JPH0153897B2 - - Google Patents
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- JPH0153897B2 JPH0153897B2 JP19608882A JP19608882A JPH0153897B2 JP H0153897 B2 JPH0153897 B2 JP H0153897B2 JP 19608882 A JP19608882 A JP 19608882A JP 19608882 A JP19608882 A JP 19608882A JP H0153897 B2 JPH0153897 B2 JP H0153897B2
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Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として樹脂、例えば、ポリプロピレ
ン（PP）、ポリエチレン（PE）等の表面を改質
するために、これらの樹脂の表面にプラズマ処理
を施す方法および装置に関する。本発明は特に、
比較的大物でかつ複雑な形状の樹脂部品を塗装す
る場合において、その塗装の前処理として有効に
用いることができる。
ン（PP）、ポリエチレン（PE）等の表面を改質
するために、これらの樹脂の表面にプラズマ処理
を施す方法および装置に関する。本発明は特に、
比較的大物でかつ複雑な形状の樹脂部品を塗装す
る場合において、その塗装の前処理として有効に
用いることができる。
近年、例えば、自動車の部品等は、転量でかつ
意匠性に優れる樹脂に移行する傾向にあるが、比
較的安価なPP，PE等を、例えば車両外板として
使用する場合、樹脂表面と塗膜との密着性が悪
く、層間剥離という不具合が発生することが知ら
れている。この不具合を解消する手段の一つとし
て、塗装前に、PP，PE等の被塗装物表面をグロ
ー、コロナあるいはラジオ波又はマイクロ波放電
に曝し、表面を酸化（極性基の導入）あるいはエ
ツチング（アンカ効果向上）するプラズマ処理技
術が知られている。
意匠性に優れる樹脂に移行する傾向にあるが、比
較的安価なPP，PE等を、例えば車両外板として
使用する場合、樹脂表面と塗膜との密着性が悪
く、層間剥離という不具合が発生することが知ら
れている。この不具合を解消する手段の一つとし
て、塗装前に、PP，PE等の被塗装物表面をグロ
ー、コロナあるいはラジオ波又はマイクロ波放電
に曝し、表面を酸化（極性基の導入）あるいはエ
ツチング（アンカ効果向上）するプラズマ処理技
術が知られている。
ところで、プラズマ処理を行う場合、処理効果
を向上（プラズマの寿命を長くする）させるた
め、反応室を減圧、もしくは真空状態にすること
が必要である。この状態を維持するために、現在
バツチ処理が主流になつている。
を向上（プラズマの寿命を長くする）させるた
め、反応室を減圧、もしくは真空状態にすること
が必要である。この状態を維持するために、現在
バツチ処理が主流になつている。
一方、この処理方法を自動車部品の製造という
量産工程に導入するには、短時間で真空状態に到
達し、かつ１回でより多数の被処理物をプラズマ
処理する必要がある。この点を考慮して、従来の
プラズマ処理装置（マイクロ波放電プラズマ装
置、第９図）で処理したところ、自動車に使用す
る樹脂部品は大物でかつ複雑な形状であるため、
反応室内の被処理物配置位置により被処理物間で
処理性が異なりかつ同一被処理物の部位において
も処理性が異なつた。
量産工程に導入するには、短時間で真空状態に到
達し、かつ１回でより多数の被処理物をプラズマ
処理する必要がある。この点を考慮して、従来の
プラズマ処理装置（マイクロ波放電プラズマ装
置、第９図）で処理したところ、自動車に使用す
る樹脂部品は大物でかつ複雑な形状であるため、
反応室内の被処理物配置位置により被処理物間で
処理性が異なりかつ同一被処理物の部位において
も処理性が異なつた。
なお、第９図において、１は反応室、２はマイ
クロ波発振器、３はアイソレータ（東芝株式会社
製）、４はパワーモニタ（同上社製）、５はスリー
スタブチユーナ（同上社製）、６はプラズマ発生
炉、７はプラズマ発生管、８は石英管、９はプラ
ズマ導入口、１２はガラス管、１５は反応室内を
