JPH0557264B2

JPH0557264B2 -

Info

Publication number: JPH0557264B2
Application number: JP62128630A
Authority: JP
Inventors: Isao Sada; Kazunori Suga; Noboru Kamyama; Shingo Matsumoto; Takehisa Oohashi; Kyoshi Watanabe
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1987-02-20
Filing date: 1987-05-26
Publication date: 1993-08-23
Also published as: JPS6467A

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野）本発明は、３位に水酸基が保護されたヒドロキ
シエチル基を有し、４位にアセトキシ基を有する
４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジ
ン−２−オン誘導体の新規な製造法に関する。４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチ
ジン−２−オン誘導体は、チエナマイシン等に代
表されるカルバペネム系β−ラクタム抗生物質
や、ペネム系β−ラクタム抗生物質の合成中間体
として有用であることが知られている〔たとえ
ば、レイダー等、テトラヘドロンレターズ、23
巻、2293頁（1982）、およびヨシダ等、ケミカ
ル・アンド・フアーマシユテイカル・ブレチン
（Chem.Pharm.Bull.）、29巻、2899頁（1981）〕。（従来の技術と問題点）従来、４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチル
アゼチジン−２−オン誘導体の合成法として、６
−アミノペニシラン酸から合成する方法〔ヨシダ
等、Chem.Pharm.Bull.、29巻、2899頁（1981）〕、
スレオニンから合成する方法〔シオザキ等、テト
ラヘドロン、39巻、2399頁（1983）〕、アスパラギ
ン酸から合成する方法〔レイダー等、テトラヘド
ロンレターズ、23巻、2293頁（1982）〕等が知ら
れている。しかし、いずれの方法においても、β
−ラクタム環の４位にアセトキシ基を導入するた
めに、酢酸水銀や四酢酸鉛等の工業的には好まし
くない重金属化合物を使用する難点を有してい
た。また、化合物（）のβ−ラクタム環の１位
のＮに保護基を付した後、アセチル化の反応で４
位をアセトキシ基とし、その後Ｎ−保護基を脱離
して目的化合物（）を得る技術も知られている
が（特開昭61−18758号公報）、操作が繁雑であ
り、かつ副生物として開環体の生成が多い難点が
ある。本発明者らは３位にＯ−保護ヒドロキシエチル
基、４位にシリルエーテル基を有する新規なβ−
ラクタム化合物（Ｎは無保護）を用いて、低温で
４位にアセトキシ基を導入する製法を見いだし、
既に出願した（特願昭61−101856）。その後、本
発明者らは更に検討を行なつた結果、触媒量の酸
またはハロゲン化アシルまたはハロゲン化スルホ
ニルを加えることにより、室温付近において良い
収率で４位にアセトキシ基を導入する方法を見出
し、本発明に至つた。以下に詳細を説明する。（問題点を解決するための手段及び作用効果）本発明は、一般式（）（式中、R₁は水酸基の保護基、R₂、R₃、R₄は
C₁〜C₄の低級アルキル基、またはアラルキル基
を示す）で表わされるβ−ラクタム化合物に有機
の強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式
（） R₈−CO−Ｘ（）（式中、R₈はアルキル基またはアラルキル基
またはフエニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示
す）で表わされる化合物、または一般式（） R₉−SO₂−Ｘ（）（式中、R₉はアルキル基またはアラルキル基
またはフエニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示
す）で表わされる化合物を触媒として、塩基と無
水酢酸を作用させることを特徴とする一般式
（）（式中、R₁は水酸基の保護基を示す）で表わ
される４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルア
ゼチジン−２−オン誘導体の製造方法を要旨とす
る。一般式（）で示される４位にシリルエーテル
基を有するβ−ラクタム化合物は、本発明者らが
既に特許出願（特開昭61−18791）したように反
応式の方法によつて簡便に取得できる。反応式： β−ラクタム化合物（）の３位のヒドロキシ
エチル基のＯ−保護基であるR₁としては、R₁が
一般式（）（式中、R₅、R₆、R₇はC₁〜C₆の低級アルキル
基を示す。ただし、R₅、R₆、R₇は同時にC₁でな
い。）で表わされるトリアルキルシリル基、たと
えばtert−ブチルジメチルシリル基、トリイソプ
ロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル
基、イソブチルジメチルシリル基、ジメチル−
（１，２−ジメチルプロピル）シリル基、ジメチ
ル−（１，１，２−トリメチルプロピル）シリル
基や、その他tert−ブチル基、ベンジル基、トリ
クロロエトキシカルボニル基、tert−ブトキシカ
ルボニル基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等が挙げられるが、好ましくは反応中から安
定であり、さらに酸処理により選択的に脱保護さ
れうるtert−ブチルジメチルシリル基やイソプロ
ピルジメチルシリル基やジメチル−（１，１，２
−トリメチルプロピル）シリル基及びジメチル−
（１，２−ジメチルプロピル）シリル基がよい。
また、β−ラクタム化合物（）のR₂、R₃、R₄
は、メチル、エチル、イソブチル等のC₁〜C₄の
低級アルキル基、またはベンジル基、ｐ−ニトロ
ベンジル基等のアラルキル基から同一または異な
つた基を選択できるが、好ましくはR₂＝R₃＝R₄
＝メチルが最適である。上記のように調製した一般式（）（式中、R₁、R₂、R₃、R₄は前記と同じ）で表
わされるβ−ラクタム化合物に塩基と無水酢酸を
作用させて、目的の４−アセトキシ−３−ヒドロ
キシエチルアゼチジン−２−オン誘導体（）（式中、R₁は前記と同じ）に変換するのであ
るが、この際、有機の強酸または鉱酸またはルイ
ス酸または一般式（） R₈−CO−Ｘ（）（式中、R₈、Ｘは前記と同じ）で表される化
合物まては一般式（） R₉−SO₂−Ｘ（）（式中、R₉、Ｘは前記と同じ）で表わされる
化合物を触媒として作用させると、収率が著しく
向上する。その理由は、塩基と無水酢酸によるア
セチル化では、通常、ＮとＯに対するアセチル化
の選択性が乏しいため、共にアセチル化された開
環体やＮ−アセチル体が生じる結果、目的とする
化合物（）の生成が低下する。この場合、例え
ば反応系に前記した酸触媒を存在させると、酸が
出発物質（）の４位の

