JPS60140636A - 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 - Google Patents
撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS60140636A JPS60140636A JP58245181A JP24518183A JPS60140636A JP S60140636 A JPS60140636 A JP S60140636A JP 58245181 A JP58245181 A JP 58245181A JP 24518183 A JP24518183 A JP 24518183A JP S60140636 A JPS60140636 A JP S60140636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- deposited
- vapor deposition
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は撮像管の光導電ターゲット、とくに赤外の長波
長領域にも高い光電変換感度をもつターゲットおよびそ
の製造方法の改良に関する。
長領域にも高い光電変換感度をもつターゲットおよびそ
の製造方法の改良に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕光導電層の材料
としてセレン化カドミウム（以下、Ｃｄ Ｓｅ ）を用
いた撮像管は例えば力ルニコン（商品名）として実用さ
れている。この撮像管のターゲットは、ＣｄＳｅ層上に
三硫化砒素（以下、Ａｓ２Ｓ３）や三セレン化砒素（以
下、Ａｓ２５ｅ３）からなる高抵抗層が被着された複合
層からなっており、とくに可視光領域において量子効率
が略１に近い高感度が得られる。このため白黒用をはじ
めカラー用の撮像管として極めて有用である。しかし分
光感度の長波長端は約７ＱＯｎＩｌｌ付近であり、それ
より長波長の赤外領域までの光感度は十分でない。
としてセレン化カドミウム（以下、Ｃｄ Ｓｅ ）を用
いた撮像管は例えば力ルニコン（商品名）として実用さ
れている。この撮像管のターゲットは、ＣｄＳｅ層上に
三硫化砒素（以下、Ａｓ２Ｓ３）や三セレン化砒素（以
下、Ａｓ２５ｅ３）からなる高抵抗層が被着された複合
層からなっており、とくに可視光領域において量子効率
が略１に近い高感度が得られる。このため白黒用をはじ
めカラー用の撮像管として極めて有用である。しかし分
光感度の長波長端は約７ＱＯｎＩｌｌ付近であり、それ
より長波長の赤外領域までの光感度は十分でない。
例えば夜間の道路監視や、トンネル内、倉庫内監視など
、低い照度のもとての撮像においては、赤外領域までの
高感度が必要であり、この用途に適する撮像管がめられ
ている。
、低い照度のもとての撮像においては、赤外領域までの
高感度が必要であり、この用途に適する撮像管がめられ
ている。
赤外領域まで高感度をもつ撮像管に関しては、例えば本
発明者らによる特開昭５７−２０８０４１号公報に示さ
れるＣｄＳｅを主成分とするＣｄＳｅ、Ｃｄ Ｔｅ混含
物の蒸着層によるターゲットが知られている。しかしそ
れによっても、暗電流特性および長波長域での光感度特
性になお改良すべき余地が認められた。
発明者らによる特開昭５７−２０８０４１号公報に示さ
れるＣｄＳｅを主成分とするＣｄＳｅ、Ｃｄ Ｔｅ混含
物の蒸着層によるターゲットが知られている。しかしそ
れによっても、暗電流特性および長波長域での光感度特
性になお改良すべき余地が認められた。
本発明は以上の問題点を解決し、８００ ｎｍ以上の長
波長赤外領域にも十分高い光感度を有し、且つ暗電流特
性の１ぐれた撮像管の光導電ターゲットおよびその製造
方法を提供するものである。
波長赤外領域にも十分高い光感度を有し、且つ暗電流特
性の１ぐれた撮像管の光導電ターゲットおよびその製造
方法を提供するものである。
本発明は、透光性の導電層上に被着されたテルル化カド
ミウム（ＣｄＴｅ）ｔｊよびセレン化カドミウム、−（
ＣｄＳｅ）の混合層からなる光導電層（Ｃｄ Ｔｅ （
＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））と、この光導電層上に被着さ
れた高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲラｌ−ｋお
いて、上記（Ｃ（１７ｅ （＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））
光導電層のｌ−ｅとＳｅとのモル比の（Ｘｌの値が、０
．３から０．５の範囲の値であることを特徴とする１酎
像管の光導電ターゲラ１〜である。また、このような光
Ｓ電ターゲットの製造方法にＪ５いて、上記透過光性導
電層上に、不活性ガス雰囲気中でＣｄ１−ｅを主成分と
づるＣ ｄ Ｔ ｅ （１−Ｘ＞ Ｓ ｅ 、（Ｘ）か
らなる混合層を蒸着づる第１の蒸着工程と、この第１の
蒸着工程にひき続いて酸素を含む不活性ガス雰囲気中で
上記第１蒸着工程で得る蒸着層の厚さよりも厚い第２蒸
着工程と、次にこれら蒸着層を不活性ガス雰囲気中で５
５０℃乃至６５０℃の範囲内の温度で熱処理して光導電
層を形成することを特徴とする撮像管の光導電ターゲラ
１−の製造方法である。
