JPH017728Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH017728Y2 JPH017728Y2 JP1982088747U JP8874782U JPH017728Y2 JP H017728 Y2 JPH017728 Y2 JP H017728Y2 JP 1982088747 U JP1982088747 U JP 1982088747U JP 8874782 U JP8874782 U JP 8874782U JP H017728 Y2 JPH017728 Y2 JP H017728Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- powdered
- gas
- film forming
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は少なくともSiを含むガスのプラズマ状
態を用いて導電性基板にアモルフアスシリコン感
光体を成膜するアモルフアスシリコン感光体の成
膜装置に関する。
態を用いて導電性基板にアモルフアスシリコン感
光体を成膜するアモルフアスシリコン感光体の成
膜装置に関する。
従来のアモルフアスシリコン感光体の成膜装置
は、高真空のチエンバー内において導電性基板を
支持し、このチエンバー内にSiH4またはSiH4を
含む混合ガスを導入して所定の圧力に調節し、さ
らに導電性基板を所定の温度に加熱保持した状態
で、導電性基板に対向して設けられている対向電
極に電圧を印加することにより対向電極と導電性
基板との間にSiH4を含む混合ガスによるプラズ
マ状態を発生させ、導電性基板表面にａ−Si感光
体を成膜するものである。
は、高真空のチエンバー内において導電性基板を
支持し、このチエンバー内にSiH4またはSiH4を
含む混合ガスを導入して所定の圧力に調節し、さ
らに導電性基板を所定の温度に加熱保持した状態
で、導電性基板に対向して設けられている対向電
極に電圧を印加することにより対向電極と導電性
基板との間にSiH4を含む混合ガスによるプラズ
マ状態を発生させ、導電性基板表面にａ−Si感光
体を成膜するものである。
しかし従来のａ−Si感光体の成膜装置において
はその装置形状の非対称性等によりプラズマ状態
に不安定箇所が生じるため、導電性基板に成膜さ
れるメタリツクなａ−Si以外に、チエンバー内に
おいてSiH4が重合して粉状のSiが生成される。
従つて導電性基板へのａ−Si感光体の成膜後、チ
エンバー内には多量の粉状Siが溜る。故に従来の
ａ−Si感光体の成膜装置は、１回の成膜後ごとに
長時間を要してこの粉状Siを除去しなければなら
ず、量産性に問題を有していた。
はその装置形状の非対称性等によりプラズマ状態
に不安定箇所が生じるため、導電性基板に成膜さ
れるメタリツクなａ−Si以外に、チエンバー内に
おいてSiH4が重合して粉状のSiが生成される。
従つて導電性基板へのａ−Si感光体の成膜後、チ
エンバー内には多量の粉状Siが溜る。故に従来の
ａ−Si感光体の成膜装置は、１回の成膜後ごとに
長時間を要してこの粉状Siを除去しなければなら
ず、量産性に問題を有していた。
本考案は上記事情にもとづいてなされたもの
で、ａ−Si感光体の成膜中にチエンバー内におい
て生成される粉状Siを効率よく回収することがで
き、従つて１回の成膜後ごとにチエンバー内にお
いて粉状Siを除去する必要のない量産性に優れた
ａ−Si感光体の成膜装置を提供することを目的と
する。
で、ａ−Si感光体の成膜中にチエンバー内におい
て生成される粉状Siを効率よく回収することがで
き、従つて１回の成膜後ごとにチエンバー内にお
いて粉状Siを除去する必要のない量産性に優れた
ａ−Si感光体の成膜装置を提供することを目的と
する。
本考案はチエンバー内のSiH4の廃ガスをチエ
ンバー外へ排出させるための排気系統とチエンバ
ーとの間に粉状Siを回収するためのダストトラツ
プを設けたものである。すなわち排気系統の排気
力により粉状SiをSiH4の廃ガスとともチエンバ
ー外へ排出させ、ダストトラツプにおいてSiH4
の廃ガスは通過させ、粉状Siだけを効率よく回収
させるものである。
ンバー外へ排出させるための排気系統とチエンバ
