JPH019153Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH019153Y2 JPH019153Y2 JP17820280U JP17820280U JPH019153Y2 JP H019153 Y2 JPH019153 Y2 JP H019153Y2 JP 17820280 U JP17820280 U JP 17820280U JP 17820280 U JP17820280 U JP 17820280U JP H019153 Y2 JPH019153 Y2 JP H019153Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- vapor phase
- growth gas
- semiconductor
- growth apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は気相成長装置の構造に関するものであ
る。
る。
従来の気相成長装置は第１図に示す如く、ウエ
ハー２を円板型サセプター１に載置し、この円板
型サセプター１をサセプターホルダー３に載置し
ている。サセプター１を加熱するため、サセプタ
ー１の下部に高周波加熱コイル４をスパイラル状
に設け、誘導加熱によりサセプター１を加熱し、
熱伝導によりウエハー２を加熱する構造になつて
いる。
ハー２を円板型サセプター１に載置し、この円板
型サセプター１をサセプターホルダー３に載置し
ている。サセプター１を加熱するため、サセプタ
ー１の下部に高周波加熱コイル４をスパイラル状
に設け、誘導加熱によりサセプター１を加熱し、
熱伝導によりウエハー２を加熱する構造になつて
いる。
加熱中、雰囲気ガスは上部石英製カバー６をも
うけてある石英ノズル５から装置に導入されてい
るため、石英製カバー６下部面に輻射熱で生成物
が附着し、作業回数を増すごとにこの生成物が剥
離してウエハー２の表面に落下して不良製品を多
発させるという欠点があつた。
うけてある石英ノズル５から装置に導入されてい
るため、石英製カバー６下部面に輻射熱で生成物
が附着し、作業回数を増すごとにこの生成物が剥
離してウエハー２の表面に落下して不良製品を多
発させるという欠点があつた。
本考案の目的は上記のような欠点を取除いた気
相成長装置を提供することである。
相成長装置を提供することである。
本考案によればガス噴出ノズルの上部カバーと
して気相成長さす物質と同じ物質を用いた気相成
長装置を得る。
して気相成長さす物質と同じ物質を用いた気相成
長装置を得る。
次に、第２図の一実施例を参照して本考案をよ
り詳細に説明する。噴出ノズル５以外は第１図と
同じであり、同図の気相成長装置と同じ参照符号
を付して説明を省略する。ガスを噴出させる石英
ノズル５の上部に載置された上部カバー６の材質
としては、ウエハー２上に成長さす気相成長層と
同一の素材、例えばソースガスがSiH4，SiCl4，
SiHCl3，SiH2Cl2等の場合は金属シリコン板を設
けてある。こうすることにより、輻射熱により噴
出ガスから生成した生成物も、金属シリコン板の
上部カバー６に気相成長して付着するため密着性
が良くなり、作業回数を増しても、上部カバー６
と付着物とが同一物質であるためこれらの結合は
強く、付着物が落下することが無くなり、ウエハ
ー２表面は常に平担な膜厚の気相成長層を生成す
ることが可能で、歩留り向上に寄与すること大で
ある。
り詳細に説明する。噴出ノズル５以外は第１図と
同じであり、同図の気相成長装置と同じ参照符号
を付して説明を省略する。ガスを噴出させる石英
ノズル５の上部に載置された上部カバー６の材質
としては、ウエハー２上に成長さす気相成長層と
同一の素材、例えばソースガスがSiH4，SiCl4，
SiHCl3，SiH2Cl2等の場合は金属シリコン板を設
けてある。こうすることにより、輻射熱により噴
出ガスから生成した生成物も、金属シリコン板の
上部カバー６に気相成長して付着するため密着性
が良くなり、作業回数を増しても、上部カバー６
と付着物とが同一物質であるためこれらの結合は
強く、付着物が落下することが無くなり、ウエハ
ー２表面は常に平担な膜厚の気相成長層を生成す
ることが可能で、歩留り向上に寄与すること大で
ある。
第１図は従来の気相成長装置の断面図、第２図
は本考案の一実施例による気相成長装置の断面図
を示す。 １……サセプター、２……ウエハー、３……サ
セプターホルダー、４……加熱コイル、５……石
英ノズル、６……石英製ノズルカバー、６′……
金属シリコン製ノズルカバー、７……ガス噴出
口、８……ガスの流れ方向。
は本考案の一実施例による気相成長装置の断面図
を示す。 １……サセプター、２……ウエハー、３……サ
セプターホルダー、４……加熱コイル、５……石
英ノズル、６……石英製ノズルカバー、６′……
金属シリコン製ノズルカバー、７……ガス噴出
口、８……ガスの流れ方向。
Claims (1)
- 中央部に穴を有するサセプターと、該サセプタ
ーの穴を貫通し、該サセプター上で該サセプター
の表面と同一方向に半導体成長気体を噴出するノ
ズルを有する半導体成長気体導入管と、該半導体
成長気体導入管の上部に前記サセプターの表面と
平行に設けられかつ前記半導体成長気体で成長さ
れる半導体と同じ物質でできた上部カバーとを有
することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820280U JPH019153Y2 (ja) | 1980-12-12 | 1980-12-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820280U JPH019153Y2 (ja) | 1980-12-12 | 1980-12-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57102133U JPS57102133U (ja) | 1982-06-23 |
| JPH019153Y2 true JPH019153Y2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=29972779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17820280U Expired JPH019153Y2 (ja) | 1980-12-12 | 1980-12-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH019153Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-12-12 JP JP17820280U patent/JPH019153Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57102133U (ja) | 1982-06-23 |
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