JPH01236630A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH01236630A JPH01236630A JP6422488A JP6422488A JPH01236630A JP H01236630 A JPH01236630 A JP H01236630A JP 6422488 A JP6422488 A JP 6422488A JP 6422488 A JP6422488 A JP 6422488A JP H01236630 A JPH01236630 A JP H01236630A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric film
- pattern
- metal
- photolithography
- resist pattern
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、微細パターンの形成方法に関するものであ
る。
る。
第２図（ａ）〜（Ｃ）を用いて従来方法による金属パタ
ーンの形成方法について説明する。
ーンの形成方法について説明する。
基板１上に写真製版により、フォトレジスト２の金属パ
ターンを形成したい個所に開口部をパターニングした後
（第２図（ａ）） 、真空蒸着等により金属層４を全面
に蒸着する（第２図（ｂ））。
ターンを形成したい個所に開口部をパターニングした後
（第２図（ａ）） 、真空蒸着等により金属層４を全面
に蒸着する（第２図（ｂ））。
その後、アセトン等の溶媒によりフォトレジストを除去
すると同時に不要の金属層も除去し、必要な金属層のみ
金属上に残す（第２図（Ｃ））。この方法をリフトオフ
法という。
すると同時に不要の金属層も除去し、必要な金属層のみ
金属上に残す（第２図（Ｃ））。この方法をリフトオフ
法という。
従来のリフＩ・オフ法では、パターン寸法Ｌｓはフォト
レジスト エツチング等による加工に比べ、レジストパターンに忠
実に加工する点においては高精度である，。
レジスト エツチング等による加工に比べ、レジストパターンに忠
実に加工する点においては高精度である，。
しかし、その反面パターンの微細化を老友る時、ＬＨは
Ｌｑｌつまり写真製版の加工精度で制約を受けることに
なる。このため、写真製版を光学露光法で行う場合、現
状技術では、ＬＦ１〜０．３μｍが限界といえ、それ以
下の加工は、再現性や均−性等で困難であった。したが
って、これ以上の微細加工はＥＢ加工等の高価な装置が
必要で、しかも景産性のない方法を用いろ必要があった
。
Ｌｑｌつまり写真製版の加工精度で制約を受けることに
なる。このため、写真製版を光学露光法で行う場合、現
状技術では、ＬＦ１〜０．３μｍが限界といえ、それ以
下の加工は、再現性や均−性等で困難であった。したが
って、これ以上の微細加工はＥＢ加工等の高価な装置が
必要で、しかも景産性のない方法を用いろ必要があった
。
以上のように従来のリフトオフによる微細パターンの形
成方法では、その加工寸法は、写真製版の加工寸法で制
約されるため、光学露光法による写真製版では、０．３
μｍ以下の微細加工は困難であった。
成方法では、その加工寸法は、写真製版の加工寸法で制
約されるため、光学露光法による写真製版では、０．３
μｍ以下の微細加工は困難であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、従来の光学露光による写真製版を用い、精
度よく、かつ容易に微細加工のできろ微細パターンの形
成方法を提供するものである。
れたもので、従来の光学露光による写真製版を用い、精
度よく、かつ容易に微細加工のできろ微細パターンの形
成方法を提供するものである。
この発明に係る微細パターンの形成方法は、光学露光法
による写真製版でパターンニングした後、そのパターン
をくずすことなく、かつステップカバーし・ツジの良い
誘電体膜を全面に形成し、その後リアクティブイオンエ
ツチング等によりこの誘電体膜を異方性エツチングする
ことにより、Ｌ−シストパターンサイドにのみこの誘電
体膜を残し、その後に金属を蒸着することにより、所望
のパターンを形成するものである。
による写真製版でパターンニングした後、そのパターン
をくずすことなく、かつステップカバーし・ツジの良い
誘電体膜を全面に形成し、その後リアクティブイオンエ
ツチング等によりこの誘電体膜を異方性エツチングする
ことにより、Ｌ−シストパターンサイドにのみこの誘電
体膜を残し、その後に金属を蒸着することにより、所望
のパターンを形成するものである。
この発明においては、レジストパターンサイドに誘電体
膜のサイドウオールを残すことによって、従来の光学露
光による写真製版技術を用いても容易に０．３μｍ以下
の微細加工が可能となる。
膜のサイドウオールを残すことによって、従来の光学露
光による写真製版技術を用いても容易に０．３μｍ以下
の微細加工が可能となる。
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｆ）を用
いて説明する。
いて説明する。
まず、基板１上に従来の写真製版を用いてフォトレジス
Ｉ・２の金属パターンを形成したい個所に所望の開口部
をパターニングする。次に、第１図（ｂ）のように、フ
ォトレジス】・２によるパターンをくずすことなく、か
つステップカバーレッジの良い光ＣＶＤやプラズマＣＶ
Ｄ等によす、ＳｌＯ□やＳｉＮ等の誘電体膜４を形成す
る。その後、第１図（ｅ）のように、ＲＩＥ等のエツチ
ングを行うと、基板１の垂直方向に対して誘電体膜４の
厚いレジスｊ・パターンサイドにのみ誘ｍ体膜（＋イド
ウオール）４ａが残る。その後、第１図（ｄ）のように
、所望の金属３を蒸着し、次いで、第１図（ｅ）のよう
に、リフトオフを行い不要の金属３をフォｊ・レジスト
２とともに除去する。また、誘電体膜４ａが不要であれ
ば、第１図（ｆ）のように、ＣＦｕのガス等により除去
する。
Ｉ・２の金属パターンを形成したい個所に所望の開口部
をパターニングする。次に、第１図（ｂ）のように、フ
ォトレジス】・２によるパターンをくずすことなく、か
つステップカバーレッジの良い光ＣＶＤやプラズマＣＶ
Ｄ等によす、ＳｌＯ□やＳｉＮ等の誘電体膜４を形成す
る。その後、第１図（ｅ）のように、ＲＩＥ等のエツチ
ングを行うと、基板１の垂直方向に対して誘電体膜４の
厚いレジスｊ・パターンサイドにのみ誘ｍ体膜（＋イド
ウオール）４ａが残る。その後、第１図（ｄ）のように
、所望の金属３を蒸着し、次いで、第１図（ｅ）のよう
に、リフトオフを行い不要の金属３をフォｊ・レジスト
２とともに除去する。また、誘電体膜４ａが不要であれ
ば、第１図（ｆ）のように、ＣＦｕのガス等により除去
する。
この方法によれば、金属パターンの加工寸法Ｌ？ｌｌま
、フォトレジスト２のパターン寸／ｌＥＬ員から→・イ
ドウオールの＠２ｘＬｐを引いた値でほぼ加工ができる
。つまり、ＬＲのパターンニングに、従来の写真製版技
術を用いても２Ｌｐだけパターンを縮小できる。また、