ミウム（ＣｄＴｅ）ｔｊよびセレン化カドミウム、−（
ＣｄＳｅ）の混合層からなる光導電層（Ｃｄ Ｔｅ （
＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））と、この光導電層上に被着さ
れた高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲラｌ−ｋお
いて、上記（Ｃ（１７ｅ （＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ））
光導電層のｌ−ｅとＳｅとのモル比の（Ｘｌの値が、０
．３から０．５の範囲の値であることを特徴とする１酎
像管の光導電ターゲラ１〜である。また、このような光
Ｓ電ターゲットの製造方法にＪ５いて、上記透過光性導
電層上に、不活性ガス雰囲気中でＣｄ１−ｅを主成分と
づるＣ ｄ Ｔ ｅ （１−Ｘ＞ Ｓ ｅ 、（Ｘ）か
らなる混合層を蒸着づる第１の蒸着工程と、この第１の
蒸着工程にひき続いて酸素を含む不活性ガス雰囲気中で
上記第１蒸着工程で得る蒸着層の厚さよりも厚い第２蒸
着工程と、次にこれら蒸着層を不活性ガス雰囲気中で５
５０℃乃至６５０℃の範囲内の温度で熱処理して光導電
層を形成することを特徴とする撮像管の光導電ターゲラ
１−の製造方法である。
以下、図面を参照してその実施例を説明する。
なお同一部分は同一符号であられす。
本発明の光導電ターゲラ１−は、第１図に示すようにカ
ラスフェースプレートのような透光性基板（１１）の上
に直接又は色フィルタ膜のような他の透光性膜を介して
ネザ即ち透光性８？電層（１２）が被着され、この上に
ＣｄＴｅを主成分とするＣｄＴｅとＣｄ ３ｅとの混合
物からなる第１０蒸：？′ｉ層（１３）及び第２の蒸着
層（１４）を含むＣｄ’Ｔ−ｅ−Ｃｄ ３ｅ光導電層り
１５）が被着されてなる。そしてこの上に三セレン化砒
素（Ａｓ２Ｓｅ ３ ）の蒸着層からなる高抵抗層（１
６）、若しくはこの層上に三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ
３）の層を積層した蒸着高抵抗層（１７）が被着されて
なる。なお、透光性導電層（１２）と第１蒸着層（１３
）との間に他の高抵抗薄層を介在させてもよい。
ラスフェースプレートのような透光性基板（１１）の上
に直接又は色フィルタ膜のような他の透光性膜を介して
ネザ即ち透光性８？電層（１２）が被着され、この上に
ＣｄＴｅを主成分とするＣｄＴｅとＣｄ ３ｅとの混合
物からなる第１０蒸：？′ｉ層（１３）及び第２の蒸着
層（１４）を含むＣｄ’Ｔ−ｅ−Ｃｄ ３ｅ光導電層り
１５）が被着されてなる。そしてこの上に三セレン化砒
素（Ａｓ２Ｓｅ ３ ）の蒸着層からなる高抵抗層（１
６）、若しくはこの層上に三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ
３）の層を積層した蒸着高抵抗層（１７）が被着されて
なる。なお、透光性導電層（１２）と第１蒸着層（１３
）との間に他の高抵抗薄層を介在させてもよい。
光導電層（１５）は、ＣｄＴｅを主成分とするものであ
り、ｃｃ＋ ｒｅ （＋−ｘ＋ ｓｅ ＋ｘ）ｒあられ
される構成のうち、丁ｅと５ｅとのモル比は（Ｘ）のイ
的が、０．３ ＜ （Ｘ） ＜ ０．５ の範囲内となるようにする。つまりＣｄ Ｔ ｅ （１
−Ｘ）Ｓ ｅ （ＸｌのＱｄが１に対してＴｅは０．５
〜０．７ （１）範囲、Ｓｅは０．３〜０．５の範囲内
の値に選んである。
り、ｃｃ＋ ｒｅ （＋−ｘ＋ ｓｅ ＋ｘ）ｒあられ
される構成のうち、丁ｅと５ｅとのモル比は（Ｘ）のイ
的が、０．３ ＜ （Ｘ） ＜ ０．５ の範囲内となるようにする。つまりＣｄ Ｔ ｅ （１
−Ｘ）Ｓ ｅ （ＸｌのＱｄが１に対してＴｅは０．５
〜０．７ （１）範囲、Ｓｅは０．３〜０．５の範囲内
の値に選んである。
そしてこのＣｄ Ｔｅ （１−Ｘ）３ｅ （Ｘ）からな
る第１の蒸着層（１３）は、２００〜２０００人の範囲
の厚さとし、また同じく第２の蒸着層（１４）はそれに
り十分厚く、０．３μｍ〜１．８μｍの範囲の厚さに形
成する。
る第１の蒸着層（１３）は、２００〜２０００人の範囲
の厚さとし、また同じく第２の蒸着層（１４）はそれに
り十分厚く、０．３μｍ〜１．８μｍの範囲の厚さに形
成する。
これらは後述するように好ましくは蒸着雰囲気を変えて
蒸着し、両者の合Ｈ１の層厚は約０，５〜２．０μ印の
範囲の厚さに形成しである。また高１１（抗層（１６）
は約１．０〜２．０ μｍ 、例えば１．５μｍであり
、層（１７）は約５００〜１５００人、例えば１０００
人とする。
蒸着し、両者の合Ｈ１の層厚は約０，５〜２．０μ印の
範囲の厚さに形成しである。また高１１（抗層（１６）
は約１．０〜２．０ μｍ 、例えば１．５μｍであり
、層（１７）は約５００〜１５００人、例えば１０００
人とする。
次に好ましい製造方法について述べる。
まず透光性基板（１１）ｌに透光性導電層（１２）を被
着する。そしてこの導電層（１２）の上に、基板温度を
１５０℃〜２５０℃の温度に保ちながら、０．０１〜１
ＴＯｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａ「）ガス雰囲気
中でＣｄ ＴｅとＣｄＳｅを蒸着層る。
着する。そしてこの導電層（１２）の上に、基板温度を
１５０℃〜２５０℃の温度に保ちながら、０．０１〜１
ＴＯｒｒの範囲内の圧力のアルゴン（Ａ「）ガス雰囲気
