JPH0146145B2 - - Google Patents
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- JPH0146145B2 JPH0146145B2 JP54065516A JP6551679A JPH0146145B2 JP H0146145 B2 JPH0146145 B2 JP H0146145B2 JP 54065516 A JP54065516 A JP 54065516A JP 6551679 A JP6551679 A JP 6551679A JP H0146145 B2 JPH0146145 B2 JP H0146145B2
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- magnetic field
- pulse
- error signal
- magnetic
- component
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F7/00—Regulating magnetic variables
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/24—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance for measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/387—Compensation of inhomogeneities
- G01R33/3875—Compensation of inhomogeneities using correction coil assemblies, e.g. active shimming
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/389—Field stabilisation, e.g. by field measurements and control means or indirectly by current stabilisation
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気回転共鳴により、特に核磁気共鳴
（NMR）技術によつて被検査体の選択された領
域内におけるある量の分布についての映像を与え
る装置に関する。このような技術は異なる種類の
被検査体を検査するために用いられうるが、医学
的目的のために患者を検査するために適用して特
に好適である。
（NMR）技術によつて被検査体の選択された領
域内におけるある量の分布についての映像を与え
る装置に関する。このような技術は異なる種類の
被検査体を検査するために用いられうるが、医学
的目的のために患者を検査するために適用して特
に好適である。
核磁気共鳴は特に分光分析により物質を分析す
る場合につき知られている。最近、患者の横断面
方向の仮想輪切り部分（以下スライスと呼ぶ）ま
たは容積内の水分含有量または緩和時間定数の分
布を与えるためにこのような技術を医学的検査に
適用することが提案されている。そのようにして
得られる分布は、コンピユータ・トモグラフイ装
置によつて与えられるＸ線減衰の分布と似ている
が、その意味するところは異なるものである。
る場合につき知られている。最近、患者の横断面
方向の仮想輪切り部分（以下スライスと呼ぶ）ま
たは容積内の水分含有量または緩和時間定数の分
布を与えるためにこのような技術を医学的検査に
適用することが提案されている。そのようにして
得られる分布は、コンピユータ・トモグラフイ装
置によつて与えられるＸ線減衰の分布と似ている
が、その意味するところは異なるものである。
実用的な核磁気共鳴（以下においてはNMRと
称する）装置は被検査体にコイル装置を介して磁
界の適当な組合せを印加し、かつ誘起電流を１ま
たはそれ以上の検知器コイル装置で検知すること
によつて動作する。正確かつ迅速な検査するのに
適したパルス状磁界のシーケンスが案出されてい
るが、そのシーケンスの満足な動作は、所望の条
件に厳密に適合する磁界を与えることに依存す
る。
称する）装置は被検査体にコイル装置を介して磁
界の適当な組合せを印加し、かつ誘起電流を１ま
たはそれ以上の検知器コイル装置で検知すること
によつて動作する。正確かつ迅速な検査するのに
適したパルス状磁界のシーケンスが案出されてい
るが、そのシーケンスの満足な動作は、所望の条
件に厳密に適合する磁界を与えることに依存す
る。
本発明は適切な精度をもつて重要な磁界成分を
与えることを目的とするものである。
与えることを目的とするものである。
本発明の１つの局面によれば、磁気回転共鳴、
特に核磁気共鳴によつて被検査体の少なくとも１
つの仮想輪切り部分を検査する装置であつて、前
記仮想輪切り部分内に優先的に共鳴を生ぜしめる
べく磁界を印加する手段と、前記共鳴に位相分散
を生ぜしめるべく前記少なくとも１つの仮想輪切
り部分を横切つて傾斜を有するパルス状磁界を印
加する手段と、前記傾斜磁界が印加されているあ
いだに誘起された共鳴信号を感知する手段とを具
備しており、前記傾斜磁界は直交関係にある傾斜
を有する２つの成分磁界の割合を変化することに
よつて異なる時間において前記仮想輪切り部分内
において異なる方向に傾斜を有せしめられ、さら
に前記仮想輪切り部分の平面内における複数の位
置において前記磁界を感知する手段と、２つの直
交する方向で測定された磁界と所望の方向におけ
る所望の大きさを有する傾斜磁界を与えるために
必要とされる磁界との差を表わす誤差信号を前記
磁界から派生する手段と、前記成分磁界をそれら
の所要値に調節するために誤差信号を用いる手段
とを具備している磁気回転共鳴による検査装置が
提供される。
特に核磁気共鳴によつて被検査体の少なくとも１
つの仮想輪切り部分を検査する装置であつて、前
記仮想輪切り部分内に優先的に共鳴を生ぜしめる
べく磁界を印加する手段と、前記共鳴に位相分散
を生ぜしめるべく前記少なくとも１つの仮想輪切
り部分を横切つて傾斜を有するパルス状磁界を印
加する手段と、前記傾斜磁界が印加されているあ
いだに誘起された共鳴信号を感知する手段とを具
備しており、前記傾斜磁界は直交関係にある傾斜
を有する２つの成分磁界の割合を変化することに
よつて異なる時間において前記仮想輪切り部分内
において異なる方向に傾斜を有せしめられ、さら
に前記仮想輪切り部分の平面内における複数の位
置において前記磁界を感知する手段と、２つの直
交する方向で測定された磁界と所望の方向におけ
る所望の大きさを有する傾斜磁界を与えるために
必要とされる磁界との差を表わす誤差信号を前記
磁界から派生する手段と、前記成分磁界をそれら
の所要値に調節するために誤差信号を用いる手段
とを具備している磁気回転共鳴による検査装置が
提供される。
以下図面を参照して本発明の実施例につき説明
しよう。
しよう。
生物学的組織のサンプルを検査する場合には、
NMRは主としてその組織内の水分子の陽子（水
素核）に関係する。しかしながら、原理的には、
例えばジユーテリウム、トリチウム、フツ素ある
いはリンの核のような他の核も分析されうる。
NMRは主としてその組織内の水分子の陽子（水
素核）に関係する。しかしながら、原理的には、
例えばジユーテリウム、トリチウム、フツ素ある
いはリンの核のような他の核も分析されうる。
これらの核はそれぞれ核磁気モーメントと磁軸
のまわりにおける角運動量（スピン）とを有して
いる。サンプルに定常磁界が印加されると、核は
それら自体でその磁界に整列するが、その場合、
それらの核のうちの多くはその磁界に対して平行
となり、あるものは非平行となり、従つてその結
果得られるスピンベクトルは磁軸に対して平行と
なる。この検査工程のためには、定常磁界はＺ軸
として示される軸線に整列される。従つて、上記
磁界はHz0として示され、Ｚ軸に整列されるすべ
ての磁界がHzとして示される。
のまわりにおける角運動量（スピン）とを有して
いる。サンプルに定常磁界が印加されると、核は
それら自体でその磁界に整列するが、その場合、
それらの核のうちの多くはその磁界に対して平行
となり、あるものは非平行となり、従つてその結
果得られるスピンベクトルは磁軸に対して平行と
なる。この検査工程のためには、定常磁界はＺ軸
として示される軸線に整列される。従つて、上記
磁界はHz0として示され、Ｚ軸に整列されるすべ
ての磁界がHzとして示される。
核は定常磁界即ちHz0の局部値によつて決定さ
れる特性周波数（ラーマー周波数として知られて
いる）を有している。Hz0に垂直な平面内にラー
マー周波数を有するR.F.磁界である付加的な磁界
H1を印加すると、それによつてその周波数での
共鳴が生ぜしめられ、エネルギーがサンプル内で
吸収される。その結果生じたサンプル内における
核のスピンベクトルが磁界軸（Ｚ軸）からそれに
対して直交関係にある平面ｘ，ｙの方へと回動す
る。R.F.磁界は一般にパルスとして印加されるが
そのパルスに対する∫H1dtが上述のごとくして得
られたスピンベクトルを90゜だけ回転せしめて上
記ｘ，ｙ平面内に入れ込むのに十分である場合に
は、そのパルスは90゜パルスと呼ばれる。
れる特性周波数（ラーマー周波数として知られて
いる）を有している。Hz0に垂直な平面内にラー
マー周波数を有するR.F.磁界である付加的な磁界
H1を印加すると、それによつてその周波数での