Ｌｐの大きさは誘電体膜４の厚さｄにほぼ対応するので
、そのコントロールは数十人の単位で行える。また、金
属３の形成には従来と同様のリフトオフ法が使えるため
、第１図（Ｃ）で形成したパターンに忠実な加工が可能
である。
、フォトレジスト２のパターン寸／ｌＥＬ員から→・イ
ドウオールの＠２ｘＬｐを引いた値でほぼ加工ができる
。つまり、ＬＲのパターンニングに、従来の写真製版技
術を用いても２Ｌｐだけパターンを縮小できる。また、
Ｌｐの大きさは誘電体膜４の厚さｄにほぼ対応するので
、そのコントロールは数十人の単位で行える。また、金
属３の形成には従来と同様のリフトオフ法が使えるため
、第１図（Ｃ）で形成したパターンに忠実な加工が可能
である。
例丸ば従来方法で十分加工可能なＬＲとして０．５μｍ
で第１図（ａ）の開口部をフォトレジス１−２にバタ
ーニングし、誘電体膜４を２０００人に形成したとき、
ＬＰはほぼ２０００人となり、Ｌ、は０．１μｍ で形
成できる。
で第１図（ａ）の開口部をフォトレジス１−２にバタ
ーニングし、誘電体膜４を２０００人に形成したとき、
ＬＰはほぼ２０００人となり、Ｌ、は０．１μｍ で形
成できる。
以上説明したように、この発明は、レジス）・パターン
サイドに誘電体膜のサイドウオールを形成することで、
従来の写真製版技術を用いて、精度良り、かつ容易にサ
ブミクロンの金属パターンを形成することができる効果
がある。
サイドに誘電体膜のサイドウオールを形成することで、
従来の写真製版技術を用いて、精度良り、かつ容易にサ
ブミクロンの金属パターンを形成することができる効果
がある。
第１図はこの発明を説明するプロセスフローを示す断面
図、第２図は従来のプロセスフローを示す断面図である
。 図において、１は基板、２フオトレジストは金属、４は
誘電体膜、４ａはレジストパターンサイドの誘電体膜で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（＋の
１） ４ａ レジジストノでターンサイドの！！儒４具第１図
（＋０２） ３ 金属 第２図 １、事件の表示 特願昭６３−６４２２４号２、発明
の名称 微細パターンの形成方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番：３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３３ｇ
・５、？Ｉｔｌ正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁４行の「金属層４」を、「金属３」
と補正する。 （２） 同じく第２頁５行の「フォトレジスト「フォ
トレジスト２」と補正する。 （３） 同じく第２頁６行の「金属層」を、「金属３
」と補正する。 （４） 同じく第２員７行の「金属層のみ金属上に」
を、「金属３のみ基板１上に」と補正する。 （５）同じく第５頁５行のｒＣＦ．Ｊを、ｒＣＦ，Ｊと
補正する。 以 上
図、第２図は従来のプロセスフローを示す断面図である
。 図において、１は基板、２フオトレジストは金属、４は
誘電体膜、４ａはレジストパターンサイドの誘電体膜で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図（＋の
１） ４ａ レジジストノでターンサイドの！！儒４具第１図
（＋０２） ３ 金属 第２図 １、事件の表示 特願昭６３−６４２２４号２、発明
の名称 微細パターンの形成方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番：３号
名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３３ｇ
・５、？Ｉｔｌ正の対重 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁４行の「金属層４」を、「金属３」
と補正する。 （２） 同じく第２頁５行の「フォトレジスト「フォ
トレジスト２」と補正する。 （３） 同じく第２頁６行の「金属層」を、「金属３
」と補正する。 （４） 同じく第２員７行の「金属層のみ金属上に」
を、「金属３のみ基板１上に」と補正する。 （５）同じく第５頁５行のｒＣＦ．Ｊを、ｒＣＦ，Ｊと
補正する。 以 上
Claims (1)
- 基板上にフォトレジストをパターニングした後、この
レジストパターンの全面に誘電体膜を形成する工程、前
記誘電膜を異方性エッチングし、前記レジストパターン
サイドにのみ前記誘電体膜を残す工程、全面に金属を蒸
着した後、不要なフォトレジスト、誘電体膜、および金
属を除去し、所望の金属パターンのみを前記基板上に形
成する工程よりなることを特徴とする微細パターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422488A JPH01236630A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422488A JPH01236630A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236630A true JPH01236630A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13251918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6422488A Pending JPH01236630A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508218A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-16 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor memory |
| US5670806A (en) * | 1993-12-28 | 1997-09-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6422488A patent/JPH01236630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508218A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-16 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor memory |
| US5670806A (en) * | 1993-12-28 | 1997-09-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
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