JPH0192383A - パターン作製方法 - Google Patents
パターン作製方法Info
- Publication number
- JPH0192383A JPH0192383A JP24977387A JP24977387A JPH0192383A JP H0192383 A JPH0192383 A JP H0192383A JP 24977387 A JP24977387 A JP 24977387A JP 24977387 A JP24977387 A JP 24977387A JP H0192383 A JPH0192383 A JP H0192383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- etching
- photoresist
- film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン作製方法に係り、特に薄膜素子の製造
方法に関する。
方法に関する。
薄膜素子等の製造工程において、最も一般的なパターン
作製方法は、被加工物上に希望するパターンと相似形状
のマスク材パターンを形成した後、物理的あるいは化学
的な方法で被加工物をエツチングし、残ったマスク材を
除去して希望するパターンを得る方法であり、マスク材
にはホトレジストが用いられている。近年、薄膜素子に
要求される性能が高くなるにつれて、パターンの加工精
度もますます厳しくなってきており、エツチング方法は
化学的なウェットエツチングからプラズマエツチング、
スパッタエツチング、イオンビームエツチング等のドラ
イエツチングへと移行している。
作製方法は、被加工物上に希望するパターンと相似形状
のマスク材パターンを形成した後、物理的あるいは化学
的な方法で被加工物をエツチングし、残ったマスク材を
除去して希望するパターンを得る方法であり、マスク材
にはホトレジストが用いられている。近年、薄膜素子に
要求される性能が高くなるにつれて、パターンの加工精
度もますます厳しくなってきており、エツチング方法は
化学的なウェットエツチングからプラズマエツチング、
スパッタエツチング、イオンビームエツチング等のドラ
イエツチングへと移行している。
さらに、従来は被加工物上に直接ホトレジストパターン
を形成してエツチング時のマスク材としていたが、高精
度の加工を行なうために、ホトレジストのパターンを一
旦他のマスク材に転写した後、被加工物をエツチングす
る方法が採用され始めている。また、薄膜磁気ヘッドの
上部磁気コアとなるパーマロイ膜のパターン形成のよう
に、高段差部でホトレジストをマスクとして、イオンビ
ームエツチング等の物理的なドライエツチングを行なっ
た場合、段差下部におけるホトレジストのＪＩＩ厚が平
坦部の２倍近くになることから、−旦エッチングされ膜
からはじき出されたパーマロイが、ホトレジスト側壁に
何着し、ホトレジスト除去後もパーマロイパターンのエ
ツジに突起として残る現象がある。この突起発生を防止
するため、パーマロイ膜にアルミナ膜を堆積し、このア
ルミナ膜をホトレジストをマスクとしてＣＦ４ を用い
た反応性イオンビームエツチングによってバターニング
し、ホトレジストを有機溶剤等で除去したのち、アルゴ
ンを用いたイオンビームエツチングによってパーマロイ
をバターニングする方法が採用されている。この方法で
は、高精度のパターンが得られるが、マスク材のエツチ
ングと被加工物のエツチングとに２回のドライエツチン
グを用いるため、被加工物のパターンを作製するまでに
長時間を要している。
を形成してエツチング時のマスク材としていたが、高精
度の加工を行なうために、ホトレジストのパターンを一
旦他のマスク材に転写した後、被加工物をエツチングす
る方法が採用され始めている。また、薄膜磁気ヘッドの
上部磁気コアとなるパーマロイ膜のパターン形成のよう
に、高段差部でホトレジストをマスクとして、イオンビ
ームエツチング等の物理的なドライエツチングを行なっ
た場合、段差下部におけるホトレジストのＪＩＩ厚が平
坦部の２倍近くになることから、−旦エッチングされ膜
からはじき出されたパーマロイが、ホトレジスト側壁に
何着し、ホトレジスト除去後もパーマロイパターンのエ
ツジに突起として残る現象がある。この突起発生を防止
するため、パーマロイ膜にアルミナ膜を堆積し、このア
ルミナ膜をホトレジストをマスクとしてＣＦ４ を用い
た反応性イオンビームエツチングによってバターニング
