JPS6312838U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6312838U JPS6312838U JP1986074848U JP7484886U JPS6312838U JP S6312838 U JPS6312838 U JP S6312838U JP 1986074848 U JP1986074848 U JP 1986074848U JP 7484886 U JP7484886 U JP 7484886U JP S6312838 U JPS6312838 U JP S6312838U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- internal wiring
- bonding pad
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図および第２図は本考案を説明する断面図
および上面図で、第１図は第２図の―線断面
と対応し、第３図および第４図は従来例を説明す
る断面図および上面図で、第３図は第４図の―
線断面と対応している。 主な図番の説明、１は半導体基板、２は第１の
絶縁層、３はポリシリコン層、４はボンデイング
パツド、５は内部配線層、７は第２の絶縁層、９
は第３の絶縁層、１０はボンデイングワイヤーで
ある。
および上面図で、第１図は第２図の―線断面
と対応し、第３図および第４図は従来例を説明す
る断面図および上面図で、第３図は第４図の―
線断面と対応している。 主な図番の説明、１は半導体基板、２は第１の
絶縁層、３はポリシリコン層、４はボンデイング
パツド、５は内部配線層、７は第２の絶縁層、９
は第３の絶縁層、１０はボンデイングワイヤーで
ある。
Claims (1)
- 半導体基板上の第１の絶縁層上に延在される内
部配線層と前記第１の絶縁層上の予定のボンデイ
ングパツド下に設けたポリシリコン層と該ポリシ
リコン層を被覆する第２の絶縁層と該第２の絶縁
層上に設けたボンデイングワイヤーを固着する導
電金属より成るボンデイングパツドと前記内部配
線層を被覆する第３の絶縁層とを具備し、前記ポ
リシリコン層の周端で前記内部配線層を接触させ
、前記ポリシリコン層の中央部で前記ボンデイン
グパツドと接触させることを特徴とする半導体装
置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986074848U JPS6312838U (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986074848U JPS6312838U (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312838U true JPS6312838U (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=30920446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986074848U Pending JPS6312838U (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312838U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065075A1 (en) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP1986074848U patent/JPS6312838U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065075A1 (en) * | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |