JPH0167A - ４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造法 - Google Patents
４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPH0167A JPH0167A JP62-128630A JP12863087A JPH0167A JP H0167 A JPH0167 A JP H0167A JP 12863087 A JP12863087 A JP 12863087A JP H0167 A JPH0167 A JP H0167A
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- acid
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- acetoxy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、３位に水酸基が保護さｎｌこヒドロキシエチ
ル基を有し、４位にアセトキシ基を有する４−アセトキ
シ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体
の新規な製造法に関する。
ル基を有し、４位にアセトキシ基を有する４−アセトキ
シ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体
の新規な製造法に関する。
４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２
−オン誘導体は、チェナマイシン等に代表されるカルバ
ペネム系β−ラクタム抗生物質や、ペネム系β−ラクタ
ム抗生物質の合成中間体として有用であることが知られ
ている〔たとえば、レイダー等、テトラヘドロンレター
ズ、２３巻、２２９３頁（１９８２）、およびヨシダ等
、ケミカル・アンド働ファーマシュテイカル・ブレチン
（Ｃｈｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ、 ）、２９巻
、２８９９頁（１９８１））。
−オン誘導体は、チェナマイシン等に代表されるカルバ
ペネム系β−ラクタム抗生物質や、ペネム系β−ラクタ
ム抗生物質の合成中間体として有用であることが知られ
ている〔たとえば、レイダー等、テトラヘドロンレター
ズ、２３巻、２２９３頁（１９８２）、およびヨシダ等
、ケミカル・アンド働ファーマシュテイカル・ブレチン
（Ｃｈｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ、 ）、２９巻
、２８９９頁（１９８１））。
（従来の技術と問題点）
従来、４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジ
ン−２−オン誘導体の合成法として、６−アミノペニシ
ラン酸から合成する方法〔ヨシダ等、Ｇ！ｈｅｍ、 Ｐ
ｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ、、２９巻、２８９９頁（１９８
１））、スレオニンから合成する方法〔シオザキ等、テ
トラヘドロン、８９巻、２３９９頁（１９８３））、ア
スパラギン酸から合成する方法〔レイダー等、テトラヘ
ドロンレターズ、２３巻、２．２９３頁（１９８２）、
１等が知られている。
ン−２−オン誘導体の合成法として、６−アミノペニシ
ラン酸から合成する方法〔ヨシダ等、Ｇ！ｈｅｍ、 Ｐ
ｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ、、２９巻、２８９９頁（１９８
１））、スレオニンから合成する方法〔シオザキ等、テ
トラヘドロン、８９巻、２３９９頁（１９８３））、ア
スパラギン酸から合成する方法〔レイダー等、テトラヘ
ドロンレターズ、２３巻、２．２９３頁（１９８２）、
１等が知られている。
しかし、いずれの方法においても、β−ラクタム環の４
位にアセトキシ基を導入する１こめに、酢酸水銀や四酢
酸鉛等の工業的には好ましくない重金属化合物を使用す
る難点を有していた。
位にアセトキシ基を導入する１こめに、酢酸水銀や四酢
酸鉛等の工業的には好ましくない重金属化合物を使用す
る難点を有していた。
本発明者らは３位にＯ−保護ヒドロキシエチル基、４位
にシリルエーテル基を有する新規なβ−ラクタム化合物
（Ｎは焦釆護）を用いて、低温で４位にアセトキシ基を
導入する製法を見いだし、既に出願した（特願昭６ｌ−
１０１８５６）。その後、本発明者らは更に検討を行な
った結果、触媒量の酸まｒこはハロゲン化アシルまたは
ハロゲン化スルホニルを加えることにより、室温付近に
おいて良い収率で４位にアセトキシ基を導入する方法を
見出し、本発明に至つｔこ。以下に詳細を説明する。
にシリルエーテル基を有する新規なβ−ラクタム化合物
（Ｎは焦釆護）を用いて、低温で４位にアセトキシ基を
導入する製法を見いだし、既に出願した（特願昭６ｌ−
１０１８５６）。その後、本発明者らは更に検討を行な
った結果、触媒量の酸まｒこはハロゲン化アシルまたは
ハロゲン化スルホニルを加えることにより、室温付近に
おいて良い収率で４位にアセトキシ基を導入する方法を
見出し、本発明に至つｔこ。以下に詳細を説明する。
（問題点を解決するｒコめの手段及び作用効果）本発明
は、一般式（（） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基、Ｒ２ｇ Ｒ８ｓ Ｒ４
はａｔ〜Ｃ４の低級アルキル基、またはアラルキル基を
示す）で表わされるβ−ラクタム化合物に有機の強酸ま
１こは鉱酸またはルイス酸まｆこは一般式（ＩＶ）Ｒ８
−ｃｏ −Ｘ （［Ｖ）（式中、Ｒ８はアル
キル基まｒこはアラルキル基またはフェニル基を示し、
Ｘはハロゲン基を示す）で表わされる化合物、まｒこは
一般式（Ｖ）Ｒ９−８０２−Ｘ （Ｖ） （式中、Ｒ９はアルキル基またはアラルキル基まｒこは
フェニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）で表わされ
る化合物を触媒として、塩基と無水酢酸を作用させるこ
とを特徴とする一般式（１）（式中、Ｒ１は水酸基の保
護基を示す）で表わされる４−アセトキシ−３−ヒドロ
キシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法を要
旨とする。
は、一般式（（） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基、Ｒ２ｇ Ｒ８ｓ Ｒ４
はａｔ〜Ｃ４の低級アルキル基、またはアラルキル基を
示す）で表わされるβ−ラクタム化合物に有機の強酸ま
１こは鉱酸またはルイス酸まｆこは一般式（ＩＶ）Ｒ８
−ｃｏ −Ｘ （［Ｖ）（式中、Ｒ８はアル
