JPH0157512B2 - - Google Patents
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- JPH0157512B2 JPH0157512B2 JP14483183A JP14483183A JPH0157512B2 JP H0157512 B2 JPH0157512 B2 JP H0157512B2 JP 14483183 A JP14483183 A JP 14483183A JP 14483183 A JP14483183 A JP 14483183A JP H0157512 B2 JPH0157512 B2 JP H0157512B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- bias current
- circuit
- output
- modulation signal
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はレーザダイオードの発光特性の非直
線性に基づく歪の補償を行なうレーザダイオード
駆動回路に関するものである。
線性に基づく歪の補償を行なうレーザダイオード
駆動回路に関するものである。
レーザダイオードは第1図に示すように、所定
の閾値電流を越えるバイアス電流を流すと発振
し、その発光出力電力はバイアス電流と閾値電流
との差にほぼ比例するが、その直線性は十分良好
とは言えず、レーザダイオードを用いたアナログ
直接強度による光伝送では非直線歪が問題とな
る。この歪を改善する方法として、レーザダイオ
ードの発光出力の一部を受光素子で検出し、その
検出信号を増幅してレーザダイオードに負帰還す
ることにより、歪の減少を図る方法が知られてい
る。
の閾値電流を越えるバイアス電流を流すと発振
し、その発光出力電力はバイアス電流と閾値電流
との差にほぼ比例するが、その直線性は十分良好
とは言えず、レーザダイオードを用いたアナログ
直接強度による光伝送では非直線歪が問題とな
る。この歪を改善する方法として、レーザダイオ
ードの発光出力の一部を受光素子で検出し、その
検出信号を増幅してレーザダイオードに負帰還す
ることにより、歪の減少を図る方法が知られてい
る。
第2図は以上の原理に基づく特開昭54―121309
に記載された従来のレーザダイオード駆動回路の
一例である。
に記載された従来のレーザダイオード駆動回路の
一例である。
図において、1はレーザダイオード、2はレー
ザダイオード1の発光出力の一部を光導波路3を
通して受光する受光素子、4及び5はNPN型の
トランジスタで、両者はダーリントン接続されて
おり、トランジスタ4のコレクタは抵抗6を介し
てレーザダイオード1のカソードに接続され、ま
た、トランジスタ5のベースには受光素子2のカ
ソード、抵抗8、及び結合コンデンサ11の一端
がそれぞれ接続されている。12は直流電源で、
そのプラス側にはレーザダイオード1のアノー
ド、トランジスタ5のコレクタに接続された抵抗
7、及び抵抗8の他端が、またマイナス側には受
光素子2のアノード、トランジスタ4のエミツ
タ、及び片端が接地端子14に接続されたコンデ
ンサ13の片端が接続されている。また、9は変
調信号入力端子、10は入力抵抗、15は接地端
子である。
ザダイオード1の発光出力の一部を光導波路3を
通して受光する受光素子、4及び5はNPN型の
トランジスタで、両者はダーリントン接続されて
おり、トランジスタ4のコレクタは抵抗6を介し
てレーザダイオード1のカソードに接続され、ま
た、トランジスタ5のベースには受光素子2のカ
ソード、抵抗8、及び結合コンデンサ11の一端
がそれぞれ接続されている。12は直流電源で、
そのプラス側にはレーザダイオード1のアノー
ド、トランジスタ5のコレクタに接続された抵抗
7、及び抵抗8の他端が、またマイナス側には受
光素子2のアノード、トランジスタ4のエミツ
タ、及び片端が接地端子14に接続されたコンデ
ンサ13の片端が接続されている。また、9は変
調信号入力端子、10は入力抵抗、15は接地端
子である。
次に、第2図に示す従来のレーザダイオード駆
動回路の動作について説明する。
動回路の動作について説明する。
レーザダイオード1はトランジスタ4からその
閾値電流以上のバイアス電流を供給され、変調信
号入力端子9より入力される変調信号に応じた発
光動作をしているものと仮定する。このレーザダ
イオード1の発光出力の一部は光導波路3を介し
て受光素子2に伝送、受光される。受光素子2か
らはレーザダイオード1が送出する光出力信号に
比例した受光電流が出力され、その直流成分、変
調信号成分ともに制御信号としてトランジスタ4
