JPS5998519A - バレル型気相成長装置用サセプタ - Google Patents
バレル型気相成長装置用サセプタInfo
- Publication number
- JPS5998519A JPS5998519A JP57206896A JP20689682A JPS5998519A JP S5998519 A JPS5998519 A JP S5998519A JP 57206896 A JP57206896 A JP 57206896A JP 20689682 A JP20689682 A JP 20689682A JP S5998519 A JPS5998519 A JP S5998519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- quartz
- plate
- vapor growth
- bottom plate
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3408—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はバレル型気相成長装置用サセプタに関するも
のである。
のである。
［発明の技術的背景］
半導体ウェハの表面に気相成長層を形成させる装置とし
て従来、横型気相成長装置、縦型気相成長装置及びバレ
ル型気相成長装置が使用されてきた。
て従来、横型気相成長装置、縦型気相成長装置及びバレ
ル型気相成長装置が使用されてきた。
このうち、バレル型気相成長装置は低圧で操業でき、か
つ量産に最も適しているので、今後も更に広く使用され
ると考えられるが、該装置にも以下のごとき問題点があ
り、この解決が必要とされていた。
つ量産に最も適しているので、今後も更に広く使用され
ると考えられるが、該装置にも以下のごとき問題点があ
り、この解決が必要とされていた。
［費用技術の問題点］
第１図は公知のバレル型気相成長装置の概略図であり、
同図において１は石英製のベルジャ寸なわち反応炉、２
は該反応炉の蓋、３はガス供給口４はガスＩＪＩ出口、
５はシール材、６は５ｉＣ（またはカーボン）製のサセ
プタ、７ Ｉ、を該サセプタ６を回転さけるための回転
軸、８はりけブタ６を加熱するためのハロゲンランプで
ある。
同図において１は石英製のベルジャ寸なわち反応炉、２
は該反応炉の蓋、３はガス供給口４はガスＩＪＩ出口、
５はシール材、６は５ｉＣ（またはカーボン）製のサセ
プタ、７ Ｉ、を該サセプタ６を回転さけるための回転
軸、８はりけブタ６を加熱するためのハロゲンランプで
ある。
このような構造の公知の気相成長装置において、半導体
ウェハＷは多面体１ナセプタ６の表面にもたせかけられ
た状態で該反応炉１内で気相成長が行われるがこの装置
においては、（１）サセプタ６が微小なピンホールを内
ＲＴる５ｉｃ（またはカーボン）で作られているため不
純物吸着性があり、温度上昇するとピンホールから不純
物が出て基板を汚し、従ってａ濃度（すなわち低抵抗）
の気相成長を行った後に低濃度（すなわち高抵抗）の気
相成長を行うことができない（換言すれば気相成長層の
抵抗のコントロールが特に高抵抗の場合に難かしい）、
（Ｕ）Ｓｔ Ｃは熱容量が大きいので加熱中にサセプタ
６の温度はほとんど上昇せず、特にサセプタ両端の温度
が低いｌ〔め両端のランプ入力を大きくする必要があり
、従ってランプガ加熱されて損傷しやすい、（ｆｉｒ）
また、サセプタ６の上部の温度が特に低いのでシリコン
等が付着しやスフ、従って半導体ウェハにマウンドが発
生しやすく、転位の発生が少ないランプ加熱方式の利点
が完全に発揮できない、（ｒＶ）微小なピンホールを内
蔵するＳｉＣでサセプタ６が作られているため、サセプ
タが汚れていても洗浄することができない（洗浄時に洗
浄液がピンホール中に侵入するため）、等の問題点があ
った。
ウェハＷは多面体１ナセプタ６の表面にもたせかけられ
た状態で該反応炉１内で気相成長が行われるがこの装置
においては、（１）サセプタ６が微小なピンホールを内
ＲＴる５ｉｃ（またはカーボン）で作られているため不
純物吸着性があり、温度上昇するとピンホールから不純
物が出て基板を汚し、従ってａ濃度（すなわち低抵抗）
の気相成長を行った後に低濃度（すなわち高抵抗）の気
相成長を行うことができない（換言すれば気相成長層の
抵抗のコントロールが特に高抵抗の場合に難かしい）、
（Ｕ）Ｓｔ Ｃは熱容量が大きいので加熱中にサセプタ
６の温度はほとんど上昇せず、特にサセプタ両端の温度
が低いｌ〔め両端のランプ入力を大きくする必要があり
、従ってランプガ加熱されて損傷しやすい、（ｆｉｒ）
また、サセプタ６の上部の温度が特に低いのでシリコン
等が付着しやスフ、従って半導体ウェハにマウンドが発
生しやすく、転位の発生が少ないランプ加熱方式の利点
が完全に発揮できない、（ｒＶ）微小なピンホールを内