共鳴が生ぜしめられ、エネルギーがサンプル内で
吸収される。その結果生じたサンプル内における
核のスピンベクトルが磁界軸（Ｚ軸）からそれに
対して直交関係にある平面ｘ，ｙの方へと回動す
る。R.F.磁界は一般にパルスとして印加されるが
そのパルスに対する∫H1dtが上述のごとくして得
られたスピンベクトルを90゜だけ回転せしめて上
記ｘ，ｙ平面内に入れ込むのに十分である場合に
は、そのパルスは90゜パルスと呼ばれる。
H1磁界が除去されると、時定数T1即ちスピン
格子緩和時間をもつて平衡した整列が確立され
る。さらに、吸収されたエネルギーがある割合だ
け、適当なコイルによつて検出されうる共鳴周波
数を有する信号として再度放出される。この自由
共鳴信号は時定数T2をもつて減衰し、その放出
されるエネルギーがサンプルの水分含有量の測定
値（陽子に対する）である。
格子緩和時間をもつて平衡した整列が確立され
る。さらに、吸収されたエネルギーがある割合だ
け、適当なコイルによつて検出されうる共鳴周波
数を有する信号として再度放出される。この自由
共鳴信号は時定数T2をもつて減衰し、その放出
されるエネルギーがサンプルの水分含有量の測定
値（陽子に対する）である。
上述のごとく、検出された共鳴信号はサンプル
全体に関係する。もし個々の共鳴信号が患者のか
らだのスライスまたは容積内の要素サンプルにつ
き決定されうるならば、陽子密度従つて水分含有
量の分布がそのスライスまたは容積につき決定さ
れうる。さらに加えてあるいは代替的に、T1ま
たはT2の分布を決定することができる。
全体に関係する。もし個々の共鳴信号が患者のか
らだのスライスまたは容積内の要素サンプルにつ
き決定されうるならば、陽子密度従つて水分含有
量の分布がそのスライスまたは容積につき決定さ
れうる。さらに加えてあるいは代替的に、T1ま
たはT2の分布を決定することができる。
一般に、被検査体のスライス内における陽子密
度をNMRによつて分析する際の原理については
詳細に論義されている。公知の原理についての展
望が雑誌「コンテンポラリ・フイジツクス」
（Contemp.Phys.）17(b)、1976年第553〜576頁に
おいてピー・マンスフイールド（P.Mansfield）
においてなされている。従つて、本明細書におい
ては、それらの原理の詳細についての説明は本発
明の改良された装置についての理解に必要な程度
にとどめる。
度をNMRによつて分析する際の原理については
詳細に論義されている。公知の原理についての展
望が雑誌「コンテンポラリ・フイジツクス」
（Contemp.Phys.）17(b)、1976年第553〜576頁に
おいてピー・マンスフイールド（P.Mansfield）
においてなされている。従つて、本明細書におい
ては、それらの原理の詳細についての説明は本発
明の改良された装置についての理解に必要な程度
にとどめる。
本明細書において説明される実施例では、特に
患者のからだの横断面方向におけるスライスにつ
いて検査が行なわれているが、少なくとも複数の
隣接したスライスを検査することによりあるいは
体積走査を行なうことによつてより大きい容積に
ついての検査が可能である。
患者のからだの横断面方向におけるスライスにつ
いて検査が行なわれているが、少なくとも複数の
隣接したスライスを検査することによりあるいは
体積走査を行なうことによつてより大きい容積に
ついての検査が可能である。
まず第一の工程として、共鳴ができるだけ選択
されたスライス内においてのみ（選択された周波
数でもつて）生ずるようにする。共鳴周波数（ラ
ーマー周波数）は定常磁界の値に関係づけられて
いるから、患者の異なるスライス内において局部
磁界が異なる大きさを有するようにHz0に対して
傾斜磁界を加えることによつてスライス選択が実
現される。患者に対して通常長手方向に定常かつ
均一なHz0磁界が前述のごとくして印加される。
附加的な傾斜磁界GZも印加される。（GZ＝∂H／∂Z）。
されたスライス内においてのみ（選択された周波
数でもつて）生ずるようにする。共鳴周波数（ラ
ーマー周波数）は定常磁界の値に関係づけられて
いるから、患者の異なるスライス内において局部
磁界が異なる大きさを有するようにHz0に対して
傾斜磁界を加えることによつてスライス選択が実
現される。患者に対して通常長手方向に定常かつ
均一なHz0磁界が前述のごとくして印加される。
附加的な傾斜磁界GZも印加される。（GZ＝∂H／∂Z）。
パルス状のH1磁界が適当な周波数をもつて印加
されれば、Hz0とGZの局部値によつて設定される
共鳴周波数がH1の周波数に等しくなるスライス
においてのみ共鳴が生ずる。H1パルスが90゜パル
スであれば、それが実質的に共鳴スライスに対し
てのみスピンベクトルをｘ，ｙ平面内に持ち来た
す。磁界の値はH1パルスのあいだにおいてだけ
大きいから、H1が印加される時にのみGZは印加
されればよく、実際にはGZもパルス状となされ
る。従つて、その後、H1およびG1磁界は除去さ
れる。しかしながら、ｘ，ｙ平面内にあるスピン
ベクトルの共鳴周波数を変化することも依然とし
て可能である。これはHz0に対して平行な他の傾
斜磁界GR（GR＝∂H／∂R）を印加することによつて実 現される。しかしながら、GRの強度はスライス
の一端における最大値から中心におけるゼロを通
つて反対側の表面における逆方向の最大値まで変
化される。GR磁界が第１図に示されており、こ
の図において矢印は四角形１上の点における大き
さだけを示している。勿論、図示された大きさを
通りかつそれらの間にある円滑な変化も存在する
であろう。それらの磁界も患者２に関して第２図
に側立面図で概略的に示されている。それに対応
して、共鳴周波数はスライスを横切つて一側から
他側へと円滑に変化するであろう。
されれば、Hz0とGZの局部値によつて設定される
共鳴周波数がH1の周波数に等しくなるスライス
においてのみ共鳴が生ずる。H1パルスが90゜パル
スであれば、それが実質的に共鳴スライスに対し
てのみスピンベクトルをｘ，ｙ平面内に持ち来た
す。磁界の値はH1パルスのあいだにおいてだけ
大きいから、H1が印加される時にのみGZは印加
されればよく、実際にはGZもパルス状となされ
る。従つて、その後、H1およびG1磁界は除去さ
れる。しかしながら、ｘ，ｙ平面内にあるスピン
ベクトルの共鳴周波数を変化することも依然とし
て可能である。これはHz0に対して平行な他の傾
斜磁界GR（GR＝∂H／∂R）を印加することによつて実 現される。しかしながら、GRの強度はスライス
の一端における最大値から中心におけるゼロを通
つて反対側の表面における逆方向の最大値まで変
化される。GR磁界が第１図に示されており、こ
の図において矢印は四角形１上の点における大き
さだけを示している。勿論、図示された大きさを
通りかつそれらの間にある円滑な変化も存在する
であろう。それらの磁界も患者２に関して第２図
に側立面図で概略的に示されている。それに対応
して、共鳴周波数はスライスを横切つて一側から
他側へと円滑に変化するであろう。
前述のように、今生じた信号は共鳴周波数を有
している。従つて、スライスから受取られる信号
もそのスライスを横切つて同じ態様で変化する周
波数を有しているであろう。その場合、各周波数
における振幅がGRのゼロ平面に対して平行な対
応するストリツプにおける陽子密度を表わす。各
ストリツプに対する振幅はスライスを横切つて生
ずる範囲にわたつて検知周波数を変化させること
によつて得られる。しかしながら、すべての周波
数における全信号が測定されることが好ましい。
次に周波数スペクトルを与えるためにその信号が
公知の技法によつてフーリエ解析される。各スト
リツプに該当する周波数は用いられた磁界値から
知られかつ各周波数に対する振幅がそのスペクト
ラムによつて与えられる。
している。従つて、スライスから受取られる信号
もそのスライスを横切つて同じ態様で変化する周
波数を有しているであろう。その場合、各周波数
における振幅がGRのゼロ平面に対して平行な対
応するストリツプにおける陽子密度を表わす。各
ストリツプに対する振幅はスライスを横切つて生
ずる範囲にわたつて検知周波数を変化させること
によつて得られる。しかしながら、すべての周波
数における全信号が測定されることが好ましい。
次に周波数スペクトルを与えるためにその信号が
公知の技法によつてフーリエ解析される。各スト
リツプに該当する周波数は用いられた磁界値から
知られかつ各周波数に対する振幅がそのスペクト
ラムによつて与えられる。
前述のように、第１図に示された傾斜磁界GR
の場合には、上記周波数スペクトラムから得られ
た個々の信号は、周波数の増分につき、GRのゼ
ロ平面に平行な増分ストリツプに対応する。これ
らの信号はコンピユータ・トモグラフイにおける
Ｘ線ビームについて派生されかつ分析されたエツ
ジ値と性質上類似したものである。Ｘ線エツジ値
は被検査スライスにおける複数の異なる配向をな
した複数の組について得られ、然る後、特願昭44
−66087号および特願昭49−47032号に記載されて
いるもののような適当な方法によつて処理され
る。
の場合には、上記周波数スペクトラムから得られ
た個々の信号は、周波数の増分につき、GRのゼ
ロ平面に平行な増分ストリツプに対応する。これ
らの信号はコンピユータ・トモグラフイにおける
Ｘ線ビームについて派生されかつ分析されたエツ
ジ値と性質上類似したものである。Ｘ線エツジ値
は被検査スライスにおける複数の異なる配向をな
した複数の組について得られ、然る後、特願昭44
−66087号および特願昭49−47032号に記載されて
いるもののような適当な方法によつて処理され
る。
ｘ，ｙ平面に対するGRのゼロ平面の配向を変
化することにより、被検査スライスにおける対応
する他の方向を有する平行な組の他の複数の組に
おける線に沿つた陽子密度を表わす他の組の信号
が得られうることは明らかであろう。従つて、こ
の工程は、複数の組のＸ線ビームに対して用いら
れるのと同様の方法によつて処理するのに十分な
組の「エツジ値」が得られるまで反復される。実
際には、GR磁界は、Hz0に対して双方とも平行で
あるが直交する方向における傾斜を有する２つの
傾斜磁界GxおよびGyの合成によつて与えられる。
従つて、その結果得られたGRの傾斜の方向はGx
およびGyの相対的な大きさによつて設定される。
以下の説明においてはしばしばGR磁界パルスの
形成について言及されるが、その場合、Gxおよ
びGy傾斜磁界が個々に論述されていなくても、
そのGR磁界パルスはGxおびGy磁界パルスを合成
して得られたものであることが想起されなければ
ならない。
化することにより、被検査スライスにおける対応
する他の方向を有する平行な組の他の複数の組に
おける線に沿つた陽子密度を表わす他の組の信号
が得られうることは明らかであろう。従つて、こ
の工程は、複数の組のＸ線ビームに対して用いら
れるのと同様の方法によつて処理するのに十分な
組の「エツジ値」が得られるまで反復される。実
際には、GR磁界は、Hz0に対して双方とも平行で
あるが直交する方向における傾斜を有する２つの
傾斜磁界GxおよびGyの合成によつて与えられる。
従つて、その結果得られたGRの傾斜の方向はGx
およびGyの相対的な大きさによつて設定される。
以下の説明においてはしばしばGR磁界パルスの
形成について言及されるが、その場合、Gxおよ
びGy傾斜磁界が個々に論述されていなくても、
そのGR磁界パルスはGxおびGy磁界パルスを合成
して得られたものであることが想起されなければ
ならない。
GR傾斜の１つの方向に対する完全な検査は、
第３Ａ図に示された磁界パルスのシーケンスを、
適当なコイルを通じて、印加することによつて実
現される。第３Ｂ図は各パルスがスピンベクトル
に及ぼす作用を示している。H1磁界はＺ軸を中
心とする回転磁界であることがわかるであろう。
それに対応して、スピンベクトルはＺ軸を中心と
して歳差運動を行なう。説明を簡明にするため
に、スピンベクトルは第３Ｂ図においてH1と一
緒に回転する座標系で示されている。
第３Ａ図に示された磁界パルスのシーケンスを、
適当なコイルを通じて、印加することによつて実
現される。第３Ｂ図は各パルスがスピンベクトル
に及ぼす作用を示している。H1磁界はＺ軸を中
心とする回転磁界であることがわかるであろう。
それに対応して、スピンベクトルはＺ軸を中心と
して歳差運動を行なう。説明を簡明にするため
に、スピンベクトルは第３Ｂ図においてH1と一
緒に回転する座標系で示されている。
第３Ａ図および第３Ｂ図においては、パルスサ
イクルは６つの位相AB〜FGと、破線で示され
た回復期間とよりなつている。Hz0磁界はそのサ
イクル全体にわたつて連続的に存在している。
イクルは６つの位相AB〜FGと、破線で示され
た回復期間とよりなつている。Hz0磁界はそのサ
イクル全体にわたつて連続的に存在している。
最初のパルスに先立つて、即ち回復期間の後
に、先行サイクルが実施されていれば、平均スピ
ンモーメントはＺ軸に対して実質的に整列される
Ａ。
に、先行サイクルが実施されていれば、平均スピ
ンモーメントはＺ軸に対して実質的に整列される
Ａ。
同時に印加された傾斜磁界HzパルスとH1パル
スはそれぞれAB、スライスを選択しかつ上述の
ごとくして得られたスピンモーメントをｘ，ｙ平
面内に持ち来たす（その場合、勿論、それらのス
ピンモーメントはＺ軸のまわりで依然として歳差
運動をしている）。選択されたスライス全体にわ
たつて共鳴周波数は同じであるが、磁界傾斜をな
して励起が生じたことにより、位相分散が導入さ
れる。かくして、スピンモーメントはＢで示され
ているが、それは満足しうるものよりもはるかに
大きい限界の間に分散されてはいる。Ｌで示され
ているそれらの限界は単にその分散の性質を示し
ているにすぎない。この位相分散は、負の磁界傾
斜パルス即ちGZに対して正しい相対振幅を有し
ているが180゜変位された（実際には、その振幅は
GZの約57％である）パルスを印加することによ
つて反転されうることが認められた。従つて、こ
のパルスBCはxy平面におけるスピンモーメント
をＣで示されているような位相に持ち来たすため
に印加される。H1磁界は継続されて負の傾斜パ
ルスG′Zとなされる必要はないが、スピンモーメ
ントをｘ，ｙ平面内に確実に入れ込むようにする
ために必要に応じてそのパルスのあいだ継続され
うる。
スはそれぞれAB、スライスを選択しかつ上述の
ごとくして得られたスピンモーメントをｘ，ｙ平
面内に持ち来たす（その場合、勿論、それらのス
ピンモーメントはＺ軸のまわりで依然として歳差
運動をしている）。選択されたスライス全体にわ
たつて共鳴周波数は同じであるが、磁界傾斜をな
して励起が生じたことにより、位相分散が導入さ
れる。かくして、スピンモーメントはＢで示され
ているが、それは満足しうるものよりもはるかに
大きい限界の間に分散されてはいる。Ｌで示され
ているそれらの限界は単にその分散の性質を示し
ているにすぎない。この位相分散は、負の磁界傾
斜パルス即ちGZに対して正しい相対振幅を有し
ているが180゜変位された（実際には、その振幅は
GZの約57％である）パルスを印加することによ
つて反転されうることが認められた。従つて、こ
のパルスBCはxy平面におけるスピンモーメント
をＣで示されているような位相に持ち来たすため
に印加される。H1磁界は継続されて負の傾斜パ
ルスG′Zとなされる必要はないが、スピンモーメ
ントをｘ，ｙ平面内に確実に入れ込むようにする
ために必要に応じてそのパルスのあいだ継続され
うる。
その時点において、スライス全体についての陽
子密度を与えるために信号が感知されうる。しか
しながら、このシーケンスにおいては、その信号
は、前述のごとくスライス内における選択された
方向ｒの周波数分散を与える。GRパルスCDの存
在のもとで感知される。新しい周波数に対する変
化はGRパルスの印加とほとんど同時的でありか
つそのパルス全体にわたつて比例的に維持され
る。前述のごとく、スライスの複数の隣接平行ス
トリツプについての陽子密度を与えるために信号
が感知されかつ周波数が分析される。GRパルス
の後で、ある程度の緩和にかかわらず依然として
ほとんどｘ，ｙ平面内にあるスピンモーメントは
Ｄで示されているような相当な位相分散を有して
いる（これは単に図示の運宜上のものであり、実
際の分散はnπラジアン（ただしｎは100以上）で
ある）。その段階において、前述のような他のサ
イクルが必要とされる場合には、スピン・格子緩
和がスピンモーメントをＺ軸に対して再整列せし
めるまで待つ必要がある。そのためには５秒もの
時間を要するが、その時間は数百サイクルまたは
数千サイクルに相対するから非常に長すぎる。
子密度を与えるために信号が感知されうる。しか
しながら、このシーケンスにおいては、その信号
は、前述のごとくスライス内における選択された
方向ｒの周波数分散を与える。GRパルスCDの存
在のもとで感知される。新しい周波数に対する変
化はGRパルスの印加とほとんど同時的でありか
つそのパルス全体にわたつて比例的に維持され
る。前述のごとく、スライスの複数の隣接平行ス
トリツプについての陽子密度を与えるために信号
が感知されかつ周波数が分析される。GRパルス
の後で、ある程度の緩和にかかわらず依然として
ほとんどｘ，ｙ平面内にあるスピンモーメントは
Ｄで示されているような相当な位相分散を有して
いる（これは単に図示の運宜上のものであり、実
際の分散はnπラジアン（ただしｎは100以上）で
ある）。その段階において、前述のような他のサ
イクルが必要とされる場合には、スピン・格子緩
和がスピンモーメントをＺ軸に対して再整列せし
めるまで待つ必要がある。そのためには５秒もの
時間を要するが、その時間は数百サイクルまたは
数千サイクルに相対するから非常に長すぎる。
パルスシーケンスを逆順序および逆方向に反復
することによつてスピンモーメントを開始位置Ａ
に実質的に復帰せしめることが提案されている。
−GRはそれの符号を除けばGRと同じであるから、
そのあいだに他の信号が検知されうる。これらは
順方向パルスに対するのと同じｒ方向に対するも
のであつて、信号のノイズ比を改善することを助
長する。
することによつてスピンモーメントを開始位置Ａ
に実質的に復帰せしめることが提案されている。
−GRはそれの符号を除けばGRと同じであるから、
そのあいだに他の信号が検知されうる。これらは
順方向パルスに対するのと同じｒ方向に対するも
のであつて、信号のノイズ比を改善することを助
長する。
逆方向パルスシーケンスの後でも、スピンモー
メントは、スピン・スピン結合により惹起される
位相分散に基因してＺ軸からのある程度の偏差を
呈する。これはこのパルスシーケンスによつては
勿論のこと他のいかなるパルスシーケンスによつ
ても反転され得ないと考えられる。従つて期間
GAは、位相分散の効果を除去しかつ順方向のパ
ルスと逆方向のパルスとの間における非整合の効
果を軽減する熱的平衡に対するある程度の緩和
（時定数T1）を許容する。緩和期間GAは依然と
