JPH0184427U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0184427U JPH0184427U JP1987180246U JP18024687U JPH0184427U JP H0184427 U JPH0184427 U JP H0184427U JP 1987180246 U JP1987180246 U JP 1987180246U JP 18024687 U JP18024687 U JP 18024687U JP H0184427 U JPH0184427 U JP H0184427U
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- JP
- Japan
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- substrate
- chamber
- photoresist
- supply port
- wavelength
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図Ａ，Ｂ乃至第４図は本考案装置の実施例
を示し、第１図Ａは断面図、第１図Ｂは同図Ａ内
の一部分（シリコンウエハ）の拡大図、第２図は
同平面図、第３図は同縦断側面図、第４図は同要
部斜視図である。第５図及び第６図はフオトレジ
ストのアツシング特性を示すグラフである。 １……密閉チエンバ、３……テーブル、４……
加工すべき基板、５……紫外線ランプ、７……オ
ゾン供給口。
を示し、第１図Ａは断面図、第１図Ｂは同図Ａ内
の一部分（シリコンウエハ）の拡大図、第２図は
同平面図、第３図は同縦断側面図、第４図は同要
部斜視図である。第５図及び第６図はフオトレジ
ストのアツシング特性を示すグラフである。 １……密閉チエンバ、３……テーブル、４……
加工すべき基板、５……紫外線ランプ、７……オ
ゾン供給口。
Claims (1)
- 密閉チエンバと、該チエンバ内に設けられたテ
ーブルと、該テーブルに載置され表面にフオトレ
ジストを被覆した加工すべき基板と、前記チエン
バ内に上記基板に対向して設けた波長が２５３．
７ｎｍ及び１８４．９ｎｍの遠紫外線を並行照射
する紫外線ランプと、前記基板に近接して対向配
設したオゾン供給口とから成るフオトレジストの
アツシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987180246U JPH0184427U (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987180246U JPH0184427U (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0184427U true JPH0184427U (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=31471767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987180246U Pending JPH0184427U (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0184427U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298729A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 紫外線とオゾンを用いた表面処理装置 |
| JPS62154629A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Chlorine Eng Corp Ltd | 有機物被膜の除去方法 |
| JPS63260132A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS6464323A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Hitachi Ltd | Optical gas ashing device |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP1987180246U patent/JPH0184427U/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298729A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 紫外線とオゾンを用いた表面処理装置 |
| JPS62154629A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Chlorine Eng Corp Ltd | 有機物被膜の除去方法 |
| JPS63260132A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS6464323A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Hitachi Ltd | Optical gas ashing device |