蔵するＳｉＣでサセプタ６が作られているため、サセプ
タが汚れていても洗浄することができない（洗浄時に洗
浄液がピンホール中に侵入するため）、等の問題点があ
った。
［発明の目的］
この発明は前記のごとき問題点が主とし゛Ｃサセプタに
存することに注目してなされたものであり、それ故、こ
の発明の目的は前記問題点を生ずることのないサセプタ
を提供することであり、特に、バレル型気相成長装置用
サセプタを提供することにある。
存することに注目してなされたものであり、それ故、こ
の発明の目的は前記問題点を生ずることのないサセプタ
を提供することであり、特に、バレル型気相成長装置用
サセプタを提供することにある。
ｌＲ明の［ｉｌ
この発明は、特許請求の範囲に記ｊ６！ ｌ）だように
、少なくとも半導体ウェハを支持する部分が石英で構成
されていることを特徴とするサセプタを提供するもので
ある。
、少なくとも半導体ウェハを支持する部分が石英で構成
されていることを特徴とするサセプタを提供するもので
ある。
［発明の実施例］
双子に第２図及び第３図を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第２図に示した本発明の第一実施例ではサセプタがフレ
ーム９とつ］−ハ支持板１０とから構成されでおり、少
なくともウェハ支持板１０が石英で構成されていること
を特徴とする。石英はよく知られているように、微小な
ピンホール等を内蔵しておらずまた熱容量もＳｉＣより
小さいため、ウェハ支持板１０を石英で構成した場合、
サセプタ表面に不純物などの吸着が起こらず、また、ラ
ンプ加熱方式であっても加熱中のナセプタ表面温度を比
較的均一に上昇させることができる。
ーム９とつ］−ハ支持板１０とから構成されでおり、少
なくともウェハ支持板１０が石英で構成されていること
を特徴とする。石英はよく知られているように、微小な
ピンホール等を内蔵しておらずまた熱容量もＳｉＣより
小さいため、ウェハ支持板１０を石英で構成した場合、
サセプタ表面に不純物などの吸着が起こらず、また、ラ
ンプ加熱方式であっても加熱中のナセプタ表面温度を比
較的均一に上昇させることができる。
第２図の実施例では、フレーム９が天板９ａ。
底板９ｂ及び支社９Ｃの三部分から構成されており、天
板９ａ及び底板９ｂの外周面には突起９ｄが形成されて
いる。また、天板９ａ及び底板９ｂの該外周面に取り付
けられるウェハ支持板１０には該突起９ｄをそれぞれ挿
入づ′るための穴１０ａがその上下両端部にＱされてい
る。このフレーム９は全体が石英製であってもよいが、
特に熱容量が大きい天板９ａ及び底板９ｂのみを石英製
にしてもよい。
板９ａ及び底板９ｂの外周面には突起９ｄが形成されて
いる。また、天板９ａ及び底板９ｂの該外周面に取り付
けられるウェハ支持板１０には該突起９ｄをそれぞれ挿
入づ′るための穴１０ａがその上下両端部にＱされてい
る。このフレーム９は全体が石英製であってもよいが、
特に熱容量が大きい天板９ａ及び底板９ｂのみを石英製
にしてもよい。
第３図の実施例は、天板及び底板並びに支柱部分が一体
化されたフレーム１１を示しており、このフレーム１１
に対して第２図（ｈ ）に示した石英製のウェハ支持板
１０を取り伺けることにより本発明の第二実施例のサセ
プタが形成される。このフレーム１１にも第２図（ａ
）に示したフレーｌｘ ９と同様に、その天板部分の外
周面及び底板部分の外周面に突起１１ａが形成され、該
突起１１ａはサセプタ組立時にウェハ支持板１０の穴１
０ａに挿入される。
化されたフレーム１１を示しており、このフレーム１１
に対して第２図（ｈ ）に示した石英製のウェハ支持板
１０を取り伺けることにより本発明の第二実施例のサセ
プタが形成される。このフレーム１１にも第２図（ａ
）に示したフレーｌｘ ９と同様に、その天板部分の外
周面及び底板部分の外周面に突起１１ａが形成され、該
突起１１ａはサセプタ組立時にウェハ支持板１０の穴１
０ａに挿入される。
第３図に示すフレーム１１は一体型であるため、全体を
石英で構成することが望ましい。
石英で構成することが望ましい。
−′５−
（発明の効果コ
この発明によるサセプタは少なくともウニＡ支持部分が
石英で構成されているため、従って、（ａ）サセプタに
不純物吸着性が全くな（＋）ｉｌｌ＼もしくは非常に少
ないため高濃度低抵抗気相成長に続いて低濃度高抵抗気
相成長を行うことができるので高抵抗気相成長製造工程
における歩留りが向」−する、（ｂ ）半導体ウェハに
マウンドなどの欠陥を生ずる恐れが少なくなり、チップ
歩留りが＋＃Ｊ−Ｌする、（Ｃ）サセプタが汚れた場合
には洗浄することができるのでサレプタ準備数が少なく
てづみ、設備コストが低下する等の種々の利点が得られ
る。
石英で構成されているため、従って、（ａ）サセプタに
不純物吸着性が全くな（＋）ｉｌｌ＼もしくは非常に少
ないため高濃度低抵抗気相成長に続いて低濃度高抵抗気