及び5からなる電流増幅器に入力される。上記制
御信号により負帰還がかかるために、レーザダイ
オード1の非直線性が補償され変調光出力信号の
波形歪が改善される。
閾値電流以上のバイアス電流を供給され、変調信
号入力端子9より入力される変調信号に応じた発
光動作をしているものと仮定する。このレーザダ
イオード1の発光出力の一部は光導波路3を介し
て受光素子2に伝送、受光される。受光素子2か
らはレーザダイオード1が送出する光出力信号に
比例した受光電流が出力され、その直流成分、変
調信号成分ともに制御信号としてトランジスタ4
及び5からなる電流増幅器に入力される。上記制
御信号により負帰還がかかるために、レーザダイ
オード1の非直線性が補償され変調光出力信号の
波形歪が改善される。
しかし、以上のように構成される従来のレーザ
ダイオード駆動回路においては、変調信号入力側
が結合コンデンサ11により結合されているため
に、変調信号入力端子9に入力される変調信号に
含まれる直流成分の大きさによつてレーザダイオ
ード1に入力される電流のピーク値が変動し、そ
の結果として、第1図に表わされるレーザダイオ
ード1の閾値電流付近の非直線部分に信号がかか
つて波形歪が発生するという欠点があつた。上記
の欠点はベースバンド映像信号を伝送する場合に
特に問題となる。すなわち、ベースバンド映像信
号のAPL(Average Picture Level)の変化によ
り、正変調方式の場合には同期信号部分が、また
負変調方式の場合には白レベルがそれぞれ波形歪
を受けることになる。第3図はベースバンド映像
信号を負変調方式で伝送した場合のAPL変化に
対する微分利得(DG)及び微分位相(DP)の変
化の実例を示したもので、アは微分位相(DP)
の測定値、イは微分利得(DG)の測定値であ
る。3図をみると、APL30%において、DG、
DPとも大きくなつており、上述の原因による波
形歪が生じていることがわかる。なお、正変調方
式で伝送した場合には、上記のようなDG、DPの
劣化は生じないが、同期信号が歪むために同期が
不安定になり、同期はずれを起こす可能性があ
る。
ダイオード駆動回路においては、変調信号入力側
が結合コンデンサ11により結合されているため
に、変調信号入力端子9に入力される変調信号に
含まれる直流成分の大きさによつてレーザダイオ
ード1に入力される電流のピーク値が変動し、そ
の結果として、第1図に表わされるレーザダイオ
ード1の閾値電流付近の非直線部分に信号がかか
つて波形歪が発生するという欠点があつた。上記
の欠点はベースバンド映像信号を伝送する場合に
特に問題となる。すなわち、ベースバンド映像信
号のAPL(Average Picture Level)の変化によ
り、正変調方式の場合には同期信号部分が、また
負変調方式の場合には白レベルがそれぞれ波形歪
を受けることになる。第3図はベースバンド映像
信号を負変調方式で伝送した場合のAPL変化に
対する微分利得(DG)及び微分位相(DP)の変
化の実例を示したもので、アは微分位相(DP)
の測定値、イは微分利得(DG)の測定値であ
る。3図をみると、APL30%において、DG、
DPとも大きくなつており、上述の原因による波
形歪が生じていることがわかる。なお、正変調方
式で伝送した場合には、上記のようなDG、DPの
劣化は生じないが、同期信号が歪むために同期が
不安定になり、同期はずれを起こす可能性があ
る。
この発明は上記の欠点を解決するためになされ
たもので、入力変調信号の直流成分の変化に応じ
て上記レーザダイオードの直流バイアス電流を増
滅するバイアス電流制御回路を設けることによ
り、いかなる条件の入力変調信号に対しても波形
歪が生じない抵歪のレーザダイオード駆動回路を
提供することを目的としている。
たもので、入力変調信号の直流成分の変化に応じ
て上記レーザダイオードの直流バイアス電流を増
滅するバイアス電流制御回路を設けることによ
り、いかなる条件の入力変調信号に対しても波形
歪が生じない抵歪のレーザダイオード駆動回路を
提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例について第4図を用
いて説明する。なお、第4図は、変調信号入力端
子9に入力される信号がベースバンド映像信号、
変調方式が負変調である場合の一構成例である。
以下、この場合について説明することにする。
いて説明する。なお、第4図は、変調信号入力端
子9に入力される信号がベースバンド映像信号、
変調方式が負変調である場合の一構成例である。
以下、この場合について説明することにする。
第4図において、1〜15は第2図と同じもの
である。16はレーザダイオード1の直流バイア
