JPH0161250B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波すだれ状変換器の製造方法
に関する。

すだれ状変換器は、圧電基板を用いてフイルタ
ーが遅延線などの弾性表面波素子を実現する為に
必要欠くべからざる構成要素であり、弾性表面波
素子の性能の大部分を決定する。

すだれ状変換器は、IC技術を用いて基板上に
所望のパターン電極を形成するのみで実現される
ので、これを用いた弾性表面波素子は小型化・
IC化・無調整化が容易な新しい電気通信回路素
子として近年実用化の努力が盛んになされてい
る。

代表的な弾性表面波素子として、以後フイルタ
ーを例にとつて説明する。よく知られているよう
に、すだれ状電極の基本的なものは第１図の如き
ものである。１，２は外部取出し用のパツド部
で、３は交叉電極部で、４はつきあわせ部であ
る。Ｐは交叉電極の繰り返えし周期で、ｌは電極
幅、Ｓは電極間隙幅であり、ほぼｌ＝Ｓである。
この交叉電極の繰り返えし周期Ｐがフイルタの中
心周波数を決定する。

ところで、近年電気通信回路・装置の高周波化
に伴い1GHz以上の高周波弾性表面波が要求され
ている。このような高周波の弾性表面波フイルタ
のすだれ状電極では繰り返えし周期が1μｍであ
ることが必要であり、電極、幅及び電極間隙幅は
0.5μｍ以下の微細寸法となる。

かかる微細なすだれ状電極の製作はリフトオフ
法を用いるのがふつうである。第２図は微細なす
だれ状電極の一般的な製造工程断面図である。

(1) 圧電基板２１上にレジスト２２を塗布し、露
光２３を行なう。

(2) レジスト２２を現像することにより開口２４
を形成する。このとき開口の壁は２５のように
逆傾斜とする。

(3) 試料全面に電極材料２６を被着する。

(4) レジスト２２を溶解除去することにより、レ
ジスト上の不用の電極材料を除去し電極２７を
形成する。

工程(2)で、レジスト壁の逆傾斜２５の形成は重
要である。もし壁が逆傾斜になつていないと、全
面に被着された電極材料は、レジスト上部と開口
部の圧電基板部とで連続となるため、レジストを
溶解してもレジスト上に被着された不用の電極材
料を除去できない。したがつて第２図３に示すよ
うにレジスト上部の開口部の幅ｌよりも基板面で
の開口部の幅ｂの方を大きくする必要がある。こ
のような要請はレジスト下部の幅ｃを開口部の幅
ｌよりも小さくし、繰り返えし周期Ｐが小さくな
るとこのような小さな底面をもつ逆台形状のレジ
ストパターンを形成することは困難となる。

本発明の目的は、微細寸法を有するすだれ状変
換器を容易に製造する方法を提供することにあ
る。

本発明は圧電基板上に電極材料を被着する工程
と、その上に有機材料からなる補助層を被着する
工程と、さらにその上にレジストを被着する工程
と、そのレジストをパターン化する工程と、その
パターン化されたレジスト上に無機材料を斜め蒸
着し、それをマスクとして前記補助層をエツチン
グして開口を形成し、しかる後その開口を通して
前記電極材料を陽極酸化することを特徴としてい
る。

次に図面を用いて本発明を詳細に説明する。

第３図は本発明の一実施例を示す工程断面図で
ある。

(1) 圧電基板２１上に電極材料としてアルミニウ
ム（Al）30を700Åの厚さに被着する。次にそ
の上に補助層としてAZ−1350（米国シツプレー
社製）31を1900Åの厚さに被着する。さらにそ
の上に電子ビームレジストPMMA32を被着す
る。このレジスト３２に電子ビーム露光３３を
行なう。

(2) レジスト３２をメチルイソプチルケトンとイ
ソプロビルアルコールの混合液で現像して開口
部３４を形成する。このとき開口の壁はリフト
オフ法で要求される逆傾斜である必要はなく、
３５のようにすそを引いてもよい。

(3) ３６で示すようにチタニウム（Ti）を斜め
方向より蒸着する。Tiはレジスト３２の凹凸
によりレジスト３２上部に３７のように被着さ
れる。膜厚は約200Åとした。

(4) 垂直方向より酸素イオンビーム３８で、Ti
パターン３７をマスクとして補助層３１をエツ
チングし、開口３９を形成する。

(5) 開口３９の部分のアルミニウムを陽極酸化し
て絶縁物パターン４０を形成する。次に、レジ
ストを剥離することによりそのレジスト上の
Tiを除去し、次に補助層を剥離する。