相成長を行うことができるので高抵抗気相成長製造工程
における歩留りが向」−する、（ｂ ）半導体ウェハに
マウンドなどの欠陥を生ずる恐れが少なくなり、チップ
歩留りが＋＃Ｊ−Ｌする、（Ｃ）サセプタが汚れた場合
には洗浄することができるのでサレプタ準備数が少なく
てづみ、設備コストが低下する等の種々の利点が得られ
る。
第１図は公知のサセプタを使用して構成された公知のバ
レル型気相成長装置の概略図、第２図（ａ）は本発明の
第一実施例のサセプタのフレーム部分を示す斜視図、第
２図（ｂ）４よ第２図（ａ ）のフレーム部分に着脱可
能に取り付けられるウェハ支持板の正面図、第３図は本
発明の第二実施例６− のフレーム部分の斜視図である。 １・・・反応炉、２・・・蓋、３・・・ガス供給口、４
・・・ガス排出口、５・・・シール材、６・・・サセプ
タ、７・・・回転軸、８・・・ハロゲンランプ、９，１
１・・・（本発明サセプタの）フレーム、１０・・・ウ
ェハ支持板。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士 諸１）英ニ ア− 第１図
レル型気相成長装置の概略図、第２図（ａ）は本発明の
第一実施例のサセプタのフレーム部分を示す斜視図、第
２図（ｂ）４よ第２図（ａ ）のフレーム部分に着脱可
能に取り付けられるウェハ支持板の正面図、第３図は本
発明の第二実施例６− のフレーム部分の斜視図である。 １・・・反応炉、２・・・蓋、３・・・ガス供給口、４
・・・ガス排出口、５・・・シール材、６・・・サセプ
タ、７・・・回転軸、８・・・ハロゲンランプ、９，１
１・・・（本発明サセプタの）フレーム、１０・・・ウ
ェハ支持板。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 代理人 弁理士 諸１）英ニ ア− 第１図
Claims (1)
- １ 少なくとも半導体ウェハを支持する部分が石英で構
成されていることを特徴とするバレル型気相成長装置用
サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206896A JPS5998519A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | バレル型気相成長装置用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57206896A JPS5998519A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | バレル型気相成長装置用サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998519A true JPS5998519A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16530848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57206896A Pending JPS5998519A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | バレル型気相成長装置用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998519A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62189726A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体気相成長用サセプタ |
| WO2005031044A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Lpe Spa | Susceptor for induction-heated epitaxial reactors |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57206896A patent/JPS5998519A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62189726A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体気相成長用サセプタ |
| WO2005031044A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Lpe Spa | Susceptor for induction-heated epitaxial reactors |
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