つたく、うけないように封入加工がなされてい
る。特にNTCサーミスタでは樹脂封入型のデイ
スク型サーミスタの他に安価で量産性に富み、特
性の安定したガラス封入型サーミスタが実用化さ
れている。
という目的のため、樹脂やガラスでサーミスタ素
子を封入し、ガス、湿度等の温度以外の影響をま
つたく、うけないように封入加工がなされてい
る。特にNTCサーミスタでは樹脂封入型のデイ
スク型サーミスタの他に安価で量産性に富み、特
性の安定したガラス封入型サーミスタが実用化さ
れている。
しかし、PTCサーミスタではガラス封入型サ
ーミスタは実用化されておらず、樹脂封入型のデ
イスク型サーミスタやヒータ用として電極に金属
を機械的に押しつけたPTCサーミスタ等が実用
化されているだけで、量産性に優れた安価なガラ
ス封入型PTCサーミスタは実用化されていない
のが現状である。
ーミスタは実用化されておらず、樹脂封入型のデ
イスク型サーミスタやヒータ用として電極に金属
を機械的に押しつけたPTCサーミスタ等が実用
化されているだけで、量産性に優れた安価なガラ
ス封入型PTCサーミスタは実用化されていない
のが現状である。
この理由はPTCサーミスタ素子のガラス溶着
封入時における温度、雰囲気がPTCサーミスタ
の特性に大きく影響を及ぼし、目的の特性が得ら
れないことに起因している。
封入時における温度、雰囲気がPTCサーミスタ
の特性に大きく影響を及ぼし、目的の特性が得ら
れないことに起因している。
そこで本発明者等はガラス封入型PTCサーミ
スタに関して種々実験研究の結果、従来のガラス
溶着封入方法ではPTCサーミスタ素子が、ガラ
ス溶着封入時に還元雰囲気にさらされ、また、ガ
ラス溶着封入作業温度が610℃を越える温度にな
ることを確認し、このことがPTCサーミスタの
特性に悪影響を及ぼしているという知見を得た。
スタに関して種々実験研究の結果、従来のガラス
溶着封入方法ではPTCサーミスタ素子が、ガラ
ス溶着封入時に還元雰囲気にさらされ、また、ガ
ラス溶着封入作業温度が610℃を越える温度にな
ることを確認し、このことがPTCサーミスタの
特性に悪影響を及ぼしているという知見を得た。
本発明はこの知見に基づきなされたもので、ガ
ラス溶着封入したPTCサーミスタにおいて抵抗
変化が十分に大きく、スイツチング温度におい
て、著しい抵抗変化をし、特性の安定したガラス
封入型PTCサーミスタを安価に提供しようとす
るものである。
ラス溶着封入したPTCサーミスタにおいて抵抗
変化が十分に大きく、スイツチング温度におい
て、著しい抵抗変化をし、特性の安定したガラス
封入型PTCサーミスタを安価に提供しようとす
るものである。
即ち、第１の発明は正の抵抗温度特性を有する
半導体磁器を軟化点560℃以下の低融点ガラスを
用いてガラス溶着封入することを特徴とする
PTCサーミスタの製造法であり、第２の発明は、
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を空気、
O2ガスの一種又はその混合雰囲気下（ただし、
空気は容量百分率で０％以上100％以下）におい
て軟化点560℃以下の低融点ガラスを用いてガラ
ス溶着封入することを特徴とするPTCサーミス
タの製造法である。
半導体磁器を軟化点560℃以下の低融点ガラスを
用いてガラス溶着封入することを特徴とする
PTCサーミスタの製造法であり、第２の発明は、
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を空気、
O2ガスの一種又はその混合雰囲気下（ただし、
空気は容量百分率で０％以上100％以下）におい
て軟化点560℃以下の低融点ガラスを用いてガラ
ス溶着封入することを特徴とするPTCサーミス
タの製造法である。
以下、本発明の具体的な実施例について説明す
る。
る。
第１図は実施例の各工程を示すもので、先ず、
半導体化チタン酸バリウム磁器１をガラス管の長
さに対応した任意の厚さにスライスし、銀電極
２，２を素子両面に塗布し、これを600℃20分間
焼付ける。第１図ａは銀電極焼付け後の素子の断
面図である。
半導体化チタン酸バリウム磁器１をガラス管の長
さに対応した任意の厚さにスライスし、銀電極
２，２を素子両面に塗布し、これを600℃20分間
焼付ける。第１図ａは銀電極焼付け後の素子の断
面図である。
次に第１図ｂに示すように、ガラス管の径に対
応した任意の長さに素子を切断する。縦横の線は
切断線である。
応した任意の長さに素子を切断する。縦横の線は
切断線である。
この素子を軟化点560℃以下のガラス管４に入
れ、第１図ｃに示すように両端からジユメツト線
３，３を挿入してガラス管４をカーボンヒータ治
具にて溶着封止を行なう。
れ、第１図ｃに示すように両端からジユメツト線
３，３を挿入してガラス管４をカーボンヒータ治
具にて溶着封止を行なう。
この溶着封止の作業温度はガラスの軟化点によ
つて決定され、一般にガラス軟化点の50℃以上高
い温度で行なわれる。
つて決定され、一般にガラス軟化点の50℃以上高
い温度で行なわれる。
従来のガラス溶着封入は軟化点560℃を越える
組成のガラスを使い、その溶着封入作業温度は
610℃を越える温度で行なわれており、この条件
でガラス溶着封入を行なつたPTCサーミスタは
封着前の特性にくらべ大きく劣化する。しかし、
本発明のように軟化点560℃以下の低融点ガラス
を用いて溶着封入を行なうと劣化は少なく、安定
したPTCサーミスタが得られる。
組成のガラスを使い、その溶着封入作業温度は
610℃を越える温度で行なわれており、この条件
でガラス溶着封入を行なつたPTCサーミスタは
封着前の特性にくらべ大きく劣化する。しかし、
本発明のように軟化点560℃以下の低融点ガラス
を用いて溶着封入を行なうと劣化は少なく、安定
したPTCサーミスタが得られる。
第２図にキユーリー点120℃のPTCサーミスタ
素子を空気中でガラス溶着封入行なつた結果を示
す。
素子を空気中でガラス溶着封入行なつた結果を示
す。
溶着封入前の特性にくらべ、わずかに特性は劣
化するが、軟化点536℃のガラスおよび軟化点560
℃のガラスで封着を行なつたPTCサーミスタ素
子の特性が優れていることがわかる。
化するが、軟化点536℃のガラスおよび軟化点560
℃のガラスで封着を行なつたPTCサーミスタ素
子の特性が優れていることがわかる。
また、ここではキユーリー点120℃のPTCサー
ミスタ素子について行なつたがキユーリー点の異
なるPTCサーミスタ素子においても同様の結果
が得られた。
ミスタ素子について行なつたがキユーリー点の異
なるPTCサーミスタ素子においても同様の結果
が得られた。
従来からジユメツト線の酸化やヒータの酸化を
防ぐため、N2ガスやArガスあるいは真空中でガ
ラスの溶着封入が行なわれてきた。この方法は
NTCサーミスタのガラス溶着封入に行なわれる
ことが多いがPTCサーミスタの場合、還元性雰
囲気でガラス溶着封入を行なうとその特性が著る
しく、損なわれる。
防ぐため、N2ガスやArガスあるいは真空中でガ
ラスの溶着封入が行なわれてきた。この方法は
NTCサーミスタのガラス溶着封入に行なわれる
ことが多いがPTCサーミスタの場合、還元性雰
囲気でガラス溶着封入を行なうとその特性が著る
しく、損なわれる。
そこで本発明者等は種々実験研究の結果空気、
O2ガスの一種又はその混合雰囲気下（ただし空
気は容量百分率で０％以上100％以下）において
ガラス溶着封入を行なうとPTC特性の優れたサ
ーミスタが得られることを見い出した。
O2ガスの一種又はその混合雰囲気下（ただし空
気は容量百分率で０％以上100％以下）において
ガラス溶着封入を行なうとPTC特性の優れたサ
ーミスタが得られることを見い出した。
第３図は各種ガスを流入してガラス溶着封入を
行なつたPTCサーミスタの特性図を示すもので、
ここでは軟化点560℃のガラスを使い、610℃にお
いてキユーリー点120℃のPTCサーミスタ素子の
ガラス溶着封入を行なつた。
行なつたPTCサーミスタの特性図を示すもので、
ここでは軟化点560℃のガラスを使い、610℃にお
いてキユーリー点120℃のPTCサーミスタ素子の
ガラス溶着封入を行なつた。
図からわかるように、O2ガス中あるいは空気
中においてガラス溶着封入を行なうと、真空中、
不活性ガス中、あるいは還元雰囲気中にくらべ
PTC特性の優れたPTCサーミスタが得られる。
中においてガラス溶着封入を行なうと、真空中、
不活性ガス中、あるいは還元雰囲気中にくらべ
PTC特性の優れたPTCサーミスタが得られる。
第３図にはO2ガス中、および空気中のみを図
示したが、空気とO2ガスの混合雰囲気下におい
てもほぼ同様の特性が得られる。また、ここでは
キユーリー点120℃のPTCサーミスタ素子につい
て行なつたがキユーリー点の異なるPTCサーミ
スタ素子においても同様の結果が得られる。
示したが、空気とO2ガスの混合雰囲気下におい
てもほぼ同様の特性が得られる。また、ここでは
キユーリー点120℃のPTCサーミスタ素子につい
て行なつたがキユーリー点の異なるPTCサーミ
スタ素子においても同様の結果が得られる。
第４図は軟化点536℃のガラスを用い、O2ガス
中、および空気中においてキユーリー点120℃の
PTCサーミスタ素子のガラス溶着封入を行つた
PTCサーミスタの抵抗・温度特性図である。
中、および空気中においてキユーリー点120℃の
PTCサーミスタ素子のガラス溶着封入を行つた
PTCサーミスタの抵抗・温度特性図である。
図からわかるように封着前の特性とほぼ同様の
抵抗変化の大きい特性をもつPTCサーミスタが
得られることがわかる。
抵抗変化の大きい特性をもつPTCサーミスタが
得られることがわかる。
第４図にはO2ガス中、および空気中での製造
の場合のみを図示したが、空気とO2ガスの混合
雰囲下においてもほぼ同様の特性が得られる。ま
た、ここではキユーリー点120℃のPTCサーミス
タ素子について行なつたが、キユーリー点の異な
るPTCサーミスタ素子においても同様の結果が
得られる。
の場合のみを図示したが、空気とO2ガスの混合
雰囲下においてもほぼ同様の特性が得られる。ま
た、ここではキユーリー点120℃のPTCサーミス
タ素子について行なつたが、キユーリー点の異な
るPTCサーミスタ素子においても同様の結果が
得られる。
なお、ここでは溶着封止用ヒータとしてカーボ
ンヒータ治具を用いたが、他のヒータ治具、例え
ばメタルヒータ治具を用いても同様の結果が得ら
れる。
ンヒータ治具を用いたが、他のヒータ治具、例え
ばメタルヒータ治具を用いても同様の結果が得ら
れる。
以上、述べたように正の抵抗温度特性を有する
半導体磁器を使つてガラス封入型PTCサーミス
タを製造する場合、軟化点560℃以下の低融点ガ
ラスを用いることによつて、また、そのガラス溶
着を空気中又はO2ガス中若くは空気とO2ガスの
混合雰囲気下で行うことによつて優れた特性を有
するPTCサーミスタを安価に製造することがで
きるもので、本発明は工学的価値が高いものであ
る。
半導体磁器を使つてガラス封入型PTCサーミス
タを製造する場合、軟化点560℃以下の低融点ガ
ラスを用いることによつて、また、そのガラス溶
着を空気中又はO2ガス中若くは空気とO2ガスの
混合雰囲気下で行うことによつて優れた特性を有
するPTCサーミスタを安価に製造することがで
きるもので、本発明は工学的価値が高いものであ
る。
第１図は本発明実施例の製造工程を示す図、第
２図〜第４図は夫々製造条件の異なる各製品の温
度−比抵抗特性図である。 １……PTCサーミスタ素子、２……銀電極、
３……ジユメツト線、４……ガラス管。
２図〜第４図は夫々製造条件の異なる各製品の温
度−比抵抗特性図である。 １……PTCサーミスタ素子、２……銀電極、
３……ジユメツト線、４……ガラス管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を軟化
点560℃以下の低融点ガラスを用いてガラス溶着
封入することを特徴とするPTCサーミスタの製
造法。 ２ 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を空
気、O2ガスの一種又はその混合雰囲気下（ただ
し、空気は容量百分率で０％以上100％以下）に
おいて軟化点560℃以下の低融点ガラスを用いて
ガラス溶着封入することを特徴とするPTCサー
ミスタの製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104483A JPS59229803A (ja) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Ｐｔｃ サ−ミスタの製造法 |
| KR1019840002770A KR900005267B1 (ko) | 1983-06-11 | 1984-05-21 | Ptc 더어미스터의 제조법 |
| DE8484303796T DE3473801D1 (en) | 1983-06-11 | 1984-06-05 | Process for the production of ptc thermistors |
| EP84303796A EP0129997B1 (en) | 1983-06-11 | 1984-06-05 | Process for the production of ptc thermistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58104483A JPS59229803A (ja) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Ｐｔｃ サ−ミスタの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229803A JPS59229803A (ja) | 1984-12-24 |
| JPH0145962B2 true JPH0145962B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14381803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58104483A Granted JPS59229803A (ja) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Ｐｔｃ サ−ミスタの製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0129997B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59229803A (ja) |
| KR (1) | KR900005267B1 (ja) |
| DE (1) | DE3473801D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190302U (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-03 | ||
| EP0443618B1 (en) * | 1990-02-22 | 1995-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing a PTC thermistor |
| JPH1055903A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Mitsubishi Materials Corp | 電子部品の構造 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL287531A (ja) * | 1962-08-11 | |||
| US3377561A (en) * | 1965-07-13 | 1968-04-09 | Bell Telephone Labor Inc | Positive temperature coefficient titanate thermistor |
| LU69220A1 (ja) * | 1973-06-18 | 1974-04-08 | ||
| US4276536A (en) * | 1979-09-04 | 1981-06-30 | Scully Electronic Systems, Inc. | Self-heating thermistor probe for low temperature applications |
-
1983
- 1983-06-11 JP JP58104483A patent/JPS59229803A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-21 KR KR1019840002770A patent/KR900005267B1/ko not_active Expired
- 1984-06-05 DE DE8484303796T patent/DE3473801D1/de not_active Expired
- 1984-06-05 EP EP84303796A patent/EP0129997B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3473801D1 (en) | 1988-10-06 |
| KR900005267B1 (ko) | 1990-07-21 |
| EP0129997B1 (en) | 1988-08-31 |
| EP0129997A1 (en) | 1985-01-02 |
| KR850000811A (ko) | 1985-03-09 |
| JPS59229803A (ja) | 1984-12-24 |
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