JPH0160948B2 - - Google Patents
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- JPH0160948B2 JPH0160948B2 JP59201469A JP20146984A JPH0160948B2 JP H0160948 B2 JPH0160948 B2 JP H0160948B2 JP 59201469 A JP59201469 A JP 59201469A JP 20146984 A JP20146984 A JP 20146984A JP H0160948 B2 JPH0160948 B2 JP H0160948B2
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、半導体電子工業において、半導体素
子のパツケージに用いられるリードフレームの条
材に関する。 (ロ) 従来の技術 トランジスター、ICなどの半導体の多くに使
用されるリードフレームは、その断面の一例を第
２図に、又平面の他の例を第３図に示すように、
フレームのタブ部１に素子（例えばSiチツプ）２
がエポキシなどの接着剤や半田又はAu−Siなど
の金属ろうなどの接着層３を介してダイボンドさ
れる。尚素子上の電極パツド４とフレームのイン
ナーリード端部５とは金属細線６を介してワイヤ
ボンドされる。更にこれらはエポキシなどの樹脂
７により封止モールドされ、フレームのアウター
リード部８の多くはSn又は半田づけされてから
曲げなどの加工をうけてパツケージがつくられて
いる。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 半導体リードフレームは基材として銅合金の板
条（以下条基材と称す）が最近用いられている。
それは、これらの銅合金は熱、電気の良導体で強
度もあり、しかも従来使用されていたコバール合
金（Fe−Ni−Co合金）よりも経済的であるがた
めである。これらの銅合金の一例を示す。 Cu−Sn系（例えば1.5Sn、6Sn−0.1P、8Sn−
0.1P、3.5Sn−0.2Cr−0.1P）、Cu−Zn系（例えば
10Zn）、Cu−Fe系（例2.4Fe−0.3Zn−0.04P、
1.5Fe−0.6Sn−0.8Co−0.1P）、Cu−Co系（例
0.3Co−0.1P）、Cu−Ni−Sn系（例9.5Ni−2.3Sn、
0.1Ni−2.5Sn−0.1P）、Cu−Zr系（例0.15Zr）、
Cu−Sn−Cr系（例0.15Sn−0.1Cr）等 然し、このような銅合金は、大気酸化をうけ易
く、リードフレームの加工、保管工程中に添加金
属の酸化物（例えSnO、NiO、ZnO、ZrOなど）
が表面に形成し易くなり、そのため(ロ)項前記のダ
イボンド、ワイヤボンド、半田づけなどに対して
Cu合金のリードフレームの面に直接Au線、Cu合
金線などでワイヤボンドするベアーボンドするに
は不適当な金属表面になる。即ちベアーボンドは
たとえ400℃以下のN2−H2の還元雰囲気中で施
行してもリードフレームの表面に生じた酸化物は
還元されない。そこで良好な金属面を出すため
に、タブ部とインナーリード部に高価なAu、Ag
メツキを施し、アウターリード部にはSn又はSu
−Pbメツキが複雑な部分メツキ工程のもとに施
されているのが現状である。 本発明は叙上の点を鑑みてなされたものであつ
て、半導体リードフレームの条基材に経済的な銅
合金を用いたとき、高価な貴金属メツキや複雑な
部分メツキをしなくても、ダイボンド、ワイヤボ
ンド、半田付けができるようなリードフレームの
金属表面をつくることを目的とした。 尚貴金属メツキを節約して薄くすることも試み
たがCu合金の強度を上げるための添加物の例え
ばZnやSnなどの拡散性成分が貴金属表面に露出
酸化してボンデイングの障害となつた。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は、半導体リードフレーム用の銅合金条
基材の両面、片面いずれでもよいがその全面に無
酸素銅の表層（酸素10ppm以下、厚さ0.5〜10μ）
を設けることである。これによつてリードフレー
ムの金属表面をダイボンド、ワイヤボンド、半田
付けなどに適するものとしたのである。即ち本発
明の一例を示すと第１図ａにその断面を示すよう
に銅合金条基材１０の片面に表層１１を設けたも
のである。 尚、銅合金条基材と無酸素銅表層との間にNi
又はNi合金の中間層を介在せしめて、表層を設
けた効果を更に確実にした。即ち第１図ｂにその
断面を示すように中間層１２を介在せしめた条材
である。 又、無酸素銅表層を設けるに当つて、電気メツ
キ法によるときは、酸素量10ppm以下の無酸素銅
をメツキ条件例えば電流密度、メツキ浴などの操
作で適当な厚さの表層を能率よく被覆できるので
ある。 (ホ) 作 用 無酸素銅の表層を設けることにより、銅合金の
条基材の表面で該合金の添加金属が大気酸化を受
けにくくなり、ボンドは確実になる。 無酸素銅の表層は大気酸化により、反つて樹脂
との密着性良好な酸化銅被膜が生じ、封止モール
ドの密着良好となつて、外部水分の浸入を抑止す
る。 又該表層はアウターリード部の半田付け性が向
上する。例えば基材の銅合金がCu−Fe系かCu−
Sn−Ｐ系のときは若し表層のないときは基材と
半田層との境界に脆弱な合金層が発生し易くなり
半田付性が低下するが無酸素銅の表層があると半
田付性はよくなる。 又、該表層はボンデイング時のN2−H2高温ガ
ス使用による水素脆化はなく、確実なボンデイン
グは可能である。若し表層の無酸素銅の酸素量が
10ppmを越えて含有するときは水素脆化は生じ
る。よつて酸素量は10ppm以下とする。 以上の作用は表層の厚さが0.5μ以上で実用上の
効果がある。他方10μを越えたときはリードフレ
ームの機械的強度が低下して実用的でない。よつ
て表層の厚さは0.5〜10μとした。表層の強度は小
であるから成可く薄い方が好ましく、１〜5μｍ
が望ましい。 尚、表層と条基材との間にNi又はNi合金（以
下Ni材と称す）例えばNi−Co、Ni−Ｐ、Ni−
Fe、Ni−Zn、Ni−Ｂ、Ni−Co−Ｐなどの中間
層を介在させると上記表層の効果を一層効果的に
する。更に無酸素銅よりも硬質なNi材の中間層
の介在は無酸素銅表層によるリードフレームの強
度低下を回復する。以上の中間層の効果はその厚
さが0.02μより少ないときは発揮できなく、2.5μ
をこえたときは曲げ加工時に微少な割れが発生し
易くなるので中間層の厚さ0.02μ〜2.5μとした。 以上の表層は条基材の片面の全面に設けられる
のが普通であるが、両面の全面に設けられてもよ
い。 表層の被覆方法としては機械的クラツド、蒸
着、化学メツキでもよいが、特に望ましいのは電
気メツキ法である。電気メツキ法では無酸素銅が
析出して被覆されるのであり、特に無酸素銅材を
つくる必要はない。尚、中間層のNi材の電気メ
ツキと連続して処理できるので、他の方法に比べ
て品質、生産性共に優れている。 (ヘ) 実施例 実施例 １ 条基材として厚さ0.25mm、巾26mmの銅合金条
（成分、性能は第１表実施例１の(A)欄に示す）の
片面に、純Cuを原料として電気メツキ法（メツ
キ条件第２表(A)欄に示す）で1.7μの厚さの無酸素
銅の表層をつくつた。このようにしてでき上つた
本発明による条材をすべてリードフレーム用とし
て第３図に示すようなDIP型14ピンフレームにプ
レス成型した。次にフレームの表層面にSi素子の
ダイボンド（エポキシ接着剤、250℃×５分キユ
アー）した後、径25μのAu線を超音波熱圧着法で
ワイヤボンド（条件第３表(A)欄に示す）した。こ
のようにしてボンデイングされたワイヤボンデイ
ング細線の一部をプルテスターにかけてプルテス
トした。他の一部はエポキシ樹脂で封止モールド
してから共晶半田に浸漬した。ワイヤボンドのプ
ルテストの結果は平均強度9.2grであり、ワイヤ
ボンデイング強度としては充分であつた。又アウ
ターリード部の半田付性は良好であつた。 比較例として上記実施例１においてCuメツキ
を施さないフレームを成型して他はすべて実施例
１と同様の処理をしたもののプルテストの平均強
度は5.6grであつて本発明の実施例のもの9.2grに
比べて劣つていた。比較例のフレーム条基材の表
面には径1μ前後のリン化鉄粒が多数析出してお
りプル強度の低下の原因と思われた。
子のパツケージに用いられるリードフレームの条
材に関する。 (ロ) 従来の技術 トランジスター、ICなどの半導体の多くに使
用されるリードフレームは、その断面の一例を第
２図に、又平面の他の例を第３図に示すように、
フレームのタブ部１に素子（例えばSiチツプ）２