キル基まｒこはアラルキル基またはフェニル基を示し、
Ｘはハロゲン基を示す）で表わされる化合物、まｒこは
一般式（Ｖ）Ｒ９−８０２−Ｘ （Ｖ） （式中、Ｒ９はアルキル基またはアラルキル基まｒこは
フェニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）で表わされ
る化合物を触媒として、塩基と無水酢酸を作用させるこ
とを特徴とする一般式（１）（式中、Ｒ１は水酸基の保
護基を示す）で表わされる４−アセトキシ−３−ヒドロ
キシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法を要
旨とする。
一般式（１）で示さｎる４位にシリルエーテル基を有す
るβ−ラクタム化合物は、本発明者らが既に特許出願（
特開昭６ｌ−１８７９１）したように反応式１の方法に
よって簡便に取得できる。
るβ−ラクタム化合物は、本発明者らが既に特許出願（
特開昭６ｌ−１８７９１）したように反応式１の方法に
よって簡便に取得できる。
反応式Ｉ：
β−ラクタム化合物（１）の３位のヒドロキシエチル基
の〇−保護基であるＲ１ としては、Ｒ１が一般式（２
） ％式％ （式中、ＦＬ５ｔ Ｒｓ ＊ Ｒ７はＣ１〜Ｃ６の低級
アルキル基を示す。ただし、Ｒ５１Ｒ６＊ Ｒ７は同時
に０１でない。）で表わされるトリアルキルシリル基、
ｒことえばｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイ
ソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、
イソブチルジメチルシリル基、ジメチル−（ｌ、２−ジ
メチルプロピル）シリル基、ジメチル−（１゜１、２−
トリメチルプロピル）シリル基や、その他ｔｅｒｔ−
ブチル基、ベンジル基、トリクロロエトキシカルボニル
基、 ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル基等が挙げられるが、好ましく
は反応中から安定であり、さらに酸処理により選択的に
脱保護されうるｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基やイ
ソプロピルジメチルシリル基やジメチル−（１，１，２
−）ジメチルプロピル）シリル基及びジメチル−（１，
２−ジメチルプロピル）シリル基がよい。また、β−ラ
クタム化合物（１）のＲ２ｅ ”８ ｔ Ｒ４は、メチ
ル、エチル、イソブチル等の０１〜Ｃ４の低級アルキル
基、まｒコはベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基等のア
ラルキル基から同一または異なりｒこ基を選択できるが
、好ましくはＲ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝メチルが最適である。
の〇−保護基であるＲ１ としては、Ｒ１が一般式（２
） ％式％ （式中、ＦＬ５ｔ Ｒｓ ＊ Ｒ７はＣ１〜Ｃ６の低級
アルキル基を示す。ただし、Ｒ５１Ｒ６＊ Ｒ７は同時
に０１でない。）で表わされるトリアルキルシリル基、
ｒことえばｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイ
ソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、
イソブチルジメチルシリル基、ジメチル−（ｌ、２−ジ
メチルプロピル）シリル基、ジメチル−（１゜１、２−
トリメチルプロピル）シリル基や、その他ｔｅｒｔ−
ブチル基、ベンジル基、トリクロロエトキシカルボニル
基、 ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル基等が挙げられるが、好ましく
は反応中から安定であり、さらに酸処理により選択的に
脱保護されうるｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基やイ
ソプロピルジメチルシリル基やジメチル−（１，１，２
−）ジメチルプロピル）シリル基及びジメチル−（１，
２−ジメチルプロピル）シリル基がよい。また、β−ラ
クタム化合物（１）のＲ２ｅ ”８ ｔ Ｒ４は、メチ
ル、エチル、イソブチル等の０１〜Ｃ４の低級アルキル
基、まｒコはベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基等のア
ラルキル基から同一または異なりｒこ基を選択できるが
、好ましくはＲ２＝Ｒ３＝Ｒ４＝メチルが最適である。
上記のように調製しｒこ一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ１ｓ Ｒ２＊ Ｒ８ｔ Ｒ４は前記と同じ）
で表わされるβ−ラクタム化合物に塩基と無水酢酸を作
用させて、目的の４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチ
ルアゼチジン−２−オン誘導体ＣＩ）（式中、Ｒ１は前
記と同じ）に変換するのであるが、この際、有機の強酸
または鉱酸またはルイス酸または一般式（至） Ｒ８−Ｃｏ −Ｘ （［％’）（式中、ｇ
８．ｘは前記と同じ）で表わされる化合物まｒこは一般
式（Ｖ） Ｒ９−８０２−Ｘ （Ｖ）（式中、Ｒ９１
Ｘは前記と同じ）で表わされる化合物を触媒として作用
させると、収率が著しく向上する。
で表わされるβ−ラクタム化合物に塩基と無水酢酸を作
用させて、目的の４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチ
ルアゼチジン−２−オン誘導体ＣＩ）（式中、Ｒ１は前
記と同じ）に変換するのであるが、この際、有機の強酸
または鉱酸またはルイス酸または一般式（至） Ｒ８−Ｃｏ −Ｘ （［％’）（式中、ｇ
８．ｘは前記と同じ）で表わされる化合物まｒこは一般
式（Ｖ） Ｒ９−８０２−Ｘ （Ｖ）（式中、Ｒ９１
Ｘは前記と同じ）で表わされる化合物を触媒として作用
させると、収率が著しく向上する。
有機の強酸としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、キシレンスルホン酸、メシチレンスルホ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースル
ホン酸、ピリジンスルホン酸等の有機スルホン酸や、ト
リフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸等の酸性度の強い有機
プロトン酸の使用が好ましい。鉱酸としては塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素、リン酸、硝酸、硫酸等まＴコは
Ｃれらの水溶液が使用できる。一般式ＧＶ）で表わされ
る化合物としては、塩化アセチル、臭化アセチル、ヨウ