ス電流を変調信号入力端子9から入力される変調
信号の直流成分の変化に応じて増減させるバイア
ス電流制御回路であり、これは、クランプ回路1
7、積分回路18、差動増幅器19、ピークホー
ルド回路20、差動増幅回路21、リミツタ回路
22、スイツチ23とから構成されている。ま
た、25は反転増幅器である。
である。16はレーザダイオード1の直流バイア
ス電流を変調信号入力端子9から入力される変調
信号の直流成分の変化に応じて増減させるバイア
ス電流制御回路であり、これは、クランプ回路1
7、積分回路18、差動増幅器19、ピークホー
ルド回路20、差動増幅回路21、リミツタ回路
22、スイツチ23とから構成されている。ま
た、25は反転増幅器である。
次に、動作を説明する。負帰還による歪補償の
機能に関しては第2図の場合と全く同一であるの
で省略し、ここではバイアス電流制御による波形
歪の改善機能についてのみとする。
機能に関しては第2図の場合と全く同一であるの
で省略し、ここではバイアス電流制御による波形
歪の改善機能についてのみとする。
変調信号入力端子9に入力されたベースバンド
映像信号はクランプ回路17に導かれてペデスタ
ルレベルを直流固定された後、反転増幅器25及
び積分回路18に出力される。反転増幅器25に
入力された信号はここで反転され、負変調信号と
して入力抵抗10に出力される。一方、積分回路
18に入力された信号は、所定の時定数で積分さ
れた後、反転増幅器19で反転増幅されてピーク
ホールド回路20に出力される。ここで負のピー
ク値が検出・固定されて差動増幅器21の正入力
端子に出力され、上記ピーク電圧と基準電圧入力
端子24に入力される所定の基準電圧との差がリ
ミツタ回路22に出力される。差動増幅器21の
出力電圧はこのリミツタ回路で振幅制限された
後、レーザダイオードのバイアス電流制御信号と
してスイツチ23に入力される。スイツチ23は
トランジスタ5のベースに片端が接続された抵抗
8の他端をリミツタ回路出力端子及び接地端子と
に切換えて接続することにより、バイアス電流制
御機能をON・OFFする。以下、リミツタ回路出
力端子側をON、接地端子側をOFFとよぶことに
する。スイツチ23がOFFの場合は第2図に示
す従来のレーザダイオード駆動回路と全く同一の
回路動作となる。一方、スイツチ23がONの場
合には、変調信号入力端子9に入力されるベース
バンド映像信号のAPLが小さい時にレーザダイ
オード1に流れるバイアス電流を大きくし、逆に
APLが大きい時に上記バイアス電流を小さくす
るようなバイアス電流制御信号電圧がリミツタ回
路から抵抗8を介してトランジスタ5のベースに
出力される。
映像信号はクランプ回路17に導かれてペデスタ
ルレベルを直流固定された後、反転増幅器25及
び積分回路18に出力される。反転増幅器25に
入力された信号はここで反転され、負変調信号と
して入力抵抗10に出力される。一方、積分回路
18に入力された信号は、所定の時定数で積分さ
れた後、反転増幅器19で反転増幅されてピーク
ホールド回路20に出力される。ここで負のピー
ク値が検出・固定されて差動増幅器21の正入力
端子に出力され、上記ピーク電圧と基準電圧入力
端子24に入力される所定の基準電圧との差がリ
ミツタ回路22に出力される。差動増幅器21の
出力電圧はこのリミツタ回路で振幅制限された
後、レーザダイオードのバイアス電流制御信号と
してスイツチ23に入力される。スイツチ23は
トランジスタ5のベースに片端が接続された抵抗
8の他端をリミツタ回路出力端子及び接地端子と
に切換えて接続することにより、バイアス電流制
御機能をON・OFFする。以下、リミツタ回路出
力端子側をON、接地端子側をOFFとよぶことに
する。スイツチ23がOFFの場合は第2図に示
す従来のレーザダイオード駆動回路と全く同一の
回路動作となる。一方、スイツチ23がONの場
合には、変調信号入力端子9に入力されるベース
バンド映像信号のAPLが小さい時にレーザダイ
オード1に流れるバイアス電流を大きくし、逆に
APLが大きい時に上記バイアス電流を小さくす
るようなバイアス電流制御信号電圧がリミツタ回
路から抵抗8を介してトランジスタ5のベースに
出力される。
以上のようにレーザダイオード1のバイアス電
流を制御することにより、APLが小さい時にも
レーザダイオード1の閾値電流付近の非直線部分
に信号がかからなくなり、その結果として、第3
図に一例を示したようなAPL30%における微
分利得DG及び、微分位相DPの劣化を防止するこ
とができる。なお、リミツタ回路22では、上記
ベースバンド映像信号のAPLが大きい場合に、
上記レーザダイオード1のバイアス電流を小さく
しすぎないように差動増幅器21の出力電圧振幅
を制限し、レーザダイオード1の平均光出力電力
の変化幅を小さくしている。
流を制御することにより、APLが小さい時にも
レーザダイオード1の閾値電流付近の非直線部分
に信号がかからなくなり、その結果として、第3
図に一例を示したようなAPL30%における微
分利得DG及び、微分位相DPの劣化を防止するこ
とができる。なお、リミツタ回路22では、上記
ベースバンド映像信号のAPLが大きい場合に、
上記レーザダイオード1のバイアス電流を小さく
しすぎないように差動増幅器21の出力電圧振幅
を制限し、レーザダイオード1の平均光出力電力
の変化幅を小さくしている。
第5図はスイツチ23をONにした場合のバイ
アス電流制御回路の出力電圧特性の一例を示す図
である。第5図において、基準電圧入力端子24
に入力される基準電圧は、スイツチ23がONに
て、変調信号入力端子9にAPL=50%のベース
バンド映像信号を入力した場合のバイアス電流制
御回路16の出力電圧と、スイツチ23がOFF
の場合の出力電圧(OV)とが等しくなるように
設定されている。また、リミツタ回路22は上記
出力電圧を−0.3V以下に下がらないように制限
している。
アス電流制御回路の出力電圧特性の一例を示す図
である。第5図において、基準電圧入力端子24
に入力される基準電圧は、スイツチ23がONに
て、変調信号入力端子9にAPL=50%のベース
バンド映像信号を入力した場合のバイアス電流制
御回路16の出力電圧と、スイツチ23がOFF
の場合の出力電圧(OV)とが等しくなるように
設定されている。また、リミツタ回路22は上記
出力電圧を−0.3V以下に下がらないように制限
している。
第6図は第4図中のバイアス電流制御回路とし
て、第5図で示した出力特性を有する回路を用い
た場合にレーザダイオード1が送出する平均光出
力電力が入力変調信号のAPLにより変化する様
子の一例を示した図である。ここで、入力変調信
号はベースバンド映像信号、変調方式は負変調で
ある。また、第7図は第6図と同一条件にてベー
スバンド映像信号を伝送した場合のAPL変化に
対する微分利得(DG)及び微分位相(DP)の変
化の実例を示したもので、アは微分位相(DP)
の測定値、イは微分利得(DG)の測定値であ
る。第3図と第7図とを比較すると、第7図にお
いては、第3図において見られるようなAPL
30%でのDG、DPの劣化が現われておらず、上述
の原因による波形歪が改善されていることがわか
る。
て、第5図で示した出力特性を有する回路を用い
た場合にレーザダイオード1が送出する平均光出
力電力が入力変調信号のAPLにより変化する様
子の一例を示した図である。ここで、入力変調信
号はベースバンド映像信号、変調方式は負変調で
ある。また、第7図は第6図と同一条件にてベー
スバンド映像信号を伝送した場合のAPL変化に
対する微分利得(DG)及び微分位相(DP)の変
化の実例を示したもので、アは微分位相(DP)
の測定値、イは微分利得(DG)の測定値であ
る。第3図と第7図とを比較すると、第7図にお
いては、第3図において見られるようなAPL
30%でのDG、DPの劣化が現われておらず、上述
の原因による波形歪が改善されていることがわか
る。
なお、上記実施例では入力変調信号がベースバ
ンド映像信号、変調方式が負変調の場合について
説明したが、変調方式が正変調の場合にも第4図
中の反転増幅器19及び25を正相増幅器に変え
れば同様の効果が得られる。また、入力変調信号
が一般のアナログ信号である場合にも同様の波形
歪改善効果が得られることは言うまでもない。さ
らに、マルチモードフアイバを用いて信号を伝送
する際には、いわゆるモーダルノイズによる歪劣
化及びS/N劣化を抑圧するために高周波信号を
重畳する場合があるが、このような場合にも以上
述べたと同様の波形歪改善効果が得られる。
ンド映像信号、変調方式が負変調の場合について
説明したが、変調方式が正変調の場合にも第4図
中の反転増幅器19及び25を正相増幅器に変え
れば同様の効果が得られる。また、入力変調信号
が一般のアナログ信号である場合にも同様の波形
歪改善効果が得られることは言うまでもない。さ
らに、マルチモードフアイバを用いて信号を伝送
する際には、いわゆるモーダルノイズによる歪劣
化及びS/N劣化を抑圧するために高周波信号を
重畳する場合があるが、このような場合にも以上
述べたと同様の波形歪改善効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、バイアス電
流制御回路によりレーザダイオードの直流バイア
ス電流を入力変調信号の直流成分の変化に応じて
制御できるため、レーザダイオードの閾値電流付