がエポキシなどの接着剤や半田又はAu−Siなど
の金属ろうなどの接着層３を介してダイボンドさ
れる。尚素子上の電極パツド４とフレームのイン
ナーリード端部５とは金属細線６を介してワイヤ
ボンドされる。更にこれらはエポキシなどの樹脂
７により封止モールドされ、フレームのアウター
リード部８の多くはSn又は半田づけされてから
曲げなどの加工をうけてパツケージがつくられて
いる。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 半導体リードフレームは基材として銅合金の板
条（以下条基材と称す）が最近用いられている。
それは、これらの銅合金は熱、電気の良導体で強
度もあり、しかも従来使用されていたコバール合
金（Fe−Ni−Co合金）よりも経済的であるがた
めである。これらの銅合金の一例を示す。 Cu−Sn系（例えば1.5Sn、6Sn−0.1P、8Sn−
0.1P、3.5Sn−0.2Cr−0.1P）、Cu−Zn系（例えば
10Zn）、Cu−Fe系（例2.4Fe−0.3Zn−0.04P、
1.5Fe−0.6Sn−0.8Co−0.1P）、Cu−Co系（例
0.3Co−0.1P）、Cu−Ni−Sn系（例9.5Ni−2.3Sn、
0.1Ni−2.5Sn−0.1P）、Cu−Zr系（例0.15Zr）、
Cu−Sn−Cr系（例0.15Sn−0.1Cr）等 然し、このような銅合金は、大気酸化をうけ易
く、リードフレームの加工、保管工程中に添加金
属の酸化物（例えSnO、NiO、ZnO、ZrOなど）
が表面に形成し易くなり、そのため(ロ)項前記のダ
イボンド、ワイヤボンド、半田づけなどに対して
Cu合金のリードフレームの面に直接Au線、Cu合
金線などでワイヤボンドするベアーボンドするに
は不適当な金属表面になる。即ちベアーボンドは
たとえ400℃以下のN2−H2の還元雰囲気中で施
行してもリードフレームの表面に生じた酸化物は
還元されない。そこで良好な金属面を出すため
に、タブ部とインナーリード部に高価なAu、Ag
メツキを施し、アウターリード部にはSn又はSu
−Pbメツキが複雑な部分メツキ工程のもとに施
されているのが現状である。 本発明は叙上の点を鑑みてなされたものであつ
て、半導体リードフレームの条基材に経済的な銅
合金を用いたとき、高価な貴金属メツキや複雑な
部分メツキをしなくても、ダイボンド、ワイヤボ
ンド、半田付けができるようなリードフレームの
金属表面をつくることを目的とした。 尚貴金属メツキを節約して薄くすることも試み
たがCu合金の強度を上げるための添加物の例え
ばZnやSnなどの拡散性成分が貴金属表面に露出
酸化してボンデイングの障害となつた。 (ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は、半導体リードフレーム用の銅合金条
基材の両面、片面いずれでもよいがその全面に無
酸素銅の表層（酸素10ppm以下、厚さ0.5〜10μ）
を設けることである。これによつてリードフレー
ムの金属表面をダイボンド、ワイヤボンド、半田
付けなどに適するものとしたのである。即ち本発
明の一例を示すと第１図ａにその断面を示すよう
に銅合金条基材１０の片面に表層１１を設けたも
のである。 尚、銅合金条基材と無酸素銅表層との間にNi
又はNi合金の中間層を介在せしめて、表層を設
けた効果を更に確実にした。即ち第１図ｂにその
断面を示すように中間層１２を介在せしめた条材
である。 又、無酸素銅表層を設けるに当つて、電気メツ
キ法によるときは、酸素量10ppm以下の無酸素銅
をメツキ条件例えば電流密度、メツキ浴などの操
作で適当な厚さの表層を能率よく被覆できるので
ある。 (ホ) 作 用 無酸素銅の表層を設けることにより、銅合金の
条基材の表面で該合金の添加金属が大気酸化を受
けにくくなり、ボンドは確実になる。 無酸素銅の表層は大気酸化により、反つて樹脂
との密着性良好な酸化銅被膜が生じ、封止モール
ドの密着良好となつて、外部水分の浸入を抑止す
る。 又該表層はアウターリード部の半田付け性が向
上する。例えば基材の銅合金がCu−Fe系かCu−
Sn−Ｐ系のときは若し表層のないときは基材と
半田層との境界に脆弱な合金層が発生し易くなり
半田付性が低下するが無酸素銅の表層があると半
田付性はよくなる。 又、該表層はボンデイング時のN2−H2高温ガ
