JPH01793A - 回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、画像認識機能を有するワイヤボンダを使用し
て回路基板±の厚膜導体にワイヤボンディングを行う方
法に関する。

〔従来の技術とその問題点〕

厚膜ハイブリッドＩＣに３いては、回路基板上の厚膜導
体から成るポンディングパッドと外部リード等との間が
ＡＩ線やＡｕ線から成るワイヤで接線されている。この
ワイヤボンディングを行うに当り、最近では、画像認識
機能によジボンデイング位置を自動的に決定してワイヤ
ボンディングを行う自動ワイヤボンダを使用することが
多くなっている。

自動ワイヤホンダにおける画像認識では一般的に、２値
化された画像データが取扱われ、パターンマツチングの
手法で回路基板上の所定位置を決定し、この位置からホ
ーンディング位置を算出する。

パターンマツチングでは、ＴＶカメラから取入れたアナ
ログ画像データを２値化画像データに変換し、予め設定
してぢく標準パターン（２値化画像データ）と比絞し、
所定の合致率（マツチング率）に達したところで所定位
置を認識できたものとする。

ところで、白色のＡｌ２０３（アルミナ）セラミック基
板の上にＡｇ　（銀）　−Ｐｄ　（パラジウム）系厚膜
導体、Ｉ（、ＬＩ０２　（酸化ルテニウム）系厚膜抵抗
及びガラス膜（絶縁体）を別々にスクリーン印刷して厚
膜回路を形成した標準的な厚膜ハイブリッドＩＣをＴＶ
左カメラとらえた場合に、導体が最も明るく、セラミッ
ク基板は導体よりも暗く、抵抗・ガラス膜はセラミック
基板よりも暗くなる。そこで、アナログ画像データを導
体を［白ｊ、他を「黒Ｊとなるように２値化のしきい値
を設定して２値化画像データに変換すれば、導体パター
ンを「白」パターンとしてとらえることができることに
なり、導体の一部であるポンディングパッドへのワイヤ
ボンディングを行う上で好都合である。しかし実際には
、導体とセラミック基板の明るさに大きな差がないため
、導体が確実に「白Ｊとなろようにしきい値を設定する
と、「黒Ｊとなるべきセラミック基板の一部が不規則に
「白Ｊに反転する。セラミック基板の方が確実に「黒Ｊ
となるようにしきい値を選ぶと、［白Ｊとなるべき導体
の一部が不規則に「白Ｊに反転する。このたぬ、導体と
セラミック基板の明るさの差を利用した画像認識では、
従来、高い認識率を得ることができなかった。

そこで従来は、アナログ画像におけるガラス膜又は抵抗
と導体の明るさの差を利用して画像認識するのが一般的
である。第６図囚■）はその代表的な例を示すもので、
セラミック基板１の上に、正方形状のガラス膜又は抵抗
２を印刷・焼成し、この上に十字形状の導体３を印刷・
焼成して、画像認識専用標識４を形成している。導体３
ば、ガラス膜又は抵抗２の下地に対しては確実に［白Ｊ
となるように２値化できる。従って、導体３に対応する
十字形の「白Ｊパターンをパターンマツチングのたぬの
特徴図形として、高い認識率で画像認識（導体３の位置
の決定）できろ。しかしながら、導体の印刷に先立って
ガラス膜又は抵抗の印刷を行うことは標準的な手１順て
・けないので、ガラス膜又は抵抗２の印刷・焼成工程が
追加されることになり、製造コストアップを招いてしま
う。

第６し１の正方形状のガラス膜又は抵抗２０部分を導体
とし、十字形状の導体３の部分をガラス膜又は抵抗とし
て、このガラス膜又は抵抗に対応する十字形の「黒Ｊパ
ターンを画像認識するようにしてもよい。この場合、導
体の印刷の後にガラス膜又は抵抗の印刷を行う標準的な
手順の中で画像認識用標識を形成することができるので
、印刷・焼成工程の追加になることはない。しかしなが
ら、導体の一部であるポンディングパッドにワイヤボン
ディングするたぬにガラス膜又は抵抗のパターンを利用
することになり、導体印刷とガラス膜印刷又は抵抗印刷
の間の印刷ずれがそのままボンディング位置のずれにつ
ながる。従って、ボンディングの位置精度が悪くなって
しまう。また、画像認識専用標識４を形成する場所を確
保する必要が生じるので、配線パターンが高密度化して
くると、高密度化を阻害する要因になったり、パターン
設計の自由度を低下させる。