減圧するための排気口、１６はガス供給管、１７
は流量計、１８はガスボンベ、１９は導波管、Ｓ
−１〜６は被処理物である。
クロ波発振器、３はアイソレータ（東芝株式会社
製）、４はパワーモニタ（同上社製）、５はスリー
スタブチユーナ（同上社製）、６はプラズマ発生
炉、７はプラズマ発生管、８は石英管、９はプラ
ズマ導入口、１２はガラス管、１５は反応室内を
減圧するための排気口、１６はガス供給管、１７
は流量計、１８はガスボンベ、１９は導波管、Ｓ
−１〜６は被処理物である。
第９図に示したような従来のマイクロ波放電プ
ラズマ装置における上述のような問題点を解消す
るために、次のような予備実験を行なつた。
ラズマ装置における上述のような問題点を解消す
るために、次のような予備実験を行なつた。
※ 予備実験の方法（被処理物PPにて評価）
〔反応処理室〕
2000mm径×2000mm長
〔処理条件〕
マイクロ波周波数：2450MHz
出力：500W
真空圧：0.5 Torr
処理ガス（量）：酸素（5000c.c.／分）
処理時間：30秒間
〔ガラス管〕
ガラス管１２のプラズマ噴射角α（第１０図）
を第１１図に示すようにα＝0゜，α＝30゜，α＝
60゜に選定して実験を行なつた。
を第１１図に示すようにα＝0゜，α＝30゜，α＝
60゜に選定して実験を行なつた。
被処理物（PP）の配置を、ガラス管１２のプ
ラズマ噴射口から噴射角αの中心線に沿つた被処
理物表面までの距離Ｈが、第１１図に示すように
Ｈ＝500mm、Ｈ＝1000mmとなるようにした。また、
噴射角αの中心線に沿つてＨの距離にある位置か
らその中心線に対して直角に左右Ｗ（Ｗ＝０〜
1000mm）の距離だけ移動した位置にある被処理物
の表面プラズマ処理後の接触角を測定し、その結
果を第１１図に示す。
ラズマ噴射口から噴射角αの中心線に沿つた被処
理物表面までの距離Ｈが、第１１図に示すように
Ｈ＝500mm、Ｈ＝1000mmとなるようにした。また、
噴射角αの中心線に沿つてＨの距離にある位置か
らその中心線に対して直角に左右Ｗ（Ｗ＝０〜
1000mm）の距離だけ移動した位置にある被処理物
の表面プラズマ処理後の接触角を測定し、その結
果を第１１図に示す。
脱イオン水を、プラズマ処理後のPP表面に、
5μ滴下し、接触角測定器（CA−Ａ型、協和科
学製）で測定した（20℃，50〜60％雰囲気）。
5μ滴下し、接触角測定器（CA−Ａ型、協和科
学製）で測定した（20℃，50〜60％雰囲気）。
以上のような予備実験の結果、第１１図に示さ
れるように、下記の点が明らかになつた。
れるように、下記の点が明らかになつた。
１ 反応室１に導入されたプラズマの寿命は、ガ
ラス管１２に設けた噴射口と被処理物との間の
距離で決定される。
ラス管１２に設けた噴射口と被処理物との間の
距離で決定される。
２ 反応室１に導入されたプラズマの拡散性は、
プラズマを噴射するガラス管１２に設けた噴射
口の位置（角度α）で決定される。
プラズマを噴射するガラス管１２に設けた噴射
口の位置（角度α）で決定される。
また、第１１図には示していないが、上記１），
２）の項目以外に、被処理物の遮蔽効果により、
プラズマ処理性が影響されることも明らかになつ
た。これらは、いずれも反応室内のプラズマ濃度
が不均一なために生ずるものと考えられる。
２）の項目以外に、被処理物の遮蔽効果により、
プラズマ処理性が影響されることも明らかになつ
た。これらは、いずれも反応室内のプラズマ濃度
が不均一なために生ずるものと考えられる。
本発明は、上記問題点を解消し、比較的大物で
かつ複雑な形状の被処理物を同時に多数処理して
も処理の均一性を提供するプラズマ処理を施す方
法および装置を提供することにある。
かつ複雑な形状の被処理物を同時に多数処理して
も処理の均一性を提供するプラズマ処理を施す方
法および装置を提供することにある。
即ち、本発明の目的は、反応室内のプラズマ濃
度分布を均一化することにより、反応室内の複数
の被処理物の位置による処理の差を解消し、かつ
同一の被処理物の形状による処理の不均一を解消
するプラズマ処理を施す方法および装置を提供す
ることにある。
度分布を均一化することにより、反応室内の複数
の被処理物の位置による処理の差を解消し、かつ
同一の被処理物の形状による処理の不均一を解消
するプラズマ処理を施す方法および装置を提供す
