JPH0191415A

JPH0191415A - ウエハサセプタ

Info

Publication number: JPH0191415A
Application number: JP61193394A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Kawamura; 茂川村; Yasuo Uchiyama; 内山　靖生
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1986-08-19
Filing date: 1986-08-19
Publication date: 1989-04-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、半導体製造装置の処理室内等に配置されウェ
ハを保持するウェハサセプタに関する。

（従来の技術）例えば、ＣＶＤ装置等の半導体製造装置に用いられ、ウ
ェハを保持するウェハサセプタは、−般に第５図に示す
ように構成されており、石英等からなるウェハボート１
上には、同じく石英等からなる円板状の支持板２が多数
立設され、この支持板２の一方または両方の面には、ウ
ェハを支持するための爪３が１または複数突設されてい
る。

そして、点線で示すように、ウェハ４は、この支持板２
によって側面を支持さ°れ、爪３によって下部を支持さ
れて支持板２の表面に平行に保持されて、一つのウェハ
ボート１上に多数のウェハ４が配置されて、ＣＶＤ装置
等の半導体製造装置の処理室内へ配置され、バッチ処理
によって処理が行なわれる。

また、ＣＶＤ装置用のウェハサセプタ等では、ウェハ４
上の成膜速度を均一化するため、ウェハ４の径に対して
支持板２の径を大径として、ウェハ４の端部と支持板２
の端部との間に間隔を設は支持板２の中央部にウェハ４
が配置ζｔされるよう構成されたものが多い。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら上記説明の従来のウェハサセプタでは、半
導体製造装置の処理室内での発塵およびガス等の発生を
避けるため、ウェハボート、支持板等が石英等により荀
）成さ゛れており、ウェハの大径化等により、支持板等
か大径化し、ウェハ１ナセプタの重量が増大する傾向に
ある。このため、処理室内へのロード、アン［１−ドの
際に例えば自動装置等を用いてウェハボートを持ら上げ
、処理室内へ配置するいわゆるソフトランディングを行
なうことが困ガ］となるという問題があった。

本発明は係る従来の事情に対処してなされたもので、従
来に比べてウェハ１ナセプタを軽帛化ゴることができ、
自動装置等によるソフトランディングにより半導体製）
告装置の処理室内への「１−ド、アンロードを行なうこ
とができるウエハナセプタを提供しようとする・ｂので
ある。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）すなわち本発明は、支持板表面に平行にウェハを保持す
るウェハサセプタにおいて、前記支持板を、１または複
数の前記ウェハより小径な透孔を有する板状体により構
成したことを特徴とする。

（作　用）本発明のウェハサセプタでは、ウェハを支持する支持板
をウェハより小径の透孔を１または複数形成された板状
体により構成したので、この支持板の巾■を軽量化する
ことができ、ウェハ１セプタ重量を軽量化することがで
きる。

（実施例）以下、本発明のウエハナセプタを図面を参照して一実施
例について説明する。

第１図は本発明の一実施例のウエハナセプタの要部を示
すもので、この実施例のウェハ４ノセプタでは、少なく
とも各辺の部位に配置された、例えば太さ１２ｍｍ程度
の石英からなる角型または丸型棒状部材により幅１２ｃ
ｍ、艮ざ６０ｃｍ、高さ５ｃｍ程度の直方体形状の枠体
に構成されたウェハボー１・１１には、両端に同様な棒
状部材により構成された取手１１ａが配置されており、
長手方向上側に平行して配置された２本の棒状部材１１
ｂの内側には、例えば３．１ｍｍ程度の幅を有する溝１
１Ｇがそれぞれ両（令状部材１１ｂ間で対向するよう例
えば５ｍｍ程度の一定間隔おきに、多数形成されている
。

また支持板１２は、例えば外径１８ｃｍ、幅２ｃｍ厚ざ
３ｍｍ程度の石英からなる環状板から（８成されており
、その中央部は、支持板１２に同心的に載置される点線
で示す直径的１５ｃｍのウェハ１３より小径の直径約１
４ｃｍ程度の透孔部１２ａとされている。

