JPH0191324U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0191324U JPH0191324U JP18813087U JP18813087U JPH0191324U JP H0191324 U JPH0191324 U JP H0191324U JP 18813087 U JP18813087 U JP 18813087U JP 18813087 U JP18813087 U JP 18813087U JP H0191324 U JPH0191324 U JP H0191324U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave generator
- magnetostatic wave
- substrate
- magnetostatic
- microstrip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
第1図は本考案の静磁波発生体の一実施例を示
す斜視図、第2図は他の実施例を示す斜視図、第
3図は従来の静磁波発生体を示す斜視図、第4図
は静磁波発生装置を用いて作つたVCOのスペク
トルをスペクトラム・アナライザで測定する状態
を示す構成図、第5図は静磁波発生体を電磁石の
磁界中に配置した状態を示す斜視図、第6図は磁
界の強さHと発振周波数の関係を示す図である。 1…静磁波発生体、2…第1の基板、3…YI
G薄膜、4a,4b…マイクロ・ストリツプトラ
ンスジユーサ、11…接地膜、12…第2の基板
。
す斜視図、第2図は他の実施例を示す斜視図、第
3図は従来の静磁波発生体を示す斜視図、第4図
は静磁波発生装置を用いて作つたVCOのスペク
トルをスペクトラム・アナライザで測定する状態
を示す構成図、第5図は静磁波発生体を電磁石の
磁界中に配置した状態を示す斜視図、第6図は磁
界の強さHと発振周波数の関係を示す図である。 1…静磁波発生体、2…第1の基板、3…YI
G薄膜、4a,4b…マイクロ・ストリツプトラ
ンスジユーサ、11…接地膜、12…第2の基板
。
Claims (1)
- 静磁波発生体を磁界中に配置することにより前
記静磁波発生体に形成されたマイクロストリツプ
・トランスジユーサ間に静磁波を発生させる静磁
波発生装置において、前記静磁波発生体は一方の
面にYIG薄膜が形成された第1の基板と、前記
YIG薄膜に接して所定の距離を隔てて平行にマ
イクロストリツプ・トランスジユーサが形成され
た第2の基板からなり、前記マイクロストリツプ
・トランスジユーサが形成された第2の基板を伸
縮可能な基板とし、前記マイクロストリツプ・ト
ランスジユーサ間の距離を可変としたことを特徴
とする静磁波発生体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18813087U JPH0633691Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 静磁波発生体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18813087U JPH0633691Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 静磁波発生体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191324U true JPH0191324U (ja) | 1989-06-15 |
| JPH0633691Y2 JPH0633691Y2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=31479246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18813087U Expired - Lifetime JPH0633691Y2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 静磁波発生体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633691Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101301A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静磁波素子 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP18813087U patent/JPH0633691Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101301A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静磁波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0633691Y2 (ja) | 1994-08-31 |