ることにある。
このような目的を実現する本発明のプラズマ処
理を施す方法は、プラズマ反応室内で被処理物の
表面にマイクロ波放電プラズマを照射して処理す
る方法において、反応室内壁部に隣接する複数の
個所から該反応室内にプラズマを噴射すると共
に、各プラズマ噴射個所において一定の角度をも
つて噴射するようにしたことを特徴とする。
理を施す方法は、プラズマ反応室内で被処理物の
表面にマイクロ波放電プラズマを照射して処理す
る方法において、反応室内壁部に隣接する複数の
個所から該反応室内にプラズマを噴射すると共
に、各プラズマ噴射個所において一定の角度をも
つて噴射するようにしたことを特徴とする。
また、本発明の装置は、直径が1000mm以上の円
筒あるいは一辺が1000mm以上の四角柱、もしくは
これらと類似する形状の真空反応室内で被処理物
の表面にマイクロ波放電プラズマを照射して処理
する装置において、反応室壁部の任意の複数の位
置にプラズマ導入口を設け、各プラズマ導入口に
は、一定の角度でプラズマを反応室内に噴射する
ガラス管を接続したことを特徴とする。
筒あるいは一辺が1000mm以上の四角柱、もしくは
これらと類似する形状の真空反応室内で被処理物
の表面にマイクロ波放電プラズマを照射して処理
する装置において、反応室壁部の任意の複数の位
置にプラズマ導入口を設け、各プラズマ導入口に
は、一定の角度でプラズマを反応室内に噴射する
ガラス管を接続したことを特徴とする。
以下、第１図〜第８図を参照し本発明の実施例
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
第１図および第２図は本発明の装置の第一実施
例、即ち反応室１が円筒形である実施例を示して
いる。これらの図において、１は直径が1000mm以
上の円筒形反応室、２はマイクロ波発振器、３は
アイソレータ（東芝株式会社製）、４はパワモニ
タ（同上社製）、５はスリータブチユーナ（同上
社製）、６はプラズマ発生炉、７はプラズマ発生
管、８は石英管、９（９−Ａ，Ｂ）、１０，１１
はプラズマ導入口、１２（１２−Ａ，Ｂ）、１３
（１３−Ａ，Ｂ）、１４はガラス管、１５（１５−
Ａ，Ｂ）は反応室１内を減圧するための排気口、
１６はガス供給管、１９は導波管である。発振器
２で発生したマイクロ波は、アイソレータ３、パ
ワモニタ４、スリースタブチユーナ５を経てプラ
ズマ発生炉６に導波管１９で導かれる。一方、プ
ラズマ用ガスは、配管１６でプラズマ発生炉６に
供給される。プラズマ発生炉６とプラズマ発生管
７で発生したプラズマは、石英管８を経て反応管
１のプラズマ導入口９〜１１−Ａ，Ｂ導入される
が、第一実施例では、導入口を３方向（60゜づつ
回転位動した方向）に、各々２ケ所１１−Ａ，Ｂ
（図示せず）、１２−Ａ，Ｂ、１３−Ａ，Ｂ設置し
た。又、導入口９〜１１−Ａ，Ｂに導入されたプ
ラズマは、それに接続するガラス管１２〜１４−
Ａ，Ｂで反応室１内に噴射されるが、その時のガ
ラス管に設置するプラズマ噴射口の詳細を第５図
〜第７図に示す。一方、プラズマ処理するために
は、処理容器１内の真空（1.0〜0.05Torr程度）
に維持することが必要のため、排気口１５を配管
（図示せず）で真空ポンプ（図示せず）に接続し
連続排気を行う。
例、即ち反応室１が円筒形である実施例を示して
いる。これらの図において、１は直径が1000mm以
上の円筒形反応室、２はマイクロ波発振器、３は
アイソレータ（東芝株式会社製）、４はパワモニ
タ（同上社製）、５はスリータブチユーナ（同上
社製）、６はプラズマ発生炉、７はプラズマ発生
管、８は石英管、９（９−Ａ，Ｂ）、１０，１１
はプラズマ導入口、１２（１２−Ａ，Ｂ）、１３
（１３−Ａ，Ｂ）、１４はガラス管、１５（１５−
Ａ，Ｂ）は反応室１内を減圧するための排気口、
１６はガス供給管、１９は導波管である。発振器
２で発生したマイクロ波は、アイソレータ３、パ
ワモニタ４、スリースタブチユーナ５を経てプラ
ズマ発生炉６に導波管１９で導かれる。一方、プ
ラズマ用ガスは、配管１６でプラズマ発生炉６に
供給される。プラズマ発生炉６とプラズマ発生管
７で発生したプラズマは、石英管８を経て反応管
１のプラズマ導入口９〜１１−Ａ，Ｂ導入される
が、第一実施例では、導入口を３方向（60゜づつ
回転位動した方向）に、各々２ケ所１１−Ａ，Ｂ