そこで本発明の目的は１画像認識率が高（、製造コスト
が低く、パターン設計への悪影響が小さく、かつボンデ
ィング位置の位置精度のよい画像認識が可能な画像認識
用領域を形成し、この領域を利用してワイヤボンディン
グを行うことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、セラεツク基板上に厚膜導体を形成し、前記厚膜導
体に対するワイヤボンディング位置を２値化画像データ
による画像認識に基づいて決定し、前記ワイヤボンディ
ング位置にワイヤをボンディングすることｔ含む回路装
置の製造方法において、約０．３５ｍｍ以下の間隔で互
いに対向している第１の部分と第２の部分とを有する厚
膜導体をセラεツク基板上に設け、前記約０．５５ｍｍ
以下の間隔の領域を基準位量決定用セラミック基板表面
として使用し、前記基準位置決定用セラミック基板表面
？含む領域を画像認識により抽出し。

この抽出によって得られた前記基準位置決定用セラミッ
ク基板表面の位置を基準にしてワイヤボンディング位置
を決定してワイヤボンディングすることを特徴とする回
路装置の製造方法に係わるものである。

〔作　用〕

画像認識において、セラミック基板は導体よりも暗いが
、導体に近い明るさを有するために導体を「白」、セラ
ミック基板を［黒Ｊとするように２値化する時に、誤ま
って［白Ｊと認識される恐れがある。しかし、導体の近
傍では、セラミック基板表面が「黒」と認識される。こ
のため、本発明に従う第１及び第２の部分に挾まれた＠
０．３５ｍｍ以下の基準位置決定用セラεツク基板表面
は。

はぼ確実に「黒コと認識され、信頼性の高い基準となり
得る。

〔第１の実施例〕 次に、第１図〜第５図に基づいて本発明の実施例に係わ
るハイブリッドＩＣ及びその製造方法を説明する。完成
したノ・イブリッドＩＣを示す第２図において、１］は
Ｎｉ被覆Ｃｕ板から成る支持板、１２は支持板１１の孔
、１３は外部リード、１・１は厚膜回路装置、１５は厚
膜回路装置１１を被覆するシリコンラバーから成る保護
樹脂、１６はパワートランジスタチップ、１７はシリコ
ン樹脂から成る保護樹脂、１８〜２３はＡ１線から成る
ワイヤ、２４はエポキシ樹脂から成る封止樹脂体、２５
は取付孔である。

第３図は第２図の厚膜回路装置１４の一部を示すもので
ある。厚膜回路装置１４は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とする
セラミック基板３１の上にＡｇ　−Ｉ’ｄ粉末とガラス
粉末とを含む導体ペーストを所定パターンに印刷し、焼
成することによって形成されたＡｇ　−Ｐｄ系厚膜導体
３２，３３％　３４．３５．３６．３７．３８を有し、
更に導体３２と３３との間に■（、ｕ０２系厚膜抵抗３
９を有する。この厚膜抵抗３９は保護ガラス膜４０で被
覆されている。４１はフリップチップ形式のモノリシッ
クＩｃであり、導体３３〜３８の端部にフェイスダウン
ボンディングされている。導体３２〜３８、抵抗３９．
及びガラス膜４０は、この順にスクリーン印刷し、焼成
することによって形成されている。３２ａ。

３３ａ、３４ａはポンディングパッドであって、第２図
に示したワイヤ１８．１９．２１を超音波ワイヤボンデ
ィングする部分である。なＨ１１］図には示されていな
いが、第２図のワイヤ２０．２２．２３を接続するため
のポンディングパッドも勿論ある。ポンディングパッド
３２ａ　、　　３３　ａ　ｂ３４ａに対するワイヤボン
ディングは画像認識機能を有する自動ワイヤボンダで行
う。このワイヤボンディングを゛容易且つ確実に行うた
めに、第３図の導体３２．３３．３４％　３５のパター
ンが本発明に従う特別な形状及び寸法に決定されている
。

部ち、導体３２と導体３３とに３．５ｍｍ以下の狭い間
隔１１、ｊ２が生じる部分が設けられ、筐た導体３４と
導体３５とにも３．５ｍｍ以下の狭い間隔／４゜１５が
生じる部分が設けられている。この狭い間隔！３．１２
．１４、ｊ５の部分の使い方は後で詳しく説明する。