中でＣｄ ＴｅとＣｄＳｅを蒸着層る。
この蒸着に当っては、Ｃｄ Ｔｅ粉末とＣｄ Ｓｅ粉末
とを所定モル比で混合し熱処理して固溶材料としたもの
を蒸発用るつぼに入れて蒸着してもよい。
とを所定モル比で混合し熱処理して固溶材料としたもの
を蒸発用るつぼに入れて蒸着してもよい。
あるいはまた、Ｃｄ ＴｅとＣｄＳｅを別々の蒸着源に
入れて同時蒸着又は循環的に積層するようにして蒸着し
てもよい。そして前述のような成分比となるようにする
。
入れて同時蒸着又は循環的に積層するようにして蒸着し
てもよい。そして前述のような成分比となるようにする
。
こうして第１の蒸着層（１３）となる層を例えば約１０
００人の厚さに形成し、これにひき続いて蒸着雰囲気を
酸素を含む不活性ガス雰囲気に変え、且つ０．０１〜１
Ｔ０ｒｒの範囲内の圧力で上記と同様に第２の蒸着層（
１４）となる層を例えば約９０００人の厚さに形成する
。
００人の厚さに形成し、これにひき続いて蒸着雰囲気を
酸素を含む不活性ガス雰囲気に変え、且つ０．０１〜１
Ｔ０ｒｒの範囲内の圧力で上記と同様に第２の蒸着層（
１４）となる層を例えば約９０００人の厚さに形成する
。
次にこのターゲットをテルル（Ｔｅ ＞蒸気を含む窒素
（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５５０℃〜６
５０℃の範囲の温度で例えば２０分間熱処理により焼結
を行なう。次いで、この焼結されたＣｄ Ｔｅ （１−
Ｘ） ３ｅ （Ｘ）の光導電層（１５）上に、ＡＳ２Ｓ
ｅ３の高抵抗層（１６）をたとえば１．５μｍの厚さに
蒸着し、さらにＳｂ２Ｓ３層（１７）を約１０００人の
厚さに形成して、複合層からなる光導電ターゲットを得
る。
（Ｎ２）のような不活性ガス雰囲気中で、５５０℃〜６
５０℃の範囲の温度で例えば２０分間熱処理により焼結
を行なう。次いで、この焼結されたＣｄ Ｔｅ （１−
Ｘ） ３ｅ （Ｘ）の光導電層（１５）上に、ＡＳ２Ｓ
ｅ３の高抵抗層（１６）をたとえば１．５μｍの厚さに
蒸着し、さらにＳｂ２Ｓ３層（１７）を約１０００人の
厚さに形成して、複合層からなる光導電ターゲットを得
る。
本発明により得られる撮像管の光導電ターゲットの特性
について次に説明する。
について次に説明する。
本発明のターゲットによれば、第２図に曲線＜Ａ）で示
すように約９００ｎｍ近くの長波長赤外領域までも」−
分な光感度が得られた。同図に示づ曲線（Ｂ）は前述の
特開昭５７−２０８０４１号公報に示されているターゲ
ットの場合であり、これと比較して本発明の方が改善さ
れていることがわかる。これら両者の特性の相異は、主
としてＴｅとＳｅのモル比の相異からくるものと考えら
れる。
すように約９００ｎｍ近くの長波長赤外領域までも」−
分な光感度が得られた。同図に示づ曲線（Ｂ）は前述の
特開昭５７−２０８０４１号公報に示されているターゲ
ットの場合であり、これと比較して本発明の方が改善さ
れていることがわかる。これら両者の特性の相異は、主
としてＴｅとＳｅのモル比の相異からくるものと考えら
れる。
また１ルクス（Ａｕｘ）の照度のもとての暗電流特性は
、・第３図に示すように、本発明の特性（Ａ）がターゲ
ツト電圧３０Ｖ程度まで十分小さいＩｌ＆電流特性が維
持されることがわかる。これに対して、（、ｄ Ｔ ｅ
（ｉ−Ｘ） Ｓ ｅ、 （Ｘ）光導電層を酸素を含む
不活性ガス雰囲気でのみ蒸着したものは曲線（Ｃ）のよ
うに、またそれを不活性ガス雰囲気でのみ蒸着したもの
は曲線（Ｄ）に示すように各々ターゲット電圧が２０Ｖ
もしく＋１１ｏｖ付近でブレークダウンを起こして暗電
流が急激に増加してしまう特性を有している。
、・第３図に示すように、本発明の特性（Ａ）がターゲ
ツト電圧３０Ｖ程度まで十分小さいＩｌ＆電流特性が維
持されることがわかる。これに対して、（、ｄ Ｔ ｅ
（ｉ−Ｘ） Ｓ ｅ、 （Ｘ）光導電層を酸素を含む
不活性ガス雰囲気でのみ蒸着したものは曲線（Ｃ）のよ
うに、またそれを不活性ガス雰囲気でのみ蒸着したもの
は曲線（Ｄ）に示すように各々ターゲット電圧が２０Ｖ
もしく＋１１ｏｖ付近でブレークダウンを起こして暗電
流が急激に増加してしまう特性を有している。
本発明者らはこの種ターゲットについての種々の研究か
ら、前述のように光導電層のＴｅとＳｅとのモル比を定
める（Ｘ）の値を０．３〜０．５の範囲に選ぶことによ
り光感度、暗電流、焼付特性などを十分満足することが
できることを確認した。これを総合して示すと、（Ｘ）
の値を変化させた光導電層について光感度を比較した結
果、第４図に示すように（Ｘ）がおよそ０．５以上では
感度が著しく劣化することが確認された。そして（Ｘ）
の値が０．５以下であると、光導電層の結晶系はせん亜
鉛鉱型となり結晶方位もよくそろっていることが観察さ
れたのに対し、（Ｘ）の値が０．５を越えるものでは結
晶方位の乱れが増してくることが確認された。
ら、前述のように光導電層のＴｅとＳｅとのモル比を定
める（Ｘ）の値を０．３〜０．５の範囲に選ぶことによ
り光感度、暗電流、焼付特性などを十分満足することが
できることを確認した。これを総合して示すと、（Ｘ）
の値を変化させた光導電層について光感度を比較した結
果、第４図に示すように（Ｘ）がおよそ０．５以上では
感度が著しく劣化することが確認された。そして（Ｘ）
の値が０．５以下であると、光導電層の結晶系はせん亜
鉛鉱型となり結晶方位もよくそろっていることが観察さ