（図示せず）、１２−Ａ，Ｂ、１３−Ａ，Ｂ設置し
た。又、導入口９〜１１−Ａ，Ｂに導入されたプ
ラズマは、それに接続するガラス管１２〜１４−
Ａ，Ｂで反応室１内に噴射されるが、その時のガ
ラス管に設置するプラズマ噴射口の詳細を第５図
〜第７図に示す。一方、プラズマ処理するために
は、処理容器１内の真空（1.0〜0.05Torr程度）
に維持することが必要のため、排気口１５を配管
（図示せず）で真空ポンプ（図示せず）に接続し
連続排気を行う。
第３図および第４図は本発明の装置の第二実施
例、即ち反応室１が、一辺が1000mm以上の四角柱
形である実施例を示している。第一実施例と対応
する部分は同一の番号で示している。四角柱形の
反応室１は、例えばプラズマ導入口９−１，９−
２を有する辺Ｘ（第４図）が2500mmであり、プラ
ズマ導入口１０，１１を有する辺Ｙ（第４図）が
1800mmである。辺Ｘの壁には、第４図に示すよう
に、1000mm以下（例えば900mm）の間隔で複数の
プラズマ導入口９−１，９−２が設けられてい
る。他の構成および作用は第一実施例の場合と同
様である。
例、即ち反応室１が、一辺が1000mm以上の四角柱
形である実施例を示している。第一実施例と対応
する部分は同一の番号で示している。四角柱形の
反応室１は、例えばプラズマ導入口９−１，９−
２を有する辺Ｘ（第４図）が2500mmであり、プラ
ズマ導入口１０，１１を有する辺Ｙ（第４図）が
1800mmである。辺Ｘの壁には、第４図に示すよう
に、1000mm以下（例えば900mm）の間隔で複数の
プラズマ導入口９−１，９−２が設けられてい
る。他の構成および作用は第一実施例の場合と同
様である。
第５図〜第７図に、プラズマ導入口９，１０，
１１−Ａ，Ｂ（第一実施例）又は９−１、２−Ａ，
Ｂ、１０，１１−Ａ，Ｂ、（第２実施例）に接続
されるガラス管１２，１３，１４−Ａ，Ｂ（第一
実施例）又は１２−１、２−Ａ，Ｂ、１３，１４
−Ａ，Ｂ（第二実施例）の実施例を示す。ガラス
管２０はガラスもしくは石英で構成するのが望ま
しく、ガラス管２０の根本部分２１はプラズマ導
入口９，１０，１１に接続される。根本部分２１
からマニホルド部２２へのび、更に円筒形の噴霧
頭部分２３にのびている。この噴霧頭部分２３は
プラズマ導入口の中心軸X1に対して直角に左右
等距離だけのびており、その両端は閉鎖されてい
る。噴霧頭部分２３の下側には長手方向に等間隔
に、例えば直径が６mmの複数のプラズマ導入口照
射口２４が設けてある。これらのプラズマ照射口
２４は互いに隣接するものどおしが、第７図に示
すように、ガラス管中心線X2に関してα＝60゜の
角度（X1に対しては30゜づつ回転した角度）に設
けられ、千鳥状に配列されている。従つて、プラ
ズマは反応室１の内壁部に隣接する複数の個所１
２，１３，１４（第２図）から反応室内へ噴射さ
れ、かつ各噴射個所１２，１３，１４において一
定の角度をもつてプラズマが噴射される。
１１−Ａ，Ｂ（第一実施例）又は９−１、２−Ａ，
Ｂ、１０，１１−Ａ，Ｂ、（第２実施例）に接続
されるガラス管１２，１３，１４−Ａ，Ｂ（第一
実施例）又は１２−１、２−Ａ，Ｂ、１３，１４
−Ａ，Ｂ（第二実施例）の実施例を示す。ガラス
管２０はガラスもしくは石英で構成するのが望ま
しく、ガラス管２０の根本部分２１はプラズマ導
入口９，１０，１１に接続される。根本部分２１
からマニホルド部２２へのび、更に円筒形の噴霧
頭部分２３にのびている。この噴霧頭部分２３は
プラズマ導入口の中心軸X1に対して直角に左右
等距離だけのびており、その両端は閉鎖されてい
る。噴霧頭部分２３の下側には長手方向に等間隔
に、例えば直径が６mmの複数のプラズマ導入口照
射口２４が設けてある。これらのプラズマ照射口
２４は互いに隣接するものどおしが、第７図に示
すように、ガラス管中心線X2に関してα＝60゜の
角度（X1に対しては30゜づつ回転した角度）に設
けられ、千鳥状に配列されている。従つて、プラ
ズマは反応室１の内壁部に隣接する複数の個所１
２，１３，１４（第２図）から反応室内へ噴射さ
れ、かつ各噴射個所１２，１３，１４において一
定の角度をもつてプラズマが噴射される。
第８図は本発明の装置を用いて被処理物（PP）
を処理した場合の測定結果を示したものである。
即ち、第一実施例の装置（第１図及び第２図）
に、第５図〜第７図のガラス管を組み込んで実験
を行なつた。この場合において、第１図に示すよ
うに、ガラス管の長手方向が円筒形反応室１の軸
方向になるようにガラス管が組み込まれている。
〔反応処理室〕の大きさ、〔処理条件〕および〔接
触角の測定法〕については前記予備実験の場合と
同様である。〔被処理物の配置〕については、プ
ラズマ噴射口から被処理物表面までの距離はＨ＝
500mmの場合と、Ｈ＝1000mmの場合について測定
し（ただし、この場合のＨはガラス管１２（第２
図）から被処理物までの距離である）、Ｗ＝０〜
1000mm（Ｗの定義については予備実験の場合と同
じ）の範囲の被処理物について測定した。他の条
件は前記予備実験の場合と同様である。
を処理した場合の測定結果を示したものである。
即ち、第一実施例の装置（第１図及び第２図）
に、第５図〜第７図のガラス管を組み込んで実験
を行なつた。この場合において、第１図に示すよ
うに、ガラス管の長手方向が円筒形反応室１の軸
方向になるようにガラス管が組み込まれている。
〔反応処理室〕の大きさ、〔処理条件〕および〔接
触角の測定法〕については前記予備実験の場合と
同様である。〔被処理物の配置〕については、プ
ラズマ噴射口から被処理物表面までの距離はＨ＝
500mmの場合と、Ｈ＝1000mmの場合について測定
し（ただし、この場合のＨはガラス管１２（第２
図）から被処理物までの距離である）、Ｗ＝０〜
1000mm（Ｗの定義については予備実験の場合と同
じ）の範囲の被処理物について測定した。他の条
件は前記予備実験の場合と同様である。
第８図の実験結果からも明らかなように、本発
明によれば、反応室内のプラズマ濃度が均一化さ
れ、比較的大物でかつ複雑な形状の被処理物を同
時に多数処理しても、各被処理物の位置による処
理の差が解消され、かつ同一の被処理物について
も形状による処理の不均一を解消することができ
る。
明によれば、反応室内のプラズマ濃度が均一化さ
れ、比較的大物でかつ複雑な形状の被処理物を同
時に多数処理しても、各被処理物の位置による処
理の差が解消され、かつ同一の被処理物について
も形状による処理の不均一を解消することができ
る。
尚、円筒形以外の処理容器、例えば角柱形状の
場合は、1000mm以下の間隔でプラズマ導入口を設
置するという思想は、最も望ましくかつ有効なも
のであるが、本発明の趣旨を逸脱しない限りにお
いて当業者の地識に基づいて想到されるその他の
方法も適宜に採用されるものである。
場合は、1000mm以下の間隔でプラズマ導入口を設
置するという思想は、最も望ましくかつ有効なも
のであるが、本発明の趣旨を逸脱しない限りにお
いて当業者の地識に基づいて想到されるその他の
方法も適宜に採用されるものである。
第１図は本発明のプラズマ処理を施す装置の第
一実施例の側面図、第２図はその概略断面図、第
３図は本発明の装置の第二実施例の側面図、第４
図はその概略断面図、第５図は本発明の装置に用
いるガラス管の正面図、第６図は第５図の矢印
から見た図、第７図は第５図の矢印から見た
図、第８図は本発明によるプラズマ処理の実験結
果を示す図、第９図は従来のプラズマ処理の装置
の概略断面図、第１０図は予備実験のために第９
図の装置のガラス管を改良した状態を示す図、第
１１図は予備実験の結果を示す図である。 １……反応室、２……マイクロ波発振器、３…
…アイソレータ、４……パワモニタ、５……スリ
ースタブチユーナ、６……プラズス発生炉、７…
…プラズマ発生管、８……石英管、９〜１１……
プラズマ導入口、１２〜１４，２０……（ガラス
管）、１５……排気口、１６……ガス供給管、１
９……導波管、２４……プラズマ照射口。
一実施例の側面図、第２図はその概略断面図、第
３図は本発明の装置の第二実施例の側面図、第４
図はその概略断面図、第５図は本発明の装置に用
いるガラス管の正面図、第６図は第５図の矢印
から見た図、第７図は第５図の矢印から見た
図、第８図は本発明によるプラズマ処理の実験結
果を示す図、第９図は従来のプラズマ処理の装置
の概略断面図、第１０図は予備実験のために第９
図の装置のガラス管を改良した状態を示す図、第
１１図は予備実験の結果を示す図である。 １……反応室、２……マイクロ波発振器、３…
…アイソレータ、４……パワモニタ、５……スリ
ースタブチユーナ、６……プラズス発生炉、７…
…プラズマ発生管、８……石英管、９〜１１……
プラズマ導入口、１２〜１４，２０……（ガラス
管）、１５……排気口、１６……ガス供給管、１
９……導波管、２４……プラズマ照射口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマ反応室内で被処理物の表面にマイク
ロ波放電プラズマを照射して処理する方法におい
て、反応室内壁部に隣接する複数の個所から該反
応室内にプラズマを噴射すると共に、各プラズマ
噴射個所において一定の角度をもつてプラズマを
噴射するようにしたプラズマ処理を施す方法。 ２ 直径が1000mm以上の円筒あるいは一辺が1000
mm以上の四角柱、もしくはこれらと類似する形状
の真空反応室内で被処理物の表面にマイクロ波放
電プラズマを照射して処理する装置において、反
応室壁部の任意の複数の位置にプラズマ導入口を
設け、各プラズマ導入口には、一定の角度でプラ
ズマを反応室内に噴射するガラス管を接続したこ
とを特徴とするプラズマ処理を施す装置。 ３ 反応室は直径が1000mm以上の円筒形であつ
て、該反応室壁部の任意の位置にプラズマ導入口
９を設けると共に、その位置から少なくとも一方
の円周方向に45〜120゜回転した位置に少なくとも
１つのプラズマ導入口１０，１１を設けた特許請
求の範囲第２項記載の装置。 ４ 1000mm以上の辺を有する四角柱形状の反応室
において任意に設置したプラズマ導入口から少な
くとも1000mm未満の間隔でプラズマ導入口９−
１，９−２を設置する特許請求の範囲第２項記載
の装置。 ５ 石英又はガラス等で円筒状に形成されたガラ
ス管はプラズマ導入口の中心線と直交する、反応
室の長手方向にのびており、該円筒状ガラス管に
は複数個のプラズマ照射口が設けられ、これらの
プラズマ照射口は円周方向に15〜90゜、好ましく
は30〜60゜間隔をへだてて形成され、ガラス管の
中心軸を中心として一定の角度でプラズマを噴射
するようにした特許請求の範囲第２項、第３項又
は第４項記載の装置。 ６ 複数のプラズマ照射口は円筒状ガラス管の軸
方向に等間隔に設けられ、千鳥状に配列されてい
る特許請求の範囲第５項記載の装置。 ７ 複数のプラズマ照射口が配置されているガラ
ス管円周方向の角度はプラズマ導入口の中心線に
関し２等分されている特許請求の範囲第５項又は
第６項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608882A JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608882A JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986630A JPS5986630A (ja) | 1984-05-18 |
| JPH0153897B2 true JPH0153897B2 (ja) | 1989-11-16 |
Family
ID=16352004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19608882A Granted JPS5986630A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | プラズマ処理を施す方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986630A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61120835A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-07 | Ulvac Corp | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP19608882A patent/JPS5986630A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5986630A (ja) | 1984-05-18 |
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