化アセチル、塩化トリフルオロアセチル等が使用できる
。一般式（Ｖ）で表わされる化合物としては、塩化メタ
ンスルホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル、塩
化トルエンスルホニル、塩化メシチレンスルホニル等が
使用できる。ルイス酸としては、三フッ化ホウ素や三塩
化ホウ素の使用が好ましい。これらの有機の強酸または
鉱酸またはルイス酸または一般式ＧＶ）で表わされる化
合物まｆこは一般式（Ｖ）で表わされる化合物を添加せ
ずに、塩基と無水酢酸で化合物（１）をアセトキシ化す
るとβ−ラクタム環が開裂した分解物が反応生成物とし
て大部分であり、目的の化合物（…）を満足すべき収率
で得ることができない。
ンスルホン酸、キシレンスルホン酸、メシチレンスルホ
ン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースル
ホン酸、ピリジンスルホン酸等の有機スルホン酸や、ト
リフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸等の酸性度の強い有機
プロトン酸の使用が好ましい。鉱酸としては塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素、リン酸、硝酸、硫酸等まＴコは
Ｃれらの水溶液が使用できる。一般式ＧＶ）で表わされ
る化合物としては、塩化アセチル、臭化アセチル、ヨウ
化アセチル、塩化トリフルオロアセチル等が使用できる
。一般式（Ｖ）で表わされる化合物としては、塩化メタ
ンスルホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル、塩
化トルエンスルホニル、塩化メシチレンスルホニル等が
使用できる。ルイス酸としては、三フッ化ホウ素や三塩
化ホウ素の使用が好ましい。これらの有機の強酸または
鉱酸またはルイス酸または一般式ＧＶ）で表わされる化
合物まｆこは一般式（Ｖ）で表わされる化合物を添加せ
ずに、塩基と無水酢酸で化合物（１）をアセトキシ化す
るとβ−ラクタム環が開裂した分解物が反応生成物とし
て大部分であり、目的の化合物（…）を満足すべき収率
で得ることができない。
有機の強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式（ト
）で表わされる化合物または一般式（Ｖ）で表わさｎる
化合物の存在下での化合物（１）の４位アセトキシ化に
おいて、こｎらの添加物と塩基と無水酢酸の使用量、溶
媒、塩基の種類及び反応温度が収率に影響を与える因子
である。塩基としてはピリジン、ピコリン、ルチジン等
のピリジン類が好ましい。反応溶媒としては上記の塩基
を溶媒として使用するか、あるいは化合物（１）や反応
試剤に不活性な有機溶媒、例えば、塩化メチレン、酢酸
エチル、ｎ−ヘキサン、トルエン、ジメチルホルムアミ
ド、テトラヒドロフラン等が使用できるが、好ましくは
ピリジン類またはジメチルホルムアミドを使用するのが
よい。
）で表わされる化合物または一般式（Ｖ）で表わさｎる
化合物の存在下での化合物（１）の４位アセトキシ化に
おいて、こｎらの添加物と塩基と無水酢酸の使用量、溶
媒、塩基の種類及び反応温度が収率に影響を与える因子
である。塩基としてはピリジン、ピコリン、ルチジン等
のピリジン類が好ましい。反応溶媒としては上記の塩基
を溶媒として使用するか、あるいは化合物（１）や反応
試剤に不活性な有機溶媒、例えば、塩化メチレン、酢酸
エチル、ｎ−ヘキサン、トルエン、ジメチルホルムアミ
ド、テトラヒドロフラン等が使用できるが、好ましくは
ピリジン類またはジメチルホルムアミドを使用するのが
よい。
一般式（Ｉ）で表わされるβ−ラクタム化合物に対し、
有機の強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式面で
表わさｎる化合物または一般式（Ｖ）で表わされる化合
物を０．０５〜１倍モル、塩基１〜３０倍モル、無水酢
酸は１〜１５倍モルの範囲で使用すればよい。反応温度
は一８０〜＋５０℃の範囲が好ましい。
有機の強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式面で
表わさｎる化合物または一般式（Ｖ）で表わされる化合
物を０．０５〜１倍モル、塩基１〜３０倍モル、無水酢
酸は１〜１５倍モルの範囲で使用すればよい。反応温度
は一８０〜＋５０℃の範囲が好ましい。
反応操作としては、ピリジン等の塩基単独、あるいはジ
メチルホルムアミド等の溶媒とピリジン等の塩基との混
合溶媒に一般式（１）で示される４位にシリルエーテル
基を有するβ−ラクタム化合物を溶解し、次に無水酢酸
及び添加物である有機の強酸、または鉱酸、ま１こはル
イス酸、または一般式面で表わされる化合物、または一
般式（′Ｖ）で表わされる化合物を一度に、あるいは分
割して加えて反応を行なう。反応経過を薄層クロマトグ
ラフィーでチエツクしながら実施し、原料が消失または
微量になったところで水へ反応液を注ぐ。次にｎ−ヘキ
サン等の有機溶媒で抽出を行なう。有機層を炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。溶媒を留去して得らｎた粗結晶をｎ−ヘ
キサン等の溶媒で再結晶することにより目的の４−アセ
トキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘
導体を得る。ｎ−ヘキサンを抽出溶媒に用いた場合には
、乾燥後、溶液を冷却して４−アセトキシ−３−ヒ“ド
ロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を結晶として
得ることもできる。そのほか、溶媒を留去した反応混合
物からカラムクロマトグラフィーにより４−アセトキシ
−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を
得ることもできる。
メチルホルムアミド等の溶媒とピリジン等の塩基との混
合溶媒に一般式（１）で示される４位にシリルエーテル
基を有するβ−ラクタム化合物を溶解し、次に無水酢酸
及び添加物である有機の強酸、または鉱酸、ま１こはル
イス酸、または一般式面で表わされる化合物、または一
般式（′Ｖ）で表わされる化合物を一度に、あるいは分
割して加えて反応を行なう。反応経過を薄層クロマトグ
ラフィーでチエツクしながら実施し、原料が消失または
微量になったところで水へ反応液を注ぐ。次にｎ−ヘキ
サン等の有機溶媒で抽出を行なう。有機層を炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。溶媒を留去して得らｎた粗結晶をｎ−ヘ
キサン等の溶媒で再結晶することにより目的の４−アセ
トキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘
導体を得る。ｎ−ヘキサンを抽出溶媒に用いた場合には
、乾燥後、溶液を冷却して４−アセトキシ−３−ヒ“ド
ロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を結晶として
得ることもできる。そのほか、溶媒を留去した反応混合
物からカラムクロマトグラフィーにより４−アセトキシ
−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を
得ることもできる。
（実施例）
以下実施例で本発明の詳細な説明するが、これらの実施
例によって本発明が限定されるものではない。
例によって本発明が限定されるものではない。
実施例１
（ＳＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−〔（几）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチ
ジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−８−（（几） １−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル） −４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６゛Ｃ１〔
α）２５ ９．５°（ｃ＝１．０％ＣｊＨＯ１ｓ） 〕
８０９屑ダをピリジン１．５５ｇ／に溶解し、こしを０
”Ｃに冷却した。ついで無水酢酸０．５１ｇ／％ｐ−
）ルエンスルホン酸１水和物５６ｑを加え、０°Ｃで３
６．５時間撹拌した。反応液を水８０ｘｔｔ中に注ぎ、
ｎ−ヘキサン３０肩ｔで抽出した。有機層をさらに、５
％ＮａＨＣＯ３、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥しｒコ。Ｐ側径、溶媒を減圧留去して白色
固体２８８ダを得ｒこ。この白色固体をｎ−ヘキサンに
溶解し、不溶物Ｐ失投−１５°Ｃで冷却放置すると１９
５岬の針状晶が得られ、以下の物性値より目的とする（
８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔ
ｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジ
ン−２−オンであることが確認された。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチ
ジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−８−（（几） １−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル） −４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６゛Ｃ１〔
α）２５ ９．５°（ｃ＝１．０％ＣｊＨＯ１ｓ） 〕
８０９屑ダをピリジン１．５５ｇ／に溶解し、こしを０
”Ｃに冷却した。ついで無水酢酸０．５１ｇ／％ｐ−
）ルエンスルホン酸１水和物５６ｑを加え、０°Ｃで３
６．５時間撹拌した。反応液を水８０ｘｔｔ中に注ぎ、
ｎ−ヘキサン３０肩ｔで抽出した。有機層をさらに、５
％ＮａＨＣＯ３、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥しｒコ。Ｐ側径、溶媒を減圧留去して白色
固体２８８ダを得ｒこ。この白色固体をｎ−ヘキサンに
溶解し、不溶物Ｐ失投−１５°Ｃで冷却放置すると１９
５岬の針状晶が得られ、以下の物性値より目的とする（
８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔ
ｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジ
ン−２−オンであることが確認された。
（／Ｚ） ＋５０°（ｃ＝０．５．０Ｈ（Ａ、 ）ｍ
ｐ １（１７”Ｃ ’ＨＮＭＲ（９０Ｍｆ−１ｚ、 ＣＤ０１ｓ ） δ
（ｐｐｍ ）０．０８ （６Ｈ，Ｓ ）、 ０．８４（
９Ｈ，Ｓ）、１．２０（３Ｈ，ｄ）、 ２．０１（８Ｈ
，ｓ）、８．０４ （ＩＨ，ｄｄ）、 ４．１２（ＩＨ
，ｍ）、５．７６ （ＬＨ，ｄ ）、 ６．７８（Ｎ
Ｈ）実施例２ （’（Ｒ，４Ｒ） −４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−
１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔α）Ｄ
−９，５°（ｃ＝ １．０ 、ＣＨＣｌｇ） ） ８０
６りをピリジン１．５４ｇ／に出解し、これを−５“Ｃ
に冷却した。ついで無水酢酸０．５１ｇ／、ｐ−トルエ
ンスルホン酸１水和物５５ＷＩｇを加え、−５°Ｃで４
８時間撹件した。反応液を水８０ｍ１中に注ぎ、ｎ−ヘ
キサン８０ｘｅで抽出した。有機層をさらに、５％Ｎａ
ＨＯＯａ、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。Ｐ側径、溶媒を減圧留去して白色固体３０
３１１１ｇを得た。この白色固体を高速液体クロマトグ
ラフィー〔カラムＹＭＯ−バツクドカラムＡ−３０３（
ＯＤＳ ）、４．６Ｘ２５０絹、カラム温度１５°Ｃ１
溶媒アセトニトリル：水＝ ６ ： ４ （ｖ／ｖ ）
、流量１．１ ｔｓｔ ／ｗｚ 、検出２１０ｎｍ）で
分析すると２１７１Ｆの（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキ
シ−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ロキシエチル〕アゼチジン−２−オンが生成していｔこ
（収率７８％）。
ｐ １（１７”Ｃ ’ＨＮＭＲ（９０Ｍｆ−１ｚ、 ＣＤ０１ｓ ） δ
（ｐｐｍ ）０．０８ （６Ｈ，Ｓ ）、 ０．８４（
９Ｈ，Ｓ）、１．２０（３Ｈ，ｄ）、 ２．０１（８Ｈ
，ｓ）、８．０４ （ＩＨ，ｄｄ）、 ４．１２（ＩＨ
，ｍ）、５．７６ （ＬＨ，ｄ ）、 ６．７８（Ｎ
Ｈ）実施例２ （’（Ｒ，４Ｒ） −４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−
１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔α）Ｄ
−９，５°（ｃ＝ １．０ 、ＣＨＣｌｇ） ） ８０
６りをピリジン１．５４ｇ／に出解し、これを−５“Ｃ
に冷却した。ついで無水酢酸０．５１ｇ／、ｐ−トルエ
ンスルホン酸１水和物５５ＷＩｇを加え、−５°Ｃで４
８時間撹件した。反応液を水８０ｍ１中に注ぎ、ｎ−ヘ
キサン８０ｘｅで抽出した。有機層をさらに、５％Ｎａ
