JPH0187560U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0187560U JPH0187560U JP18340487U JP18340487U JPH0187560U JP H0187560 U JPH0187560 U JP H0187560U JP 18340487 U JP18340487 U JP 18340487U JP 18340487 U JP18340487 U JP 18340487U JP H0187560 U JPH0187560 U JP H0187560U
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- JP
- Japan
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- pellet
- emitter
- base
- transistor
- lead wire
- Prior art date
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- Pending
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 47
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
第１図はこの考案によるトランジスタ半導体装
置の内部構造を示す拡大図、第２図は断面図、第
３図は電気接続図、第４図、第５図は従来の上記
トランジスタ半導体装置の平面図と断面図である
。 第１図および第２図において１はトランジスタ
ペレツト、１ａはベース部位、１ｂはエミツタ部
位、１ｃはコレクタ部位、２はベース電極柱、３
はエミツタ電極柱、４はコレクタ電極柱、５はト
ランジスタペレツト１のベース部位１ａとベース
電極柱２を接続するリード線、６はトランジスタ
ペレツト１のエミツタ部位１ｂとエミツタ電極柱
３を接続するリード線、７はトランジスタペレツ
ト１のコレクタ部位１ｃとコレクタ電極４を接続
するリード線、１０は双方向性ダイオードペレツ
ト、１０ａは上記ダイオードペレツト１０の端部
Ｎ層部位、１０ｂは上記ダイオードペレツト１０
の端部Ｎ層部位１０ａの対向側に位置する端部Ｎ
層部位、１１は双方向性ダイオードペレツト、１
１ａは上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部
位、１１ｂは上記ダイオードペレツト１１の端部
Ｎ層部位１１ａの対向側に位置する端部Ｎ層部位
、１２は双方向性ダイオードペレツト、１２ａは
上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部位、１
２ｂは上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部
位１２ａの対向側に位置する端部Ｎ層部位、１３
は上記ダイオードペレツト１０のＮ層端面部位１
０ａとエミツタ電極柱３を接続するリード線、１
４は上記ダイオードペレツト１０のＮ層端面部位
１０ｂとベース電極柱２を接続するリード線、１
５は上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部位
１１ａとコレクタ電極４を接続するリード線、１
６は上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部位
１１ｂとベース電極柱２を接続するリード線、１
７は上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部位
１２ａとコレクタ電極柱４を接続するリード線、
１８は上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部
位１２ｂとエミツタ電極柱３を接続するリード線
、８は各ペレツト、１，１０，１１，１２と各電
極２，３，４と各リード線５，６，７，１３，１
４，１５，１６，１７，１８を支えるサブマウン
ト、９は上記を密封するカンである。各電極柱２
，３，４はカンを貫通し外部端子として利用する
。図中、２はベース、Ｂ、３はエミツタ、Ｅ、４
はコレクタ、Ｃを示す。 第３図において、ＴＲはトランジスタペレツト
、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は双方向性ダイオードペレツ
ト、Ｂはベース電極柱、Ｅはエミツタ電極柱、Ｃ
はコレクタ電極柱である。 第４図は従来のトランジスタ半導体装置の代表
例で、内部構造の拡大平面図、第５図は第４図の
内部断面図である。第４図及び第５図において、
Ｂはベース、Ｅはエミツタ、Ｃはコレクタ、１は
トランジスタペレツト、１ａは上記ペレツトのベ
ース部位、１ｂは上記ペレツトのエミツタ部位、
１ｃは上記ペレツトのコレクタ部位、２はベース
電極柱、３はエミツタ電極柱、４はコレクタ電極
柱、５は上記ペレツトのベース部位とベース電極
柱を接続したリード線、６は上記ペレツトのエミ
ツタ部位とエミツタ電極柱を接続したリード線、
７は上記ペレツトのコレクタ部位とコレクタ電極
柱を接続したリード線、８はサブマウント、９は
密封用カンである。各電極柱２，３，４はカン９
を貫通して、外部接続用端子として利用する。尚
図中、同一あるいは相当部分には同一符号を示し
てある。
置の内部構造を示す拡大図、第２図は断面図、第
３図は電気接続図、第４図、第５図は従来の上記
トランジスタ半導体装置の平面図と断面図である
。 第１図および第２図において１はトランジスタ
ペレツト、１ａはベース部位、１ｂはエミツタ部
位、１ｃはコレクタ部位、２はベース電極柱、３
はエミツタ電極柱、４はコレクタ電極柱、５はト
ランジスタペレツト１のベース部位１ａとベース
電極柱２を接続するリード線、６はトランジスタ
ペレツト１のエミツタ部位１ｂとエミツタ電極柱
３を接続するリード線、７はトランジスタペレツ
ト１のコレクタ部位１ｃとコレクタ電極４を接続