(6) その上にレジスト４１を被着し、露光４２を
行なう。

(7) レジスト４１を現像して開口４３を形成す
る。

(8) 開口４３の部分の電極材料をエツチングする
ことにより、パツド部の電極を形づくり、チツ
プ間のスクライブライン４４上の不用な電極材
料を除去する。

ここで、工程(3)における斜め蒸着３６の傾斜角
は次のようにして決定する。

第４図１は交叉電極部で斜め蒸着工程の直前の
平面図である。５１はレジストライン部、５２は
スペース部、５３はつきあわせ部である。レジス
トライン部の幅をｌ、スペース部の幅をＳとする
と、交叉電極の繰り返えし周期ＰはｌとＳの和と
なる。その５５−５６の断面は第４図２のように
なつている。５７は補助層である。第４図１のつ
きあわせ部５３を通る断面５８−５９は第４図３
の如きであり、レジストライン部５１の間隙はＰ
＋Ｓである。したがつてレジストの厚さをｔとす
る斜め蒸着の傾斜角ａは、tan^-1（Ｐ＋Ｓ／ｔ）以上 が必要である。本実施例ではＰ＝0.25μｍ、Ｓ＝
0.15μｍ、ｔ＝0.45μｍであるから、ａ＝42度以上
必要あり、ここではａ＝60度を用いた。

工程(4)において、補助層３１は有機材料であ
り、酸素イオンビームエツチングに対しては有機
材料はTiなどの無機材料に比べて桁違いに大き
いエツチング速度をもつているので、開口３９は
深く明確に形成することができる。パターン３７
を形成する無機材料と、補助層３１の有機材料は
この工程を効率よく行なう為に適宜選択されるも
のであり、例示のものに限定されないことは明ら
かである。

工程に(5)における陽極酸化すべき領域は第５図
の６０のごとく、交叉電極部の電極以外の領域で
ある。この陽極酸化すべき領域はどの部分も陽極
酸化すでき領域にとり囲まれていない。又、陽極
酸化すべき領域の幅はほとんど一定でしかも微小
寸法である。したがつて、陽極酸化による交叉電
極形成は容易に行なうことができる。

以上説明したように本発明に係る製造方法によ
れば、レジストをパターン化する際にレジストの
断面の壁が逆傾斜である必要がなく、開口内にレ
ジストのすそをひいていても微細寸法のマスクを
容易に形成することができ、しかも陽極酸化を用
いて微細寸法電極を容易に製造することができる
ので、高周波弾性表面波すだれ状変換器を容易に
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はすだれ状電極の基本的な形を表わす平
面図。第２図は微細なすだれ状電極を製造するた
めの従来の工程を説明するための図で、１はレジ
ストを露光した状態、２はレジストを現像した状
態、３は電極材料を被着した状態、４は電極を形
成した状態を示す。第３図は本発明の一実施例の
工程断面図で、１は圧電基板上に電極材料、補助
層、レジストを被着し、しかる後にレジストを露
光した状態、２はレジストを現像した状態、３は
無機材料を斜め蒸着した状態、４は補助層をエツ
チングした状態、５は電極材料を陽極酸化した
後、上のマスクを除去した状態、６はレジストを
被着し、露光した状態、７はレジストを現像した
状態、８は不用の電極材料を除去した後、レジス
トを除去した状態を示す。第４図は第３図３にお
ける斜め蒸着角度を決めるための図で、１は交叉
電極部の部分平面図、２は１の５５−５６線断面
図、３は１の５８−５９線断面図である。第５図
は陽極酸化すべき領域を表わす平面図である。 なお、図において、１，２は外部取出し用のパ
ツド部、３は交叉電極部、４，５３はつきあわせ
部、２１は圧電基板、２２，３２，４１はレジス
ト、２３，３３，４２は露光、２４，３４，３
９，４３は開口、２５は逆傾斜の壁、２６，３０
は電極材料、２７は電極、３１は補助層、３５は
レジストの壁、３６は斜め蒸着、３７は無機材
料、３８はエツチング、４０は酸化物、４４はス
クライブライン部、６０は陽極酸化すべき領域を
表わす。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 圧電基板上に電極材料を被着する工程と、そ
   の上に有機材料からなる補助層を被着する工程
   と、さらにその上にレジストを被着する工程と、
   そのレジストをパターン化する工程と、そのパタ
   ーン化されたレジスト上に無機材料を斜め蒸着
   し、それをマスクとして前記補助層をエツチング
   して開口を形成し、しかる後その開口を通して前
   記電極材料を陽極酸化することを特徴とする弾性
   表面波すだれ状変換器の製造方法。