【式】結合を切つてＯ−アセチル基の生成を助けると共に、酸がＮを
ブロツクしてＮ−アセチル化を抑えるためＯ−ア
セチル化の選択性が高まり、その結果、副生物で
ある開環体やＮ−アセチル体のＯ，Ｎ−ジアセチ
ル化合物の生成が抑制され、従つて本発明におい
ては、触媒を存在させることにより、Ｎ−保護基
を付することなく、アセチル化反応だけで化合物
（）から目的とする化合物（）の生成を大巾
に増加させることができる。有機の強酸としては、ｐ−トルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸、
メシチレンスルホン酸、トリフルオロメタンスル
ホン酸、カンフアースルホン酸、ピリジンスルホ
ン酸等の有機スルホン酸や、トリフルオロ酢酸、
トリクロロ酢酸等の酸性度の強い有機プロトン酸
の使用が好ましい。鉱酸としては塩化水素、臭化
水素、ヨウ化水素、リン酸、硝酸、硫酸等または
これらの水溶液が使用できる。一般式（）で表
わされる化合物としては、塩化アセチル、臭化ア
セチル、ヨウ化アセチル、塩化トリフルオロアセ
チル等が使用できる。一般式（）で表わされる
化合物としては、塩化メタンスルホニル、塩化ト
リフルオロメタンスルホニル、塩化トルエンスル
ホニル、塩化メシチレンスルホニル等が使用でき
る。ルイス酸としては、三フツ化ホウ素や三塩化
ホウ素の使用が好ましい。これらの有機の強酸ま
たは鉱酸またはルイス酸または一般式（）で表
わされる化合物または一般式（）で表わされる
化合物を添加せずに、塩基と無水酢酸で化合物
（）をアセトキシ化するとβ−ラクタム環が開
裂した分解物が反応生成物として大部分であり、
目的の化合物（）を満足すべき収率で得ること
ができない。有機の強酸または鉱酸またはルイス酸または一
般式（）で表わされる化合物または一般式
（）で表わされる化合物の存在下での化合物
（）の４位アセトキシ化において、これらの添
加物と塩基と無水酢酸の使用量、溶媒、塩基の種
類及び反応温度が収率に影響を与える因子であ
る。塩基としてはピリジン、ポコリン、ルチジン
等のピリジン類が好ましい。反応溶媒としては上
記の塩基を溶媒として使用するか、あるいは化合
物（）や反応試剤にに不活性な有機溶媒、例え
ば、塩化メチレン、酢酸エチル、ｎ−ヘキサン、
トルエン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロ
フラン等が使用できるが、好ましくはピリジン類
またはジメチルホルムアミドを使用するのがよ
い。一般式（）で表わされるβ−ラクタム化合物
に対し、有機の強酸または鉱酸またはルイス酸ま
たは一般式（）で表わされる化合物または一般
式（）で表わされる化合物を0.05〜１倍モル、
塩基１〜30倍モル、無水酢酸は１〜15倍モルの範
囲で使用すれはよい。反応温度は−30〜＋50℃の
範囲が好ましい。反応操作としては、ピリジン等の塩基単独、あ
るいはジメチルホルムアミド等の溶媒とピリジン
等の塩基との混合溶媒に一般式（）で示される
４位にシリルエーテル基を有するβ−ラクタム化
合物を溶媒し、次に無水酢酸及び添加物である有
機の強酸、または鉱酸、またはルイス酸、または
一般式（）で表わされる化合物、または一般式
（）で表わされる化合物を一度に、あるいは分
割して加えて反応を行なう。反応経過を薄層クロ
マトグラフイーでチエツクしながら実施し、原料
が消失または微量になつたところで水へ反応液を
注ぐ。次にｎ−ヘキサン等の有機溶媒で抽出を行
なう。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液、水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。
溶媒を留去して得られた粗結晶をｎ−ヘキサン等
の溶媒で再結晶することにより目的の４−アセト
キシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オ
ン誘導体を得る。ｎ−ヘキサンを抽出溶媒に用い
た場合には、乾燥後、溶液を冷却して４−アセト
キシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オ
ン誘導体を結晶として得ることもできる。そのほ
か、溶媒を留去した反応混合物からカラムクロマ
トグラフイーにより４−アセトキシ−３−ヒドロ
キシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を得るこ
ともできる。（実施例）以下実施例で本発明を詳しく説明するが、これ
らの実施例によつて本発明が限定されるものでは
ない。実施例１（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−
アゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕309mgをピリジ
ン
1.55mlに溶解し、これを０℃に冷却した。ついで
無水酢酸0.51ml、ｐ−トルエンスルホン酸１水和
物56mgを加え、０℃で36.5時間攪拌した。反応液
を水30ml中に注ぎ、ｎ−ヘキサン30mlで抽出し
た。有機層をさらに、５％NaHCO₃、飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
別後、溶媒を減圧留去して白色固体288mgを得
た。この白色固体をｎ−ヘキサンに溶解し、不溶
物去後−15℃で冷却放置すると195mgの針状晶
が得られ、以下の物性値より目的とする（3R，
4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕−アゼチジン−
２−オンであることが確認された。〔α〕²⁵ _D＋50°（ｃ＝0.5、CHCl₃） mp 107℃¹ H NMR（90MHz、CDCl₃）δ（ppm） 0.08（6H，ｓ）、0.84（9H，ｓ）、 1.20（3H，ｄ）、2.01（3H，ｓ）， 3.04（1H，dd）、4.12（1H，ｍ）、 5.76（1H，ｄ）、6.73（NH）実施例２（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕306mgをピリジ
ン
1.54mlに溶解し、これを−５℃に冷却した。つい
で無水酢酸0.51ml、ｐ−トルエンスルホン酸１水
和物55mgを加え、−５℃で48時間攪拌した。反応
液を水30ml中に注ぎ、ｎ−ヘキサン30mlで抽出し
た。有機層をさらに、５％NaHCO₃、飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
別後、溶媒を減圧留去して白色固体303mgを得
た。この白色固体を高速液体クロマトグラフイー
〔カラムYMC−パツクドカラムＡ−303（ODS）、
4.6×250mm、カラム温度15℃、溶媒アセトニトリ
ル；水＝６：４（ｖ／ｖ）、流量1.1ml／min、検
出210nm）で分析すると217mgの（3R，4R）−４
−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オン
が生成していた（収率78％）。実施例３（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕301mgをピリジ
ン
1.51mlに溶解し、これを９℃に冷却した。ついで
無水酢酸0.27ml、トリフルオロメタンスルホン酸
8μを加え、９℃で38時間攪拌した。反応後、
実施例２と同様の方法で処理し、高速液体クロマ
トグラフイーで分析したところ（3R，4R）−４
−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オン
が179mg生成していた（収率66％）。実施例４（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕301mgをピリジ
ン
1.50mlに溶解し、室温で無水酢酸0.51ml、2.75N
塩化水素−ジオキサン溶液34μを加え、室温で
23時間攪拌した。反応後、実施例２と同様の方法
で処理し、高速液体クロマトグラフイーで分析し
たところ（3R，4R）−４−アセトキシ−３−
〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕アゼチジン−２−オンが168mg生成してい
た（収率62％）。実施例５（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕300.8mgをピリ
ジ
ン1.53mlに溶解し、N₂雰囲気下、無水酢酸1.34
ml、トリクロロ酢酸30.9mgを加え、−５℃で40時
間攪拌した。反応液を水30ml中に注ぎ、ｎ−ヘキ
サン80mlで抽出した。有機層をさらに、５％
NaHCO₃、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。別後、溶媒を減圧留去し
て白色固体274.1mgを得た。この固体を高速液体
クロマトグラフイーで分析したところ、（3R，
4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブ
チルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２
−オンが241.6mg生成していた（収率89％）。実施例６（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン〔mp95〜96℃、
〔α〕²⁵ _D−9.5°（ｃ＝1.0、CHCl₃）〕301mgをピリジ
ン
1.51mlに溶解し、室温で無水酢酸0.51ml、リン酸
2μを加え、室温で20時間攪拌した。反応後、
実施例２と同様の方法で処理し、高速液体クロマ
トグラフイーで分析したところ（3R，4R）−４
−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１−tert−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オン
が158mg生成していた（収率58％）。実施例７（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成実施例２と同様な方法によつて酸を種々変化さ
せる実験を実施した。酸を添加しない条件も比較
のため実験を行なつた。（′）に対して無水酢酸
5.6当量、ピリジン19.7当量を用い、処理および
分析条件は実施例２と同様である。結果を表１に
示した。

