JPH0165151U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0165151U JPH0165151U JP1988124494U JP12449488U JPH0165151U JP H0165151 U JPH0165151 U JP H0165151U JP 1988124494 U JP1988124494 U JP 1988124494U JP 12449488 U JP12449488 U JP 12449488U JP H0165151 U JPH0165151 U JP H0165151U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- diffusion layer
- integrated circuit
- diffusion region
- complementary mos
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Element Separation (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は従来方法によるＰチヤンネルとＮチヤ
ンネル境界領域のマスク図である。第２図は従来
方法による相補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図
である。第３図〜第５図は本考案の方法による相
補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図である。 以下次の通りである。１，７……Ｓｉ単結晶基
板、２，９……Ｐ−拡散層、３，１０……Ｐ＋ス
トツパー拡散層、４，１１……Ｎ＋ストツパー拡
散層、５，１２……Ｎ＋拡散層、６，１３……Ｐ
＋拡散層、１４……充填物。
ンネル境界領域のマスク図である。第２図は従来
方法による相補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図
である。第３図〜第５図は本考案の方法による相
補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図である。 以下次の通りである。１，７……Ｓｉ単結晶基
板、２，９……Ｐ−拡散層、３，１０……Ｐ＋ス
トツパー拡散層、４，１１……Ｎ＋ストツパー拡
散層、５，１２……Ｎ＋拡散層、６，１３……Ｐ
＋拡散層、１４……充填物。
補正 昭６３．１０．２０
考案の名称を次のように補正する。
考案の名称 相補型ＭＯＳ集積回路装置
実用新案登録請求の範囲、図面の簡単な説明を
次のように補正する。
次のように補正する。
【実用新案登録請求の範囲】
(1) 第１のトランジスタが形成される第１導電
型の半導体基板、前記半導体基板に設けられ、か
つ第２のトランジスタが形成される第２導電型の
拡散領域、前記半導体基板と前記拡散領域との接
合部で、前記半導体基板上部及び前記拡散領域上
部にまたがつて形成された溝、前記溝内に充填さ
れた絶縁物、前記溝に隣接して前記拡散領域に形
成された第１導電型の第１高濃度拡散層、前記溝
に隣接して前記半導体基板に形成された第２導電
型の第２高濃度拡散層を有し、前記拡散領域の端
部は前記溝の底部に配置されているか、または前
記溝の底部よりも前記拡散領域側に配置されてい
ることを特徴とする相補型ＭＯＳ集積回路装置。 (2) 前記溝と前記第１高濃度拡散層とは接して
おり、前記溝と前記第２高濃度拡散層とは所定間
隔だけ離れていることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載の相補型ＭＯＳ集積回路装
置。
型の半導体基板、前記半導体基板に設けられ、か
つ第２のトランジスタが形成される第２導電型の
拡散領域、前記半導体基板と前記拡散領域との接
合部で、前記半導体基板上部及び前記拡散領域上
部にまたがつて形成された溝、前記溝内に充填さ
れた絶縁物、前記溝に隣接して前記拡散領域に形
成された第１導電型の第１高濃度拡散層、前記溝
に隣接して前記半導体基板に形成された第２導電
型の第２高濃度拡散層を有し、前記拡散領域の端
部は前記溝の底部に配置されているか、または前
記溝の底部よりも前記拡散領域側に配置されてい
ることを特徴とする相補型ＭＯＳ集積回路装置。 (2) 前記溝と前記第１高濃度拡散層とは接して
おり、前記溝と前記第２高濃度拡散層とは所定間
隔だけ離れていることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載の相補型ＭＯＳ集積回路装
置。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来方法によるＰチヤンネルとＮチヤ
ンネル境界領域のマスク図である。第２図は従来
方法による相補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図
である。第３図〜第５図は本考案の方法による相
補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図である。 以下次の通りである。１，７……Ｓｉ単結晶基
板、２，９……Ｐ−拡散層、３，１０……Ｐ＋ス
トツパー拡散層、４，１１……Ｎ＋ストツパー拡
散層、５，１２……Ｎ＋拡散層、６，１３……Ｐ
＋拡散層、１４……充填物。
ンネル境界領域のマスク図である。第２図は従来
方法による相補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図
である。第３図〜第５図は本考案の方法による相
補型ＭＯＳ集積回路装置の断面略図である。 以下次の通りである。１，７……Ｓｉ単結晶基
板、２，９……Ｐ−拡散層、３，１０……Ｐ＋ス
トツパー拡散層、４，１１……Ｎ＋ストツパー拡
散層、５，１２……Ｎ＋拡散層、６，１３……Ｐ
＋拡散層、１４……充填物。
Claims (1)
- 第１導電型の第１のトランジスタが形成される
半導体基板に第２のトランジスタが形成される第
２導電型拡散領域を有する相補型ＭＯＳ集積回路
装置において、該第２導電型拡散領域端部にて該
第２導電型拡散領域と該第１導電型基板にまたが
つて形成された溝と、該溝内に充填されてなる絶
縁物とを有する相補型ＭＯＳ集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988124494U JPH0165151U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988124494U JPH0165151U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0165151U true JPH0165151U (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=31374278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988124494U Pending JPH0165151U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0165151U (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101891A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-21 | ||
| JPS4969094A (ja) * | 1972-11-08 | 1974-07-04 | ||
| JPS504989A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-20 | ||
| JPS5187977A (ja) * | 1975-01-30 | 1976-07-31 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS51108786A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-27 | Fujitsu Ltd | |
| JPS5260079A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-18 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS52101984A (en) * | 1976-02-23 | 1977-08-26 | Sony Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPS52143782A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Construction of complementary mis-ic and its production |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP1988124494U patent/JPH0165151U/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101891A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-21 | ||
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| JPS504989A (ja) * | 1973-05-16 | 1975-01-20 | ||
| JPS5187977A (ja) * | 1975-01-30 | 1976-07-31 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS51108786A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-27 | Fujitsu Ltd | |
| JPS5260079A (en) * | 1975-11-13 | 1977-05-18 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS52101984A (en) * | 1976-02-23 | 1977-08-26 | Sony Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPS52143782A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Construction of complementary mis-ic and its production |
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