JPH0190199U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0190199U JPH0190199U JP18426087U JP18426087U JPH0190199U JP H0190199 U JPH0190199 U JP H0190199U JP 18426087 U JP18426087 U JP 18426087U JP 18426087 U JP18426087 U JP 18426087U JP H0190199 U JPH0190199 U JP H0190199U
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- JP
- Japan
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- load
- mos transistor
- series
- memory circuit
- transistor
- Prior art date
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- Pending
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例を示す回路図、第２図
は従来のフルＭＯＳＦＥＴの場合の回路構成図、
第３図は従来の高抵抗ポリシリコンとＭＯＳＦＥ
Ｔの回路構成図である。 Ｔ９〜Ｔ１２…トランジスタ素子、Ｒ３…高抵
抗ポリシリコン、ｂ…データ線。
は従来のフルＭＯＳＦＥＴの場合の回路構成図、
第３図は従来の高抵抗ポリシリコンとＭＯＳＦＥ
Ｔの回路構成図である。 Ｔ９〜Ｔ１２…トランジスタ素子、Ｒ３…高抵
抗ポリシリコン、ｂ…データ線。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 各セルが、ドライブ用ＭＯＳトランジスタと負
荷との直列回路をクロスカツプル接続してなるメ
モリ回路において、 上記負荷の一方は高抵抗負荷であり、 他方の負荷は直列接続されたＭＯＳトランジス
タに対して相補関係にある逆導電型チヤネルのＭ
ＯＳトランジスタからなることを特徴とするメモ
リ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18426087U JPH0190199U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18426087U JPH0190199U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0190199U true JPH0190199U (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=31475633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18426087U Pending JPH0190199U (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0190199U (ja) |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP18426087U patent/JPH0190199U/ja active Pending
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