して必要であるが、反転されたパルスシーケンス
Ｄ〜Ｇを用いることによりその期間が大幅に短縮
されたし、また他のｒ方向についての全体のシー
ケンスをさらに迅速に反復することが可能とな
る。信号測定期間CEの長さはHz0磁界の不均質性
によつて惹起された位相分散およびスピン・スピ
ン結合によつて惹起された分散により決定され
る。Hz0磁界の不均質性の効果が期間CEを過剰に
短縮するものと考えられる場合には、パルスFG
は90゜パルスではなくて180゜r.f.パルスでありうる。
スピンモーメントを180゜だけ回転させれば、それ
によつて公知の形態のいわゆる「スピン・エコ
ー」が発生され、かつCDおよびDEに類似した
GRパルスが他の信号測定期間を与えるように反
復される。このスピン・エコー手法は磁界の不均
一性に基因する分散を反転させるものとして知ら
れており、かつそれは、十分な信号が得られるま
であるいは反転されることのできないスピン・ス
ピン分散が過剰となるまで数回反復されうる。第
３Ａ図のシーケンスにおけるごとく、スピン・エ
コー・シーケンスはパルスEF，FGおよび回復期
間GAをともなつて終了しなければならない。
メントは、スピン・スピン結合により惹起される
位相分散に基因してＺ軸からのある程度の偏差を
呈する。これはこのパルスシーケンスによつては
勿論のこと他のいかなるパルスシーケンスによつ
ても反転され得ないと考えられる。従つて期間
GAは、位相分散の効果を除去しかつ順方向のパ
ルスと逆方向のパルスとの間における非整合の効
果を軽減する熱的平衡に対するある程度の緩和
（時定数T1）を許容する。緩和期間GAは依然と
して必要であるが、反転されたパルスシーケンス
Ｄ〜Ｇを用いることによりその期間が大幅に短縮
されたし、また他のｒ方向についての全体のシー
ケンスをさらに迅速に反復することが可能とな
る。信号測定期間CEの長さはHz0磁界の不均質性
によつて惹起された位相分散およびスピン・スピ
ン結合によつて惹起された分散により決定され
る。Hz0磁界の不均質性の効果が期間CEを過剰に
短縮するものと考えられる場合には、パルスFG
は90゜パルスではなくて180゜r.f.パルスでありうる。
スピンモーメントを180゜だけ回転させれば、それ
によつて公知の形態のいわゆる「スピン・エコ
ー」が発生され、かつCDおよびDEに類似した
GRパルスが他の信号測定期間を与えるように反
復される。このスピン・エコー手法は磁界の不均
一性に基因する分散を反転させるものとして知ら
れており、かつそれは、十分な信号が得られるま
であるいは反転されることのできないスピン・ス
ピン分散が過剰となるまで数回反復されうる。第
３Ａ図のシーケンスにおけるごとく、スピン・エ
コー・シーケンスはパルスEF，FGおよび回復期
間GAをともなつて終了しなければならない。
最大感度を得るためには、期間GAと期間AG
との比はほぼT1とT2との比であることが好まし
い。典型的には、全体の期間AGAは40msecであ
り、その場合、AGは約5.5msec，ABは300μsec，
CDは2msecである。H1パルスは通常0.6エルステ
ツドであり、かつHz0が1000エルステツドの場合
には4.26MHzの周波数を有する。他のすべてのパ
ルスは包絡線周波数を有し、GZは通常＋30エル
ステツド〜−30エルステツドであり、GRは15エ
ルステツド〜−15エルステツドである。
との比はほぼT1とT2との比であることが好まし
い。典型的には、全体の期間AGAは40msecであ
り、その場合、AGは約5.5msec，ABは300μsec，
CDは2msecである。H1パルスは通常0.6エルステ
ツドであり、かつHz0が1000エルステツドの場合
には4.26MHzの周波数を有する。他のすべてのパ
ルスは包絡線周波数を有し、GZは通常＋30エル
ステツド〜−30エルステツドであり、GRは15エ
ルステツド〜−15エルステツドである。
好ましい実施例においては、G′ZはGZよりも小
さく、通常次のごとく与えられる。
さく、通常次のごとく与えられる。
∫G′Zdt＝0.55∫GZdt〜0.6∫GZdt
第４ａ図および第４ｂ図はHz0磁界を与えるた
めの実際的なコイル装置をそれぞれ端面図および
側面図で示している。第４ａ図はまたGR磁界を
製造するためのコイルを示しているとともに、概
略的な寸法を示すために、患者２をも横断面で示
している。患者２は管状のGRコイル３，４に挿
通されてそこに適当な寝台または他の支持手段に
よつて支持される。このような支持体は任意適当
な形態のものとして容易に設けられうる。
めの実際的なコイル装置をそれぞれ端面図および
側面図で示している。第４ａ図はまたGR磁界を
製造するためのコイルを示しているとともに、概
略的な寸法を示すために、患者２をも横断面で示
している。患者２は管状のGRコイル３，４に挿
通されてそこに適当な寝台または他の支持手段に
よつて支持される。このような支持体は任意適当
な形態のものとして容易に設けられうる。
コイル３，４はそれぞれ２対のサドルコイルよ
りなる軸方向に変位された２組のコイルであり、
コイル３はコイル４に対して90゜の角度をなして
いる。これらのコイルはそれら自体Hz0コイル５
の中心孔に挿通されているが、そのHz0コイル５
は、均一な磁界を発生するために望ましいものと
してよく知られているほぼ円形の形状を与えるよ
うに直列に接続された４つの部分をなして巻装さ
れている。
りなる軸方向に変位された２組のコイルであり、
コイル３はコイル４に対して90゜の角度をなして
いる。これらのコイルはそれら自体Hz0コイル５
の中心孔に挿通されているが、そのHz0コイル５
は、均一な磁界を発生するために望ましいものと
してよく知られているほぼ円形の形状を与えるよ
うに直列に接続された４つの部分をなして巻装さ
れている。
第４ｃ図はコイル３，４をさらに詳細に示す一
部破断された斜視図である。Hz0に重畳される傾
斜に対するGZ磁界成分を与える２つの円形コイ
ル７も破断されて示されている。
部破断された斜視図である。Hz0に重畳される傾
斜に対するGZ磁界成分を与える２つの円形コイ
ル７も破断されて示されている。
H1コイルは第５図に斜視図で示されている。
それらのコイルは２個のサドル状コイル６であ
り、それらのコイルは回転H1磁界を与えるよう
に並列に駆動されるとともに、ほぼ同じ周波数を
有する信号を検知するためにも用いられる。
それらのコイルは２個のサドル状コイル６であ
り、それらのコイルは回転H1磁界を与えるよう
に並列に駆動されるとともに、ほぼ同じ周波数を
有する信号を検知するためにも用いられる。
第６図はGZ磁界成分を与える２個の円形コイ
ル７を斜視図で示している。
ル７を斜視図で示している。
所要の磁界を与えるのに適したコイルは当業者
によつて容易に案出されうるから、コイルの巻線
についての詳細な説明は省略する。
によつて容易に案出されうるから、コイルの巻線
についての詳細な説明は省略する。
このコイル装置には１組の磁界測定用プローブ
も含まれており、これらのプローブの目的につい
ては後でさらに詳細に説明するが、それらのプロ
ーブのうち４つはイツトリウム鉄ガーネツト同調
発振器（いわゆるYIG発振器）であり、第５、第
６のものはNMRプローブである。
も含まれており、これらのプローブの目的につい
ては後でさらに詳細に説明するが、それらのプロ
ーブのうち４つはイツトリウム鉄ガーネツト同調
発振器（いわゆるYIG発振器）であり、第５、第
６のものはNMRプローブである。
第７図には前述したようなパルスシーケンスを
制御するための適当なシステムがブロツク図で示
されている。クロツク８はこのシステムを制御す
るためのクロツクパルスを発生するとともに、図
示されている他のユニツトにパルスを供給する。
４個のプロフイール記憶器９x，９y，９zおよび
９HはそれぞれGx，Gy，GzおよびH1パルスのパル
ス形状を記憶し、この場合、それらのパルス形状
は電流振幅のシーケンスとしてデジタル形式で記
憶されるとともに、各振幅には、それらが必要と
する存続期間がこれもデジタル形式でもつてかつ
クロツクパルスの数にもとづいて関連せしめられ
る。
制御するための適当なシステムがブロツク図で示
されている。クロツク８はこのシステムを制御す
るためのクロツクパルスを発生するとともに、図
示されている他のユニツトにパルスを供給する。
４個のプロフイール記憶器９x，９y，９zおよび
９HはそれぞれGx，Gy，GzおよびH1パルスのパル
ス形状を記憶し、この場合、それらのパルス形状
は電流振幅のシーケンスとしてデジタル形式で記
憶されるとともに、各振幅には、それらが必要と
する存続期間がこれもデジタル形式でもつてかつ
クロツクパルスの数にもとづいて関連せしめられ
る。
前記４個のプロフイール記憶器９の動作は、そ
れらのプロフイール記憶器を動作するための指令
のシーケンスとそのシーケンスにおける間隙を含
むこのシーケンスの各段階の動作の存続期間（ク
ロツクパルスの個数）を同様の態様で記憶するシ
ーケンス制御記憶器１０によつて制御される。記
憶器９および１０は都合よくプログラムされうる
読取専用記憶器（PROM）である。
れらのプロフイール記憶器を動作するための指令
のシーケンスとそのシーケンスにおける間隙を含
むこのシーケンスの各段階の動作の存続期間（ク
ロツクパルスの個数）を同様の態様で記憶するシ
ーケンス制御記憶器１０によつて制御される。記
憶器９および１０は都合よくプログラムされうる
読取専用記憶器（PROM）である。