【表】実施例８（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成実施例２と同様な方法によつて塩化アセチル、
塩化ｐ−トルエンスルホニル、塩化メタンスルホ
ニルを添加する実験を実施した。化合物（′）
に対して無水酢酸８当量、ピリジン19.7当量を用
い、処理及び分析条件は実施例２と同様である。
結果を表２に示した。

【表】実施例９（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成実施例２と同様な方法によつて、塩基を変化さ
せる実験を実施した。（′）に対して無水酢酸
5.6当量、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物0.2
当量を用い、処理および分析条件は実施例２と同
様である。結果を表３に示した。

【表】実施例 10 （3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−tert−ブチルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成実施例２と同様な方法によつて溶媒を種々検討
した。処理および分析条件は実施例２と同様であ
る。結果を表４に示した。

【表】実施例 11 （3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−〔ジメチル−（１，１，２−トリメチルプロピ
ル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オ
ンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−〔ジメチル−
（１，１，２−トリメチルプロピル）シリロキシ〕
エチル〕−４−トリメチルシリロキシアゼチジン
−２−オン321mgをピリジン1.51mlに溶解し、こ
れを９℃に冷却した。ついで無水酢酸0.50ml、ｐ
−トルエンスルホン酸・１水和物36mgを加え、９
℃で40時間攪拌した。反応後、実施例２と同様の
方法で処理し、250mgのセミソリツドを得た。こ
のものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサン：酢酸
エチル＝10：１、（ｖ／ｖ）〕で処理し、さらにｎ
−ヘキサンから再結晶することによつて目的とす
る（3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−〔ジメチル−（１，１，２−トリメチルプロピ
ル）シリロキシ〕エチル〕アゼチジン−２−オン
209mgを白色針状晶として得た。物性値を以下に
示す。〔α〕²⁵ _D＋41.57°（ｃ＝0.5、CHCl₃） mp 80〜81℃¹ H NHR（90MHz、CDCl₃）δ（ppm） 0.08（6H，ｓ）、0.75（6H，ｓ）、 0.83（6H，ｄ）、1.20（3H，ｄ）、 1.50（1H，ｍ）、2.00（3H，ｓ）、 3.10（1H，dd）、４，12（1H，ｍ）、 5.75（1H，ｄ）、6.53（NH）実施例 12 ４−アセトキシ−３−〔１−〔ジメチル−（１，
２−ジメチルプロピル）シリロキシ〕エチル〕
アゼチジン−２−オンの合成３−〔１−〔ジメチル−（１，２−ジメチルプロ
ピル）シリロキシ〕エチル〕−４−トリメチルシ
リロキシアゼチジン−２−オン154mgをピリジン
0.75mlに溶解し、これを９℃に冷却した。ついで
無水酢酸0.25ml、ｐ−トルエンスルホン酸・１水
和物18mgを加え、９℃で40時間攪拌した。反応
後、実施例２と同様の方法で処理し、120mgの油
状物を得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−
ヘキサン：酢酸エチル＝10：１、（ｖ／ｖ）〕で処
理し、４−アセトキシ−３−〔１−〔ジメチル−
（１，２−ジメチルプロピル）シリロキシ〕エチ
ル〕アゼチジン−２−オン100mgを白色固体とし
て得た。物性値を以下に示す。¹ H NHR（90MHz、CDCl₃）δ（ppm） 0.08（6H，ｓ）、0.70（1H，ｍ）、 0.85（9H，ｄ，ｄ，ｄ）、1.20（3H，ｄ）、 1.80（1H，ｍ）、2.02（3H，Ｓ）、 3.10（1H，dd）、4.15（1H，ｍ）、 5.80（1H，ｄ）、7.20（NH）実施例 13 （3R，4R）−４−アセトキシ−３−〔（Ｒ）−１
−イソプロピルジメチルシリロキシエチル〕ア
ゼチジン−２−オンの合成（3R，4R）−３−〔（Ｒ）−１−イソプロピルジ
メチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリ
ロキシアゼチジン−２−オン304mgをピリジン160
mlに溶解し、これを９℃に冷却した。ついで無水
酢酸0.53ml、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物
38mgを加え、９℃で40時間攪拌した。反応後、実
施例２と同様の方法で処理し、210mgの油状物を
得た。このものをシリカゲルカラム〔ｎ−ヘキサ
ン：酢酸エチル＝10：１、（ｖ／ｖ）〕で処理し、
さらにｎ−ヘキサンから再結晶することによつ
て、目的とする（3R，4R）−４−アセトキシ−
３−〔（Ｒ）−１−イソプロピルジメチルシリロキ
シエチル〕アゼチジン−２−オン164mgを発色結
晶として得た。物性値を以下に示す。〔α〕²⁵ _D＋54.6°（ｃ＝0.5、CHCl₃） mp 92〜94℃¹ H NHR（90MHz、CDCl₃）δ（ppm） 0.08（6H，ｓ）、1.75（1H，ｍ）、 1.98（6H，ｄ）、1.29（3H，ｄ）、 2.12（3H，ｓ）、3.20（1H，dd）、 4.23（1H，ｍ）、5.86（1H，ｄ）、 6.50（NH）