し、ホトレジストを有機溶剤等で除去したのち、アルゴ
ンを用いたイオンビームエツチングによってパーマロイ
をバターニングする方法が採用されている。この方法で
は、高精度のパターンが得られるが、マスク材のエツチ
ングと被加工物のエツチングとに２回のドライエツチン
グを用いるため、被加工物のパターンを作製するまでに
長時間を要している。
上記従来技術では、高精度のパターン作製が可能となる
が、マスク材のエツチングと、被加工物のエツチングと
の２ないし３回のドライエツチング工程があり、処理時
間が長くなるという問題があった。
が、マスク材のエツチングと、被加工物のエツチングと
の２ないし３回のドライエツチング工程があり、処理時
間が長くなるという問題があった。
本発明の目的は、上述の問題点を解決し、高精度のパタ
ーンを得ろパターン作製方法を提供することにある。
ーンを得ろパターン作製方法を提供することにある。
上記目的は、マスク材を選択的にエツチングしたのち同
一エツチング槽内に酸素ガス等のホトレジストの選択除
去に効果の大きいガスを導入しプラズマ灰化処理によっ
てホトレジストを除去した後、被加工物を選択的にエツ
チング可能な別の種類のガスを導入してエツチングする
ことにより達成できる。
一エツチング槽内に酸素ガス等のホトレジストの選択除
去に効果の大きいガスを導入しプラズマ灰化処理によっ
てホトレジストを除去した後、被加工物を選択的にエツ
チング可能な別の種類のガスを導入してエツチングする
ことにより達成できる。
マスク材のエツチングの際はマスク材を選択的にエツチ
ングすることにより、ホトレジストパターンの寸法ｎ度
を劣化することなしにマスク材にパターンを転写し、ホ
トレジストを選択的に除去することにより、マスク材の
膜減り、寸法変化な生ずることなくマスクパターンを作
製し、被カロエ物を選択的にエツチングすることによっ
てマスク材の寸法ｎ度を劣化することなくパターンを作
製できる。これによって、希望するパターンを被加工物
に高精度で作製することが可能であり、同一エツチング
槽内で連続して処理できることから処理時間の短縮がで
きる。
ングすることにより、ホトレジストパターンの寸法ｎ度
を劣化することなしにマスク材にパターンを転写し、ホ
トレジストを選択的に除去することにより、マスク材の
膜減り、寸法変化な生ずることなくマスクパターンを作
製し、被カロエ物を選択的にエツチングすることによっ
てマスク材の寸法ｎ度を劣化することなくパターンを作
製できる。これによって、希望するパターンを被加工物
に高精度で作製することが可能であり、同一エツチング
槽内で連続して処理できることから処理時間の短縮がで
きる。
第１図に本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に適用した場合
のプロセスを示す。薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアとな
るパーマロイ膜７は基鈑１の層間絶縁膜段差６の上に堆
積される。この上にパーマロイ膜７をエツチングする際
のマスク材となるアルミナ膜８をパーマロイ膜７の膜厚
の０．５〜１倍の膜厚に堆積する。さらに、この上にポ
ジ型のホトレジスト９を塗布する。塗布膜厚は段差上部
のエツジ部でアルミナ膜８の２〜２，５倍になるようニ
スル。ホトレジスト９をホトマスクを用いて露光、現像
し、所定のパターンにを作る（竿１図−（ａｌ）。次に
アルミナ膜８をＣＦａを用いた反応性イオンビームエツ
チングでバターニングスフ：ｌ （篇１図−（ｂｌ）。
のプロセスを示す。薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアとな
るパーマロイ膜７は基鈑１の層間絶縁膜段差６の上に堆
積される。この上にパーマロイ膜７をエツチングする際
のマスク材となるアルミナ膜８をパーマロイ膜７の膜厚
の０．５〜１倍の膜厚に堆積する。さらに、この上にポ
ジ型のホトレジスト９を塗布する。塗布膜厚は段差上部
のエツジ部でアルミナ膜８の２〜２，５倍になるようニ
スル。ホトレジスト９をホトマスクを用いて露光、現像
し、所定のパターンにを作る（竿１図−（ａｌ）。次に
アルミナ膜８をＣＦａを用いた反応性イオンビームエツ
チングでバターニングスフ：ｌ （篇１図−（ｂｌ）。
アルミナ膜のエツチングが終了したら、−旦真空槽内を
１ｘ１ｏＴｏｒｒ以下まで排気してから、酸素を真空槽
に導入し酸素を用いたイオンビームエツチングにより、