するリード線、１０は双方向性ダイオードペレツ
ト、１０ａは上記ダイオードペレツト１０の端部
Ｎ層部位、１０ｂは上記ダイオードペレツト１０
の端部Ｎ層部位１０ａの対向側に位置する端部Ｎ
層部位、１１は双方向性ダイオードペレツト、１
１ａは上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部
位、１１ｂは上記ダイオードペレツト１１の端部
Ｎ層部位１１ａの対向側に位置する端部Ｎ層部位
、１２は双方向性ダイオードペレツト、１２ａは
上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部位、１
２ｂは上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部
位１２ａの対向側に位置する端部Ｎ層部位、１３
は上記ダイオードペレツト１０のＮ層端面部位１
０ａとエミツタ電極柱３を接続するリード線、１
４は上記ダイオードペレツト１０のＮ層端面部位
１０ｂとベース電極柱２を接続するリード線、１
５は上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部位
１１ａとコレクタ電極４を接続するリード線、１
６は上記ダイオードペレツト１１の端部Ｎ層部位
１１ｂとベース電極柱２を接続するリード線、１
７は上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部位
１２ａとコレクタ電極柱４を接続するリード線、
１８は上記ダイオードペレツト１２の端部Ｎ層部
位１２ｂとエミツタ電極柱３を接続するリード線
、８は各ペレツト、１，１０，１１，１２と各電
極２，３，４と各リード線５，６，７，１３，１
４，１５，１６，１７，１８を支えるサブマウン
ト、９は上記を密封するカンである。各電極柱２
，３，４はカンを貫通し外部端子として利用する
。図中、２はベース、Ｂ、３はエミツタ、Ｅ、４
はコレクタ、Ｃを示す。 第３図において、ＴＲはトランジスタペレツト
、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は双方向性ダイオードペレツ
ト、Ｂはベース電極柱、Ｅはエミツタ電極柱、Ｃ
はコレクタ電極柱である。 第４図は従来のトランジスタ半導体装置の代表
例で、内部構造の拡大平面図、第５図は第４図の
内部断面図である。第４図及び第５図において、
Ｂはベース、Ｅはエミツタ、Ｃはコレクタ、１は
トランジスタペレツト、１ａは上記ペレツトのベ
ース部位、１ｂは上記ペレツトのエミツタ部位、
１ｃは上記ペレツトのコレクタ部位、２はベース
電極柱、３はエミツタ電極柱、４はコレクタ電極
柱、５は上記ペレツトのベース部位とベース電極
柱を接続したリード線、６は上記ペレツトのエミ
ツタ部位とエミツタ電極柱を接続したリード線、
７は上記ペレツトのコレクタ部位とコレクタ電極
柱を接続したリード線、８はサブマウント、９は
密封用カンである。各電極柱２，３，４はカン９
を貫通して、外部接続用端子として利用する。尚
図中、同一あるいは相当部分には同一符号を示し
てある。
Claims (1)
- シリコンを素材とするトランジスタ半導体装置
内部の構成において、ベース部位、エミツタ部位
並びにコレクタ部位とを有するトランジスタペレ
ツトと、ＮＰＮＰＮなる５層のＰＮ接合構造を有
し、上記トランジスタペレツトのコレクタ部位及
びエミツタ部位間に並列接続された双方向性ダイ
オードペレツトと、上記トランジスタペレツトの
ベース部位及びエミツタ部位間に並列接続された
双方向性ダイオードペレツトと、上記トランジス
タペレツトのベース部位及びコレクタ部位間に並
列接続された双方向性ダイオードペレツトと、ベ
ース電極柱と、エミツタ電極柱とコレクタ電極柱
と、上記トランジスタペレツトのベース部位及び
ベース電極柱を接続するリード線と、上記トラン
ジスタペレツトのエミツタ部位及びエミツタ電極
柱を接続するリード線と、上記トランジスタペレ
ツトのコレクタ部位及びコレクタ電極柱を接続す
るリード線と、ベースエミツタ間を結合する上記
ダイオードペレツトの両端部を形成するＮ層部位
からベース及びエミツタの各々に接続するリード
線と、ベースコレクタ間を結合する上記ダイオー
ドペレツトの両端部を形成するＮ層部位からベー
ス及びコレクタの各々に接続するリード線と、エ
ミツタ間を結合する上記ダイオードペレツトの両
端部を形成するＮ層部位からエミツタ及びコレク
タの各々に接続するリード線と、上記トランジス
タペレツト及び３個の双方向性ダイオードペレツ
ト及び３個の電幾柱、及び９本の上記リード線の
すべてを支えるサブマウント部と上記各部品を密
封するカンよりなることを特徴とするトランジス
タ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18340487U JPH0187560U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18340487U JPH0187560U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0187560U true JPH0187560U (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=31474826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18340487U Pending JPH0187560U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0187560U (ja) |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP18340487U patent/JPH0187560U/ja active Pending
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