ス使用による水素脆化はなく、確実なボンデイン
グは可能である。若し表層の無酸素銅の酸素量が
10ppmを越えて含有するときは水素脆化は生じ
る。よつて酸素量は10ppm以下とする。 以上の作用は表層の厚さが0.5μ以上で実用上の
効果がある。他方10μを越えたときはリードフレ
ームの機械的強度が低下して実用的でない。よつ
て表層の厚さは0.5〜10μとした。表層の強度は小
であるから成可く薄い方が好ましく、１〜5μｍ
が望ましい。 尚、表層と条基材との間にNi又はNi合金（以
下Ni材と称す）例えばNi−Co、Ni−Ｐ、Ni−
Fe、Ni−Zn、Ni−Ｂ、Ni−Co−Ｐなどの中間
層を介在させると上記表層の効果を一層効果的に
する。更に無酸素銅よりも硬質なNi材の中間層
の介在は無酸素銅表層によるリードフレームの強
度低下を回復する。以上の中間層の効果はその厚
さが0.02μより少ないときは発揮できなく、2.5μ
をこえたときは曲げ加工時に微少な割れが発生し
易くなるので中間層の厚さ0.02μ〜2.5μとした。 以上の表層は条基材の片面の全面に設けられる
のが普通であるが、両面の全面に設けられてもよ
い。 表層の被覆方法としては機械的クラツド、蒸
着、化学メツキでもよいが、特に望ましいのは電
気メツキ法である。電気メツキ法では無酸素銅が
析出して被覆されるのであり、特に無酸素銅材を
つくる必要はない。尚、中間層のNi材の電気メ
ツキと連続して処理できるので、他の方法に比べ
て品質、生産性共に優れている。 (ヘ) 実施例 実施例 １ 条基材として厚さ0.25mm、巾26mmの銅合金条
（成分、性能は第１表実施例１の(A)欄に示す）の
片面に、純Cuを原料として電気メツキ法（メツ
キ条件第２表(A)欄に示す）で1.7μの厚さの無酸素
銅の表層をつくつた。このようにしてでき上つた
本発明による条材をすべてリードフレーム用とし
て第３図に示すようなDIP型14ピンフレームにプ
レス成型した。次にフレームの表層面にSi素子の
ダイボンド（エポキシ接着剤、250℃×５分キユ
アー）した後、径25μのAu線を超音波熱圧着法で
ワイヤボンド（条件第３表(A)欄に示す）した。こ
のようにしてボンデイングされたワイヤボンデイ
ング細線の一部をプルテスターにかけてプルテス
トした。他の一部はエポキシ樹脂で封止モールド
してから共晶半田に浸漬した。ワイヤボンドのプ
ルテストの結果は平均強度9.2grであり、ワイヤ
ボンデイング強度としては充分であつた。又アウ
ターリード部の半田付性は良好であつた。 比較例として上記実施例１においてCuメツキ
を施さないフレームを成型して他はすべて実施例
１と同様の処理をしたもののプルテストの平均強
度は5.6grであつて本発明の実施例のもの9.2grに
比べて劣つていた。比較例のフレーム条基材の表
面には径1μ前後のリン化鉄粒が多数析出してお
りプル強度の低下の原因と思われた。
【表】
【表】
【表】
実施例 ２
厚さ0.15mm、巾26mmの銅合金条（成分、性能は
第１表(B)欄に示す）の片面に純Cuを原料として
電気メツキ（条件は第２表(B)欄に示す）法で第４
表に示すようなNo.１、No.２、No.３、の３種の厚さ
のCuメツキを施した。各フレームの条の強度は
第４表に併記する。続いて実施例１と同様な処理
を行いパツケージをつくつた。これらのワイヤの
プルテストの結果を第４表に併記する。又120℃
×100hr熱処理後の半田強度をテストしたその結
果も第４表に併記する。 又比較例としてパツケージになるまでは実施例
２と同様に処理し、ただCuメツキの厚さが本発
明の範囲外のものNo.４、No.５、No.６の３種の各デ
ーターを第４表に併記した。
第１表(B)欄に示す）の片面に純Cuを原料として
電気メツキ（条件は第２表(B)欄に示す）法で第４
表に示すようなNo.１、No.２、No.３、の３種の厚さ
のCuメツキを施した。各フレームの条の強度は
第４表に併記する。続いて実施例１と同様な処理
を行いパツケージをつくつた。これらのワイヤの
プルテストの結果を第４表に併記する。又120℃
×100hr熱処理後の半田強度をテストしたその結
果も第４表に併記する。 又比較例としてパツケージになるまでは実施例
２と同様に処理し、ただCuメツキの厚さが本発
明の範囲外のものNo.４、No.５、No.６の３種の各デ
ーターを第４表に併記した。
【表】
【表】
第４表によれば、本発明による試料No.１、No.
２、No.３のいずれも、ワイヤボンドのプル強度と
アウターリード部の半田強度については、比較例
の表層の厚さの小なるものNo.４と表層のCuメツ
キしないものNo.６のプル強度と半田強度より優れ
ている。ただ表層を発明外に大きくしたNo.５はプ
ル強度、半田強度共に本発明によるものと同等で
優れているが、表層をメツキした後のフレーム条
の強度が劣つていた。 実施例 ３ 銅合金条（成分、性能は実施例２第１表(B)欄と
同じ）にNi電気メツキ（条件第２表(C)欄に示す）
を第５表のNo.１〜６で示すような６種の厚さを有
する中間層をつくり、その上にCuの電気メツキ、
ダイボンドを共に実施例２と同じく行い、径25μ
のCu−0.15Sn線を用いてワイヤボンドを超音波
熱圧着法（条件第３表(B)欄に示す）で行い、一部
の試料をプルテストを行い、他の試料は封止モー
ルド後、アウターリード部を半田に浸漬後折り曲
げ、曲げ部の割れの有無を検鏡した。それらの結
果を第５表に併記した。 第５表によればNi材の中間層を有するNo.１、
No.３、No.４、No.５は中間層を有しないNo.２に比べ
てプル強度、半田強度は優れている。
２、No.３のいずれも、ワイヤボンドのプル強度と
アウターリード部の半田強度については、比較例
の表層の厚さの小なるものNo.４と表層のCuメツ
キしないものNo.６のプル強度と半田強度より優れ
ている。ただ表層を発明外に大きくしたNo.５はプ
ル強度、半田強度共に本発明によるものと同等で
優れているが、表層をメツキした後のフレーム条
の強度が劣つていた。 実施例 ３ 銅合金条（成分、性能は実施例２第１表(B)欄と
同じ）にNi電気メツキ（条件第２表(C)欄に示す）
を第５表のNo.１〜６で示すような６種の厚さを有
する中間層をつくり、その上にCuの電気メツキ、
ダイボンドを共に実施例２と同じく行い、径25μ
のCu−0.15Sn線を用いてワイヤボンドを超音波
熱圧着法（条件第３表(B)欄に示す）で行い、一部
の試料をプルテストを行い、他の試料は封止モー
ルド後、アウターリード部を半田に浸漬後折り曲
げ、曲げ部の割れの有無を検鏡した。それらの結
果を第５表に併記した。 第５表によればNi材の中間層を有するNo.１、
No.３、No.４、No.５は中間層を有しないNo.２に比べ
てプル強度、半田強度は優れている。
【表】
※ 比較例
然しNo.５は中間層の厚さが発明の範囲より大き
くなつているので加工性が低下し割れが発生して
いる。又中間層の厚さの薄いものNo.６はプル強度
は他に比して劣つている。 実施例 ４ 厚さ0.12mm、巾26mmの銅合金（成分、性能は第
１表(C)欄に示す）条にCuの電気メツキ（条件実
施例１と同じ）したものとしないものを２種類ず
つNo.１、No.２とNo.３とNo.４をつくり（第６表に示
す）リードフレームにプレス成型後インナーリー
ド部とタブ部にAgを部分メツキ（条件第２表(D)
欄に示す）し各種共にSiチツプをAu−Si共晶ボ
ンド（450℃×2min加熱）した後、径25μのAu線
を超音波熱圧着法（条件第３表(C)欄に示す）でワ
イヤーボンドし、プルテストを行い、それらの結
果を第６表に併記した。 尚No.１、No.２のCuメツキ層のO2量を知るため、
ステンレス板上にCuをCuSO4浴及びCuCN浴の
もとに析出させ得た箔を用いて、レコ分析計によ
り分析したところ、各々4.5ppm、2.1ppmであつ
た。
然しNo.５は中間層の厚さが発明の範囲より大き
くなつているので加工性が低下し割れが発生して
いる。又中間層の厚さの薄いものNo.６はプル強度
は他に比して劣つている。 実施例 ４ 厚さ0.12mm、巾26mmの銅合金（成分、性能は第
１表(C)欄に示す）条にCuの電気メツキ（条件実
施例１と同じ）したものとしないものを２種類ず
つNo.１、No.２とNo.３とNo.４をつくり（第６表に示
す）リードフレームにプレス成型後インナーリー
ド部とタブ部にAgを部分メツキ（条件第２表(D)
欄に示す）し各種共にSiチツプをAu−Si共晶ボ
ンド（450℃×2min加熱）した後、径25μのAu線
を超音波熱圧着法（条件第３表(C)欄に示す）でワ
イヤーボンドし、プルテストを行い、それらの結
果を第６表に併記した。 尚No.１、No.２のCuメツキ層のO2量を知るため、