Claims

【特許請求の範囲】１一般式（）（式中R₁は水酸基の保護基、R₂、R₃、R₄はC₁
〜C₄の低級アルキル基、またはアラルキル基を
示す）で表わされるβ−ラクタム化合物に有機の
強酸または鉱酸またはルイス酸または一般式
（） R₈−CO−Ｘ（）（式中R₈はアルキル基またはアラルキル基ま
たはフエニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）
で表わされる化合物または一般式（） R₉−SO₂−Ｘ（）（式中R₉はアルキル基またはアラルキル基ま
たはフエニル基を示し、Ｘはハロゲン基を示す）
で表わされる化合物を触媒として、塩基と無水酢
酸を作用させることを特徴とする一般式（）（式中R₁は水酸基の保護基を示す）で表わさ
れる４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼ
チジン−２−オン誘導体の製造法。２ R₁が一般式（）（式中R₅、R₆、R₇はC₁〜C₆の低級アルキル基
を示す。ただし、R₅、R₆、R₇は同時にC₁でない）
である特許請求の範囲第１項記載の製造法。３ R₁がtert−ブチルジメチルシリル基である特
許請求の範囲第１項記載の製造法。４ R₁がイソプロピルジメチルシリル基である
特許請求の範囲第１項記載の製造法。５ R₁がジメチル−（１，１，２−トリメチルプ
ロピル）シリル基である特許請求の範囲第１項記
載の製造法。６ R₁がジメチル−（１，２，−ジメチルプロピ
ル）シリル基である特許請求の範囲第１項記載の
製造法。７ R₂、R₃、R₄がメチル基である特許請求の範
囲第１項記載の製造法。８有機の強酸が有機スルホン酸である特許請求
の範囲第１項または第２項記載の製造法。９有機スルホン酸がｐ−トルエンスルホン酸ま
たはトリフルオロメタンスルホン酸である特許請
求の範囲第８項記載の製造法。１０有機の強酸がトリフルオロ酢酸である特許
請求の範囲第１項または第２項記載の製造法。１１有機の強酸がトリクロロ酢酸である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の製造法。１２鉱酸が塩化水素またはリン酸である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の製造法。１３ルイス酸が三フツ化ホウ素または三塩化ホ
ウ素である特許請求の範囲第１項または第２項記
載の製造法。１４一般式（）で表わされる化合物が塩化ア
セチルである特許請求の範囲第１項または第２項
記載の製造法。１５一般式（）で表わされる化合物が塩化ｐ
−トルエンスルホニルである特許請求の範囲第１
項または第２項記載の製造法。１６塩基がピリジンである特許請求の範囲第１
項または第２項記載の製造法。１７塩基がピコリンである特許請求の範囲第１
項または第２項記載の製造法。