ホトレジスト９を除去する（第１図−（Ｃ））。この時
、ホトレジスト９の残膜状態を観察することは困難であ
るため、あらかじめ、実験により、ＣＦ’４によるエツ
チング後のホトレジストの最大膜厚と、酸素によるホト
レジストのエツチング速１ｆｆｆｆ：求めておくことに
よって、酸素によるエツチング時間を決定する。所定の
時間エツチングしたのち、酸素の変わりにアルゴン等の
不活性ガスを真空槽に導入し、アルミナ膜８をマスクと
してパーマロイ膜８をイオビームエッチングして所定の
磁気コアパターンを作製する。
１ｘ１ｏＴｏｒｒ以下まで排気してから、酸素を真空槽
に導入し酸素を用いたイオンビームエツチングにより、
ホトレジスト９を除去する（第１図−（Ｃ））。この時
、ホトレジスト９の残膜状態を観察することは困難であ
るため、あらかじめ、実験により、ＣＦ’４によるエツ
チング後のホトレジストの最大膜厚と、酸素によるホト
レジストのエツチング速１ｆｆｆｆ：求めておくことに
よって、酸素によるエツチング時間を決定する。所定の
時間エツチングしたのち、酸素の変わりにアルゴン等の
不活性ガスを真空槽に導入し、アルミナ膜８をマスクと
してパーマロイ膜８をイオビームエッチングして所定の
磁気コアパターンを作製する。
本発明によれば、高精度のパターン作製に要する時間を
従来の半分程度に短縮できるため、製造コストを低くで
きる効果がある。
従来の半分程度に短縮できるため、製造コストを低くで
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘットの製法を説
明するための工程図である。 １・・・基板、２・・・下部パーマロイ膜、３・・・ギ
ャップ膜、４・・・第１層コイル、５・・・第２層コイ
ル、６・・・層間絶縁膜、７・・・上部パーマロイ膜、
８・・・アルミナ膜、９・・・ホトレジスト。
明するための工程図である。 １・・・基板、２・・・下部パーマロイ膜、３・・・ギ
ャップ膜、４・・・第１層コイル、５・・・第２層コイ
ル、６・・・層間絶縁膜、７・・・上部パーマロイ膜、
８・・・アルミナ膜、９・・・ホトレジスト。
Claims (1)
- １．被加工物上にエッチング時のマスクとなるマスク層
を形成する工程と、該マスク層の上にホトレジストパタ
ーンを形成する工程と、上記マスク層に該ホトレジスト
パターンをエッチングによつて転写してマスクパターン
を形成する工程と、上記ホトレジストパターンを除去し
たのち、マスクパターンを被加工物に転写する工程とを
含むパターン形成方法において、ホトレジストパターン
をマスク層に転写する工程と、ホトレジストパターンを
除去する工程と、マスクパターンを被加工物に転写する
工程とを、同一エッチング槽内で連続して処理すること
を特徴とするパターン作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977387A JPH0192383A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | パターン作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24977387A JPH0192383A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | パターン作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192383A true JPH0192383A (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=17198011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24977387A Pending JPH0192383A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | パターン作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0192383A (ja) |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP24977387A patent/JPH0192383A/ja active Pending
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