ＨＯＯａ、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。Ｐ側径、溶媒を減圧留去して白色固体３０
３１１１ｇを得た。この白色固体を高速液体クロマトグ
ラフィー〔カラムＹＭＯ−バツクドカラムＡ−３０３（
ＯＤＳ ）、４．６Ｘ２５０絹、カラム温度１５°Ｃ１
溶媒アセトニトリル：水＝ ６ ： ４ （ｖ／ｖ ）
、流量１．１ ｔｓｔ ／ｗｚ 、検出２１０ｎｍ）で
分析すると２１７１Ｆの（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキ
シ−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ロキシエチル〕アゼチジン−２−オンが生成していｔこ
（収率７８％）。
実施例３
（：１３Ｒ，４Ｒ） −４−アセトキシ−８−（（Ｒ）
−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６”Ｃ、（ａ）
２５−９．５°（ｃ＝ １．０．０Ｈ（Ａｓ） ） ８
０１岬をピリジン１．５１＊ｔに溶解し、これを９℃に
冷却しｆこ。ついで無水酢酸０．２７ｍ／、トリフルオ
ロメタンスルホン酸８μｌを加え、９“Ｃで３８時間撹
拌した。反応後、実施例２と同様の方法で処理し、高速
液体クロマトグラフィーで分析したところ（８Ｒ，４Ｒ
）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オン
が１７９ＩＩＩｇ生成していた（収率６６％）。
−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−３−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６”Ｃ、（ａ）
２５−９．５°（ｃ＝ １．０．０Ｈ（Ａｓ） ） ８
０１岬をピリジン１．５１＊ｔに溶解し、これを９℃に
冷却しｆこ。ついで無水酢酸０．２７ｍ／、トリフルオ
ロメタンスルホン酸８μｌを加え、９“Ｃで３８時間撹
拌した。反応後、実施例２と同様の方法で処理し、高速
液体クロマトグラフィーで分析したところ（８Ｒ，４Ｒ
）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オン
が１７９ＩＩＩｇ生成していた（収率６６％）。
実施例４
（ＳＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６°Ｃ１〔α）
−９，５°（ｃ＝１．０、ＣＨ（ＩＩｓ ） 〕３
０１Ｈｇをピリジン１．５０＋ｗｔに溶解し、室温で無
水酢酸０．５１ｇ／、 ２．７５Ｎ塩化水素−ジオキサ
ン溶液３４μｐを加え、室温で２３時間撹拌した。反応
後、実施例２と同様の方法で処理し、高速液体クロマト
グラフィーで分析したところ（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセ
トキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンが１６８〜生
成していた（収率６２％）。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６°Ｃ１〔α）
−９，５°（ｃ＝１．０、ＣＨ（ＩＩｓ ） 〕３
０１Ｈｇをピリジン１．５０＋ｗｔに溶解し、室温で無
水酢酸０．５１ｇ／、 ２．７５Ｎ塩化水素−ジオキサ
ン溶液３４μｐを加え、室温で２３時間撹拌した。反応
後、実施例２と同様の方法で処理し、高速液体クロマト
グラフィーで分析したところ（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセ
トキシ−８−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンが１６８〜生
成していた（収率６２％）。
実施例５
（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ） ８ （（几）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチルＪ−４−１−リメチルシ
リロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔
α）”−９，５°（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌｇ） 〕８０
０．８ｑをピリジン１．５８ｇ／に溶解し、Ｎ２雰囲気
下、無水酢酸１．８４ｇ／、）リクロロ酢酸８０．９
Ｗｊｇを加え、−５℃で４０時間撹拌しｒコ。反応液を
水：ｄＯｔｔｔｌ中に注ぎ、ｎ−ヘキサン８０ｇ／で抽
出しｆこ。有機層をさらに、５％ＮａＨＯＯａ、飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し１こ。炉
別後、溶媒を減圧留去して白色固体２７４．１ｑを得ｒ
こ。この固体を高速液体クロマトグラフィーで分析した
ところ２．（３几、４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（
Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル
〕アゼチジン−２−オンが２４１．６ｍ９生成していｒ
こ（収率８９％）。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ） ８ （（几）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチルＪ−４−１−リメチルシ
リロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔
α）”−９，５°（ｃ＝１．０、ＣＨＣｌｇ） 〕８０
０．８ｑをピリジン１．５８ｇ／に溶解し、Ｎ２雰囲気
下、無水酢酸１．８４ｇ／、）リクロロ酢酸８０．９
Ｗｊｇを加え、−５℃で４０時間撹拌しｒコ。反応液を
水：ｄＯｔｔｔｌ中に注ぎ、ｎ−ヘキサン８０ｇ／で抽
出しｆこ。有機層をさらに、５％ＮａＨＯＯａ、飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し１こ。炉
別後、溶媒を減圧留去して白色固体２７４．１ｑを得ｒ
こ。この固体を高速液体クロマトグラフィーで分析した
ところ２．（３几、４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（
Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル
〕アゼチジン−２−オンが２４１．６ｍ９生成していｒ
こ（収率８９％）。
実施例６
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ） −１
−ｔａｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−：１（−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチル）−４−）リメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔α
）２５−９．５°（ｃ＝１．０．０ｆ（０１３） ）
３０１ダをピリジン１．５１ｇ／に溶解し、室温で無水
酢酸０．５１５ｇ／、リン酸２μｅを加え、室温で２０
時間撹拌した。反応後、実施例２と同様の方法で処理し
、高速液体クロマトグラフィーで分析したところ（３Ｒ
，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−〔（几）−ｔ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２
−オンが１５８ｑ生成していた（収率５８％）。
−ｔａｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−：１（−（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリロキシエチル）−４−）リメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン（ｍｐ９５〜９６℃、〔α
）２５−９．５°（ｃ＝１．０．０ｆ（０１３） ）
３０１ダをピリジン１．５１ｇ／に溶解し、室温で無水
酢酸０．５１５ｇ／、リン酸２μｅを加え、室温で２０
時間撹拌した。反応後、実施例２と同様の方法で処理し
、高速液体クロマトグラフィーで分析したところ（３Ｒ
，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−〔（几）−ｔ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２
−オンが１５８ｑ生成していた（収率５８％）。
実施例７
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって酸を種々変化させる実験
を実施した。酸を添加しない条件も比較のため実験を行
なった。（白に対して無水酢酸５．６当量、ピリジン１
９．７当量を用い、処理および分析条件は実施例２と同
様である。結果を表１に示しｆこ。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって酸を種々変化させる実験
を実施した。酸を添加しない条件も比較のため実験を行
なった。（白に対して無水酢酸５．６当量、ピリジン１
９．７当量を用い、処理および分析条件は実施例２と同
様である。結果を表１に示しｆこ。
（白 （Ｉ′）
以下余白
表 １
ε
実施例８
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって塩化アセチル、塩化ｐ−
トルエンスルホニル、塩化メタンスルホニルを添加する
実験を実施した。化合物（白に対して無水酢酸８当量、
ピリジン１９．７当量を用い、処理及び分析条件は実施
例２と同様である。結果を表２に示した。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって塩化アセチル、塩化ｐ−
トルエンスルホニル、塩化メタンスルホニルを添加する
実験を実施した。化合物（白に対して無水酢酸８当量、
ピリジン１９．７当量を用い、処理及び分析条件は実施
例２と同様である。結果を表２に示した。
（白 （ＩＩ’）
表 ２
実施例９
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（（Ｒ）−ｔ−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法！こよって、塩基を変化させる実
験を実施し１こ。（１′月こ対して無水酢酸５．６当ｆ
ｆｉ、ｐ−１−ルエンスルホン酸・１水和物０．２当量
を用い、処理および分析条件は実施例２と同様である。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法！こよって、塩基を変化させる実
験を実施し１こ。（１′月こ対して無水酢酸５．６当ｆ
ｆｉ、ｐ−１−ルエンスルホン酸・１水和物０．２当量
を用い、処理および分析条件は実施例２と同様である。
結果を表３に示しｒこ。
（白 （Ｉ’）
表 ３
実施例１Ｏ
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−〔（几）−１−
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって溶媒を種々検討しｆこ。
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 実施例２と同様な方法によって溶媒を種々検討しｆこ。
処理および分析条件は実施例２と同様である。結果を表
４に示した。
４に示した。
（白 （Ｉ）
実施例１１
（３Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ）−１−
〔ジメチル−（１，１，２−トリメチルプロピル）シリ
ロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−３−（（几）−１−（ジメチル−（１
，１，２−トリメチルプロピル）シリロキシ〕エチル）
−４−トリメチルシリロキシアゼチジン−２−オン３
２１Ｍｇをピリジン１．５１ｇ／に溶解し、これを９°
Ｃに冷却した。ついで無水酢酸０．５０ｇ／。
〔ジメチル−（１，１，２−トリメチルプロピル）シリ
ロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オンの合成 （３Ｒ，４Ｒ）−３−（（几）−１−（ジメチル−（１
，１，２−トリメチルプロピル）シリロキシ〕エチル）
−４−トリメチルシリロキシアゼチジン−２−オン３
２１Ｍｇをピリジン１．５１ｇ／に溶解し、これを９°
Ｃに冷却した。ついで無水酢酸０．５０ｇ／。
ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物８６”ｆｌを加え、
９°Ｃで４０時間撹拌しｒこ。反応後、実施例２と同様
の方法で処理し、２５０Ｍ１のセミソリッドを得た。こ
のものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサン：・ 酢酸エ
チル＝１０ ： Ｉ、（Ｖ／Ｖ））で処理し、さらにｎ
−ヘキサンから再結晶することによって目的とする（Ｓ
Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ） −１−（
ジメチル−（１，１，２−１−リメチルプロピル）シリ
ロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オン２０９ダを白色
針状結晶として得た。物性値を以下に示す。
９°Ｃで４０時間撹拌しｒこ。反応後、実施例２と同様
の方法で処理し、２５０Ｍ１のセミソリッドを得た。こ
のものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサン：・ 酢酸エ
チル＝１０ ： Ｉ、（Ｖ／Ｖ））で処理し、さらにｎ
−ヘキサンから再結晶することによって目的とする（Ｓ
Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ） −１−（
ジメチル−（１，１，２−１−リメチルプロピル）シリ
ロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オン２０９ダを白色
針状結晶として得た。物性値を以下に示す。
〔α〕＋４１．５７°（ｃ ＝ ０．５、ｃＨＣｌ、
）ｍｐ ８０〜８１”Ｃ ’ＨＮＭ几（９０ＭＨｚ、ＣＤ０１ｇ ） δ（ｐｐ
ｍ ）０．０８ （６Ｈ，Ｓ ）、 ０．７５（６Ｈ
，８）、０．８８（６）Ｉ、ｄ）、 １．２０ （３
ＦＩ、 ｄ ）、１．６０（１８，ｍ）、 ２．００
（８Ｈ，Ｓ）、３．１０ （１）１． ｄｄ）、 ４．
１２ （ＩＨ，ｍ ）、５．７５ （ＩＨ，ｄ ）、
６．５８（ＮＨ）実施例１２ ４−アセトキシ−ａ−（ｔ−（ジメチル−（１゜２−ジ
メチルプロピル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２
−オンの合成 ａ−（ｔ−（ジメチル−（ｌ、２−ジメチルプロピル）
シリロキシ〕エチル）−４−トリメチルシリロキシアゼ
チジン−２−オン１５４Ｉ１ｇをピリジン０．７５ｍ１
に溶解し、これを９℃に冷却した。ついで無水酢酸０．
２５１１１、ｐ−）ルエンスルホン酸・１水和物１８１
１ｖを加え、９℃で４０時間撹拌した。
）ｍｐ ８０〜８１”Ｃ ’ＨＮＭ几（９０ＭＨｚ、ＣＤ０１ｇ ） δ（ｐｐ
ｍ ）０．０８ （６Ｈ，Ｓ ）、 ０．７５（６Ｈ
，８）、０．８８（６）Ｉ、ｄ）、 １．２０ （３
ＦＩ、 ｄ ）、１．６０（１８，ｍ）、 ２．００
（８Ｈ，Ｓ）、３．１０ （１）１． ｄｄ）、 ４．
１２ （ＩＨ，ｍ ）、５．７５ （ＩＨ，ｄ ）、
６．５８（ＮＨ）実施例１２ ４−アセトキシ−ａ−（ｔ−（ジメチル−（１゜２−ジ
メチルプロピル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２
−オンの合成 ａ−（ｔ−（ジメチル−（ｌ、２−ジメチルプロピル）
シリロキシ〕エチル）−４−トリメチルシリロキシアゼ
チジン−２−オン１５４Ｉ１ｇをピリジン０．７５ｍ１
に溶解し、これを９℃に冷却した。ついで無水酢酸０．
２５１１１、ｐ−）ルエンスルホン酸・１水和物１８１
１ｖを加え、９℃で４０時間撹拌した。
反応後、実施例２と同様の方法で処理し、１２０りの油
状物を得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサ
ン：酢酸エチル＝１０：１、（ｖ／ｖ））で処理し、４
−アセトキシ−３−（１−（ジメチル−（１，２−ジメ
チルプロピル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−
オン１００ｑを白色固体として得た。物性値を以下に示
す。
状物を得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサ
ン：酢酸エチル＝１０：１、（ｖ／ｖ））で処理し、４
−アセトキシ−３−（１−（ジメチル−（１，２−ジメ
チルプロピル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−
オン１００ｑを白色固体として得た。物性値を以下に示
す。
’ＨＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤ０１． ） δ（ｐｐ
ｍ ）０．０８（６Ｈ，Ｓ）、 ０．７０（ＩＨ，ｍ）
、０．８５ （９Ｈ，ｄ、 ｄ、 ｄ）、 １．２０（
，３Ｈ，ｄ）、１．８０ （ＩＨ，ｍ ）、 ２．０２
（８Ｈ，Ｓ）、８．１０ （ｉｆ（、ｄａ）、 ４．１
５（ＬＨ，ｍ）、５．８０ （ＩＨ，ｄ ）、 ７．２
０（ＮＨ）実施例１３ （：ｌＩＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（１，（Ｒ
）−１−イソプロピルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−イソプロピルジメ
チルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−２−オン８０４〜をピリジン１．６０ ｇｌ
に溶解し、これを９ ’Ｃに冷却した。つＬ’ テ無水
酢酸０．５３ ａｔ 、 ｐ −トルエンスルホン酸・
１永和物８８１９を加え、９°Ｃで４０時間撹拌しｆこ
。
ｍ ）０．０８（６Ｈ，Ｓ）、 ０．７０（ＩＨ，ｍ）
、０．８５ （９Ｈ，ｄ、 ｄ、 ｄ）、 １．２０（
，３Ｈ，ｄ）、１．８０ （ＩＨ，ｍ ）、 ２．０２
（８Ｈ，Ｓ）、８．１０ （ｉｆ（、ｄａ）、 ４．１
５（ＬＨ，ｍ）、５．８０ （ＩＨ，ｄ ）、 ７．２
０（ＮＨ）実施例１３ （：ｌＩＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−（１，（Ｒ
）−１−イソプロピルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オンの合成 （８Ｒ，４Ｒ）−８−（（Ｒ）−１−イソプロピルジメ
チルシリロキシエチル）−４−トリメチルシリロキシア
ゼチジン−２−オン８０４〜をピリジン１．６０ ｇｌ
に溶解し、これを９ ’Ｃに冷却した。つＬ’ テ無水
酢酸０．５３ ａｔ 、 ｐ −トルエンスルホン酸・
１永和物８８１９を加え、９°Ｃで４０時間撹拌しｆこ
。
反応後、実施例２と同様の方法で処理し、２１０ダの油
状物を得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサ
ン：酢酸エチル＝１０：１、（ｖ／ｖ））で処理し、さ
らにｎ−ヘキサンから再結晶することによって、目的と
する（：ｌｌＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ
）−１−イソプロピルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オン１６４岬を白色結晶として得た。物性
値を以下に示す。
状物を得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサ
ン：酢酸エチル＝１０：１、（ｖ／ｖ））で処理し、さ
らにｎ−ヘキサンから再結晶することによって、目的と
する（：ｌｌＲ，４Ｒ）−４−アセトキシ−３−（（Ｒ
）−１−イソプロピルジメチルシリロキシエチル〕アゼ
チジン−２−オン１６４岬を白色結晶として得た。物性
値を以下に示す。
〔α） ＋５４．６°（ｃ ＝ ０．５、ＣｊＨＯｌ
ｓ ）ｍ９９２〜９４℃ ’ＨＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣ１ｇ ） δ（ｐｐ
ｍ ）０．０８（６１（、Ｓ）、 １．７５（ＩＨ，ｍ
）、１．９８ （６Ｈ，ｄ ）、 １．２９（（Ｈ，ｄ
）、２．１２（（Ｈ，Ｓ）、 ８．２０ ＣＩＨ，ｄｄ
）、４．２３（ＩＨ，ｍ）、 ５．８６（ＩＨ，ｄ）、
６．５０（ＮＨ）
ｓ ）ｍ９９２〜９４℃ ’ＨＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣ１ｇ ） δ（ｐｐ
ｍ ）０．０８（６１（、Ｓ）、 １．７５（ＩＨ，ｍ
）、１．９８ （６Ｈ，ｄ ）、 １．２９（（Ｈ，ｄ
）、２．１２（（Ｈ，Ｓ）、 ８．２０ ＣＩＨ，ｄｄ
）、４．２３（ＩＨ，ｍ）、 ５．８６（ＩＨ，ｄ）、
６．５０（ＮＨ）
Claims (17)
- （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中Ｒ＿１は水酸基の保護基、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿
４はＣ＿１〜Ｃ＿４の低級アルキル基、またはアラルキ
ル基を示す）で表わされるβ−ラクタム化合物に有機の
強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式（IV） Ｒ＿８−ＣＯ−Ｘ（IV） （式中Ｒ＿８はアルキル基またはアラルキル基またはフ
ェニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）で表わされる
化合物または一般式（Ｖ）Ｒ＿９−ＳＯ＿２−Ｘ（Ｖ） （式中Ｒ＿９はアルキル基またはアラルキル基またはフ
ェニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）で表わされる
化合物を触媒として、塩基と無水酢酸を作用させること
を特徴とする一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中Ｒ＿１は水酸基の保護基を示す）で表わされる４
−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−
オン誘導体の製造法。 - （２）Ｒ＿１が一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７はＣ＿１〜Ｃ＿６の低級
アルキル基を示す。ただし、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７は
同時にＣ＿１でない）である特許請求の範囲第１項記載
の製造法。 - （３）Ｒ＿１がｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基であ
る特許請求の範囲第１項記載の製造法。 - （４）Ｒ＿１がイソプロピルジメチルシリル基である特
許請求の範囲第１項記載の製造法。 - （５）Ｒ＿１がジメチル−（１，１，２−トリメチルプ
ロピル）シリル基である特許請求の範囲第１項記載の製
造法。 - （６）Ｒ＿１がジメチル−（１，２−ジメチルプロピル
）シリル基である特許請求の範囲第１項記載の製造法。 - （７）Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４がメチル基である特許請
求の範囲第１項記載の製造法。 - （８）有機の強酸が有機スルホン酸である特許請求の範
囲第１項または第２項記載の製造法。 - （９）有機スルホン酸がｐ−トルエンスルホン酸または
トリフルオロメタンスルホン酸である特許請求の範囲第
８項記載の製造法。 - （１０）有機の強酸がトリフルオロ酢酸である特許請求
の範囲第１項または第２項記載の製造法。 - （１１）有機の強酸がトリクロロ酢酸である特許請求の
範囲第１項または第２項記載の製造法。 - （１２）鉱酸が塩化水素またはリン酸である特許請求の
範囲第１項または第２項記載の製造法。 - （１３）ルイス酸が三フツ化ホウ素または三塩化ホウ素
である特許請求の範囲第１項または第２項記載の製造法
。 - （１４）一般式（IV）で表わされる化合物が塩化アセチ
ルである特許請求の範囲第１項または第２項記載の製造
法。 - （１５）一般式（Ｖ）で表わされる化合物が塩化ｐ−ト
ルエンスルホニルである特許請求の範囲第１項または第
２項記載の製造法。 - （１６）塩基がピリジンである特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の製造法。 - （１７）塩基がピコリンである特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の製造法。
Priority Applications (9)
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|---|---|---|---|
| JP62-128630A JPH0167A (ja) | 1987-02-20 | 1987-05-26 | ４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造法 |
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| CA000559047A CA1278302C (en) | 1987-02-20 | 1988-02-16 | Process for preparing 4-acetoxy-3- hydroxyethylazetidin-2-one derivatives |
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| ES198888102324T ES2038704T3 (es) | 1987-02-20 | 1988-02-18 | Un procedimiento para preparar un derivado de 4-acetoxi-3-hidroxietilazetidin-2-ona. |
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| Publication Number | Publication Date |
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