JPH0150854B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0150854B2 JPH0150854B2 JP58085442A JP8544283A JPH0150854B2 JP H0150854 B2 JPH0150854 B2 JP H0150854B2 JP 58085442 A JP58085442 A JP 58085442A JP 8544283 A JP8544283 A JP 8544283A JP H0150854 B2 JPH0150854 B2 JP H0150854B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- fine particles
- sample
- plasma
- particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属製造業などにおいても最も活用
されており、採取した一定形状の試料片を対象と
する固体発光分光分析にかわつて、試料片を採取
せずに、スパーク放電等によつて試料を微粒子と
して蒸発させ直接分析する発光分光分析方法およ
び装置に関するものである。
されており、採取した一定形状の試料片を対象と
する固体発光分光分析にかわつて、試料片を採取
せずに、スパーク放電等によつて試料を微粒子と
して蒸発させ直接分析する発光分光分析方法およ
び装置に関するものである。
金属製造業においては、金属や合金の製造工程
あるいは製品の品質管理に、その主成分や含有さ
れる微量成分の分析が必須である。この分析には
一搬に、金属試料片と対電極間に高電圧をかけて
スパークあるいはアーク放電等を行わせ、蒸発し
た各成分に基ずく励起光のスペクトル線強度か
ら、試料中の各成分の含有率を求める固体発光分
光分析法が最も活用されている。
あるいは製品の品質管理に、その主成分や含有さ
れる微量成分の分析が必須である。この分析には
一搬に、金属試料片と対電極間に高電圧をかけて
スパークあるいはアーク放電等を行わせ、蒸発し
た各成分に基ずく励起光のスペクトル線強度か
ら、試料中の各成分の含有率を求める固体発光分
光分析法が最も活用されている。
しかし、本分析法は、放電を行わせる装置構造
等から試料形状に一定の制限を受け、通常15mmφ
以上の平面をもつた試料片を準備しなければなら
ない。
等から試料形状に一定の制限を受け、通常15mmφ
以上の平面をもつた試料片を準備しなければなら
ない。
しかし、金属の製造工程においては、試料片を
切り出すために相当の労力や時間を要する場合、
製品等で試料の採取を極力避けたい場合、あるい
は製造工程の途中でオンラインで迅速に分析しな
ければならない場合など試料片の採取が困難なこ
とが多い。このような理由から、分析試料を採取
せず金属板、角材、棒材等を簡単、迅速に直接分
析することができる新規分析装置の開発が強く要
請されている。また、スパークなどの電気的放電
にかわつて、レーザーなどを励起源とするセラミ
ツクスや鉱物などの発光分光分析にも同様な要請
がある。
切り出すために相当の労力や時間を要する場合、
製品等で試料の採取を極力避けたい場合、あるい
は製造工程の途中でオンラインで迅速に分析しな
ければならない場合など試料片の採取が困難なこ
とが多い。このような理由から、分析試料を採取
せず金属板、角材、棒材等を簡単、迅速に直接分
析することができる新規分析装置の開発が強く要
請されている。また、スパークなどの電気的放電
にかわつて、レーザーなどを励起源とするセラミ
ツクスや鉱物などの発光分光分析にも同様な要請
がある。
本発明はかかる必要性に鑑み、スパーク、アー
ク、プラズマアーク、レーザー、電子ビーム等を
加熱源として分析試料を微粒子として蒸発させ、
不活性ガスにより長距離を搬送し、プラズマ発光
分光分析をすることを基本原理とし、試料片を採
取せずに直接、簡単、迅速に高精度で分析できる
新規分析方法および装置を提供するものである。
ク、プラズマアーク、レーザー、電子ビーム等を