ステンレス板上にCuをCuSO4浴及びCuCN浴の
もとに析出させ得た箔を用いて、レコ分析計によ
り分析したところ、各々4.5ppm、2.1ppmであつ
た。
【表】
第６表によればAgメツキを厚くしたNo.２とNo.
４はプル強度は大であつたが、No.４はCuメツキ
がないので半田強度は劣つていた。又No.１のよう
にAgメツキを薄くしてもCuメツキがしてあれば
プル強度、半田強度共によく、No.３のようにメツ
キのないものはプル強度、半田強度共に劣つてい
た。 (ト) 発明の効果 実施例１におけるワイヤボンドのプル強度が本
発明によるものはCuメツキ表層のない比較例に
比べて優れている点はCu表層を設けた効果をあ
らわしたものであり、実施例２の第４表によれば
Cu表層の厚さが本発明の範囲内にあるとき、そ
の効果が発揮されることがわかる。上記効果を更
に向上せしめたものとして中間層の介在がある。
実施例３の第５表によれば、中間層の介在の効果
がありその層の厚さの本発明の範囲にあるとき充
分発揮されることがわかる。しかしNi材の中間
層が厚過ぎたときは他の諸性能はよいがアウター
リード部の曲げ部に割れが生ずるのでDIP型には
向かないがフラツトパツク型パツケージには適用
できる。 又実施例４の第６表によればCuの表層なくて
Agメツキしたものは性能が劣るのである。Cu表
層があればその上にAgを薄メツキしてもよい。
又第２表のような条件で各実施例に施行したCu
の電気メツキ法によれば本発明の範囲内にある無
酸素銅のメツキが能率良く施行されることがわか
る。 これを要するに、本発明は、上述した通り、リ
ードフレームとして好適な性能を有し、且つ安価
な銅合金を用い、更に貴金属の使用を節減し、尚
加工コストやリードタイムを縮減して、信頼性の
高い半導体を経済的に製造するリードフレーム用
条材である。
４はプル強度は大であつたが、No.４はCuメツキ
がないので半田強度は劣つていた。又No.１のよう
にAgメツキを薄くしてもCuメツキがしてあれば
プル強度、半田強度共によく、No.３のようにメツ
キのないものはプル強度、半田強度共に劣つてい
た。 (ト) 発明の効果 実施例１におけるワイヤボンドのプル強度が本
発明によるものはCuメツキ表層のない比較例に
比べて優れている点はCu表層を設けた効果をあ
らわしたものであり、実施例２の第４表によれば
Cu表層の厚さが本発明の範囲内にあるとき、そ
の効果が発揮されることがわかる。上記効果を更
に向上せしめたものとして中間層の介在がある。
実施例３の第５表によれば、中間層の介在の効果
がありその層の厚さの本発明の範囲にあるとき充
分発揮されることがわかる。しかしNi材の中間
層が厚過ぎたときは他の諸性能はよいがアウター
リード部の曲げ部に割れが生ずるのでDIP型には
向かないがフラツトパツク型パツケージには適用
できる。 又実施例４の第６表によればCuの表層なくて
Agメツキしたものは性能が劣るのである。Cu表
層があればその上にAgを薄メツキしてもよい。
又第２表のような条件で各実施例に施行したCu
の電気メツキ法によれば本発明の範囲内にある無
酸素銅のメツキが能率良く施行されることがわか
る。 これを要するに、本発明は、上述した通り、リ
ードフレームとして好適な性能を有し、且つ安価
な銅合金を用い、更に貴金属の使用を節減し、尚
加工コストやリードタイムを縮減して、信頼性の
高い半導体を経済的に製造するリードフレーム用
条材である。
第１図ａと第１図ｂは本発明によるリードフレ
ーム用条材の一例の断面図である。第２図は、一
般に使用されているリードフレームによる一例の
パツケージの断面図であり、第３図は他の例のパ
ツケージの平面図である。 １：タブ部、２：素子、３：接着層、４：電極
パツド、５：インナーリード端部、６：金属細
線、７：樹脂、８：アウターリード部、１０：銅
合金条基材、１１：無酸素銅表層、１２：Ni材
中間層。
ーム用条材の一例の断面図である。第２図は、一
般に使用されているリードフレームによる一例の
パツケージの断面図であり、第３図は他の例のパ
ツケージの平面図である。 １：タブ部、２：素子、３：接着層、４：電極
パツド、５：インナーリード端部、６：金属細
線、７：樹脂、８：アウターリード部、１０：銅
合金条基材、１１：無酸素銅表層、１２：Ni材
中間層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銅合金からなる条基材の少なくも片面に、そ
の全表面に亘り、酸素10ppm以下の無酸素銅から
なる表層を、厚さ0.5〜10μに被覆したことを特徴
とする半導体リードフレーム用条材。 ２ 上記条基材と上記表層との中間に、Ni又は
Ni合金からなる中間層を、厚さ0.02〜2.5μに介在
せしめたことよりなる第１項記載の半導体リード
フレーム用条材。 ３ 上記表層及び中間層が電気メツキ法によりつ
くられる第１項又は第２項記載の半導体リードフ
レーム用条材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201469A JPS6180844A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201469A JPS6180844A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180844A JPS6180844A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0160948B2 true JPH0160948B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=16441598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201469A Granted JPS6180844A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体リ−ドフレ−ム用条材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180844A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322975B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2002-02-02 | 소네하라 다카시 | 리드 프레임재 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034265B2 (ja) * | 1976-06-09 | 1985-08-07 | 株式会社日立製作所 | 電子部品 |
| JPS53141577A (en) * | 1977-05-17 | 1978-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for integrated circuit |
| JPS57122554A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS5867053A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS58169947A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-10-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| JPS58191456A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体用リ−ドフレ−ム及びその製法 |
| JPS5958833A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Shinkawa Ltd | 半導体装置 |
| JPS60183758A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-19 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201469A patent/JPS6180844A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6180844A (ja) | 1986-04-24 |
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