れたのに対し、（Ｘ）の値が０．５を越えるものでは結
晶方位の乱れが増してくることが確認された。
一方、暗電流特性は、第５図に示すように（Ｘ）の値が
およそ０．５を越えると急激に増加し、また（Ｘ）の値
がおよそ０．３以下でも徐々に増加覆る傾向がある。こ
れは（Ｘ）の値が０．３１９下というように小さくなる
と層の抵抗値が下がるとともに透光性導電層からの電何
の注入が起こり、それらのために暗電流が増加する傾向
を示す。なおこの測定結果はターゲラ１〜電圧１５Ｖで
の結果である。
およそ０．５を越えると急激に増加し、また（Ｘ）の値
がおよそ０．３以下でも徐々に増加覆る傾向がある。こ
れは（Ｘ）の値が０．３１９下というように小さくなる
と層の抵抗値が下がるとともに透光性導電層からの電何
の注入が起こり、それらのために暗電流が増加する傾向
を示す。なおこの測定結果はターゲラ１〜電圧１５Ｖで
の結果である。
また焼付きが消滅するのに必要なターゲラ１−電圧すな
わち焼（＝Ｉ潤減滅電圧、第６図に示すようにやはり（
Ｘ）の値がおよそ０．３〜０．５の範囲外であると増加
してしまう。これは前述した結晶性の悲さおよび透光性
Ｓ電層からの電荷の注入に起因しているものと考えられ
る。
わち焼（＝Ｉ潤減滅電圧、第６図に示すようにやはり（
Ｘ）の値がおよそ０．３〜０．５の範囲外であると増加
してしまう。これは前述した結晶性の悲さおよび透光性
Ｓ電層からの電荷の注入に起因しているものと考えられ
る。
次に本発明のＣｄ’ Ｔ ｅ （１−Ｘ） Ｓ ｅ 、
（Ｘ）光導電ＩＩ（１５）の好ましい厚さに関して述べ
る。
（Ｘ）光導電ＩＩ（１５）の好ましい厚さに関して述べ
る。
光導電層の成分比のく×）の値がおよそ０．３〜０．５
の範囲内である場合に、その層厚の変化と長波長域での
光感度の関係を測定すると第７図に示すように、およそ
０．５μｍ以下の層厚では感度が劣化してしまう。さら
に光導電層を長波長域の光の一部が通過して高抵抗層に
到達するため特に過大な光ｍの入射時、焼付特性が著し
く劣化する。一方また、およそ２μｍ以上の厚さでは焼
付消滅電圧の上昇が大きくなり、キズの発生ずる電圧よ
り上回ねるため、ターゲット動作電圧の余裕度がなくな
ってしまう。そしてターゲット電圧に対する各層厚にお
ける信号電流および暗電流特性を第８図および第９図に
示す。これらかられかるように層厚が約１μｍである本
発明実施例の特性（Ａ＞に比べて、層厚が約０．３μｍ
である比較例（Ｅ）は感度の立上り特性がすぐれる反面
暗電流特性が著しく劣化する。また層厚が約３μ川の比
較例（Ｆ）は焼付消滅電圧が大幅に上昇し感度が著しく
劣化する。なおこれらの測定結果は光源温度２８５０°
にの標準光源で、ＩＱｕｘの照度のもとての測定結果で
ある。
の範囲内である場合に、その層厚の変化と長波長域での
光感度の関係を測定すると第７図に示すように、およそ
０．５μｍ以下の層厚では感度が劣化してしまう。さら
に光導電層を長波長域の光の一部が通過して高抵抗層に
到達するため特に過大な光ｍの入射時、焼付特性が著し
く劣化する。一方また、およそ２μｍ以上の厚さでは焼
付消滅電圧の上昇が大きくなり、キズの発生ずる電圧よ
り上回ねるため、ターゲット動作電圧の余裕度がなくな
ってしまう。そしてターゲット電圧に対する各層厚にお
ける信号電流および暗電流特性を第８図および第９図に
示す。これらかられかるように層厚が約１μｍである本
発明実施例の特性（Ａ＞に比べて、層厚が約０．３μｍ
である比較例（Ｅ）は感度の立上り特性がすぐれる反面
暗電流特性が著しく劣化する。また層厚が約３μ川の比
較例（Ｆ）は焼付消滅電圧が大幅に上昇し感度が著しく
劣化する。なおこれらの測定結果は光源温度２８５０°
にの標準光源で、ＩＱｕｘの照度のもとての測定結果で
ある。
このように本発明による光導電ターゲットは、光感度、
暗電流特性とも十分満足しつる特性を示すことが確認で
きた。
暗電流特性とも十分満足しつる特性を示すことが確認で
きた。
第１図は本発明の実施例を示す概略縦断面図、第２図乃
至第９図は各々その特性図である。 （１１〉 ・・透光性基板、（１２）・・透過光性導電
層、（１３） ・・第１蒸着層、（１４）・・第２蒸着
層、（１５）・・光導電層、（１６）、（１７）・・高
抵抗層、（Ａ）・・本発明実施例の特性。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 ２
図 液長（ｎ蛮）− 第３図 第４図 Ｘのイ、！Ｌ −）− 第 ５ 図 第 ６ 図 １１Ｌ Ｘ、イ□− 第 ７ 図 第 ８ 図 クーゲット川とカー（■）□ 第９図 ターゲ、７１唄焚か（■ノー 手 続 補 正 ｔＢ （自発） 特狛庁長官殿 １、事件の表示 １ｊｊ ｉぜ１ｌｌｉｔｂ８−２／４５１８１号２、発
明の名称 撮像管の光導電ターゲラ１〜および その製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特Ｗ［出願人 （３０７）株式会ネ１ 東芝 ４、代理人 〒１０５ 東ふミ都港区芝浦−Ｉ’ ｍｌ １番１号（１） 明細
書の特工′ｌ晶求の範囲の欄（２） ｌ！ＩＩＩＩ占の
発明の詳細な説明の欄６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲の欄を別組の通りに補正する。 ■ 明細書の第５頁第７〜９行に記載の、「テルル化カ
ドミウム・・・・・ｕ合図からなる」を、次の通りに補