近の非直線部分に信号がかかることにより発生す
る波形歪を抑圧できるという効果がある。
流制御回路によりレーザダイオードの直流バイア
ス電流を入力変調信号の直流成分の変化に応じて
制御できるため、レーザダイオードの閾値電流付
近の非直線部分に信号がかかることにより発生す
る波形歪を抑圧できるという効果がある。
第1図はレーザダイオードの代表的な静特性
図、第2図は従来のレーザダイオード駆動回路の
回路図、第3図は第2図に示すレーザダイオード
駆動回路の歪特性図、第4図はこの発明の一実施
例によるレーザダイオード駆動回路、第5図は第
4図に示すこの発明の一実施例によるバイアス電
流制御回路の出力電圧特性図、第6図は第4図に
示すこの発明の一実施例によるレーザダイオード
駆動回路の平均光出力電力特性図、第7図は第4
図に示すこの発明の一実施例によるレーザダイオ
ード駆動回路の歪特性図である。 図中、1はレーザダイオード、2は受光素子、
3は光導波路、4及び5はトランジスタ、6,
7,8は抵抗、9は変調信号入力端子、10は入
力抵抗、11は結合コンデンサ、12は電源、1
3はコンデンサ、14及び15は接地端子、16
はバイアス電流制御回路、17はクランプ回路、
18は積分回路、19は反転増幅器、20はピー
クホールド回路、21は差動増幅回路、22はリ
ミツタ回路、23はスイツチ、24は基準電圧入
力端子、25は反転増幅器、アは微分位相の測定
値、イは微分利得の測定値である。なお、図中、
同一あるいは相当部分には同一符号を付して示し
てある。
図、第2図は従来のレーザダイオード駆動回路の
回路図、第3図は第2図に示すレーザダイオード
駆動回路の歪特性図、第4図はこの発明の一実施
例によるレーザダイオード駆動回路、第5図は第
4図に示すこの発明の一実施例によるバイアス電
流制御回路の出力電圧特性図、第6図は第4図に
示すこの発明の一実施例によるレーザダイオード
駆動回路の平均光出力電力特性図、第7図は第4
図に示すこの発明の一実施例によるレーザダイオ
ード駆動回路の歪特性図である。 図中、1はレーザダイオード、2は受光素子、
3は光導波路、4及び5はトランジスタ、6,
7,8は抵抗、9は変調信号入力端子、10は入
力抵抗、11は結合コンデンサ、12は電源、1
3はコンデンサ、14及び15は接地端子、16
はバイアス電流制御回路、17はクランプ回路、
18は積分回路、19は反転増幅器、20はピー
クホールド回路、21は差動増幅回路、22はリ
ミツタ回路、23はスイツチ、24は基準電圧入
力端子、25は反転増幅器、アは微分位相の測定
値、イは微分利得の測定値である。なお、図中、
同一あるいは相当部分には同一符号を付して示し
てある。
Claims (1)
- 1 レーザダイオードの発光出力の一部を受光素
子に伝送する光導波路、及び上記受光素子の出力
電流により上記レーザダイオードの平均光出力及
び変調光出力を制御する負帰還制御回路とから構
成されるレーザダイオード駆動回路において、入
力変調信号の直流成分の変化に応じて上記レーザ
ダイオードの直流バイアス電流を制御するバイア
ス電流制御回路を備えたことを特徴とするレーザ
ダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14483183A JPS6037187A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14483183A JPS6037187A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037187A JPS6037187A (ja) | 1985-02-26 |
| JPH0157512B2 true JPH0157512B2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15371451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14483183A Granted JPS6037187A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037187A (ja) |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14483183A patent/JPS6037187A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6037187A (ja) | 1985-02-26 |
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