第４図は自動ワイヤボ゛ンダの構成を概念的に示す。こ
の自動ワイヤボンダは、セラミック基板３１を伴なって
いる支持板１１を載置するボンディングステージ６０と
、押開装置６１と、白黒ＴＶ右カメラ２と、ボンディン
グツール６３と、移動機構６４と、画像読取装置６５と
、コンピュータ６６とから成る。移動機構６４は、照明
装置６１゜カメラ６２、ツール６３を支持し、ステージ
ｔ３０に相対的に移動自在であり、周辺装置を伴なって
いるコンピュータ６６の制御に従って目的位置へ移動す
る。

次に、第４図の自動ワイヤボンダによろ両像認識につい
て説明する。まず、ボンディングステージ６０の所定位
置に第２図のハイブリッドＩＣ（但し、ワイヤ１８〜２
３、保護樹脂１５．１７、封止樹脂体２４のない状態の
もの）をセットする。

ＴＶ左カメラ２は、予めの設定により％画像認識により
決定すべき第１の基準点を確実に含む第３図で点線で囲
んで示す第１の領域４２を写し出す。

そしてこのアナログ画像データは５画像読取装置６５に
２いて、Ａ−Ｄ変換されて２５６階調のデジタル画像デ
ータに変換され、更に所定のしきい値によって２値化さ
れて２値化画像データとして画像読取装置６５内のメモ
リに入力される。

第１図囚は、第１の領域４２の２値化画像４３を模式的
に示すものである。導体３２．３３はほぼ確実に［白ｊ
画素となるようにしきい値が設定さｎている。このとき
、導体３２．３３０周辺（０，１５ｍｍ強程度離れたと
ころまで）はほぼ確実に「黒ｊ画素となる（図では黒く
塗りつぶしている）。この理由は必ずしも明確ではない
が、次のように考えられる。導体にはセラミック基板と
の接着力を強化するだめのガラス成分が含まれている。

このガラス成分が、目視ではわからない程度であるが、
印刷及び焼成を通して導体から周辺にしみ出す。このガ
ラス成分がしみ出した領域は、ガラス膜の性質が効いて
％　２値化するとガラス膜と同様にほぼ確実に「黒Ｊ画
素になる。これに対して、導体３２．３３から離れたセ
ラミック基板３１０表面（斜線を付して示す）は、光の
不規則な表面反射によって確実には「黒」画素とならず
。

不規則に「白Ｊ画素が混じろ。導体３３のポンディング
パッド部３．３３とこれに対向する導体３２０間隔は、
／１＝７２＝０．３ｍｍと狭めである。このため１間隔
／Ｉｂ／２の部分に露出する「２」形状のセラミック基
板表面４４は、はぼ確実に「黒」画素となる。コンピュ
ータ６６のメモリには、第１図０３１に示す第１標単パ
ターン４５が比較用の２値化画像データとして予め設定
されている。コンピュータ６６はパターンマツチングの
ための所定の手順に基づいて画素演算を行い、第１図（
４）の２値化画像４３の中から第１標準パターン４５と
合致する領域４６を見つけ出す（所定の合致率以上とな
る領域を見出したとき、一致したものと見なす）。領域
４６は、セラミック基板表面４４の端部を除く主要部を
含んでいる。こうしてボンディングステージ上に３ける
導体パターンの第１の基準点（例えば領域４６の中心点
）の位置Ｃｘ５ｙ座標）が正確に決定される。

次に、ＴＶカメラ６２は予めの設定により、第２の基準
点を確実に含む第３図で点線で囲んで示す第２の領域４
７を写し出し、上述と同様に２値化画像データが画像読
取装置６５のメモリに入力される。第１図（Ｃ）は、第
２の領域４７の２値化画像４８を模式的に示すもので、
第１図囚と同様である。導体３４の横方向に走る部分は
、　１３＝０．４５ｍｍの間隔で導体３５と並行してい
る。ただし、導体３５に形成した突出ｇＡｓ　３５　ａ
により、ポンディングパッド３４ａに隣接する角部近傍
にＨいて。

導体３４の横方向に走る部分は導体３５と／４＝０．３
ｍｍの間隔に狭ぬられている。ポンディングパッド３４
ａと導体３５０間隔も１５＝　０　、３　ｍｍと狭めら
れている。このため１間隔１４．１５の部分に露出する
「＋：ｉ］ｊ形状のセラミック基板表面４９は、はぼ確
実に１黒Ｊ画素となる。コンピュータ６６のメモリには
、第１図０に示す第２標単パターン５０が比殻用の２値
化画像データとして予め設定されている。そして、上述
と同様に、コンピュータによるパターンマツチングによ
り第２標準パターン５０と合致する領域５１が見つけ出
される。

領域５１は、セラミック基板表面４９の端部を除く主要
部を含んでいる。こうして、第１の基準点と同様の方法
により、ボンディングステージ上における導体パターン
の第２の基準点（例えば領域５１の中心点）の位置が正
確に決定される。

第１．第２の基準点の位置が決定されると、導体パター
ンの位置が決定されたことになり、導体パターン中のボ
ンディングパラ）”（３２ａ、３３ａ、３４ａ１その他
図示しないもの）の中心位置は、予め設定しであるパタ
ーン設計上の位置関係から相対的に算出及び決定され、
コンピュータ６６のメモリにボンディング位置データと
して入力される。また、外部リード１３への、ボンディ
ング位置は、決定された導体パターンの位置から相対的
に算出及び決定され、コンピュータ６６にボンディング
位置データとしてメモリされる。外部リード１３へのボ
ンディング位置け、支持板１１に対する導体パターンの
位置のバラツキの影響を受けて精度が低い。しかし、外
部リード１３のボンディングパッド部分は導体パターン
中のホ゛ンディングパツド３２ａｂ　　３３ａ、３４ａ
等と比べると十分に大面積であるから、実用上問題は生
じない。

勿論、外部リード１３へのボンディング位置も画像認識
で決定するようにしてもよい。また、パワートランジス
タチップ１６へのボンディング位置（２点）をチップパ
ターンを利用した画像認識（詳細省略）により決定し、
コンピュータ６６のメモリにボンディング位置データと
して入力する。

こうして全てのボンディング位置が決定された時点で、
コンピュータ６６は、ボンディング位置のデータを参照
しつつ所定の超音波ワイヤボンディング動作を行う指令
を出し、第５図あるいは第２因に示すようにワイヤ１８
〜２３のボンディングが行われる。

この自動ワイヤボンディングに？いては、０．３５ｍｍ
以下の幅とされたセラミック基板表面４４゜４９をほぼ
確実に「黒ｊ画素できるとともに導体パターンをほぼ確
実に「白ｊ画素にできることから、従来の第６図に示す
画像認識専用標識４と遜色がない高い画像認識率で良好
なワイヤボンディングを行うことができた。導体パター
ンも画像認識を行わない場合に対して微かな変更を力り
えるだけでよいし、印刷及び焼成の工程が追加されるこ
ともない。

なＨ１重量部３５ａを形成せず、導体３４．３５の横方
向に並行に走っている部分全体を／３−０．３ｍｍとな
るように形成しても、領域５１の画像認識は良好に行え
る。しかし、導体間の間隔が狭い所が長いと、導体間短
絡等が起こり憂いために製造歩留りが低下する原因とな
る。従って１間隔！、、１２．１４．１５０部分の長さ
は、必要最小限に留めるべきである。実用的には、導体
３３．３５の屈曲点５２．５３からそれぞれ導体３３．
３５に沿った長さで見るとき１間隔／、、１２．１４．
１５の部分の長さは、それぞれ／、〜４／、、／２〜４
／２、！４〜４／＜ｂｌｓ〜４１５即ち各間隔の１〜４
倍の範囲が望ましい。間隔’Ｉｂ　’２−　’４−　’
５も必要以上に小さくするべきではなく、（’１％　’
２、／４．１５）−０，２〜０．３５ｍｍの範囲に設定
するのが望ましい。

〔第２の実施例〕 次に１本発明の第２の実施例を第７図及び第８図によっ
て説明する。但し、第２の実施例を示す第７図及び第８
因、後述する第３の実施例を示す第９図及び第１０図、
更に変形例を示す第１１図及び第１２図において、第１
図〜第４図と実質的に同一の部分には同一の符号を付し
てその説明を省略する。