正覆る。 ［カドミウム（Ｃｄ）、テルル セレン（Ｓｅ ）を主成分とする」 （３） 同第７頁第３行に記載の、ｌ’ｃｄＴｅを主成
分」を、 ［）ｊドミウム（Ｃｄ）、テルル（Ｔｅ ） 、セレン
（８０ ）を主成分」 に補止する。 以 上 特許請求の範囲 （１）透光性のＬ（扱と、この基板上に被着された透光
性導電層と、この導電層上に被着されたＣ ｄ Ｔ ｅ
（１−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）からなる光導電層と、こ
の光導電層上に被着されＩＣ ａ抵抗層とを含む撮像管
の光導電ターグツ１〜にＪ５いて、 一ト記（ Ｃｄ １ ｅ （１−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）
）からなる光導電層の１−０と３ｅとのモル比の前記
（Ｘ）の値が、０、３から０．５の範囲の値であること
を’ｌ；ｊ Ｉ′１ｉとづる囮像管の光）ひ電ターゲッ
１〜。 （ ２ ） Ｃｄ −［ｅ （＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）
からなる光導電層は、その層厚が０．５μｍから２．０
μｍの範囲の厚さを右して４ｒる特許請求の範囲第１項
記載の光導電ターグツ１〜。 （ ３ ） ｉ！％抵抗層は、三セレン化砒素く△ｓ２
３ｅ３）の層または二硫化砒素（ＡＳ２Ｓ３）、若しく
はこの層上にこれより博い三硫化アンプしン（Ｓｂ２Ｓ
３）の層をｍ層した層からなる特許請求の範囲第１項記
載の光導電ターゲット。 （４）透光性の基板と、この基板上に被着された透光性
導電層と、この導電層上に被着されたＣｄ Ｔｅ （＋
−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）からなる光導電層と、この光導電
層上に被着された高抵抗層とを含む撮像管の光導電ター
ゲットの製造方法において、 上記透過光性導電層上に、不活性ガス雰囲気中で（ Ｃ
ｄ Ｔｅ （１−Ｘ） ３ｅ （Ｘ）） カラ’ニルＢ
合図を蒸着形成づる第１の蒸着工程と、この第１の蒸着
工程にひき続いて酸素を含む不活性ガス雰囲気中で上記
第１蒸着工程で得る蒸着層の厚さよりも厚い第２蒸着工
程と、次にこれら蒸着層を不活性ガス雰囲気中で５５０
℃乃至６５０℃の範囲内の温度で熱処理して光導電層を
形成Ｊることを特徴とする撮像管の光導電ターゲットの
製造方法。 （５）第１の蒸着工程で得る光導電層の厚さは２００人
〜２０００人の範囲であり、第２の蒸着工程で１９る層
厚は０．３μｍ〜１．８μｍの範囲の厚さである特許請
求の範囲第４項記載の光導電ターゲットの製造方法。 （６）熱処理工程は、不活性ガスおよびテルル（１０）
熱気を含む雰囲気である特許請求の範囲第４項記載の光
導電ターゲットの製造方法。
至第９図は各々その特性図である。 （１１〉 ・・透光性基板、（１２）・・透過光性導電
層、（１３） ・・第１蒸着層、（１４）・・第２蒸着
層、（１５）・・光導電層、（１６）、（１７）・・高
抵抗層、（Ａ）・・本発明実施例の特性。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第 ２
図 液長（ｎ蛮）− 第３図 第４図 Ｘのイ、！Ｌ −）− 第 ５ 図 第 ６ 図 １１Ｌ Ｘ、イ□− 第 ７ 図 第 ８ 図 クーゲット川とカー（■）□ 第９図 ターゲ、７１唄焚か（■ノー 手 続 補 正 ｔＢ （自発） 特狛庁長官殿 １、事件の表示 １ｊｊ ｉぜ１ｌｌｉｔｂ８−２／４５１８１号２、発
明の名称 撮像管の光導電ターゲラ１〜および その製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特Ｗ［出願人 （３０７）株式会ネ１ 東芝 ４、代理人 〒１０５ 東ふミ都港区芝浦−Ｉ’ ｍｌ １番１号（１） 明細
書の特工′ｌ晶求の範囲の欄（２） ｌ！ＩＩＩＩ占の
発明の詳細な説明の欄６、補正の内容 （１） 特許請求の範囲の欄を別組の通りに補正する。 ■ 明細書の第５頁第７〜９行に記載の、「テルル化カ
ドミウム・・・・・ｕ合図からなる」を、次の通りに補
正覆る。 ［カドミウム（Ｃｄ）、テルル セレン（Ｓｅ ）を主成分とする」 （３） 同第７頁第３行に記載の、ｌ’ｃｄＴｅを主成
分」を、 ［）ｊドミウム（Ｃｄ）、テルル（Ｔｅ ） 、セレン
（８０ ）を主成分」 に補止する。 以 上 特許請求の範囲 （１）透光性のＬ（扱と、この基板上に被着された透光
性導電層と、この導電層上に被着されたＣ ｄ Ｔ ｅ
（１−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）からなる光導電層と、こ
の光導電層上に被着されＩＣ ａ抵抗層とを含む撮像管
の光導電ターグツ１〜にＪ５いて、 一ト記（ Ｃｄ １ ｅ （１−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ）
）からなる光導電層の１−０と３ｅとのモル比の前記
（Ｘ）の値が、０、３から０．５の範囲の値であること
を’ｌ；ｊ Ｉ′１ｉとづる囮像管の光）ひ電ターゲッ
１〜。 （ ２ ） Ｃｄ −［ｅ （＋−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）
からなる光導電層は、その層厚が０．５μｍから２．０
