JPH0191620A - Ｈブリツジ保護回路 - Google Patents
Ｈブリツジ保護回路Info
- Publication number
- JPH0191620A JPH0191620A JP62247871A JP24787187A JPH0191620A JP H0191620 A JPH0191620 A JP H0191620A JP 62247871 A JP62247871 A JP 62247871A JP 24787187 A JP24787187 A JP 24787187A JP H0191620 A JPH0191620 A JP H0191620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductors
- bridge
- transistor
- overcurrent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Protection Of Static Devices (AREA)
- Control Of Direct Current Motors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＨブリッジ保護回路に係り、特に過電圧、過電
流を保護するに好適な保護回路に関する。
流を保護するに好適な保護回路に関する。
従来装置は、スナバ−回路を半導体と並列に挿入し、過
電圧保護を行うのが一般的であった。
電圧保護を行うのが一般的であった。
自動車に適用した例として、特開昭６０−３５６６３に
示すように、正逆転信号のインヒビットロジックにより
誤動作、破損しないよう信号段で注意が払われていた。
示すように、正逆転信号のインヒビットロジックにより
誤動作、破損しないよう信号段で注意が払われていた。
上記従来技術は、自動車特有の電源サージの保護につい
て配慮がされておらず、サージ到来時にパワートランジ
スタが破損する問題があった。
て配慮がされておらず、サージ到来時にパワートランジ
スタが破損する問題があった。
自動車においては、バッテリーをはずした時のロードダ
ンプサージ、Ｉｇサージ等により通常、半導体がオンし
、半導体がサージを吸収するようにしていたが、この考
え方は、正逆転用Ｆ■ブリッド回路では、ショート故障
を起こすことがわかった。
ンプサージ、Ｉｇサージ等により通常、半導体がオンし
、半導体がサージを吸収するようにしていたが、この考
え方は、正逆転用Ｆ■ブリッド回路では、ショート故障
を起こすことがわかった。
本発明の目的は、上記サージによりＨブリッジ回路の破
損を防止することにある。
損を防止することにある。
又他の目的は、過電流時にもＨブリッジ回路の破損を防
止することにある。
止することにある。
上記目的は、電源のサージ電圧をツェナーダイオードと
トランジスタをパワートランジスタの前段に構成した回
路で高速動作させ、パワートランジスタをオフさせるこ
とにより達成される。
トランジスタをパワートランジスタの前段に構成した回
路で高速動作させ、パワートランジスタをオフさせるこ
とにより達成される。
又、他の目的は、過電流保護を高速に行うため、過電流
検出手段を設け、その出力により上記前段のトランジス
タを高速作動させ、パワートランジスタをオフすること
により、達成される。
検出手段を設け、その出力により上記前段のトランジス
タを高速作動させ、パワートランジスタをオフすること
により、達成される。
過電圧時オンするトランジスタは、シングルトランジス
タで構成しているため、動作スピードが速く、瞬時に正
転及び逆転用半導体をオフすることができ、素子の安全
動作領域で保護ができるので破損しない。
タで構成しているため、動作スピードが速く、瞬時に正
転及び逆転用半導体をオフすることができ、素子の安全
動作領域で保護ができるので破損しない。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
指令発生器１５の指令に応じて、マグネットモータ１２
をトランジスタ４〜７で構成されるＨブリッジ回路によ
り、正転及び逆転を行う制御システムを構成している。
をトランジスタ４〜７で構成されるＨブリッジ回路によ
り、正転及び逆転を行う制御システムを構成している。
センサ１３により位置を検出し、制御回路により指令と
比較を行い、位置制御を行う。正転の時は、ａ、ａ’に
信号が入り、逆転の時はす、ｂ’ に信号が加えられる
。トランジスタ４５，４６．４８．４９は反転増幅用で
ある。抵抗２３〜２７．３９〜４２．４４はトランジス
タ駆動用抵抗である。
比較を行い、位置制御を行う。正転の時は、ａ、ａ’に
信号が入り、逆転の時はす、ｂ’ に信号が加えられる
。トランジスタ４５，４６．４８．４９は反転増幅用で
ある。抵抗２３〜２７．３９〜４２．４４はトランジス
タ駆動用抵抗である。
ダイオード１６，１７．１８及び４３，４４゜５０はイ
ンヒビット回路を構成し、コンデンサ１９〜２２はトラ
ンジスタ４．６のターンオフを速くし、トランジスタ５
，７のターンオンを遅くし、同時ショートを防止するよ
うにしている。
ンヒビット回路を構成し、コンデンサ１９〜２２はトラ
ンジスタ４．６のターンオフを速くし、トランジスタ５
，７のターンオンを遅くし、同時ショートを防止するよ
うにしている。
過電圧保護回路は、抵抗２９．ツェナーダイオード５１
．トランジスタ５３及び、抵抗３５．ツェナーダイオー
ド５２．トランジスタ５４により構成しサージ印加時、
トランジスタ５及び７のベースをカットオフしている。
．トランジスタ５３及び、抵抗３５．ツェナーダイオー
ド５２．トランジスタ５４により構成しサージ印加時、
トランジスタ５及び７のベースをカットオフしている。
又、抵抗３２は電流検出用シャントで過電流時にトラン
ジスタ５３．５４をオンさせ、トランジスタ５，７をオ
フし、保護している。
ジスタ５３．５４をオンさせ、トランジスタ５，７をオ
フし、保護している。
本実施例によれば、サージや過電流により確実に素子の
保護を行うことができ、又小形化が可能という効果があ
る。
保護を行うことができ、又小形化が可能という効果があ
る。
第２図は、第１図の動作を示した図で、ａ、ａ’に信号
が入るとモータはｙの■の方向に回り、ｂ、ｂ’に信号
が入るとモータはｙのＯ方向に回る。バッテリー電圧ｖ
８にサージが到来したときには、ＴＲ５３，５４がオン
し、ＴＲ７，’５をオフし、トランジスタのＡ、Ｓ、Ｏ
オーバーを防止し、破損しないようにしている。
が入るとモータはｙの■の方向に回り、ｂ、ｂ’に信号
が入るとモータはｙのＯ方向に回る。バッテリー電圧ｖ
８にサージが到来したときには、ＴＲ５３，５４がオン
し、ＴＲ７，’５をオフし、トランジスタのＡ、Ｓ、Ｏ
オーバーを防止し、破損しないようにしている。
なお、ａ、ｂはチョッパを行っても可能である。
本発明によれば、ツェナーダイオードと抵抗を過電流検
出回路に加えることにより実現できるので、小形化でき
