JPH0152893B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、投影レンズによりマスク上の回路パ
ターンを試料上にステツプ・アンド・リピートさ
せて露光単位毎に投影露光するために、所定の露
光単位における上記試料とマスクとをアライメン
トする投影式アライメント方法及びその装置に関
する。

〔従来の技術〕

例えば、縮小投影式露光装置は、一般に第１図
に示すように、マスク１とウエハ３とを離間させ
て配置すると共に、その間に投影レンズ２を、マ
スク１上にコンデンサレンズ４をそれぞれ配置し
たもので、露光光源（図示せず）からの露光光を
コンデンサレンズ４を介してマスク１に照射し、
該マスク１のマスクパターン５を投影レンズ２を
介してウエハ３のペレツト８上にウエハパターン
２７として縮小投影露光転写する。なお、このと
きマスク１をウエハ駆動用ステツプ・アンド・リ
ピートＸ―Ｙテーブル（図示せず）の走行方向と
一致させ、しかも絶体座標の原点に配置するた
め、ウエハ駆動用ステツプ・アンド・リピートＸ
―Ｙテーブルの走行方向である絶対座標のＸ―Ｙ
軸上で、且マスクアライメントする鏡筒（図示せ
ず）内に設置されたレチクル状の十字アライメン
トパターン（図示せず）と上記〓形状アライメン
トパターン６との相対的変位を目視または自動的
に検出し、その変位量に応じてマスクを載置した
Ｘ・Ｙ・θテーブルを回転θ、Ｘ軸方向微移動、
及びＹ軸方向微移動させて行なう。

そして、前述の投影式露光装置において、マス
ク１とウエハ３とを位置合わせする従来の投影式
マスク・アライメント装置は、マスク１の周辺に
クローム７ａを蒸着させて約400μm角の透明部よ
りなるマスク・アライメント・パターン７を設
け、一方ウエハ３に約5μm幅の十字状段差で、表
面にホト・レジストを塗布したウエハ・アライメ
ント・パターン９を設け、それから露光光と同じ
光を照射する水銀灯１３、干渉フイルム１４、コ
ンデンサレンズ１５，１６、絞り１７、ハーフミ
ラー１２、及びミラー１１からなる光学系と、こ
の光学系と異なる角度からマスク・アライメント
パターン７を照射する光学系１０と、対物レンズ
１８、ハーフミラー１９，２０、像回転プリズム
２１、ミラー２２、スリツト２３およびＸ、Ｙ用
受光素子２４，２５からなる検出系とを装備した
ものである。

そこでまず昭和52年特許出願第19237号に開示
されている如く、別のステーシヨンでウエハ３を
粗アライメントされた状態で収納されたカセツト
治具（図示せず）をステツプ・アンドリピートＸ
―Ｙテーブル（図示せず）上に設置された位置決
め用ピンに当接して載置する。そしてステツプ・
アンド・リピートＸ―Ｙテーブルを例えばＸ軸＋
方向に＋Ｎ×Ｐなる距離〔但し、Ｎは整数、Ｐは
チツプ間距離（単位ステツプ距離）である〕移動
させて縮小投影レンズ２の中心である光軸にウエ
ハ３上の左端のチツプ８を位置付ける。そして水
銀灯１３からの露光光と同じ光が干渉フイルタ１
４、コンデンサレンズ１５、及び１６、絞り１
７、ハーフミラー１２、ミラー１１を経てマスク
１のマスク・アライメント・パターン７を照射、
その光が入射光３０として縮小投影レンズ２の入
射瞳中心Ａ点に向い、該縮小投影レンズ２を通過
後射出瞳中心Ｂ点よりあたかも射出するような角
度をもつてウエハ３上の前記チツプ８のウエハ・
アライメント・パターン９上にマスク・アライメ
ント・パターン７を結像７′する。するとその結
像７′とウエハ・アライメント・パターン９がウ
エハ３面で反射して戻り光３２として縮小投影レ
ンズ２に逆に入射し再びマスク面１で両パターン
７，９′が形成されてマスク・アライメント・パ
ターン７の透明部を通過した光はミラー１１、ハ
ーフミラー１２、対物レンズ１８、ハーフミラー
１９，２０、像回転プリズム２１、ミラー２２を
経てスリツト２３面上に第２図ａに示すように干
渉縞９の有する像として結像し、第２図ｂ及びｃ
に示すようにスリツト走査によつて受光素子２
４，２５から得られる信号によりパターン７，９
のＸ軸方向、Ｙ軸方向の相対的位置ずれ量△x₁，
△y₁を検知して記憶する。なお、前記のパターン
７，９の相対位置ずれ量△x₁，△y₁の検知は、第
２図ａ，ｂ，ｃに示すようにマスク・アライメン
ト・パターン７の透明部の周辺は光学系１０から
の照射により明レベルとなり、またウエハ３から
の戻り光は弱明るさのレベルを持つので、この立
下りによりマスク・アライメント・パターン７の
透明部の位置が求まり、その位置とウエハ・アラ
イメント・パターン９の中心の位置よりＸ軸、Ｙ
軸方向の位置ずれ量が求まる。

次にステツプ・アンド・リピートＸ―Ｙテーブ
ルを例えばＸ軸―方向に−2N×Ｐなる距離移動
させて光軸にウエハ３上の右端のチツプ８を位置
付ける。そして水銀灯１３から露光光と同じ光を
マスク・アライメント・パターン７と前記チツプ
８のウエハ・アライメントパターン９とに照射し
て、その反射光像を結像させ、前記と同様にスリ
ツト走査によつて受光素子２４，２５から得られ
る信号によりパターン７，９のＸ軸方向、Ｙ軸方
向の相対的位置ずれ量△x₂，△y₂を検知して記憶
する。

次にこれらの位置ずれ量から角度θ＝（△y₁−
△y₂）／2N×Ｐ、ウエハ３を載置したテーブル
を微回転させ、ウエハ３上に先にチツプ８が配列
されている方向とステツプアントリピートするＸ
軸方向またはＹ軸方向とを一致させる。そしてＹ
軸方向については回転方向修正後、新らたに検知
された△y₁（または△y₂）距離マスク１を載置し
たマスクテーブルをＹ軸方向に微移動させ、ｘ軸
方向については△x₁（または△x₂）なる距離上記
マスクテーブルをＸ軸方向に微動させてマスク１
とウエハ３とは相対的に位置整合された状態とな
る。

このように位置整合された後は、高精度にステ
ツプ・アンド・リピートＸ―ＹテーブルをＸ軸方
向及びＹ軸方向にＰなる間隔で歩進させてその都
度前述の露光光を照射することにより、ウエハ３
上に碁盤の目のように多数のチツプ８が露光焼付
される。ところで照明光の進路及びウエハ上で反
射する状態は第３図及び第４図に示す如くであ
る。即ち対物レンズ１８の方から落射照明による
照明光３０はミラー１１で反射し、マスクパター
ン７の正方形の透明部を通過し、投影レンズ２の
入射瞳Ａに向かい、投影レンズ２を通過した照射
光３１は、射出瞳Ｂの方向よりウエハ３を照明す
る。しかしこの照明光３１の角度θは、現在投影
レンズ２の光学設計技術では零にすることは困難
である。然るにこの照明光３１がウエハアライメ
ントパターン９で反射する様子は第４図に示す如
くである。即ち十字線状ウエハアライメントパタ
ーン９は、例えばSi基板９ａの段差（１〜2μmの
深さ）とその上に塗布されたホトレジスト９ｂと
よりなる。そしてこの段差の左右の段差部（ｙ軸
方向に沿つて形成された段差部）９ｃを上記角度
θを有する照明光３１が照明されると、この段差
部９ｃでの反射光３２ａ，３２ｂは光軸を中心に
非対称である互いに異なる方向へと進む。そして
この反射光３２ａ，３２ｂが投影レンズ２に入射
して投影レンズ２によりウエハアライメントパタ
ーン９の逆投影像９′が形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし従来の投影式アライメント装置におい
て、反射光３２ａ，３２ｂは全て投影レンズ２に
入射せず、このうち一部の光のみが投影レンズ２
の絞２ａの中に入射して通過して逆投影像９′に
形成に関与するに過ぎない故、反射光３２ａと３
２ｂでは投影レンズ４を通過する光量は大巾に異
なり、スリツト２３の走査による受光素子２４か
ら検出される信号第２図ｂに示す如く、非対称形
状になり、ウエハアライメントパターンのｘ軸方
向の中心位置を高精度に検出することは困難にな
り、ｘ軸方向に高精度にウエハをアライメントす
ることができなかつた。

本発明の目的は、上記従来の問題点を解決すべ
く、結像光学系を用いてマスクとウエハとを高精
度にアライメントできるようにした投影式アライ
メント方法及びその装置を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

即ち、本発明は上記目的を達成するために、投
影レンズによりマスク上の回路パターンを試料上
にステツプ・アンド・リピートさせて露光単位毎
に投影露光するために、所定の露光単位における
上記試料とマスクとをアライメントする方法にお
いて、露光単位の周辺部の異なつた位置に複数の
軸対称のアライメントパターンを有する試料を、
上記各アライメントパターンの対称軸の延長線が
上記投影レンズの光軸とほぼ交わるように投影レ
ンズ視野内に位置付けし、上記各アライメントパ
ターンにアライメント光を上記投影レンズを通し
て照射し、上記各アライメントパターンからの反
射光を上記投影レンズを通して受光して上記対称
軸と直角方向についてのみ各アライメントパター
ンの位置を検出し、検出された各アライメントパ
ターンの位置検出信号により上記試料とマスクと
を相対的に位置整合することを特徴とするもので
ある。

〔作用〕

上記構成により投影レンズの収差の影響を受け
ることなく、投影レンズに対してＸ軸、及びＹ軸
方向共に均等に、且つ高精度に試料上のアライメ
ントパターンの位置を所定の露光単位において検
出することができ、高精度のアライメントを実現
することができる。

〔実施例〕

以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第５図は本発明の縮小投影式マス
クアライメント装置の一実施例を示す概略構成図
である。ウエハ３は別のステーシヨンで端面が高
精度に仕上げられたウエハ収容カセツト治具（図
示せず）に粗アライメントされて収容され、ステ
ツプ・アンド・リピートするＸテーブル２８ａ及
びＹテーブル２８ｂ、並びに回転θテーブル２８
ｃから構成されたＸ・Ｙ・θテーブル２８の上面
に植設された位置決め用ピン２９にウエハ収容カ
セツト治具を当接固定することによつて粗アライ
メントされた状態で載置される。そしてウエハ３
上に碁盤の目のように配列された各チツプ８の光
軸３４（中心）を通るｘ軸方向を向いた線上の左
端及びｙ軸方向を向いた線上の下端とに第５図及
び第６図に示すように線状のウエハアライメント
パターン３５ｂ及び３５ａが形成されている。マ
スク１には、半導体集積回路パターン５と、ウエ
ハ３とアライメントするための正方形の透明な窓
からなり、且光軸３４（マスクの中心）を通るｘ
軸方向を向いた線上の右端とｙ軸方向を向いた線
上の上端とに各々形成されたマスクアライメント
パターン７ａ及び７ｂと、筐体、即ちＸ―Ｙテー
ブルがステツプ・アンド・リピートされる絶対座
標（基準座標）に位置決めするために角に形成さ
れた一対のアライメントマーク６とが備え付けら
れ、中央をくりぬいたマスクＸ・Ｙ・θテーブル
（図示せず）上に載置される。そして図示されて
いない顕微鏡によつて顕微鏡内に設置された十字
線状のレチクル基準マーク（絶対座標である）と
上記アライメントマーク６との変位を光学検出器
または目視によつて検出し、この変位がなくなる
ように自動的にまたは手動で上記マスクＸ・Ｙ・
θテーブルを移動して絶対座標に高精度位置決め
する。然るにマスクはステツプ・アンド・リピー
トするＸテーブル２８ａ及びＹテーブル２８ｂの
移動方向（ｘ軸、及びｙ軸方向）及び移動基準位
置（座標原点）に対して高精度に位置決めされた
ことになる。

次にマスク１とウエハ３との位置整合、即ちウ
エハ３の絶対座標（基準座標）に対する位置整合
について説明する。ところで２個所に形成された
アライメントパターン７ａ，３５ａ、及び７ａ，
３５ｂに対応させて検出器４５ａ及び４５ｂが設
けられている。検出器４５ａ及び４５ｂは各々、
マスクアライメントパターン７ａ及び７ｂを照射
する光を導くオプテカルフアイバ４８ａ及び４８
ｂ、コンデンサレンズ４７ａ及び４７ｂ、ミラー
１０ａ及び１０ｂ、露光光と同じ波長の光を照射
する水銀灯からの光を導びくオプテイカルフアイ
バ３６ａ及び３６ｂ、ハーフミラー１２ａ及び１
２ｂ、対物レンズ１８ａ及び１８ｂ、ミラー１１
ａ及び１１ｂ、リレーレンズ３７ａ及び３７ｂ、
ミラー３８ａ及び３８ｂ、集光レンズ４０ａ及び
４０ｂ、ホトマル等で形成された受光素子２４及
び２５、スリツト２３ａ及び２３ｂを備え付けて
往復直線走査する走査板３９ａ及び３９ｂ、該走
査板３９ａ及び３９ｂを支える板ばね４４ａ及び
４４ｂ、往復回転運動するガルバー４１ａ及び４
１ｂ、その出力軸に取付けられたレバー４２ａ及
び４２ｂ、並びにこのレバー４２ａ及び４２ｂの
先端に取付けられ、且走査板３９ａ及び３９ｂに
各々接触するピン４３ａ及び４３ｂより構成され
ている。

一方露光部は水銀灯からなる光源５４、フイル
タ５３、コンデンサレンズ５２及び５１、ミラー
５０、並びにコンデンサレンズ４から構成されて
いる。そしてオプテイカルフアイバ４８ａ及び４
８ｂ、コンデンサレンズ４７ａ及び４７ｂ、ミラ
ー４６ａ及び４６ｂ、ミラー１０ａ及び１０ｂよ
り構成されるマスクアライメントパターン照明に
よりマスクアライメントパターン７ａ及び７ｂの
窓のエツヂが検出器４５ａの受光素子２４及び検
出器４５ｂの受光素子２５により信号の立上りと
して検出され、第８図ｂに示す検出信号が得られ
基準位置からのM1、M2の位置が精度よく求ま
る。またウエハアライメントパターン３５ａ及び
３５ｂの各々の照明にはオプテイカルフアイバ３
６ａ及び３６ｂ、ハーフミラー１２ａ及び１２
ｂ、対物レンズ１８ａ及び１８ｂ、並びにミラー
１１ａ及び１１ｂを用い、縮小投影レンズ２の入
射瞳Ａに向けて照明する。ウエハアライメントパ
ターン３５ａ及び３５ｂで反射した光は逆の光路
を通り、リレーレンズ３７ａ及び３７ｂ、ミラー
３８ａ及び３８ｂ、を経てスリツト２３ａ及び２
３ｂに達する。対物レンズ１８ａ及び１８ｂの
各々の焦点はマスクアライメントパターン７ａ及
び７ｂに合致しており、両パターン７ａ，３５ａ
及び７ｂ，３５ｂの重な合わせ像は、スリツト２
３ａ及び２３ｂ面上の位置に結像する。なおオプ
テイカルフアイバ３６ａ及び３６ｂ，４８ａ及び
４８ｂから導びかれる照明光は、露光用光と同じ
波長域の光であり、縮小投影レンズ２及び対物レ
ンズ１８ａ，１８ｂの色収差による焦点ぼけを避
けている。そこでまず制御装置（図示せず）から
の指令でＸテーブル２８ａを座標原点（光軸３４
の位置）から右方向へＮ×Ｐ（Ｎはチツプ個数、
Ｐはチツプ間距離）なる距離（最初にウエハに集
積回路をステツプアンドリピートして焼付ける条
件と同じ）レーザ測長器を用いて、高精度に移動
させて停止させる。すると縮小投影レンズ２の最
下位置、即ち光軸３４上には、チツプ８x₁が位置
することになり、このチツプ８x₁の線状ウエハア
ライメントパターン３５ａとマスクアライメント
パターン７ａ及び線状ウエハアライメントパター
ン３５ｂとマスクアライメントパターン７ｂとの
像が第７図に示すように重畳された形となる。し
かしウエハアライメントパターン３５ａ及び３５
ｂ共にチツプの中心（光軸３４）を中心として放
射状に線状パターンが向くように形成されている
ので、第３図に示す如く縮小投影レンズ２を通過
した光が射出瞳Ｂより角度θをもつて照射された
としても、この線状パターンの各々の相対する両
段差の部分で反射する反射光は対称的で、相対的
に光量に差が生じることはなく、第８図ｂに示す
如く対称的な信号波形を得ることができる。そし
てアライメントパターン７ａと３５ａの結像を検
出器４５ａによつてスリツト２３ａを走査して受
光素子２４によつて検出すると、ｘ軸方向のマス
ク１とチツプ８x₁との相対的変位量△x₁が高精度
に求まり、上記アライメントパターン７ａと３５
ａに対して光軸３４を中心にして90度位置をずら
して設置されたアライメントパターン７ｂと３５
ｂの結像を検出器４５ｂによつてスリツト２３ｂ
を走査して受光素子２５によつて検出するとｙ軸
方向のマスク１とチツプ８x₁との相対的変位置△
y₁が高精度に求まる。

次にアライメントパターンへの照明を中止して
制御装置（図示せず）からの指令でＸテープル２
８ａを左方向へ2N×Ｐなる距離レーザ測長器を
用いて高精度に移動させて停止させる。すると光
軸３４上には、チツプ８x_oが位置することにな
り、このチツプ８x_oの線状ウエハアライメントパ
ターン３５ａとマスクアライメントパターン７ａ
及び線状ウエハアライメントパターン３５ｂとマ
スクアライメントパターン７ｂとの像が第７図に
示すように重畳された形となる。そして前記と同
様にアライメントパターンに光を照射すると共に
検出器４５ａ及び４５ｂによつてｘ軸方向のパタ
ーンの相対的変位量△x₂とｙ軸方向のパターンの
相対的変位量△y₂とが高精度に求まる。

そして（△y₂−△y₁）／2NP＝θがウエハ３の
回転方向の位置ずれであり、これがなくなるよう
にウエハ３を載置した回転θテーブル２８ｃを回
転させればマスクとウエハとは回転方向の位置ず
れはなくなる。次に△y₁（または△y₂）制御回路
内に記憶されているＸ軸テーブル２８ａ、Ｙ軸テ
ーブル２８ｂをステツプ・アンド・リピートさせ
る基準コントロール信号に上記で求められたｘ軸
方向の誤差△x₁，△x₂及び回転方向修正後新らた
に検知されるＹ軸方向の誤差△y₁（または△y₂）
を補正すればウエハ３はマスク１に位置整合され
た形でステツプ・アンド・リピート（歩進）する
ことになる。ウエハ３には焼成等の物理処理が施
され、僅かな延び縮みが生じるのでｙ軸方向に配
列されたチツプ８₁yとチツプ８nyについて相対
的変位量△x₃，△y₃と△x₄，△y₄を求め、ｘ軸方
向の延び縮み（△x₂−△x₁）、ｙ軸方向の延び縮
み（△y₄−△y₃）からステツプ・アンドリピート
するピツチｐに補正を加えれば、マスクチツプと
に相対的により高精度に位置整合されるンとにな
る。ところで、ウエハ３上の各チツプ８に形成す
る線状ウエハアライメントパターン３５ｃ及び３
５ｄをそらの延長線が90度の角度で交叉するよう
に角の２ケ所に形成し、マスク１も角の２ケ所に
方形の透明な窓からなるマスクアライメントパタ
ーン７ｃ及び７ｄを形成しても前記実施例と同じ
作用効果を得ることができる。また前記実施例で
は検出器を２個設置した場合について説明した
が、イメージローテータ等をいれれば走査板、板
ばね、往復直線駆動等を共通にして１組にするこ
とは可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、投影レン
ズが所有している射出瞳からの射出角度等の収差
の影響をなくして試料上のある露光単位における
各アライメントパターンの位置をＸ軸方向及びＹ
軸方向について均等に、且つ高精度に検出して、
従来の0.5〜1μm程度の位置ずれ検出精度に比し
て0.1μm以下に著しく向上することができる効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来の縮小投影マスクアライメント
装置の概略構成を示す斜視図、第１図ｂは第１図
ａに示すマスクアライメントパターンを拡大して
示した斜視図、第１図ｃは第１図ａに示すウエハ
上のチツプ毎に形成されたウエハアライメントパ
ターンとそれに重畳されたマスクアライメントパ
ターンとを示した斜視図、第２図ａは第１図ａに
示すスリツトに結像されるマスクアライメントパ
ターンとウエハアライメントパターンとの光像及
び走査スリツトを示す図、第２図ｂは第２図ａに
示す光像をｘ軸方向受光素子によつて検出される
映像信号波形を示した図、第２図ｃは第２図ａに
示す光像をｙ軸方向受光素子によつて検出される
映像信号波形を示した図、第３図は第１図に示す
装置において照射光が進む径路状態を示す図、第
４図は第１図に示す装置においてチツプ毎に形成
されたウエハアライメントパターンからの反射光
の進行状態を示す図、第５図は本発明による縮小
投影マスクアライメント装置の一実施例を示す斜
視図第６図は第５図に示すマスク、縮小投影レン
ズ及びウエハの左端チツプを重ねて各アライメン
トパターンを示した図、第７図は第５図に示す各
走査板のスリツトのところへ結像される光像を示
した図、第８図ａは第７図に示す光像をスリツト
が走査する状態を示した図、第８図ｂは第５図に
示す各受光素子から得られる映像信号波形を示し
た図、第９図は第６図に示す各アライメントパタ
ーンと異なる位置に形成した各アライメントパタ
ーンを示した図である。 符号の説明 １…マスク、２…縮小投影レン
ズ、３…ウエハ、６…アライメントマーク、７
ａ，７ｂ…マスクアライメントパターン、８…チ
ツプ、２８ａ…Ｘテーブル、２８ｂ…Ｙテーブ
ル、２８ｃ…回転テーブル、２８…Ｘ・Ｙ・θテ
ーブル、１８ａ，１８ｂ…対物レンズ、２３ａ，
２３ｂ…スリツト、２４，２５…受光素子、３６
ａ，３６ｂ…オプテイカルフアイバ、３９ａ，３
９ｂ…走査板、４５ａ，４５ｂ…位置検出器、４
８ａ，４８ｂ…オプテイカルフアイバ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 投影レンズによりマスク上の回路パターンを
   試料上にステツプ・アンド・リピートさせて露光
   単位毎に投影露光するために、所定の露光単位に
   おける上記試料とマスクとをアライメントする方
   法において、露光単位の周辺部の異なつた位置に
   複数の軸対称のアライメントパターンを有する試
   料を、上記各アライメントパターンの対称軸の延
   長線が上記投影レンズの光軸とほぼ交わるように
   投影レンズ視野内に位置付けし、上記各アライメ
   ントパターンにアライメント光を上記投影レンズ
   を通して照射し、上記各アライメントパターンか
   らの反射光を上記投影レンズを通して受光して上
   記対称軸と直角方向についてのみ各アライメント
   パターンの位置を検出し、検出された各アライメ
   ントパターンの位置検出信号により上記試料とマ
   スクとを相対的に位置整合することを特徴とする
   投影式アライメント方法。 ２ 上記複数のアライメントパターンの対称軸が
   互いに直交関係を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の投影式アライメント方法。 ３ 投影レンズによりマスク上の回路パターンを
   試料上にステツプ・アンド・リピートさせて露光
   単位毎に投影露光するために、所定の露光単位に
   おける上記試料とマスクとをアライメントする装
   置において、露光単位の周辺部の異なつた位置に
   複数の軸対称のアライメントパターンを有する試
   料を、上記各アライメントパターンの対称軸の延
   長線が上記投影レンズの光軸とほぼ交わるように
   投影レンズ視野内に位置付けする試料搬送手段
   と、該試料搬送手段により位置付けされた上記各
   アライメントパターンに、アライメント光を上記
   投影レンズを通して照明する照明手段と、該照明
   手段により照明された各アライメントパターンか
   らの反射光を上記投影レンズを通して受光して上
   記対称軸と直角方向についてのみ各アライメント
   パターンの位置を検出する検出手段と、該検出手
   段により検出された各アライメントパターンの位
   置検出信号により上記試料とマスクとを相対的に
   位置整合する位置整合手段とを備えたことを特徴
   とする投影式アライメント装置。