μｍの範囲の厚さを右して４ｒる特許請求の範囲第１項
記載の光導電ターグツ１〜。 （ ３ ） ｉ！％抵抗層は、三セレン化砒素く△ｓ２
３ｅ３）の層または二硫化砒素（ＡＳ２Ｓ３）、若しく
はこの層上にこれより博い三硫化アンプしン（Ｓｂ２Ｓ
３）の層をｍ層した層からなる特許請求の範囲第１項記
載の光導電ターゲット。 （４）透光性の基板と、この基板上に被着された透光性
導電層と、この導電層上に被着されたＣｄ Ｔｅ （＋
−Ｘ） Ｓｅ （Ｘ）からなる光導電層と、この光導電
層上に被着された高抵抗層とを含む撮像管の光導電ター
ゲットの製造方法において、 上記透過光性導電層上に、不活性ガス雰囲気中で（ Ｃ
ｄ Ｔｅ （１−Ｘ） ３ｅ （Ｘ）） カラ’ニルＢ
合図を蒸着形成づる第１の蒸着工程と、この第１の蒸着
工程にひき続いて酸素を含む不活性ガス雰囲気中で上記
第１蒸着工程で得る蒸着層の厚さよりも厚い第２蒸着工
程と、次にこれら蒸着層を不活性ガス雰囲気中で５５０
℃乃至６５０℃の範囲内の温度で熱処理して光導電層を
形成Ｊることを特徴とする撮像管の光導電ターゲットの
製造方法。 （５）第１の蒸着工程で得る光導電層の厚さは２００人
〜２０００人の範囲であり、第２の蒸着工程で１９る層
厚は０．３μｍ〜１．８μｍの範囲の厚さである特許請
求の範囲第４項記載の光導電ターゲットの製造方法。 （６）熱処理工程は、不活性ガスおよびテルル（１０）
熱気を含む雰囲気である特許請求の範囲第４項記載の光
導電ターゲットの製造方法。
Claims (6)
- （１）透光性の基板と、この基板上に被着された透光性
導電層と、この導電層上に被着されたテルル化カドミウ
ム（ＣｄＴｅ）およびセレン化カドミウム（Ｃｄ Ｓｅ
）の混合層（ＣｄＴ ｅ （１−Ｘ） Ｓ ｅ （Ｘ
） ）からなる光導電層と、この光導電層上に被着され
た高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲラ１−におい
て、 上記（Ｃｄ １−０ （＋−Ｘ） ３ｅ （Ｘ））から
なる光導電層のｌ−ｅとＳｅとのモル比の前記（Ｘ）の
値が、０．３から０．５の範囲の４ｉａであることを特
徴とする撮像管の光Ｓ電ターゲット。 - （２） Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） Ｓｏ （Ｘ）からな
る光導電層は、その層厚が０．５μｍから２．０μｍの
範囲の厚さを有してなる特許請求の範囲第１項記載の光
導電ターゲット。 - （３）高抵抗層は、三セレン化砒素（Ａ、５２Ｓ（！
３ ）の層または三硫化砒素（ＡＳ２Ｓ３ ） 、若し
くはこの層上にこれより薄い三硫化アンチモン（Ｓｂ２
Ｓ３）の層を積層した層からなる特許請求の範囲第１項
記載の光導電ターゲット。 - （４）透光性の基板と、この基板上に被着された透光性
導電層と、この導電層上に被着されたテルル化カドミウ
ム（Ｃｄ Ｔｅ ）およびセレン化カドミウム（ＣｄＳ
’ｅ）の混合層（ＣｄＴ ｅ （１−Ｘ） Ｓ ｅ （
Ｘ） ）からなる光導電層と、この光導電層上に被着さ
れた高抵抗層とを含む撮像管の光導電ターゲットの製造
方法において、上記透過光性導電層上に、不活性ガス雰
囲気中で（Ｃｄ Ｔｅ （１−Ｘ） Ｓ（！ （Ｘ））
からなる混合層を蒸着形成する第１の蒸着工程と、この
第１の蒸着工程にひき続いて酸素を含む不活性ガス雰囲
気中で上記第１蒸着工程で得る蒸着層の厚さよりも厚い
第２蒸着工程と、次にこれら蒸＠層を不活性ガス雰囲気
中で５５０℃乃至６５０℃の範囲内、の温度で熱処理し
て光導電層を形成することを特徴とする撮像管の光導電
ターゲットの製造方法。 - （５）第１の蒸着工程で得る光導電層の厚さは２００人
〜２０００人の範囲であり、第２の蒸着工程で得る層厚
は０．３μＩｌｌ〜１．８μｍの範囲の厚さである特許
請求の範囲第４項記載の光導電ターゲラ１〜の製造方法
。 - （６）熱処理工程は、不活性ガスおよびテルル（Ｔｅ
＞蒸気を含む雰囲気である特許請求の範囲第４項記載の
光導電ターゲットの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245181A JPS60140636A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 |
| US06/686,401 US4614891A (en) | 1983-12-28 | 1984-12-26 | Photoconductive target of image pickup tube |
| EP84116346A EP0146967B1 (en) | 1983-12-28 | 1984-12-27 | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof |
| DE8484116346T DE3470250D1 (en) | 1983-12-28 | 1984-12-27 | Photoconductive target of image pickup tube and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245181A JPS60140636A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140636A true JPS60140636A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0554211B2 JPH0554211B2 (ja) | 1993-08-12 |