ーとの間に粉状Siを回収するためのダストトラツ
プを設けたものである。すなわち排気系統の排気
力により粉状SiをSiH4の廃ガスとともチエンバ
ー外へ排出させ、ダストトラツプにおいてSiH4
の廃ガスは通過させ、粉状Siだけを効率よく回収
させるものである。
次に本考案を図を参照して詳しく説明する。第
１図は本考案の一実施例であるａ−Si感光体の成
膜装置１の断面側面図であり、第２図はその断面
平面図である。
１図は本考案の一実施例であるａ−Si感光体の成
膜装置１の断面側面図であり、第２図はその断面
平面図である。
ａ−Si感光体の成膜装置１は密封されたチエン
バー２内でSiH4ガスによるプラズマ状態を生じ
させ導電性ドラム状基板表面にａ−Si感光体を成
膜するものでチエンバー２は円環状のチエンバー
台３によつて固定されており、チエンバー２の内
部には導電性ドラム状基板４を支持するための支
持台５が設けられている。この支持台５は上部が
小径の円板状に、下部が大径の円板状に形成され
ており、下部の大径円板状部分がチエンバー台３
の周端部においてベアリング１１を介して回転可
能に支持されている。この大径円板状部分には４
個の扇形の穴６が穿設され、穴６の内壁６ａのふ
ちはチエンバー台３の内壁３ａのふちに合わせて
ある。また大径円板状部分の外壁にはギヤ溝６ｂ
が刻設されておりこのギヤ溝６ｂにはギヤ７が咬
持されている（第３図）。ギヤ７はその下方に配
置されている駆動モーター８と接続されており、
従つて駆動モーター８の駆動力によりギヤ７が駆
動されると支持台５が回転するようになつてい
る。また支持台５の上部の小径円板状部分にはヒ
ーター９が固定され、導電性ドラム状基板４はヒ
ーター９を包囲した状態で小径円板状部分に取着
支持される。さらにチエンバー２内には、SiH4
ガスをチエンバー２内に導入するための導入管１
０がバルブ１９を介して引き込まれ支持台５に支
持される導電性ドラム状基板４に対向して配置さ
れている円筒状のガス導入管兼対向電極１０ａと
接続されている。このガス導入管兼対向電極１０
ａは電源３０により電圧が印加されて導電性ドラ
ム状基板４との間にSiH4ガスによるプラズマ状
態を生じさせるためのもので、その内壁には
SiH4ガスをチエンバー２内へ送り出すための複
数の穴１０ｂを有している。一方、チエンバー台
３の開口部は、円錐形の排気管１２により、チエ
ンバー２の下方に配置されているダストトラツプ
１３と連通されている。ダストトラツプ１３はチ
エンバー２内に溜る粉状Siを回収するためのもの
でその内部に粉状Siを捕獲するためのメツシユ１
４が着脱自在に取着されている。またダストトラ
ツプ１３はバルブ２０を介して排気管１８により
メカニカルブースターポンプ１５及びロータリー
ポンプ１６から成る排気系統１７と連通されてお
り、チエンバー２内のSiH4ガスはこの排気系統
１７により、大気中に排気されるようになつてい
る。
バー２内でSiH4ガスによるプラズマ状態を生じ
させ導電性ドラム状基板表面にａ−Si感光体を成
膜するものでチエンバー２は円環状のチエンバー
台３によつて固定されており、チエンバー２の内
部には導電性ドラム状基板４を支持するための支
持台５が設けられている。この支持台５は上部が
小径の円板状に、下部が大径の円板状に形成され
ており、下部の大径円板状部分がチエンバー台３
の周端部においてベアリング１１を介して回転可
能に支持されている。この大径円板状部分には４
個の扇形の穴６が穿設され、穴６の内壁６ａのふ
ちはチエンバー台３の内壁３ａのふちに合わせて
ある。また大径円板状部分の外壁にはギヤ溝６ｂ
が刻設されておりこのギヤ溝６ｂにはギヤ７が咬
持されている（第３図）。ギヤ７はその下方に配
置されている駆動モーター８と接続されており、
従つて駆動モーター８の駆動力によりギヤ７が駆
動されると支持台５が回転するようになつてい
る。また支持台５の上部の小径円板状部分にはヒ
ーター９が固定され、導電性ドラム状基板４はヒ
ーター９を包囲した状態で小径円板状部分に取着
支持される。さらにチエンバー２内には、SiH4
ガスをチエンバー２内に導入するための導入管１
０がバルブ１９を介して引き込まれ支持台５に支
持される導電性ドラム状基板４に対向して配置さ
れている円筒状のガス導入管兼対向電極１０ａと