加熱源として分析試料を微粒子として蒸発させ、
不活性ガスにより長距離を搬送し、プラズマ発光
分光分析をすることを基本原理とし、試料片を採
取せずに直接、簡単、迅速に高精度で分析できる
新規分析方法および装置を提供するものである。
第１図に示した本発明実施例装置に基ずいて本
発明を詳細に説明する。
発明を詳細に説明する。
第１図は、金属材料を対象とし微粒子生成用の
蒸発加熱源にスパーク放電を用いた場合を示した
ものである。
蒸発加熱源にスパーク放電を用いた場合を示した
ものである。
本発明装置は大別すると、微粒子生成装置２、
搬送ガス流量切替器６、微粒子搬送管９、搬送ガ
ス分配装置１１およびプラズマ発光分光分析装置
を基本に構成される。微粒子生成装置２は、分析
試料１表面と対電極４間に高電圧をかけてスパー
ク放電を行わせ、試料面を局部的に高温に加熱
し、試料の組成を代表する微粒子を煙状に蒸発さ
せる働きをする部分である。通常対電極７は、先
端をとがらせた２〜５mmφ程度のタングステン製
丸棒を用いこれを正極とし、試料表面にスプリン
グ機構によつて接触させた試料電極５を負極とし
て、スパーク放電装置に結線する。
搬送ガス流量切替器６、微粒子搬送管９、搬送ガ
ス分配装置１１およびプラズマ発光分光分析装置
を基本に構成される。微粒子生成装置２は、分析
試料１表面と対電極４間に高電圧をかけてスパー
ク放電を行わせ、試料面を局部的に高温に加熱
し、試料の組成を代表する微粒子を煙状に蒸発さ
せる働きをする部分である。通常対電極７は、先
端をとがらせた２〜５mmφ程度のタングステン製
丸棒を用いこれを正極とし、試料表面にスプリン
グ機構によつて接触させた試料電極５を負極とし
て、スパーク放電装置に結線する。
スパーク放電条件は分析精度すなわち微粒子生
成の精度に影響するが、自己誘導を低くし放電電
流値を高くする条件、例えば自己誘導10μH、静
電容量3μF、抵抗1Ω、電圧1000V、周波数200Hz
などの放電条件が適当であつた。
成の精度に影響するが、自己誘導を低くし放電電
流値を高くする条件、例えば自己誘導10μH、静
電容量3μF、抵抗1Ω、電圧1000V、周波数200Hz
などの放電条件が適当であつた。
微粒子生成装置２の本体は、窒化ホウ素やフツ
素系樹脂等の絶縁耐熱材で製作した円筒２１でで
きている。円筒２１の底部は開口しており、その
端面にはフツ素系耐熱絶縁性樹脂あるいはゴムか
ら成る円板２２を取り付けてあり、円筒２１を押
圧することにより、試料１表面に密着して外部の
大気を遮断し、円筒２１内部の小空間室３は密閉
状態となる。
素系樹脂等の絶縁耐熱材で製作した円筒２１でで
きている。円筒２１の底部は開口しており、その
端面にはフツ素系耐熱絶縁性樹脂あるいはゴムか
ら成る円板２２を取り付けてあり、円筒２１を押
圧することにより、試料１表面に密着して外部の
大気を遮断し、円筒２１内部の小空間室３は密閉
状態となる。
対電極４は円筒２１の上部より試料表面に対向
して取り付けられ、対電極先端と試料表面との間
隔は、通常５〜10mmの範囲で一定とする。電極間
隔の設定精度は、±２mm以内程度におさめる必要
があり、この範囲を超えると微粒子生成量が変動
して分析精度が低下する。対電極４下部が位置す
る円筒２１内部には、直径10〜15mmφ、高さ30mm
程度のスパーク放電が行われる小空間室３が堀ら
れている。
して取り付けられ、対電極先端と試料表面との間
隔は、通常５〜10mmの範囲で一定とする。電極間
隔の設定精度は、±２mm以内程度におさめる必要
があり、この範囲を超えると微粒子生成量が変動
して分析精度が低下する。対電極４下部が位置す
る円筒２１内部には、直径10〜15mmφ、高さ30mm
程度のスパーク放電が行われる小空間室３が堀ら
れている。
小空間室３はAr等の不活性ガス供給口７およ
び微粒子排出口８を有するが、大気とは確実に遮
断された密閉状である。微粒子排出管２３は対電
極４を内包した管で、末端を微粒子搬送管９と接
続しているが、他端は対電極４先端よりわずか上
部に位置し、微粒子排出口８となつている。Ar
ガスは微粒子排出管２３の外周間隙に設けられた
供給口７から小空間室３に送り込まれ、生成した
微粒子を微粒子排出口８に排出する。
び微粒子排出口８を有するが、大気とは確実に遮
断された密閉状である。微粒子排出管２３は対電
極４を内包した管で、末端を微粒子搬送管９と接
続しているが、他端は対電極４先端よりわずか上
部に位置し、微粒子排出口８となつている。Ar
ガスは微粒子排出管２３の外周間隙に設けられた
供給口７から小空間室３に送り込まれ、生成した
微粒子を微粒子排出口８に排出する。
ガス供給口７、微粒子排出口８の構造や位置関
係は、微粒子を小空間室から拡散を少なくして効
率よく排出する上で適切なものである。Arガス
は流量を断続的に変えるために減圧弁、開閉弁、
流量調節器等から構成されるガス流量切替器６か
ら、ガス供給口７に送り込まれる。ガス流量の切
替は微粒子の搬送のために必要なものであるが、
詳細は後述する。
係は、微粒子を小空間室から拡散を少なくして効
率よく排出する上で適切なものである。Arガス
は流量を断続的に変えるために減圧弁、開閉弁、
流量調節器等から構成されるガス流量切替器６か
ら、ガス供給口７に送り込まれる。ガス流量の切
替は微粒子の搬送のために必要なものであるが、
詳細は後述する。
以上述べたように微粒子生成装置２は小型、軽
量で携帯可能であり、分析試料１の存在場所まで
持つて行き、試料表面に押圧して分析を行うこと
ができる。
量で携帯可能であり、分析試料１の存在場所まで
持つて行き、試料表面に押圧して分析を行うこと
ができる。
第１図では、試料を微粒子として蒸発生成させ
る加熱源としてスパーク放電を採用したが、アー
ク放電、プラズマアーク、レーザービーム、電子
ビーム等を加熱源として用いることができる。こ
れらは、分析対象試料の種類や試料表面からの深
さ方向の分析位置などの目的により使い分ける。
る加熱源としてスパーク放電を採用したが、アー
ク放電、プラズマアーク、レーザービーム、電子
ビーム等を加熱源として用いることができる。こ
れらは、分析対象試料の種類や試料表面からの深
さ方向の分析位置などの目的により使い分ける。
微粒子排出口８に導入された微粒子は、Arガ
ス流にのせられて微粒子搬送管９を通つて、搬送
ガス分配装置１１に搬送される。本発明は微粒子
を単に生成する場合と異なり、蒸発微粒子を一定
流速の搬送ガスと共に、常時安定して分析装置２
０へ送り込まねばならず、効率のよい微粒子の搬
送技術が必要になる。特に搬送管内壁に微粒子を
極力付着残留させないことおよび付着残留した微
粒子の除去方法が重要になる。
ス流にのせられて微粒子搬送管９を通つて、搬送
ガス分配装置１１に搬送される。本発明は微粒子
を単に生成する場合と異なり、蒸発微粒子を一定
流速の搬送ガスと共に、常時安定して分析装置２
０へ送り込まねばならず、効率のよい微粒子の搬
送技術が必要になる。特に搬送管内壁に微粒子を
極力付着残留させないことおよび付着残留した微
粒子の除去方法が重要になる。
製造工程の管理や製品のチエツク分析に本発明
を活用する場合には、プラズマ発光分光分析装置
を空調完備の建屋に収容する必要があることや、
振動、塵埃等の測定環境などから、微粒子は数
10mの長距離を搬送しなければならない。このよ
うに搬送距離が長くなると、搬送管内壁への微粒
子の付着残留が起り易くなり、搬送ガス中の微粒
子濃度が変動したり、コンタミネーシヨンとなつ
て正確な分析値が得られなくなる。
を活用する場合には、プラズマ発光分光分析装置
を空調完備の建屋に収容する必要があることや、
振動、塵埃等の測定環境などから、微粒子は数
10mの長距離を搬送しなければならない。このよ
うに搬送距離が長くなると、搬送管内壁への微粒
子の付着残留が起り易くなり、搬送ガス中の微粒
子濃度が変動したり、コンタミネーシヨンとなつ
て正確な分析値が得られなくなる。
鉄鋼材料を対象にスパーク放電を行つて生成し
た微粒子は、0.1μm以下の非常に細かい球状粒子
であるが、低速で管内を搬送すると管内壁に付着
し易くなり、特に低温部分に接触すると付着し易
くなる性質をもつている。また、管内壁に付着し
た微粒子は、付着後短時間以内にガスを吹きつけ
ると容易に剥離できる性質をもつ。従つて、小空
間室３で生成した微粒子は、搬送管９中を高流速
のArガスを供給して搬送する。搬送ガスの流速
を上げるために搬送管径は２〜５mmφ程度の細管
を用い、付着を抑制するために管外壁などに加熱
装置１０を取り付けて常時加熱するのが適当であ
る。
た微粒子は、0.1μm以下の非常に細かい球状粒子
であるが、低速で管内を搬送すると管内壁に付着
し易くなり、特に低温部分に接触すると付着し易
くなる性質をもつている。また、管内壁に付着し
た微粒子は、付着後短時間以内にガスを吹きつけ
ると容易に剥離できる性質をもつ。従つて、小空
間室３で生成した微粒子は、搬送管９中を高流速
のArガスを供給して搬送する。搬送ガスの流速
を上げるために搬送管径は２〜５mmφ程度の細管
を用い、付着を抑制するために管外壁などに加熱
装置１０を取り付けて常時加熱するのが適当であ
る。
このような対策をとつても微粒子の付着残留を
確実に防ぐことは不可能であり、除去操作が必要
になる。種々実験の結果、管内壁に付着した微粒
子は、高流速のArガスを吹き込むよりも、高流
速で吹き込み、次に一時Arガス吹き込みを停止
ないしは非常に低い流速におとす。そして再び高
流速に戻して吹き込む。これらの操作を反復する
ことにより、より確実に短時間で除去できること
が判明した。
確実に防ぐことは不可能であり、除去操作が必要
になる。種々実験の結果、管内壁に付着した微粒
子は、高流速のArガスを吹き込むよりも、高流
速で吹き込み、次に一時Arガス吹き込みを停止
ないしは非常に低い流速におとす。そして再び高
流速に戻して吹き込む。これらの操作を反復する
ことにより、より確実に短時間で除去できること
が判明した。
すなわち、吹き込まれるArガス流を一定流速
とするよりも流量を断続的に変化させて、Arガ
ス流に脈動のシヨツクを加える方法が有効であ
る。このほかArガス流量は分析開始時に、小空
間室３内に残留する大気を追い出すために高流速
で吹き込む必要がある。これらのArガスの流量
切替は、搬送ガス流量切替器６で制御される。
とするよりも流量を断続的に変化させて、Arガ
ス流に脈動のシヨツクを加える方法が有効であ
る。このほかArガス流量は分析開始時に、小空
間室３内に残留する大気を追い出すために高流速
で吹き込む必要がある。これらのArガスの流量
切替は、搬送ガス流量切替器６で制御される。
本実施例では搬送管は内径３mmφ、長さ40mを
用いたが、微粒子生成装置２を試料面１に押圧し
てから、Arガスを15l／minで15秒間吹き込み、
次に5l／minに切り替えてスパーク放電を開始、
最初の10秒間は予備放電とし、そのあと10秒間の
放電によつて生成した微粒子のプラズマ発光強度
を積分値で測定する。その直後に、Arガス流量
を15l／minに切り替えて３秒間吹き込み、次に
Arガス流量を２秒間停止し、再び15l／minで３
秒間吹き込む。この反復操作を３回行つて、管内
残留微粒子を確実に除去する方法をとつた。その
結果対象とした鉄鋼試料中に含まれるSi，Mn，
Ｐ，Ｓなどの微量成分を短時間で高精度で分析す
ることができた。
用いたが、微粒子生成装置２を試料面１に押圧し
てから、Arガスを15l／minで15秒間吹き込み、
次に5l／minに切り替えてスパーク放電を開始、
最初の10秒間は予備放電とし、そのあと10秒間の
放電によつて生成した微粒子のプラズマ発光強度
を積分値で測定する。その直後に、Arガス流量
を15l／minに切り替えて３秒間吹き込み、次に
Arガス流量を２秒間停止し、再び15l／minで３
秒間吹き込む。この反復操作を３回行つて、管内
残留微粒子を確実に除去する方法をとつた。その
結果対象とした鉄鋼試料中に含まれるSi，Mn，
Ｐ，Ｓなどの微量成分を短時間で高精度で分析す
ることができた。
搬送ガス分配装置１１は、搬送管９より搬送ガ
スで送られてきた微粒子を、一旦小空間部で拡散
させて更に均一化をはかる。プラズマトーチ１５
へ導入する搬送ガスの最適流量を得るために、一
定部分を系外に排出して搬送ガスの分配を行う。
あるいは搬送されてくる間に、凝集が進んで粗大
化した粒子を系外に排除して、微細粒子のみをプ
ラズマトーチ１５へ送り込むための粒径分離など
を行うためのものである。
スで送られてきた微粒子を、一旦小空間部で拡散
させて更に均一化をはかる。プラズマトーチ１５
へ導入する搬送ガスの最適流量を得るために、一
定部分を系外に排出して搬送ガスの分配を行う。
あるいは搬送されてくる間に、凝集が進んで粗大
化した粒子を系外に排除して、微細粒子のみをプ
ラズマトーチ１５へ送り込むための粒径分離など
を行うためのものである。
分配装置１１は、小径の円筒管で搬送管９を側
壁より挿入して管末端開口部を上向きに、この開
口部に微粒子導入管１４を上部より一定間隔をも
つて相対するように取付け、円筒管底部には流量
調節器１３を備えた排出管１２を取りつけてあ
る。これらの３本の管はいずれも10mmφ以下の細
管で、粗大粒子及び余剰の微粒子及び搬送ガスは
底部排出管１２より系外に排出され、残りの微粒
子は一定流量の搬送ガスと共に導入管１４へ導入
される。
壁より挿入して管末端開口部を上向きに、この開
口部に微粒子導入管１４を上部より一定間隔をも
つて相対するように取付け、円筒管底部には流量
調節器１３を備えた排出管１２を取りつけてあ
る。これらの３本の管はいずれも10mmφ以下の細
管で、粗大粒子及び余剰の微粒子及び搬送ガスは
底部排出管１２より系外に排出され、残りの微粒
子は一定流量の搬送ガスと共に導入管１４へ導入
される。
微粒子導入管１４は、プラズマ発光分光分析装
置２０に接続される。導入された微粒子はプラズ
マトーチ１５へ運び込まれ、高温のプラズマ部１
６に達して励起発光される。励起光は分光器１７
で分光され、光電子増倍管から成る検出器１８、
成分含有率算出装置１９によつて各々のスペクト
ル線強度が測定され、試料中の各成分含有率を迅
速に求められる。
置２０に接続される。導入された微粒子はプラズ
マトーチ１５へ運び込まれ、高温のプラズマ部１
６に達して励起発光される。励起光は分光器１７
で分光され、光電子増倍管から成る検出器１８、
成分含有率算出装置１９によつて各々のスペクト
ル線強度が測定され、試料中の各成分含有率を迅
速に求められる。
微粒子を励起発光させる分析装置２０として
は、高周波誘導結合型発光分光分析装置が最も適
していたが、そのほか各種アーク放電等のプラズ
マ励起発光分光分析装置あるいは原子吸光分析装
置などを適用できる。
は、高周波誘導結合型発光分光分析装置が最も適
していたが、そのほか各種アーク放電等のプラズ
マ励起発光分光分析装置あるいは原子吸光分析装
置などを適用できる。
以上説明したように、本発明によれば各種試料
中の含有成分をサンプリング等の操作を行わず
に、迅速かつ精度よく直接分析でき、特に金属等
の製造工程管理や製品のチエツク分析に極めて効
果が大きい。
中の含有成分をサンプリング等の操作を行わず
に、迅速かつ精度よく直接分析でき、特に金属等
の製造工程管理や製品のチエツク分析に極めて効
果が大きい。
第１図は本発明の実施例装置の説明図である。
１……分析試料、２……微粒子生成装置、３…
…小空間室、４……スパーク対電極、５……試料
電極、６……搬送ガス流量切替器、７……ガス供
給口、９……微粒子排出口、９……微粒子搬送
管、１０……加熱装置、１１……搬送ガス分配装
置、１４……微粒子導入管、１５……プラズマト
ーチ、２０……プラズマ発光分光分析装置。
…小空間室、４……スパーク対電極、５……試料
電極、６……搬送ガス流量切替器、７……ガス供
給口、９……微粒子排出口、９……微粒子搬送
管、１０……加熱装置、１１……搬送ガス分配装
置、１４……微粒子導入管、１５……プラズマト
ーチ、２０……プラズマ発光分光分析装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 大気を遮断して形成した小空間室底部に位置
する試料表面をスパーク、プラズマアーク、レー
ザー、電子ビーム等から選択したエネルギーによ
つて局部的に高温に加熱して微粒子を蒸発生成さ