第７図に示す第２の実施例の厚膜回路装置１４ａは第３
図に示す第１の実施例の厚膜回路装置１４に比べて、導
体ペーストの非印刷領域から成る第１及び第２の基準位
置決定用セラミック基板表面４４ａ及び４９ａの形成位
置とパターンのみが異なっている。第７図の基準位置決
定用セラミック基板表面４４ａは単一のＡｇ　−Ｐｄ系
配線用厚膜導体３２０幅広部分の中に十字状に配設され
ている。この基準位置決定用土うばツク基板表面４４ａ
の縦に延びる部分の幅１７及び横に延びる部分の幅１８
は０．３５ｍｍ以下の約０．３ｍｍである。この基準位
置決定用セラミック基板表面４４ａの縦に延びる部分は
厚膜導体から成る第１及び第２の部分によって挾まれて
おり、基準位置決定用セラミック基板表面４ｄａの横に
延びる部分は厚膜導体から成る第３及び第４の部分に挾
まれている。厚膜導体の第１の部分と第２の部分の間の
幅１６の部分は第３図の幅１２の部分と同一に働き、厚
膜導体の第３の部分と第４の部分の間の幅１７の部分は
第３図の幅１１の部分と同一に働く。第２の基準位置決
定用セラシック基板表面４９ａも、第１の基準位置決定
用セラミック基板表面４ｄａと同様に十字状に形成され
１幅Ｉ８を有して縦方向に延びる部分と幅１９を有して
横方向に延びる部分とから成り。

単一のＡｇ　−Ｐｄ系配線用厚膜導体３５の幅広部の中
に設けられている。

第７図の厚膜回路装置１４ａにおける自動ワイヤボンダ
による画像認識も第１の実施例と同様に行われる。即ち
、第７図で泊で囲んで示す第１の領域４２ａを方メラに
写し出すことによって第８図（４）に模式的に示す２値
化画像１１５ａを得る。この時、厚膜導体６２は確実に
「白Ｊ画素となるが、＠＋ｓ、＋７が０．３ｍｍの導体
ペースト非団刷部分から成る基準位置決定用セラミック
基板表面４ｄａは「黒」画素となる。そこで、第８図Ｃ
Ｂ）に示す第１標準パターン１１５ａと合致する領域４
６ａを見つけ出し、第１の基準点を決定する。次に、第
２の領域４７ａも同様にカメラに写し出し、第８図（Ｂ
）ＶＣ２値化画像４８ａを得る。この時も十字状の第２
の基準位置決定用セラばツク基板表面４９ａが「黒コ画
素となる。そこで、第８図０に示す第２標準パターン５
０ａと合致する領域４８ａを見つけ出し、第１の基準点
を決定する。なお、第２の実施例におけるワイヤボンデ
ィングは、基準位置決定用セラミック基板表面４４ａ、
４９ａの形状と形成位置が異なる点を除いては第１の実
施例と全（同一に行われる。従って、第２の実施例は第
１の実施例と同様な作用効果を有する。更に。

第２の実施例では１つの配線用厚膜導体６２．６５の中
に導体ペーストの非印刷領域を設けて基準位置決定用ヤ
ラミック基板表面４４ａ、４９ａとしているので、第１
の実施例のように別の配線用厚膜導体との間の間隔を狭
くすることが不要になり、配線用厚膜導体相互間の耐圧
低下を招くおそれがない。

なお、基準位置決定用セラミック基板表面４４ａ、４９
ａを囲む部分に電流を流丁ことができるので、配線用厚
膜導体３２．３５の中に基準位置決定用セラζツク基板
表面４４ａ、ｄ９ａを設けることによって回路装置がさ
ほど大型にならない。

〔第６の実施例〕 第９図及び第１０図は本発明の第３の実施例を示す。こ
の第３の実施例は基準位置決定用セラミック基板表面ｄ
４ｂ、４９ｂをＬ字形にし、た点を除いては第２の実施
例と同一である。この第６の実施例においては、基準位
置決定用セラミック基板表面４４ｂ、４９ｂが厚膜導体
３２．３５の中に幅１１０・　Ｉｌｌ・１１２・　１１
３を有するように設けられている。１１０〜１】３はそ
れぞれ０．３５ｍｒｒｌＪ下の０．３０ｍｍに設定され
ているので、第１及び第２の領域４２ｂ、４７ｂを第１
の実施例と同様にテレビカメラでとらえ１画像認識する
と、第１０図（Ａｔ　（Ｃ）に模式的に示す２値化画像
４５ｂ、４８ｂが得られる。即ち、第９図の１１０〜１
１３は「黒」画素となる。そこで、第１０図のノΩに示
す第１及び第２標準パターン４５ｂ、５０ｂｖｃ合致す
る領域４６ｂ、５１ｂを見つけ出し、第１及び第２の基
準点を第１の実施例と同様に決定する。