る効果がある。
出回路に加えることにより実現できるので、小形化でき
る効果がある。
又、Ｈブリッジ用半導体を異常時オフさせるので、誤信
号によるショート故障が発生せず、信頼性を向上できる
。
号によるショート故障が発生せず、信頼性を向上できる
。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は第１図の
動作波形図である。 １・・・バッテリー、４，５，６，７・・・トランジス
タ、１２・・・マグネットモータ、１３・・・位置検出
器、１４・・・制御回路、１５・・・位置指令発生器。
動作波形図である。 １・・・バッテリー、４，５，６，７・・・トランジス
タ、１２・・・マグネットモータ、１３・・・位置検出
器、１４・・・制御回路、１５・・・位置指令発生器。
Claims (1)
- １、直流電動機の正逆切替回路において、直流電源より
半導体４組にてＨブリッジ回路を構成し、前記電動機の
正転、逆転を前記半導体の導通、非導通により制御する
制御回路を有し、前記直流電源に発生する過電圧又はサ
ージ電圧を検出すると共に、前記正転及び逆転用半導体
を同時にオフさせる停止回路を有したことを特徴とした
Ｈブリッジ保護回路。２、特許請求の範囲第１項におい
て、前記半導体の過電流を検出する過電流検出手段を有
し、前記停止回路は、前記過電流検出手段の出力によつ
ても作動し、前記正転及び逆転用半導体を同時にオフさ
せることを特徴とするＨブリッジ保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247871A JPH0191620A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Ｈブリツジ保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62247871A JPH0191620A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Ｈブリツジ保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0191620A true JPH0191620A (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=17169861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62247871A Pending JPH0191620A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | Ｈブリツジ保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0191620A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124218A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| DE4405482A1 (de) * | 1993-02-21 | 1994-08-25 | Nissan Motor | Halbleiterbauelement |
| US6388855B1 (en) | 1999-04-07 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Transistor protecting circuit with enhancing circuit for H bridge circuit |
| KR20030082885A (ko) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체장치 |
| WO2007006273A1 (de) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Schaltungsanordnung und verfahren zum betrieb mindestens einer elektrischen lampe |
| WO2023090187A1 (ja) * | 2021-11-19 | 2023-05-25 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | モータ駆動装置 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62247871A patent/JPH0191620A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124218A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| DE4405482A1 (de) * | 1993-02-21 | 1994-08-25 | Nissan Motor | Halbleiterbauelement |
| US5675169A (en) * | 1993-02-21 | 1997-10-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Motor driving circuit with surge detection/protection and its structure in a semiconductor device |
| DE4405482C2 (de) * | 1993-02-21 | 1998-10-01 | Nissan Motor | Halbleiterbauelement |
| US6388855B1 (en) | 1999-04-07 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Transistor protecting circuit with enhancing circuit for H bridge circuit |
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| AU2006269164B2 (en) * | 2005-07-14 | 2011-04-21 | Osram Ag | Circuit arrangement and method for operating at least one electric lamp |
| WO2023090187A1 (ja) * | 2021-11-19 | 2023-05-25 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | モータ駆動装置 |
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