JPH0178928U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の要部構成説明図、
第２図は第１図の製作説明図、第３図は本考案の
別の実施例の要部構成説明図、第４図は本考案の
他の実施例の要部構成説明図、第５図は従来より
一般に使用されている従来例の構成説明図である
。 １……センサアセンブリ、１１……センサチツ
プ、１１１……感圧部、１１１１……薄肉起歪部
、１１１２……ゲージ、１１１３……アンプ部、
３……アンプチツプ、３１……リード、４……基
板部、４１……基板、４１１……導圧孔、４２…
…金属薄膜、４３……ガラス薄膜、５１……ガラ
ス層、５２……シリコンチツプ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 測定圧力を受けて応力を発生する薄肉起歪部と
   該薄肉起歪部の表面近くに熱拡散あるいはイオン
   注入により作成されたゲージとよりなる感圧部を
   備える半導体からなるセンサチツプと、該センサ
   チツプに近接して設けられ前記ゲージの出力信号
   を増幅するアンプチツプと、該アンプチツプと前
   記センサチツプと熱膨張係数が近くセラミツクス
   よりなる基板と該基板の一面に設けられた金属薄
   膜と該金属薄膜表面に形成されたガラス薄膜とか
   らなり該ガラス薄膜を介して前記センサチツプと
   前記アンプチツプとに陽極接合により接合される
   基板部とを具備してなる半導体圧力センサ。