接続されている。このガス導入管兼対向電極１０
ａは電源３０により電圧が印加されて導電性ドラ
ム状基板４との間にSiH4ガスによるプラズマ状
態を生じさせるためのもので、その内壁には
SiH4ガスをチエンバー２内へ送り出すための複
数の穴１０ｂを有している。一方、チエンバー台
３の開口部は、円錐形の排気管１２により、チエ
ンバー２の下方に配置されているダストトラツプ
１３と連通されている。ダストトラツプ１３はチ
エンバー２内に溜る粉状Siを回収するためのもの
でその内部に粉状Siを捕獲するためのメツシユ１
４が着脱自在に取着されている。またダストトラ
ツプ１３はバルブ２０を介して排気管１８により
メカニカルブースターポンプ１５及びロータリー
ポンプ１６から成る排気系統１７と連通されてお
り、チエンバー２内のSiH4ガスはこの排気系統
１７により、大気中に排気されるようになつてい
る。
このように構成されるａ−Si感光体の成膜装置
１は、まずチエンバー２内の支持台５に導電性ド
ラム状基板４が取着支持され、バルブ１９，２０
が閉じられる。この状態でチエンバー２内が図示
しないロータリーポンプと拡散ポンプとにより
10-6torrの高真空に引かれた後、バルブ１９を開
かれる。バルブ１９が引かれると、ガス導入管１
０から100〜500SCCMの流量でSiH4ガスがガス
導入管兼対向電極１０ａへ流れ込み、ガス導入管
兼対向電極１０ａの複数の穴１０ｂを通してチエ
ンバー２内へ導入される。この際バルブ２０も開
かれ、このバルブ２０の開きによりメカニカルブ
ースターポンプ１５とロータリーポンプとから成
る排気系統１７の排気力が調節され、チエンバー
２内の圧力が0.01〜1.0torrに保持される。ここで
ガス導入管兼対向電極１０ａに電源３０より
13.56MHzのラジオフリクエンシーパワーが20w
〜5Kw印加されるとガス導入管兼対向電極１０
ａと導電性ドラム状基板４との間にSiH4ガスに
よるプラズマ状態が生じａ−Si感光体の導電性ド
ラム状基板４への成膜が開始される。このとき導
電性ドラム状基板４はヒーター９によつて150℃
〜300℃に保持されており、また導電性ドラム状
基板４の円周方向の温度分布を均一にするため、
導電性ドラム状基板４は駆動モーター８によつて
支持台５ととも回転されている。
１は、まずチエンバー２内の支持台５に導電性ド
ラム状基板４が取着支持され、バルブ１９，２０
が閉じられる。この状態でチエンバー２内が図示
しないロータリーポンプと拡散ポンプとにより
10-6torrの高真空に引かれた後、バルブ１９を開
かれる。バルブ１９が引かれると、ガス導入管１
０から100〜500SCCMの流量でSiH4ガスがガス
導入管兼対向電極１０ａへ流れ込み、ガス導入管
兼対向電極１０ａの複数の穴１０ｂを通してチエ
ンバー２内へ導入される。この際バルブ２０も開
かれ、このバルブ２０の開きによりメカニカルブ
ースターポンプ１５とロータリーポンプとから成
る排気系統１７の排気力が調節され、チエンバー
２内の圧力が0.01〜1.0torrに保持される。ここで
ガス導入管兼対向電極１０ａに電源３０より
13.56MHzのラジオフリクエンシーパワーが20w
〜5Kw印加されるとガス導入管兼対向電極１０
ａと導電性ドラム状基板４との間にSiH4ガスに
よるプラズマ状態が生じａ−Si感光体の導電性ド
ラム状基板４への成膜が開始される。このとき導
電性ドラム状基板４はヒーター９によつて150℃
〜300℃に保持されており、また導電性ドラム状
基板４の円周方向の温度分布を均一にするため、
導電性ドラム状基板４は駆動モーター８によつて
支持台５ととも回転されている。
一方成膜中チエンバー２内には導電性ドラム状
基板４に成膜されるメタリツクなａ−Si以外に
SiH4の重合によつて粉状のSiが生成されるが、
この粉状Siはガス導入管兼対向電極１０ａと導電
性ドラム状基板４との間を重力により落下し、支
持台５の穴６を通り抜け、あるいは穴６と穴６と
の枠上に落下しても支持台１５が回転されている
ために振り落され、排気管１７の傾斜面に至る。
ここで粉状Siは、チエンバー２内のSiH4の廃ガ
スとともに排気系統１７の排気力によりダストト
ラツプ１３内に吸引され、ダストトラツプ１３内
のメツシユ１４により捕獲される。SiH4の廃ガ
スはメツシユ１４を通り抜け、さらにメカニカル
ブースターポンプ１５及びロータリーポンプ１６
を通過し、図示しない燃焼塔及び水シヤワーに通
された後、大気中に排出される。
基板４に成膜されるメタリツクなａ−Si以外に
SiH4の重合によつて粉状のSiが生成されるが、
この粉状Siはガス導入管兼対向電極１０ａと導電
性ドラム状基板４との間を重力により落下し、支
持台５の穴６を通り抜け、あるいは穴６と穴６と
の枠上に落下しても支持台１５が回転されている
ために振り落され、排気管１７の傾斜面に至る。
ここで粉状Siは、チエンバー２内のSiH4の廃ガ
スとともに排気系統１７の排気力によりダストト
ラツプ１３内に吸引され、ダストトラツプ１３内
のメツシユ１４により捕獲される。SiH4の廃ガ
スはメツシユ１４を通り抜け、さらにメカニカル
ブースターポンプ１５及びロータリーポンプ１６
を通過し、図示しない燃焼塔及び水シヤワーに通
された後、大気中に排出される。
このため成膜後、粉末Siはチエンバー２内に残
在せず、ダストトラツプ１３内のメツシユ１４に
捕獲された状態で回収されている。一方ダストト
ラツプ１３内に粉状Siが十分溜つた場合には、メ
ツシユ１４を取り外して交換することにより、ダ
ストトラツプ１３内は容易に清浄できる。
在せず、ダストトラツプ１３内のメツシユ１４に
捕獲された状態で回収されている。一方ダストト
ラツプ１３内に粉状Siが十分溜つた場合には、メ
ツシユ１４を取り外して交換することにより、ダ
ストトラツプ１３内は容易に清浄できる。
このように本実施例によれば、ａ−Si感光体の
成膜中に、チエンバー２内に生成される粉状Siが
効率良くダストトラツプ１３内へ回収され、成膜
後、チエンバー２内に粉状Siが溜ることがない。
またダストトラツプ１３内に粉状Siを捕獲するた
めのメツシユ１４を着脱自在に敷設することによ
り、ダストトラツプ１３内に溜る粉状Siの除去を
容易にすることができる。
成膜中に、チエンバー２内に生成される粉状Siが
効率良くダストトラツプ１３内へ回収され、成膜
後、チエンバー２内に粉状Siが溜ることがない。
またダストトラツプ１３内に粉状Siを捕獲するた
めのメツシユ１４を着脱自在に敷設することによ
り、ダストトラツプ１３内に溜る粉状Siの除去を
容易にすることができる。
なお、本実施例においては、前述したように円
環状のチエンバー台３の周端部において支持台５
が支持固定されており、この支持台５を回転させ
るための駆動モーター８はチエンバー台３の周端
部下方に配設されている。さらに支持台５の大径
円板状部分は扇形の穴を有しており、またチエン
バー台３の開口部は円錐形の排気管１７によりダ
ストトラツプに連通されている。このようにする
とチエンバー２内で生成される粉状Siがダストト
ラツプ１３内へ回収されるまでの通路のスペース
が大きくなり、粉状Siがチエンバー２内の各部に
溜ることなく、スムーズにダストトラツプ１３へ
吸引される。しかしこれらａ−Si感光体の成膜装
置１を構成する部材の配置位置及び形状は本考案
に限るものではなく、また本実施例においては、
支持台５が回転するものであるとしたが、支持台
５が回転しないａ−Si感光体の成膜装置にも、本
考案を適用することができる。
環状のチエンバー台３の周端部において支持台５
が支持固定されており、この支持台５を回転させ
るための駆動モーター８はチエンバー台３の周端
部下方に配設されている。さらに支持台５の大径
円板状部分は扇形の穴を有しており、またチエン
バー台３の開口部は円錐形の排気管１７によりダ
ストトラツプに連通されている。このようにする
とチエンバー２内で生成される粉状Siがダストト
ラツプ１３内へ回収されるまでの通路のスペース
が大きくなり、粉状Siがチエンバー２内の各部に
溜ることなく、スムーズにダストトラツプ１３へ
吸引される。しかしこれらａ−Si感光体の成膜装
置１を構成する部材の配置位置及び形状は本考案
に限るものではなく、また本実施例においては、
支持台５が回転するものであるとしたが、支持台
５が回転しないａ−Si感光体の成膜装置にも、本
考案を適用することができる。
以上説明したように本考案によればアモルフア
スシリコン感光体の成膜中にチエンバー内に生成
される粉状Siを効率良く回収でき、従つて１回の
