JPH0167762U - - Google Patents

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JPH0167762U
JPH0167762U JP1987162903U JP16290387U JPH0167762U JP H0167762 U JPH0167762 U JP H0167762U JP 1987162903 U JP1987162903 U JP 1987162903U JP 16290387 U JP16290387 U JP 16290387U JP H0167762 U JPH0167762 U JP H0167762U
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metal
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metal layers
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例に係わるダイオードの
断面図、第２図は第１図の−線部分の断面図
、第３図は支持板の形成方法を説明するための断
面図、第４図は従来のダイオードの断面図、第５
図は変形例の支持板の一部を示す断面図である。 １１……ダイオードチツプ、１３……支持板、
１７……第１の金属層、１８……第２の金属層、
１９……第３の金属層、２０……貫通孔、２１…
…充填物。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 〔１〕 放熱作用を有する支持板１３上に半導体
    チツプ１１を固着した構造の半導体装置において
    、 前記支持板１３が、この一方の主面側の第１の
    金属層１７と、この他方の主面側の第２の金属層
    １８と、前記第１及び第２の金属層１７，１８の
    相互間に配置され且つ複数の貫通孔２０を有して
    いる第３の金属層１９と、前記貫通孔２０に充填
    された充填物２１とから成り、 前記第１及び第２の金属層１７，１８が熱伝導
    性の優れた金属から成り、 前記第３の金属層１９と前記充填物２１との内
    の一方が前記第１及び第２の金属層１７，１８よ
    りも熱膨張係数が小さく且つ前記第１及び第２の
    金属層１７，１８よりも前記半導体チツプ１１の
    熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料から成
    り、 前記第３の金属層１９と前記充填物２１との内
    の他方が前記一方よりも熱伝導性が優れた材料か
    ら成ることを特徴とする半導体装置。 〔２〕 前記充填物２１が前記第１及び第２の金
    属層１７，１８の延在部である実用新案登録請求
    の範囲第１項記載の半導体装置。 〔３〕 前記第１の金属層１７が前記第２の金属
    層１８と同一材料から成り、前記充填物２１が前
    記第１及び第２の金属層１７，１８と同一材料か
    ら成る実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項
    記載の半導体装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027151A (ja) * 1983-07-25 1985-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子搭載用複合金属条
JPS60165744A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Toshiba Corp 半導体整流素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027151A (ja) * 1983-07-25 1985-02-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体素子搭載用複合金属条
JPS60165744A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Toshiba Corp 半導体整流素子

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