〔変形例〕

本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。

例えば次の変形が可能なものである。

（１）　　第１１図に示す如くナラεツタ基板３１上の
配線用厚膜導体６２の中に縦方向（一方向）のみに延び
る０、３５　ｍｍ以下の＠１の導体ペースト非印刷領域
から成る基準位置決定用セラミック基板表面４４ｃを設
けてもよい。この場合には点線で囲んだ部分に対応する
標準パターンを用意する。

（２）第１２図に示す配線用厚膜導体６２のポンディン
グパッド３２ａと厚膜導体３３のボンデイングバソド３
３ａとの間に一方向にのみ廷びる０、３５ｍｍ以下の幅
ｌの導体ペースト非印刷領域ρ・ら成る基準位置決定用
セラミック基板表面４４ｄを設けてもよい。この場合に
も点線で囲んだ部分に対応する標準パターンを用意する
。

ｆ３＋　　１６〜１１３及び１も０．２〜０．３５ｍｍ
の範囲にすることが基準パターンを明確に得るために好
ましい。

（４１配線用厚膜導体に対向させて電気的接続に無関係
の厚膜導体を設け、これ等の間を幅０．３５ｍｍ以下の
導体ペースト非印刷領域とし、これを基準位置決定用セ
ラミック基板表面として使用してもよい。

〔発明の効果〕

上述から明らかな如く、本発明は次の効果を有する０ （１１ガラス膜又は抵抗の上に導体から成る画像認識専
用標識を形成する従来の場合と遜色のない良好な画像認
識（高い画像認識率と高いボンディング位置精度）が可
能になる。

（２）画像認識専用の厚膜を印刷及び焼成工程で形成す
ることが不要になり１回路装置の低コスト化が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係わる画像認識のパターンを
模式的に示す図であり、因は第１の領域を示し、■は第
１の標準パターンを示し、０は第２の領域を示し−（［
１は第２の標準パターンを示す図、 第２図はハイブリッドＩＣを示す平面図。 第６図は厚膜回路装置の一部を示す平面図。 第４図は自動ワイヤボンダを概略的に示すブロック図。 第５図はワイヤをボンディングした後の厚膜回路装置を
示す平面図。 第６図面は従来の画像認識専用標識を示す平面図、 第６図ω）は第６図面の標識のＢ−Ｂ線断面図。 第７図は第２の実施例の厚膜回路装置の一部を示す平面
図。 第８図は第１図に対応させて第２の実施例における画像
認識パターンを模式的に示す因、第９図は第６の実施例
の厚膜回路装置の一部を示す平面図、 第１０図は第１図に対応させて第３の実施例における画
像認識パターンを模式的に示す図。 第１１図及び第１２図は変形例の厚膜回路装置の一部を
示す平面図である。 ６１・・・ヤラビツク基板、３２〜３８・・・厚膜導体
。 ４２・・・第１の領域、４４・・・基準位置決定用セラ
ミック基板表面、４５・・・第１の標準パターン。 代　　理　　人　　　高　　野　　則　　次第３図 第５図 第６図 第７図 第１０図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック基板上に厚膜導体を形成し、前記厚膜
   導体に対するワイヤボンディング位置を２値化画像デー
   タによる画像認識に基づいて決定し、前記ワイヤボンデ
   ィング位置にワイヤをボンディングすることを含む回路
   装置の製造方法において、約０．３５ｍｍ以下の間隔で
   互いに対向している第１の部分と第２の部分とを有する
   厚膜導体をセラミック基板上に設け、前記約０．３５ｍ
   ｍ以下の間隔の領域を基準位置決定用セラミック基板表
   面として使用し、前記基準位置決定用セラミック基板表
   面を含む領域を画像認識により抽出し、この抽出によつ
   て得られた前記基準位置決定用セラミック基板表面の位
   置を基準にしてワイヤボンディング位置を決定してワイ
   ヤボンディングすることを特徴とする回路装置の製造方
   法。