Family
ID=17129815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245181A Granted JPS60140636A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 撮像管の光導電タ−ゲツトおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4614891A (ja) |
| EP (1) | EP0146967B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60140636A (ja) |
| DE (1) | DE3470250D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0762986B2 (ja) * | 1987-01-14 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | 受光装置 |
| JP2001284628A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| WO2014121187A2 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic device including a p-n junction and method of manufacturing |
| US11876140B2 (en) | 2013-05-02 | 2024-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
| CN104183663B (zh) | 2013-05-21 | 2017-04-12 | 第一太阳能马来西亚有限公司 | 光伏器件及其制备方法 |
| US10062800B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-08-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
| US9871154B2 (en) | 2013-06-21 | 2018-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices |
| US10529883B2 (en) | 2014-11-03 | 2020-01-07 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of manufacturing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208041A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Photoconductive target and its manufacture |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US28156A (en) * | 1860-05-08 | Wringing clothes | ||
| DE1614753A1 (de) * | 1966-01-11 | 1970-12-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Fotoelektrische Leiter |
| US3571646A (en) | 1967-07-17 | 1971-03-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride |
| GB1386687A (en) * | 1972-09-15 | 1975-03-12 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image pickup tube |
| JPS5118155A (en) * | 1974-08-03 | 1976-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Datsusuikitono anzensochi |
| US3947717A (en) * | 1975-03-31 | 1976-03-30 | Rca Corporation | Photoconductor of cadmium selenide and aluminum oxide |
| JPS5814753B2 (ja) * | 1976-01-19 | 1983-03-22 | 株式会社東芝 | 光導電タ−ゲツト |
| JPS5342610A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Fujitsu Ltd | Talkie transmission system on digital telephone exchange |