また、支持板１２の両面には、載置されるウェハ１３の
外周縁部に沿って、このウェハ１３の下部を支持するた
めの石英からなる爪１４が複数突設されでいる。

そして、例えば３ｃｍ程度の所定の間隔を設けて、支持
板１２の周縁部がウェハボー１・１１の２本の棒状部材
１１ｂの対向する溝１１Ｇにそれぞれ看脱自在に嵌合さ
れ、支持板１２がウェハボート１１上に多数立設される
。

上記構成のこの実施例のウェハサセプタでは、支持板１
２上の爪１４によってウェハ１３の下部を支持し、支持
板１２によってウェハ１３の側面を支持づることによっ
て、ウェハ１３を支持板１２の表面に平行に保持する。

そしてウェハボー１・１１上に多数配置された支持板１
２の両面または片面にそれぞれ「ウェハ１３が・載置さ
れ、半導体装置このとき、例えばＣＶＤ装置によってウェハ１３上にリ
ンドープポリシリコン等の不純物をドーピングす≧膜や
ｔリブアン等の膜を形成する場合は、一般に膜厚を均一
化することが困難であるか、第２図に５示すように、支
持板１２間のピッチＰがウェハ１３の端部と支持板１２
の端部との距離Ｌに対して、Ｐ≧３／Ｌなる関係を満たすようにＰおよびＬをＷＵ定すると、ウ
ェハ１３上に形成される膜厚を均一化寸ることができる
。すなわち、この実施例の場合直ｉ子約１５ｃｍのウェ
ハ１３を載置すると、ウェハ１３の端部と支持板１２の
端部との距離Ｌが約１．５ｃｍとなるので、支持板１２
間のピッチＰは、２ｃｍ以上とすることが好ましい。な
お、このような場合、ウェハボート１１の多数の溝１１
ｃへ支持板１２を仲人する位置を変えることによって、
支持板１２間のピッチＰを所望の距離にＢ２定する。

ずなわら、この実施例のウェハ１ノレプタでは、支持板
１２を石英からなる中空の環状板により構成したので、
ウェハサセプタの重量を従来に比べて大幅に軽量化する
ことができ、ＣｖＤ装置等の処理室内へロード、アンロ
ードする際にも自動装置等を用いてソフトランディング
によりロード、アンロードすることができる。

なお、この実施例では支持板１２を中央部に円形の透孔
１２ａを有する環状の石英板により構成したが、本発明
は係る実施例に限定されるものではなく、石英と同様に
発塵やガスの発生が少なく化学的に安定な物質であれば
どのようなものを用いても良く、透孔１２ａの形状は例
えば第３図に示すように円形ではなく正方形等の形状と
された透孔２１ａを有する支持板２１、第４図に示すよ
うに、複数の透孔２２ａを有する支持板２２等、どのよ
うな形状としても良いことはもちろんである。

［発明の効果］上述のように本発明のウェハ４ノ−セプタでは、従来に
比べて大幅に軽量化することができ、白！！Ｊ　装置等
によるソフトランディングにより半導体製造装置の処理
室内へロード、アンロードを行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のウェハサセプタの要部を示
す斜視図、第２図は第１図の側面図、第３図および第４
図は第１図に示すウェハサセプタの変形例の要部を示す
正面図、第５図は従来のウエハリ−セブタを示す斜視図
である。１１・・・ウェハボート、１２・・・支持板、１２ａ・
・・透孔、１３・・・ウェハ、１４・・・爪。出願人　　　　東京エレクトロン株式会社代理人　弁理
士　須　山　佐　− 第１図第３図第４図第５図３、補正をする者事件との関係・特ＲｆＦ出願人東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号東京エレクトロン株式会社４、代理人　〒１０１東京都千代田区神田多町２丁目１番地（２）明１１Ｉ出第１頁第１０行の「細な説明」を侍許
晶求の範囲（１）支持仮に夫々平行に多数のウェハを夫々離間保持
する如く支持板を設けたウェハ１ナセプタにおいて、前
記支持板を、１または複数の前記ウェハより小径な透孔
を有する板状体により構成したことを特徴とするウエハ
リセプタ。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持板に夫々平行に多数のウェハを夫々距間保持
する如く支持板を設けたウェハサセプタにおいて、前記
支持板を、１または複数の前記ウェハより小径な透孔を
有する板状体により構成したことを特徴とするウェハサ
セプタ。