成膜後ごとにチエンバー内において粉状Siを除去
する必要のない量産性に優れたアモルフアスシリ
コン感光体の成膜装置を提供することができる。
スシリコン感光体の成膜中にチエンバー内に生成
される粉状Siを効率良く回収でき、従つて１回の
成膜後ごとにチエンバー内において粉状Siを除去
する必要のない量産性に優れたアモルフアスシリ
コン感光体の成膜装置を提供することができる。
第１図は本考案の一実施例を示す断面側面図、
第２図は同例を示す断面平面図、第３図は同例の
要部を示す平面図である。 １……アモルフアスシリコン感光体の成膜装
置、２……チエンバー、１２，１８……排気管、
１３……ダストトラツプ、１４……メツシユ、１
５……メカニカルブースターポンプ、１６……ロ
ータリーポンプ、１７……排気系統。
第２図は同例を示す断面平面図、第３図は同例の
要部を示す平面図である。 １……アモルフアスシリコン感光体の成膜装
置、２……チエンバー、１２，１８……排気管、
１３……ダストトラツプ、１４……メツシユ、１
５……メカニカルブースターポンプ、１６……ロ
ータリーポンプ、１７……排気系統。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) チエンバー内で少なくともSiを含む材料ガス
のプラズマ状態を用いて基体にアモルフアスシ
リコン感光体を成膜するアモルフアスシリコン
感光体の成膜装置において、 前記チエンバーに前記材料ガスを導入するガ
ス導入手段と、 前記成膜の過程で生じる廃ガスを含む気体の
排出を行う排気系統と、 この排気系統により排気される気体の流路中
に設けられ、前記廃ガスを通過させると共に前
記チエンバー内に生成される粉状Siを捕獲回収
する捕獲手段を具備してなることを特徴とする
アモルフアスシリコン感光体の成膜装置。 (2) 捕獲手段は、着脱自在なメツシユで構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のアモルフアスシリコン感光体の成膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8874782U JPS58192943U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8874782U JPS58192943U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192943U JPS58192943U (ja) | 1983-12-22 |
| JPH017728Y2 true JPH017728Y2 (ja) | 1989-03-01 |
Family
ID=30097407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8874782U Granted JPS58192943U (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192943U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889944A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS58100671A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Canon Inc | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
| JPS58109132A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-29 | Canon Inc | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP8874782U patent/JPS58192943U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58192943U (ja) | 1983-12-22 |
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