中央（オペレータ）制御装置（第７図には示さ
れていない）によつて指令されると、シーケンス
制御記憶器が、パルスシーケンスについての説明
からわかるようにH1およびGZパルスに対するも
のであるところの第１のパルスプロフイール記憶
器を始動せしめる。該当する記憶器９が振幅信号
と存続期間信号を与え、それらの信号はデジタ
ル・アナログ変換器（DAC）１１でアナログ形
式に変換されそして各コイル駆動回路１２（ｘ）、
１３（ｙ）、１４（H1）および１５（ｚ）に印加
される。これらの各駆動回路は磁界コイルを駆動
するための公知の任意の形態をとりうるものであ
り、特定された存続期間に対する該当コイルに特
定された電流を与える。
れていない）によつて指令されると、シーケンス
制御記憶器が、パルスシーケンスについての説明
からわかるようにH1およびGZパルスに対するも
のであるところの第１のパルスプロフイール記憶
器を始動せしめる。該当する記憶器９が振幅信号
と存続期間信号を与え、それらの信号はデジタ
ル・アナログ変換器（DAC）１１でアナログ形
式に変換されそして各コイル駆動回路１２（ｘ）、
１３（ｙ）、１４（H1）および１５（ｚ）に印加
される。これらの各駆動回路は磁界コイルを駆動
するための公知の任意の形態をとりうるものであ
り、特定された存続期間に対する該当コイルに特
定された電流を与える。
これまで説明してきたNMR装置は患者のから
だのスライスについての所要データを与えるよう
に当業者によつて構成されうるものである。しか
しながら、医学的診断の点で有用な情報を与える
ために十分に正確な結果を得るためには、特に磁
界のような要因が精密に制御されることが望まし
くかつある場合には重要である。例えば、Hz0磁
界は被検査スライスにわたつて106につき約２部
まで均一であることが望ましい。この均一性は用
いられているコイルの品質と、隣接している強磁
性材料とによつて影響されるから、そのような強
磁性材料は最少限に抑えられなければならない。
だのスライスについての所要データを与えるよう
に当業者によつて構成されうるものである。しか
しながら、医学的診断の点で有用な情報を与える
ために十分に正確な結果を得るためには、特に磁
界のような要因が精密に制御されることが望まし
くかつある場合には重要である。例えば、Hz0磁
界は被検査スライスにわたつて106につき約２部
まで均一であることが望ましい。この均一性は用
いられているコイルの品質と、隣接している強磁
性材料とによつて影響されるから、そのような強
磁性材料は最少限に抑えられなければならない。
前述のようにGx（＝GRsinθ）およびGy（＝GR
cosθ）パルスで構成される傾斜磁界も高い精度を
必要とする。GR傾斜ベクトルは可能な限りにお
いて誤差を最小限にして所望の方向を有していな
ければならない。さらに、−GRパルスは先行GRパ
ルスを逆符号で再生するものでなければならな
い。本発明は所要の精度をもつてGRを発生せし
めることに関係するものである。これを実現する
ために、コイル装置内に設けられた磁界感知プロ
ーブに応答して、所望のものとして予め計算され
た磁界に対する被測定磁界の変化に応動しそして
該当する補正を行なうための連続動作型制御装置
を設けることが提案される。
cosθ）パルスで構成される傾斜磁界も高い精度を
必要とする。GR傾斜ベクトルは可能な限りにお
いて誤差を最小限にして所望の方向を有していな
ければならない。さらに、−GRパルスは先行GRパ
ルスを逆符号で再生するものでなければならな
い。本発明は所要の精度をもつてGRを発生せし
めることに関係するものである。これを実現する
ために、コイル装置内に設けられた磁界感知プロ
ーブに応答して、所望のものとして予め計算され
た磁界に対する被測定磁界の変化に応動しそして
該当する補正を行なうための連続動作型制御装置
を設けることが提案される。
この方式は２つの態様で動作せしめられうる。
GRベクトルを所望の状態に維持するためにGx
またはGyパルスのうちの一方が他方に整合され
うる。∫Hdtが大きい方のパルスが小さい方のパ
ルスに対して整合されることが好ましい。あるい
は、双方が標準曲線に整合されてもよい。
またはGyパルスのうちの一方が他方に整合され
うる。∫Hdtが大きい方のパルスが小さい方のパ
ルスに対して整合されることが好ましい。あるい
は、双方が標準曲線に整合されてもよい。
適当なパルスのモデルを用いて、選択された時
間におけるサンプリングにより得られるべき磁界
測定値が計算されうる。実際には、磁界サンプル
が∫Hdtの等しい間隔をもつて離間されるように
サンプリング時間を選択することが好都合であ
る。従つてこれらのサンプルが予想される時間が
制御回路に記憶される。
間におけるサンプリングにより得られるべき磁界
測定値が計算されうる。実際には、磁界サンプル
が∫Hdtの等しい間隔をもつて離間されるように
サンプリング時間を選択することが好都合であ
る。従つてこれらのサンプルが予想される時間が
制御回路に記憶される。
サンプルがこれらの予め定められた時間で取り
出されると、∫Hdtの較正された値と実際にサン
プリングされた∫Hdtの値との間の差が誤差信号
Ｅとなる。あるいは、予め定められた磁界積分に
到達した時点をサンプリングしそしてそのサンプ
リング時間を記録するようにしてもよい。その場
合には、基本誤差信号は、特定のサンプルが予想
された時間とそれが磁界プローブ装置によつて実
際に測定された時間との間の差である。
出されると、∫Hdtの較正された値と実際にサン
プリングされた∫Hdtの値との間の差が誤差信号
Ｅとなる。あるいは、予め定められた磁界積分に
到達した時点をサンプリングしそしてそのサンプ
リング時間を記録するようにしてもよい。その場
合には、基本誤差信号は、特定のサンプルが予想
された時間とそれが磁界プローブ装置によつて実
際に測定された時間との間の差である。
磁界を発生する電流波形は発生された磁界に先
行することを想起すべきである。従つて、既に発
生した誤差の補正は各サイクルの後期においての
み可能となるのである。しかしながら、これらの
誤差は記憶されかつ後のサイクルにおける予備補
正のために用いられうる。
行することを想起すべきである。従つて、既に発
生した誤差の補正は各サイクルの後期においての
み可能となるのである。しかしながら、これらの
誤差は記憶されかつ後のサイクルにおける予備補
正のために用いられうる。
GRパルスそれ自体は装置を設定する者の好み
に応じて異なる形態をとりうる。１つの好ましい
形態においては、それらのパルスは方形傾斜パル
スとなるであろうが、実際には、それは技術上の
理由のために不可能である。しかしながら、本発
明は、選択された時間において磁界積分を計算す
ることにより、実際に与えられうる任意所望のパ
ルス形状でもつて実施されうる。
に応じて異なる形態をとりうる。１つの好ましい
形態においては、それらのパルスは方形傾斜パル
スとなるであろうが、実際には、それは技術上の
理由のために不可能である。しかしながら、本発
明は、選択された時間において磁界積分を計算す
ることにより、実際に与えられうる任意所望のパ
ルス形状でもつて実施されうる。
１つの適当なパルスは第８図において実線で示
されているようなサイン波Ｉ＝I0sinωtの半波で
ある。磁界測定プローブにおけるスピン位相カウ
ント（φ）の蓄積はその磁界の時間積分に従う。
されているようなサイン波Ｉ＝I0sinωtの半波で
ある。磁界測定プローブにおけるスピン位相カウ
ント（φ）の蓄積はその磁界の時間積分に従う。
φ＝I0（１−cosωt）
本発明を実際に実施する場合には、本発明の一
部分を構成しない補正や調整のために、実際の傾
斜パルスは第８図において破線で示されているよ
うな歪んだサイン波の半波となる。このように歪
んだ波形でも、それらのパルスが互いに整合され
るかあるいは選択された形状に整合されるなら
ば、満足に使用されうる。しかしながら、説明の
目的のために、整合が理想的なサイン波の半波に
対してなされるものと考える。
部分を構成しない補正や調整のために、実際の傾
斜パルスは第８図において破線で示されているよ
うな歪んだサイン波の半波となる。このように歪
んだ波形でも、それらのパルスが互いに整合され
るかあるいは選択された形状に整合されるなら
ば、満足に使用されうる。しかしながら、説明の
目的のために、整合が理想的なサイン波の半波に
対してなされるものと考える。
磁界誤差をそれらが現われた時点で補正しかつ
それらの誤差の蓄積を防止することが所望され
る。かくして、測定された∫Hdtは、サンプルが
取り出されたtoと次のサンプリング時間to+1との
間の間隔Δtのあいだに、較正された∫Hdtにもど
されなければならない。誤差Ｅはアンペア・秒の
単位を有し、かつ補正は時間Δt＝to+1−toのあい
だに磁界コイルに電流I0を注入することによつて
なされる。所望の効果がｔに対する∫Hdtのプロ
ツトとして第９図に示されている。他の磁界パル
スを用いてもよいことについては述べたが、第１
０図は他の形状を示しており、その図において実
線、破線および点線が第８図におけるのと同一の
意味を有している。
それらの誤差の蓄積を防止することが所望され
る。かくして、測定された∫Hdtは、サンプルが
取り出されたtoと次のサンプリング時間to+1との
間の間隔Δtのあいだに、較正された∫Hdtにもど
されなければならない。誤差Ｅはアンペア・秒の
単位を有し、かつ補正は時間Δt＝to+1−toのあい
だに磁界コイルに電流I0を注入することによつて
なされる。所望の効果がｔに対する∫Hdtのプロ
ツトとして第９図に示されている。他の磁界パル
スを用いてもよいことについては述べたが、第１
０図は他の形状を示しており、その図において実
線、破線および点線が第８図におけるのと同一の
意味を有している。
補正を行なうためには、インダクタにおける電
流は瞬時的に変化され得ないことがわかるであろ
う。従つて、電流変化の時間積分が誤差を補正す
るように電圧を注入する必要がある。必要とされ
る電流は電流注入が可能であると仮定して決定さ
れる。
流は瞬時的に変化され得ないことがわかるであろ
う。従つて、電流変化の時間積分が誤差を補正す
るように電圧を注入する必要がある。必要とされ
る電流は電流注入が可能であると仮定して決定さ
れる。
実際には、Δt≪2msの場合、dφ／dt＝I0sinωtであ
つてほとんど直線となる。
φリアル（real）をΔtで較正されたφにもどす
ために必要とされる直線傾斜は、 dφリアル／dt＝I0／ω（cosωto−cosωto+1）＋Ｅ
／Δt I0sinωto＋Ｅ／Δt であり、従つて所要の補正電流は、 IC＝Ｅ／Δt（期間Δtのあいだにおける） となる。即ち、電荷δC＝Ｅ（アンペア・秒）の注
入となる。
ために必要とされる直線傾斜は、 dφリアル／dt＝I0／ω（cosωto−cosωto+1）＋Ｅ
／Δt I0sinωto＋Ｅ／Δt であり、従つて所要の補正電流は、 IC＝Ｅ／Δt（期間Δtのあいだにおける） となる。即ち、電荷δC＝Ｅ（アンペア・秒）の注
入となる。
パルス発生の方法に依存して多くの可能な誤差
が存在する。大電力の正弦波発生源を用いる方法
の場合には、最も頻繁に生ずる誤差発生源のうち
の２つはパルス状磁界存続期間の変化と充電電圧
誤差である。この場合、パルス状磁界存続期間の
変化は約１％でありうるが、充電電圧誤差は0.1
％以上であつてはならない。Δt50μsの場合、
誤差は１〜２×10-6アンペア・秒のオーダーであ
ることが計算によりわかる。
が存在する。大電力の正弦波発生源を用いる方法
の場合には、最も頻繁に生ずる誤差発生源のうち
の２つはパルス状磁界存続期間の変化と充電電圧
誤差である。この場合、パルス状磁界存続期間の
変化は約１％でありうるが、充電電圧誤差は0.1
％以上であつてはならない。Δt50μsの場合、
誤差は１〜２×10-6アンペア・秒のオーダーであ
ることが計算によりわかる。
典型的なコイルの場合にＬ＝6mHであれば、
Vcは10Vのオーダーとなる。
Vcは10Vのオーダーとなる。
本発明における補正は次の３つの特徴を含んで
いる。
いる。
(i) 波形をそれの較正された（理想的なものでは
ない）形状に補正すること、 (ii) 誤差をそれらが現われた時点で少なくとも部
分的に補正してそれらの誤差の蓄積を防止する
こと、 (iii) サンプリング時間のあいだに一定の補正を加
えること。
ない）形状に補正すること、 (ii) 誤差をそれらが現われた時点で少なくとも部
分的に補正してそれらの誤差の蓄積を防止する
こと、 (iii) サンプリング時間のあいだに一定の補正を加
えること。
許容誤差はスピン位相を±0.1ラジアンに制御
するための要件によつて与えられる。全体の位相
変化は128×2πラジアン即ち800ラジアンである
から、最大許容誤差は Ｅ＝0.1／800 I0／ω＝16.10-6A.S. となる。
するための要件によつて与えられる。全体の位相
変化は128×2πラジアン即ち800ラジアンである
から、最大許容誤差は Ｅ＝0.1／800 I0／ω＝16.10-6A.S. となる。
第１１図は医学的検査に適したNMR装置を簡
略化した形態で示しており、この装置は第３ａ図
に関して説明されたパルスシーケンスを用いてお
りかつGRパルスを決定するために本発明による
磁界制御を含んでいる。
略化した形態で示しており、この装置は第３ａ図
に関して説明されたパルスシーケンスを用いてお
りかつGRパルスを決定するために本発明による
磁界制御を含んでいる。
概略的に示されているコイル３，４，５，６お
よび７は第４図乃至第６図に関して前述したもの
である。それらのコイルは、Gxy（GR）、H1，Gzお
よびHz0制御回路１７，１８，１９および２０に
よつてそれぞれ制御される第７図に示されたGx，
Gy，RF（H1）およびGz駆動回路１２，１３，１
４および１５ならびにHz0駆動回路１６により駆
動される。これらの回路は、NMR装置やコイル
誘起磁界を用いる他の装置の分野における熟練者
にとつて明らかとなる任意の形態をとりうるもの
である。第７図の記憶器９を含む回路は、前述し
たパルスシーケンスまたは他の適当なパルスシー
ケンスを実現するために、第７図の記憶器１０を
含む回路２１によつて制御される。
よび７は第４図乃至第６図に関して前述したもの
である。それらのコイルは、Gxy（GR）、H1，Gzお
よびHz0制御回路１７，１８，１９および２０に
よつてそれぞれ制御される第７図に示されたGx，
Gy，RF（H1）およびGz駆動回路１２，１３，１
４および１５ならびにHz0駆動回路１６により駆
動される。これらの回路は、NMR装置やコイル
誘起磁界を用いる他の装置の分野における熟練者
にとつて明らかとなる任意の形態をとりうるもの
である。第７図の記憶器９を含む回路は、前述し
たパルスシーケンスまたは他の適当なパルスシー
ケンスを実現するために、第７図の記憶器１０を
含む回路２１によつて制御される。
GRパルスが存在しているあいだに感知された
信号はH1コイル６で検知され、そして信号処理
回路２３に与えられる前にRF増幅器２２によつ
て増幅される。回路２３は任意適当な較正および
補正を行なうものであるが、本質的には、実効的
に被検査体における線に対する陽子密度値である
ところの信号を、所要の表示を与えるために、処
理回路に伝送するようになされているものであ
る。これらの回路は特願昭49−47032号に記載さ
れているようなCT型処理を実施するように特別
に設計されうる。しかしながら、適当にプログラ
ムされたデジタルコンピユータによつてその処理
を実施するのが有利である。このコンピユータは
パルスシーケンスを都合よく制御することもで
き、従つて数字２１で示されている回路を効果的
に与える。このようにして得られた画像はテレビ
モニターのような表示装置２４に映出されるが、
その表示装置は本発明による装置に対する指令お
よび指示または他の形式の出力を与えるための入
力および他の周辺機器２５を包含しうる。
信号はH1コイル６で検知され、そして信号処理
回路２３に与えられる前にRF増幅器２２によつ
て増幅される。回路２３は任意適当な較正および
補正を行なうものであるが、本質的には、実効的
に被検査体における線に対する陽子密度値である
ところの信号を、所要の表示を与えるために、処
理回路に伝送するようになされているものであ
る。これらの回路は特願昭49−47032号に記載さ
れているようなCT型処理を実施するように特別
に設計されうる。しかしながら、適当にプログラ
ムされたデジタルコンピユータによつてその処理
を実施するのが有利である。このコンピユータは
パルスシーケンスを都合よく制御することもで
き、従つて数字２１で示されている回路を効果的
に与える。このようにして得られた画像はテレビ
モニターのような表示装置２４に映出されるが、
その表示装置は本発明による装置に対する指令お
よび指示または他の形式の出力を与えるための入
力および他の周辺機器２５を包含しうる。
これまで説明してきたところからわかるよう
に、本発明による装置は公知の形式のNMR装置
の変形であつて前述した新規なパルスシーケンス
を実施するようになされているものである。
に、本発明による装置は公知の形式のNMR装置
の変形であつて前述した新規なパルスシーケンス
を実施するようになされているものである。
しかしながら、これに加えて、本発明を実施す
るために、本発明による装置は、図示された磁界
プローブX1，X2，Y1，Y2，ＮおよびＭから増幅
器２７を通じて信号を受取る磁界測定および誤差
信号回路２６を含んでいる。被検査体２の被検査
スライスに関するプローブの位置が第１２図にさ
らに示されている。X1，X2は前述したYIG（イツ
トリウム・鉄・ガーネツト）同調発振器プローブ
である。これらはアール エム イーソン（R.
M.Easson）によつて（ザ・マイクロウエーブ・
ジヤーナル1971年２月号第53〜58および68頁）あ
るいはズブリン（Zublin）ほかによつて（ザ・マ
イクロウエーブ・ジヤーナル1975年９月号第33、
35および50頁）論述されているような規準磁界測
定プローブである。これらのプローブは、それら
が設置されている点における磁界の測定値を、磁
界に比例する周波数（2.8MHz／Oe）の振動とし
て与える。従つて、測定された値はある設定され
た時間内における振動のカウントによつて得られ
る。実際には、YIGプローブは異なるモードで振
動することができるから、動作モードを決定する
必要がある。この目的のために、NMRプローブ
ＭおよびＮが設けられている。
るために、本発明による装置は、図示された磁界
プローブX1，X2，Y1，Y2，ＮおよびＭから増幅
器２７を通じて信号を受取る磁界測定および誤差
信号回路２６を含んでいる。被検査体２の被検査
スライスに関するプローブの位置が第１２図にさ
らに示されている。X1，X2は前述したYIG（イツ
トリウム・鉄・ガーネツト）同調発振器プローブ
である。これらはアール エム イーソン（R.
M.Easson）によつて（ザ・マイクロウエーブ・
ジヤーナル1971年２月号第53〜58および68頁）あ
るいはズブリン（Zublin）ほかによつて（ザ・マ
イクロウエーブ・ジヤーナル1975年９月号第33、
35および50頁）論述されているような規準磁界測
定プローブである。これらのプローブは、それら
が設置されている点における磁界の測定値を、磁
界に比例する周波数（2.8MHz／Oe）の振動とし
て与える。従つて、測定された値はある設定され
た時間内における振動のカウントによつて得られ
る。実際には、YIGプローブは異なるモードで振
動することができるから、動作モードを決定する
必要がある。この目的のために、NMRプローブ
ＭおよびＮが設けられている。
これらのプローブは単に純粋な水の小さいセル
（閉塞された試験管のような）を小さいコイルで
包囲したものにすぎない。それらのプローブは
4.26KHz／Oeの信頼しうる共鳴を与えるものであ
つて、YIG同調発振器モードをチエツクするため
に用いられうる。しかしながら、それらのプロー
ブは、傾斜磁界測定のためのYIGプローブと置換
するために用いられるには空間および時間的解像
度が不十分である。プローブＮは空間的に固定さ
れていて、基準として作用する。可動NMRプロ
ーブＭはYIGプローブに隣接して移動されてそれ
らのYIGプローブの振動モード、配向および他の
特性を決定するためのデータを与えうる。
（閉塞された試験管のような）を小さいコイルで
包囲したものにすぎない。それらのプローブは
4.26KHz／Oeの信頼しうる共鳴を与えるものであ
つて、YIG同調発振器モードをチエツクするため
に用いられうる。しかしながら、それらのプロー
ブは、傾斜磁界測定のためのYIGプローブと置換
するために用いられるには空間および時間的解像
度が不十分である。プローブＮは空間的に固定さ
れていて、基準として作用する。可動NMRプロ
ーブＭはYIGプローブに隣接して移動されてそれ
らのYIGプローブの振動モード、配向および他の
特性を決定するためのデータを与えうる。
第１３図にはGR磁界補正回路のブロツク図が
示されている。このブロツク図は任意であつて必
須不可欠ではないある種の特徴をも含んでいる。
示されている。このブロツク図は任意であつて必
須不可欠ではないある種の特徴をも含んでいる。
プローブ装置は第１１図および第１２図におけ
るごとく数字２８で示されている。各プローブは
各プローブ増幅器２７に出力を供給する。周波数
（1kOe磁界の場合には2.8GHz）のYIGプローブ
信号は混合器２９で混合されてカウントするのに
適した周波数となされる。0は、Δ＝−0が
150〜200MHzの範囲となるように選択される。0
の信号はシステム・クロツク３０（クロツク８で
ありうるクリスタル基準クロツク）から掛算器３
１を通じて与えられる。
るごとく数字２８で示されている。各プローブは
各プローブ増幅器２７に出力を供給する。周波数
（1kOe磁界の場合には2.8GHz）のYIGプローブ
信号は混合器２９で混合されてカウントするのに
適した周波数となされる。0は、Δ＝−0が
150〜200MHzの範囲となるように選択される。0
の信号はシステム・クロツク３０（クロツク８で
ありうるクリスタル基準クロツク）から掛算器３
１を通じて与えられる。
各チヤンネルにおける周波数Δの信号に掛算
器３２で係数ｋが掛算される。この係数ｋは所望
に応じて多くの異なる補正を含みうる。しかしな
がら、ここで最も大きい誤差はYIGプローブが異
なるモードで振動しうるということである。係数
ｋは各振動モードを補正しかつ測定された磁界を
適切に表わす周波数の信号を発生するように決定
される。
器３２で係数ｋが掛算される。この係数ｋは所望
に応じて多くの異なる補正を含みうる。しかしな
がら、ここで最も大きい誤差はYIGプローブが異
なるモードで振動しうるということである。係数
ｋは各振動モードを補正しかつ測定された磁界を
適切に表わす周波数の信号を発生するように決定
される。
周波数kΔが適当な期間にわたつてカウンタ３
３でカウントされ、∫Hdtを生ずる。
３でカウントされ、∫Hdtを生ずる。
前述のごとく、GxおよびGyパルスに対する磁
界誤差は、サンプリング時間における予め計算さ
れた磁界値および測定された磁界値間の差によつ
て与えられる。予め計算された値はRAM（ラン
ダム・アクセス・メモリ）３４に保持される。こ
の記憶器は任意適当な手段によつて予め装填され
うる。しかしながら実際には、処理および制御回
路２１よりなる中央コンピユータが所要の値を計
算するようにプログラムされていて、それらの所
要値は２１からRAM３４に装填される。磁界誤
差は引算器３５において差をとることによつて与
えられる。これらの差は各プローブにつき計算さ
れそしてユニツト３６で平均されてＸおよびＹ誤
差信号を与える。前述のごとく、磁界補正はＸお
よびＹに比例する電流をGR磁界コイルに注入す
ることによつてなされる。
界誤差は、サンプリング時間における予め計算さ
れた磁界値および測定された磁界値間の差によつ
て与えられる。予め計算された値はRAM（ラン
ダム・アクセス・メモリ）３４に保持される。こ
の記憶器は任意適当な手段によつて予め装填され
うる。しかしながら実際には、処理および制御回
路２１よりなる中央コンピユータが所要の値を計
算するようにプログラムされていて、それらの所
要値は２１からRAM３４に装填される。磁界誤
差は引算器３５において差をとることによつて与
えられる。これらの差は各プローブにつき計算さ
れそしてユニツト３６で平均されてＸおよびＹ誤
差信号を与える。前述のごとく、磁界補正はＸお
よびＹに比例する電流をGR磁界コイルに注入す
ることによつてなされる。
タイミング制御ユニツト３７によつて設定され
た期間のあいだカウンタ３３でカウントが行なわ
れる。このユニツトはシステム・クロツク３０の
出力を取出してシステム制御器２１によつて指令
されるように制御パルスを形成する。YIGプロー
ブに対する所要のカウント期間はそれらのプロー
ブの確立された特性から決定されうる。典型的に
は、カウント信号は、それぞれ１：40という比を
有して近接離間された２つのパルスである。
た期間のあいだカウンタ３３でカウントが行なわ
れる。このユニツトはシステム・クロツク３０の
出力を取出してシステム制御器２１によつて指令
されるように制御パルスを形成する。YIGプロー
ブに対する所要のカウント期間はそれらのプロー
ブの確立された特性から決定されうる。典型的に
は、カウント信号は、それぞれ１：40という比を
有して近接離間された２つのパルスである。
YIGプローブの異なるモードに対する補正は可
動プローブＭとともにNMRプローブＮを用いて
なされる。検査開始前における初期工程では、Hz
０磁界だけが存在する状態で、カウンタ３８が
NMRプローブＮの出力をカウントする。
動プローブＭとともにNMRプローブＮを用いて
なされる。検査開始前における初期工程では、Hz
０磁界だけが存在する状態で、カウンタ３８が
NMRプローブＮの出力をカウントする。
図示のごとく、この期間は制御器２１によつて
設定されるが、タイマー３７によつても設定され
うる。一度に１個のYIGプローブが、Ｍをしてそ
のYIGプローブの近傍で移動せしめることによ
り、そのプローブができるだけ親密に同じ磁界を
受けるように較正される。
設定されるが、タイマー３７によつても設定され
うる。一度に１個のYIGプローブが、Ｍをしてそ
のYIGプローブの近傍で移動せしめることによ
り、そのプローブができるだけ親密に同じ磁界を
受けるように較正される。
同じ期間内において一度に１個のプローブとい
う具合にして、他のプローブのカウントが取り出
されてカウンタ・スタテイサイザ３９内に保持さ
れる。これらは、NMRプローブ・カウントの窓
を設定するゲート４０および４１を通じてカウン
タ３８と同じカウント期間に設定される。２９お
よび３８からのカウントは、後者がユニツト２１
を通じて、補正ユニツト４２に送られる。このユ
ニツトは、YIGプローブ・カウントをNMRカウ
ントに補正する係数ｋを与えるために４３におい
て３９におけるカウントに加えられるべき補正を
決定する。係数ｋは単純な補正であり、従つて
kΔはNMRプローブが同じ磁界に対して与えた
であろうところのカウントである。
う具合にして、他のプローブのカウントが取り出
されてカウンタ・スタテイサイザ３９内に保持さ
れる。これらは、NMRプローブ・カウントの窓
を設定するゲート４０および４１を通じてカウン
タ３８と同じカウント期間に設定される。２９お
よび３８からのカウントは、後者がユニツト２１
を通じて、補正ユニツト４２に送られる。このユ
ニツトは、YIGプローブ・カウントをNMRカウ
ントに補正する係数ｋを与えるために４３におい
て３９におけるカウントに加えられるべき補正を
決定する。係数ｋは単純な補正であり、従つて
kΔはNMRプローブが同じ磁界に対して与えた
であろうところのカウントである。
上述したシステムはGRベクトルを制御するの
に十分である（ただし、GRパルスが存在してい
るあいだは、Ｍは含まれない）。H0磁界は十分均
一に維持されることが好ましい。
に十分である（ただし、GRパルスが存在してい
るあいだは、Ｍは含まれない）。H0磁界は十分均
一に維持されることが好ましい。
前述のごとく、可動プローブＭは、オペレータ
がその可動プローブをYIGプローブの位置に順次
配置する場合に、Hz0磁界だけを用いて行なわれ
る設定工程の一部分として含まれる。かくして、
磁界に対してできるだけ中央にあるＮにおけるカ
ウントのみならず、各YIGカウントに対する局部
的なNMRカウントも与えられる。その局部的
NMRカウントM0は局部磁界に対するYIG同調発
振器特性を主として示す。
がその可動プローブをYIGプローブの位置に順次
配置する場合に、Hz0磁界だけを用いて行なわれ
る設定工程の一部分として含まれる。かくして、
磁界に対してできるだけ中央にあるＮにおけるカ
ウントのみならず、各YIGカウントに対する局部
的なNMRカウントも与えられる。その局部的
NMRカウントM0は局部磁界に対するYIG同調発
振器特性を主として示す。
GxおよびGyパルスは互いにあるいは基準に対
して整合されうることについてはすでに述べた。
しかしながら、それらのパルスを互いに整合せし
めることによつては各GRパルスに対するＲベク
トルが制御されるにすぎない。第３ａ図にもどる
と、期間GA内に最も迅速な回復を与えるために
GRパルスは−GRパルスに逆整合しなければなら
ないことが想起されるであろう。もしこの時間が
臨界的であるならば、それらのパルスは、GRお
よび−GRに対して同一の基準に整合されること
が望ましい。かくして、迅速な回復が可能とな
る。
して整合されうることについてはすでに述べた。
しかしながら、それらのパルスを互いに整合せし
めることによつては各GRパルスに対するＲベク
トルが制御されるにすぎない。第３ａ図にもどる
と、期間GA内に最も迅速な回復を与えるために
GRパルスは−GRパルスに逆整合しなければなら
ないことが想起されるであろう。もしこの時間が
臨界的であるならば、それらのパルスは、GRお
よび−GRに対して同一の基準に整合されること
が望ましい。かくして、迅速な回復が可能とな
る。
パルスシーケンスの補正を制御するために３６
に与えられるＸおよびＹ誤差信号を用いる態様が
第１４図に示されている。この図面にはGxパル
スの補正を制御するための回路が示されている
が、Gyに対する回路は同一であるからカツコを
つけて示されている。
に与えられるＸおよびＹ誤差信号を用いる態様が
第１４図に示されている。この図面にはGxパル
スの補正を制御するための回路が示されている
が、Gyに対する回路は同一であるからカツコを
つけて示されている。
３６から派生されたＸ（またはＹ）補正信号は、
所要の補正電流を派生するために、前述のごとく
サンプリング存続期間Δtだけ分割回路４４に与
えられる。これがプロフイール記憶器９から派生
された所要電流に加算器４５において加算され、
補正された電流値が前述のようにして用いられ
る。補正とΔtはデジタル形式で都合よく与えら
れるので、その補正はDAC１１に先行して加え
られる。
所要の補正電流を派生するために、前述のごとく
サンプリング存続期間Δtだけ分割回路４４に与
えられる。これがプロフイール記憶器９から派生
された所要電流に加算器４５において加算され、
補正された電流値が前述のようにして用いられ
る。補正とΔtはデジタル形式で都合よく与えら
れるので、その補正はDAC１１に先行して加え
られる。
勿論、もし所望されれば、４４からの補正は、
記憶器９の形式が許容する場合には、その記憶器
９内のプロフイールを補正するためにも用いられ
うる。
記憶器９の形式が許容する場合には、その記憶器
９内のプロフイールを補正するためにも用いられ
うる。
この実施例では、Δtの値は、それが予め記憶
される記憶器４６内に保持される。用いられるパ
ルス形状が簡単な場合には、サンプリング時間が
予め計算され、従つて既知となる。
される記憶器４６内に保持される。用いられるパ
ルス形状が簡単な場合には、サンプリング時間が
予め計算され、従つて既知となる。
例えば英国特許出願第22292／78号に記載され
ているようにサンプリングが複雑な場合には、サ
ンプリング時間は検査が進行するにつれて決定さ
れうる。その場合には、Δtは、パルスサイクル
のあいだに次のものに対する最良の推定として記
憶器４６に入れ込まれうる。
ているようにサンプリングが複雑な場合には、サ
ンプリング時間は検査が進行するにつれて決定さ
れうる。その場合には、Δtは、パルスサイクル
のあいだに次のものに対する最良の推定として記
憶器４６に入れ込まれうる。
以上本発明の実施例につき説明したが、本発明
はそれに限定されるものではなく特許請求の範囲
内で可能なあらゆる変形変更を包含するものであ
る。
はそれに限定されるものではなく特許請求の範囲
内で可能なあらゆる変形変更を包含するものであ
る。
第１図はGR磁界傾斜の形態を示す図、第２図
は他の磁界に対するGR磁界傾斜の関係を示す図、
第３ａ図は好ましい磁界パルスシーケンスを示す
図、第３ｂ図は陽子スピンベクトルに対する第３
ａ図のパルスの作用を示す図、第４ａ，４ｂおよ
び４ｃ図は実用的なNMR装置のHz0，Gxおよび
Gy磁界コイルをそれぞれ示す図、第５図はその
装置のH1磁界コイルを示す図、第６図はその装
置のGz磁界コイルを示す図、第７図はパルスシ
ーケンスを制御するための回路を示すブロツク
図、第８図はGRパルスと所要の補正の性質を示
す図、第９図は補正の性質を詳細に示す図、第１
０図は異なるGRパルスに対する第７図に相当す
る図、第１１図は完全なNMR装置を示すブロツ
ク図、第１２図は使用される磁界感知コイルの配
置を示す図、第１３図は所要GRパルス補正を派
生するための回路を示すブロツク図、第１４図は
パルスシーケンスに補正を与えるための回路を示
す図である。
は他の磁界に対するGR磁界傾斜の関係を示す図、
第３ａ図は好ましい磁界パルスシーケンスを示す
図、第３ｂ図は陽子スピンベクトルに対する第３
ａ図のパルスの作用を示す図、第４ａ，４ｂおよ
び４ｃ図は実用的なNMR装置のHz0，Gxおよび
Gy磁界コイルをそれぞれ示す図、第５図はその
装置のH1磁界コイルを示す図、第６図はその装
置のGz磁界コイルを示す図、第７図はパルスシ
ーケンスを制御するための回路を示すブロツク
図、第８図はGRパルスと所要の補正の性質を示
す図、第９図は補正の性質を詳細に示す図、第１
０図は異なるGRパルスに対する第７図に相当す
る図、第１１図は完全なNMR装置を示すブロツ
ク図、第１２図は使用される磁界感知コイルの配
置を示す図、第１３図は所要GRパルス補正を派
生するための回路を示すブロツク図、第１４図は
パルスシーケンスに補正を与えるための回路を示
す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検査体の少なくとも１つの仮想輪切り部分
を検査する核磁気共鳴装置であつて、前記仮想輪
切り部分内に優先的に共鳴を生ぜしめるべく磁界
を印加する手段と、前記共鳴に位相分散を生ぜし
めるべく前記少なくとも１つの仮想輪切り部分を
所望の方向に横切つて傾斜を有するパルス状磁界
を印加する手段と、前記傾斜磁界が印加されてい
るあいだに誘起された共鳴信号を測定する手段と
を具備しており、前記傾斜磁界が、直交関係にあ
る傾斜を有する２つの成分磁界の割合を変えるこ
とによつて、異なる時間において前記仮想輪切り
部分内において異なる所望の方向に傾斜を有せし
められるように構成された核磁気共鳴装置におい
て、 前記仮想輪切り部分の平面内における複数の位
置において前記パルス状磁界の各パルス存続期間
中に磁界を反復測定する手段と、 ２つの直交する方向で測定された磁界と所望の
方向における所望の大きさを有する傾斜磁界を与
えるために必要とされる磁界との差を表わす誤差
信号を前記磁界から派生する手段と、 前記成分磁界をそれらの所要値に近づくように
調節するために前記各測定に対して誤差信号を用
いる手段と を具備している核磁気共鳴装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の核磁気共鳴装置
において、前記誤差信号を派生する手段が前記成
分磁界の一方を他方と比較するようになされてお
りかつ前記誤差信号を用いる手段は前記成分磁界
を他方の成分磁界に整合せしめる装置。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の核磁気共鳴装置
において、前記誤差信号を派生する手段が前記成
分磁界のそれぞれを予め定められた基準と比較す
るようになされており、かつ前記誤差信号を用い
る手段は前記成分磁界を前記基準に整合せしめる
ようになされた前記装置。 ４ 特許請求の範囲第１項乃至第３項のうちの１
つに記載された核磁気共鳴装置において、予め定
められた間隔をもつて前記成分磁界の磁界積分を
決定するようになされた手段を具備しており、前
記誤差信号を派生する手段は前記間隔に対する
個々の誤差信号を派生するようになされている前
記装置。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の核磁気共鳴装置
において、前記間隔は、核間隔のそれぞれに対す
る磁界積分が前記磁界の所要値について実質的に
同じであるようになされている前記装置。 ６ 特許請求の範囲第１項乃至第５項のうちの１
つに記載された核磁気共鳴装置において、前記磁
界を感知する手段がYIG同調発振器を含む前記装
置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB22295/78A GB1584950A (en) | 1978-05-25 | 1978-05-25 | Imaging systems |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54156597A JPS54156597A (en) | 1979-12-10 |
| JPH0146145B2 true JPH0146145B2 (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=10177069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6551679A Granted JPS54156597A (en) | 1978-05-25 | 1979-05-25 | Method and device for checking by gyromagnetic resonance |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4300096A (ja) |
| JP (1) | JPS54156597A (ja) |
| DE (1) | DE2921253A1 (ja) |
| GB (1) | GB1584950A (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7904986A (nl) * | 1979-06-27 | 1980-12-30 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het bepalen van een kernspindichtheidsverdeling in een deel van een lichaam. |
| US4384255A (en) * | 1979-08-10 | 1983-05-17 | Picker International Limited | Nuclear magnetic resonance systems |
| CA1147806A (en) * | 1980-03-14 | 1983-06-07 | William A. Edelstein | Methods of producing image information from objects |
| GB2076541B (en) | 1980-05-21 | 1984-05-31 | Emi Ltd | Nmr imaging apparatus and methods |
| GB2076540B (en) | 1980-05-21 | 1984-02-01 | Emi Ltd | Sampling arrangement for nmr imaging apparatus |
| JPS574541A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-11 | Toshiba Corp | Nuclear magnetic resonance apparatus |
| DE3044396A1 (de) * | 1980-11-25 | 1982-06-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur erstellung von kernresonanzbildern |
| DE3122686A1 (de) * | 1981-06-06 | 1983-02-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur kompensation magnetischer eigenfelder von beweglichen koerpern |
| DE3131946A1 (de) * | 1981-08-12 | 1983-03-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | "hochfrequenz-magnetsystem in einer einrichtung der kernspinresonanz-technik" |
| DE3135335A1 (de) * | 1981-09-07 | 1983-08-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Kernspin-tomographie-verfahren |
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