せ、同微粒子を不活性ガスによつて、長尺の細管
中をプラズマ発光分光分析装置へ搬送して、各波
長の発光強度から試料中の各含有成分量を測定
し、この測定終了直後に上記不活性ガスを高流速
で細管中に吹き込み、次にこれを停止し、再度高
流速で吹き込む反復操作で細管内壁に付着残留し
た微粒子を剥離除去し、次試料の分析に移ること
を特徴とする微粒子長距離搬送プラズマ発光分光
分析方法。 ２ 上部には、先端が試料表面に対向するスパー
ク、プラズマアーク、レーザー、電子ビーム等か
ら選択したエネルギーを用いる加熱装置を設置す
ると共に流量断続切替器に接続する微粒子搬送ガ
ス供給口および微粒子排出口とを有し、底部には
試料表面に密着して密閉状小空間室を形成しうる
微粒子生成装置；一端を上記微粒子排出口に接続
し、他端を搬送ガス分配装置に接続した小径長尺
の微粒子搬送管；同搬送管の末端部と、微粒子導
入管と、流量調節器を備えた余剰ガスの排出管と
を取り付けた搬送ガス分配装置；同分配装置を前
記微粒子導入管で接続したプラズマ発光分光分析
装置とから構成したことを特徴とする微粒子長距
離搬送プラズマ発光分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8544283A JPS59210348A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微粒子長距離搬送プラズマ発光分光分析方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8544283A JPS59210348A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微粒子長距離搬送プラズマ発光分光分析方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210348A JPS59210348A (ja) | 1984-11-29 |
| JPH0150854B2 true JPH0150854B2 (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=13858979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8544283A Granted JPS59210348A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 微粒子長距離搬送プラズマ発光分光分析方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210348A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2618089B (en) * | 2022-04-25 | 2024-10-02 | Thermo Fisher Scient Ecublens Sarl | Spark stand for optical emission spectrometry with improved dust removal |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3791743A (en) * | 1973-03-21 | 1974-02-12 | Bethlehem Steel Corp | Portable flame photometer and sampling probe |
| JPS545488U (ja) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8544283A patent/JPS59210348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59210348A (ja) | 1984-11-29 |
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