| JPS5826832B2 (ja) * | 1978-01-20 | 1983-06-06 | 株式会社東芝 | 光導電タ−ゲツトの製造方法 |
| JPS54122988A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-22 | Toshiba Corp | Manufacture for photo conductive target |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245181A patent/JPS60140636A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-26 US US06/686,401 patent/US4614891A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-27 DE DE8484116346T patent/DE3470250D1/de not_active Expired
- 1984-12-27 EP EP84116346A patent/EP0146967B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57208041A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Photoconductive target and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0146967A2 (en) | 1985-07-03 |
| JPH0554211B2 (ja) | 1993-08-12 |
| US4614891A (en) | 1986-09-30 |
| EP0146967B1 (en) | 1988-03-30 |
| EP0146967A3 (en) | 1986-08-06 |
| DE3470250D1 (en) | 1988-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0554211B2 (ja) | ||
| USRE28156E (en) | Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride | |
| US5760853A (en) | Liquid crystal light valve with dielectric mirror containing semiconductor oxide, ferroelectric material or conductive material | |
| JPS61225740A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲツト | |
| JPS60227341A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲツト | |
| US4839511A (en) | Enhanced sensitivity photodetector having a multi-layered, sandwich-type construction | |
| JPS5826832B2 (ja) | 光導電タ−ゲツトの製造方法 | |
| JPH0151016B2 (ja) | ||
| JP3146612B2 (ja) | 固溶体薄膜の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
| JPS58111379A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| KR890001434B1 (ko) | 촬상관용 타켓의 제조방법 | |
| JPS6142840A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲット | |
| US4445131A (en) | Photoconductive image pick-up tube target | |
| JPH0452566B2 (ja) | ||
| KR890003210B1 (ko) | 광도전막의 제조방법 | |
| JPS5816288B2 (ja) | コウドウデンタ−ゲツトノ セイゾウホウホウ | |
| JPH0224031B2 (ja) | ||
| JPH08213583A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61236173A (ja) | 非晶質シリコン光センサ | |
| JPS59227173A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| JPH063712A (ja) | 多層膜調光材料 | |
| JPH0129297B2 (ja) | ||
| JPH0370327B2 (ja) | ||
| KR850000084B1 (ko) | 광전변환장치 | |
| JPS61267241A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲツト |