JPH11231161A - 単一チャンバ内で平面光導波路を製作する方法 - Google Patents

単一チャンバ内で平面光導波路を製作する方法

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JPH11231161A
JPH11231161A JP10310126A JP31012698A JPH11231161A JP H11231161 A JPH11231161 A JP H11231161A JP 10310126 A JP10310126 A JP 10310126A JP 31012698 A JP31012698 A JP 31012698A JP H11231161 A JPH11231161 A JP H11231161A
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etching
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祐 ヒュク 張
Sang-Yun Lee
相 潤 李
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炳 權 兪
Jung-Hee Kim
定 姫 金
Tae-Hyung Rhee
泰 衡 李
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 光導波路製作工程を単一チャンバ内で連続的
に遂行し、光導波路製作工程を自動化する。 【解決手段】 基板１００に所定材質のクラッド層及び
コア層を蒸着し、コア層上に所定材質の蝕刻マスク層を
蒸着し蝕刻マスク層上にフォトレジストパターンを形成
する段階と、蝕刻マスク層の材質と反応する第１ガスを
使用してフォトレジストパターンにより蝕刻マスクパタ
ーンを形成し、第１ガスを除去する段階と、同一チャン
バ内でコア層の材質と反応する第２ガスを使用して、蝕
刻マスクパターンによりコア層を蝕刻して光導波路１１
２を形成し、フォトレジストパターンを除去して第２ガ
スを除去する段階と、同一チャンバ内で蝕刻マスクパタ
ーンの材質と反応する第１ガスを使用して蝕刻マスクパ
ターンを除去して第１ガスを除去する段階と、コア層と
同一材質の上部クラッド層１１４を蒸着する段階とを有
することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単一チャンバ内で平
面光導波路を製作する方法に係り、特に、単一チャンバ
内で反応性蝕刻ガスだけを変えながら連続工程を遂行す
る平面光導波路の製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、蝕刻を通した平面導波路素子の光
導波路形成は、平面導波路素子製作の核心工程であり、
当該光導波路形成には多様な工程が行われる。
【０００３】まず、平面基板上にクラッド層とコア層を
蒸着した後に当該コア層上に所定材質の蝕刻マスク層を
蒸着し、この蝕刻マスク層上にフォトレジスト（ＰＲ）
を蒸着して、フォトリソグラフィーによるフォトレジス
トパターンを形成する。前記フォトレジストパターンが
形成された後に湿式または乾式蝕刻してマスクパターン
を製作する。以後、マスクパターンに残っているフォト
レジストを除去して形成された蝕刻マスクパターンによ
り、前記コア層を蝕刻して光導波路を形成する。形成さ
れた光導波路上に上部クラッド層を蒸着する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の蝕刻マスクパターン製作方法はＰＲアッシング(ash
ing)、蝕刻マスクパターン形成、導波路パターン形成及
び残留蝕刻マスク除去などが別の工程により行われ、工
程ステップが複雑である。また、各工程ごとに各々異な
る反応ガスが供給されるチャンバで遂行されるので、基
板が頻繁に外部に露出されるという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、光導波路を製作する
ために基板を外部に露出させずに、プラズマ蝕刻用チャ
ンバ内で各工程に必要な反応性蝕刻ガスを変えながら、
連続工程で平面光導波路を製作する単一チャンバ内で平
面光導波路を製作する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の第１の発明による単一チャンバ内で
平面光導波路を製作する方法は、基板に所定材質のクラ
ッド層及びコア層を蒸着し、当該コア層上に所定材質の
蝕刻マスク層を蒸着して、当該蝕刻マスク層上にフォト
レジストパターンを形成する段階と、前記蝕刻マスク層
の材質と反応する第１ガスを使用して前記フォトレジス
トパターンにより当該蝕刻マスク層を蝕刻して蝕刻マス
クパターンを形成し、当該第１ガスを除去する段階と、
前記段階が遂行されるチャンバと同一チャンバ内で前記
コア層の材質と反応する第２ガスを使用して前記蝕刻マ
スクパターンによりコア層を蝕刻して光導波路を形成
し、前記フォトレジストパターンを除去して当該第２ガ
スを除去する段階と、前記段階が遂行されるチャンバと
同一チャンバ内で前記蝕刻マスクパターンの材質と反応
する前記第１ガスを使用して当該蝕刻マスクパターンを
除去し、当該第１ガスを除去する段階と、前記段階の結
果物上に前記コア層と同一材質の上部クラッド層を蒸着
する段階とを有することを要旨とする。従って、光導波
路を製作するために基板を外部に露出させずに、プラズ
マ蝕刻用チャンバ内で各工程に必要な反応性蝕刻ガスを
変えながら、連続工程で平面光導波路を製作できる。前
記コア層の材質がポリマーである時、前記蝕刻マスクの
材質はシリカであることを要旨とする。前記第１ガスは
フッ素系のガスであることを要旨とする。前記第２ガス
は酸素及び酸素が混合されたガスのうち、いずれか一つ
であることを要旨とする。前記コア層の材質がシリカで
ある時、前記蝕刻マスク層の材質はニッケル及びクロム
のうち、いずれか一つであることを要旨とする。前記第
１ガスは塩素系のガスであることを要旨とする。前記第
２ガスはフッ素系のガスであることを要旨とする。前記
コア層の厚さと前記蝕刻マスク層の厚さとの比は、１０
００：１乃至１０：１の範囲で決定されることを要旨と
する。前記フォトレジストパターンの除去は、前記コア
層の蝕刻と同時に遂行されることを要旨とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の一実施の形態を説明する。図１乃至図５は本発明
による単一チャンバ内で平面導波路を製作する工程を示
す図である。
【０００８】本発明による単一チャンバプラズマ蝕刻に
よる光導波路製作工程は、フォトレジスト（ＰＲ）、蝕
刻マスク及び光導波路コア物質に各々選択的な反応性を
有する蝕刻ガスを各工程に合わせてチャンバ内に供給及
び排出して、基板が外部に露出されるのを最小限に抑え
ることにある。この工程のために蝕刻マスク物質と導波
路コア物質に各々選択性を有する蝕刻ガス選定が必須に
なり、従って蝕刻しようとする各物質に選択性を有する
蝕刻ガスの供給が可能なプラズマ蝕刻装備が必要であ
る。
【０００９】まず、図１の段階ではシリコン基板１００
上に高分子、例えばポリマーを用いてクラッド層１０２
とコア層１０４をスピンコーティングして蒸着した後、
スパッタリングまたは電子ビーム蒸着方法により、シリ
カ薄膜をコア層対比０.１%以上１０%以下の範囲内の厚
さで積層して蝕刻マスク層１０６を形成する。
【００１０】前記光導波路をシリカで製作する場合に
は、シリコン基板１００上にシリカを用いてクラッド層
１０２とコア層１０４を蒸着した後、ＮiまたはＣrのよ
うな金属で前述した工程により蝕刻マスク層１０６を形
成する。
【００１１】形成された蝕刻マスク層１０６にスピンコ
ーティングによりＰＲ膜を積層して、フォトリソグラフ
ィー及びＰＲアッシングにより、蝕刻マスクパターンの
ためのＰＲパターン１０８を形成する。
【００１２】図２の段階では蝕刻マスク層がシリカの場
合、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2F6またはＳＦ6のようなフッ素
系統の反応性ガスを使用してプラズマ蝕刻することによ
り、蝕刻マスクパターン１１０を形成する。前記蝕刻マ
スク層が前述した金属の場合には、Ｃｌ2、ＢＣｌ3のよ
うな塩素系統の反応性ガスを使用してプラズマ蝕刻する
ことにより、蝕刻マスクパターン１１０を形成する。
【００１３】図３の段階では図２の段階の工程と同じチ
ャンバ内でコア層１０４が高分子である場合、反応性ガ
スをＯ2、Ｏ2/Ａｒ混合ガス、Ｏ2/Ｈｅ混合ガスなどの
Ｏ2成分があるガスに交換して、コア層を蝕刻して光導
波路１１２を形成する。前記コア層１０４がシリカの場
合には、反応性ガスをＣＦ4、ＣＨＦ3またはＳＦ6のよ
うなフッ素系統の反応性ガスに交換して、コア層を蝕刻
して光導波路１１２を形成する。この工程で蝕刻マスク
パターン１１０上に残っているＰＲ薄膜も同時に除去さ
れる。
【００１４】図４の段階では図３の段階の工程と同じチ
ャンバ（同一チャンバ）内での反応性ガスを、蝕刻マス
クパターンの材質がシリカの場合には前述したフッ素系
統のガスに、蝕刻マスクパターンの材質が金属の場合に
は前述した塩素系統のガスに交換して残留蝕刻マスクを
除去する。各段階で反応性ガスの交換時に移転段階で用
いられる反応性ガスは除去されて、圧力を５×１０-5乃
至１０-6トール(torr)程度にする。
【００１５】図５の段階では、形成された光導波路１１
２上に上部クラッド層１１４を蒸着して平面導波路の基
本構造を完成する。
【００１６】前記実施の形態は本発明を単に例示するも
のであって、前記実施の形態だけで本発明の範囲を限定
することではない。このような単一チャンバプラズマ蝕
刻工程は、ポリマーコアとシリカ蝕刻マスク以外にシリ
カ、リチウムナオベート(ＬiＮbＯ3)、化合物半導体コ
ア及びメタル、シリコンポリマー蝕刻マスクなどの場合
にも、適した反応性蝕刻ガスを選別して共通に適用でき
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路製作工程を単一チャンバ内で連続的に遂行でき
るので、工程を簡単にし光導波路製作工程を自動化でき
る。また、光導波路製作基板の外部露出を最小にして、
連続工程を単一工程により簡単にできるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による単一チャンバ内で平面光導波路を
製作する工程を示す図である。
【図２】本発明による単一チャンバ内で平面光導波路を
製作する工程を示す図である。
【図３】本発明による単一チャンバ内で平面光導波路を
製作する工程を示す図である。
【図４】本発明による単一チャンバ内で平面光導波路を
製作する工程を示す図である。
【図５】本発明による単一チャンバ内で平面光導波路を
製作する工程を示す図である。
【符号の説明】
１１０ 蝕刻マスクパターン １１２ 光導波路 １１４ 上部クラッド層
フロントページの続き (72)発明者 金 定 姫 大韓民国ソウル市江南区駅三洞781−２番 地 (72)発明者 李 泰 衡 大韓民国京畿道城南市盆唐区亭子洞121番 地常緑マウル宇成アパート315棟1202号

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に所定材質のクラッド層及びコア層
    を蒸着し、当該コア層上に所定材質の蝕刻マスク層を蒸
    着して、当該蝕刻マスク層上にフォトレジストパターン
    を形成する段階と、 前記蝕刻マスク層の材質と反応する第１ガスを使用して
    前記フォトレジストパターンにより当該蝕刻マスク層を
    蝕刻して蝕刻マスクパターンを形成し、当該第１ガスを
    除去する段階と、 前記段階が遂行されるチャンバと同一チャンバ内で前記
    コア層の材質と反応する第２ガスを使用して前記蝕刻マ
    スクパターンによりコア層を蝕刻して光導波路を形成
    し、前記フォトレジストパターンを除去して当該第２ガ
    スを除去する段階と、 前記段階が遂行されるチャンバと同一チャンバ内で前記
    蝕刻マスクパターンの材質と反応する前記第１ガスを使
    用して当該蝕刻マスクパターンを除去し、当該第１ガス
    を除去する段階と、 前記段階の結果物上に前記コア層と同一材質の上部クラ
    ッド層を蒸着する段階と、 を有することを特徴とする単一チャンバ内で平面光導波
    路を製作する方法。
  2. 【請求項２】 前記コア層の材質がポリマーである時、
    前記蝕刻マスク層の材質はシリカであることを特徴とす
    る請求項１に記載の単一チャンバ内で平面光導波路を製
    作する方法。
  3. 【請求項３】 前記第１ガスはフッ素系のガスであるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の単一チャンバ内で平面
    光導波路を製作する方法。
  4. 【請求項４】 前記第２ガスは酸素及び酸素が混合され
    たガスのうち、いずれか一つであることを特徴とする請
    求項２に記載の単一チャンバ内で平面光導波路を製作す
    る方法。
  5. 【請求項５】 前記コア層の材質がシリカである時、前
    記蝕刻マスク層の材質はニッケル及びクロムのうち、い
    ずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の単
    一チャンバ内で平面光導波路を製作する方法。
  6. 【請求項６】 前記第１ガスは塩素系のガスであること
    を特徴とする請求項５に記載の単一チャンバ内で平面光
    導波路を製作する方法。
  7. 【請求項７】 前記第２ガスはフッ素系のガスであるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の単一チャンバ内で平面
    光導波路を製作する方法。
  8. 【請求項８】 前記コア層の厚さと前記蝕刻マスク層の
    厚さとの比は、１０００：１乃至１０：１の範囲で決定
    されることを特徴とする請求項１に記載の単一チャンバ
    内で平面光導波路を製作する方法。
  9. 【請求項９】 前記フォトレジストパターンの除去は、
    前記コア層の蝕刻と同時に遂行されることを特徴とする
    請求項１に記載の単一チャンバ内で平面光導波路を製作
    する方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6952504B2 (en) * 2001-12-21 2005-10-04 Neophotonics Corporation Three dimensional engineering of planar optical structures
KR20010096722A (ko) * 2000-04-14 2001-11-08 구자홍 분기형 광도파로의 제작방법
KR100890981B1 (ko) 2000-10-26 2009-03-27 네오포토닉스 코포레이션 모놀리식 광학 구조체, 이 모놀리식 광학 구조체의 형성 방법, 가요성 광섬유, 광섬유 형성 방법, 및 광섬유 예비 성형체
AUPR368201A0 (en) * 2001-03-13 2001-04-12 Redfern Integrated Optics Pty Ltd Silica-based optical device fabrication
US20020158046A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-31 Chi Wu Formation of an optical component
US20020158045A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-31 Yiqiong Wang Formation of an optical component having smooth sidewalls
US20020158047A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-31 Yiqiong Wang Formation of an optical component having smooth sidewalls
US6553170B2 (en) 2001-08-31 2003-04-22 Lightwave Microsystems Corporation Method and system for a combination of high boron and low boron BPSG top clad fabrication process for a planar lightwave circuit
US7095934B2 (en) * 2002-02-06 2006-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide manufacturing method
US6642151B2 (en) * 2002-03-06 2003-11-04 Applied Materials, Inc Techniques for plasma etching silicon-germanium
US7062141B2 (en) * 2002-12-12 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Deposition of thick BPSG layers as upper and lower cladding for optoelectronics applications
US7783333B2 (en) * 2004-07-13 2010-08-24 Dexcom, Inc. Transcutaneous medical device with variable stiffness

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01272120A (ja) 1988-04-25 1989-10-31 Hitachi Ltd ドライアッシング装置
US5094712A (en) * 1990-10-09 1992-03-10 Micron Technology, Inc. One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material
JPH04256319A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Nec Corp 半導体装置の製造方法
EP0599394B1 (en) * 1992-11-26 1998-01-21 Koninklijke KPN N.V. Method of manufacturing sharp waveguide branches in integrated optical components
JPH06250036A (ja) * 1993-02-22 1994-09-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 光導波路及びその製造方法
JP3144666B2 (ja) * 1993-12-02 2001-03-12 日本電信電話株式会社 石英系ガラス光導波路の製造方法
KR0179677B1 (ko) * 1993-12-28 1999-04-15 사토 후미오 반도체장치 및 그 제조방법
US5844929A (en) * 1994-02-24 1998-12-01 British Telecommunications Public Limited Company Optical device with composite passive and tapered active waveguide regions
JPH07335612A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
DE19502684A1 (de) * 1995-01-28 1996-08-01 Sel Alcatel Ag Verfahren zur Herstellung von Mehrsegment-Rippenwellenleitern
JPH08262250A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Toshiba Mach Co Ltd 光導波路作製方法およびその装置
JP2762951B2 (ja) * 1995-03-30 1998-06-11 日本電気株式会社 半導体光導波路とその製造方法
US5721750A (en) * 1995-04-13 1998-02-24 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Laser diode for optoelectronic integrated circuit and a process for preparing the same
JPH0933741A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 石英系光導波路及びその製造方法
FR2737734B1 (fr) * 1995-08-10 1997-08-29 Alcatel Optronics Procede de gravure d'un substrat par jets chimiques
JPH0982687A (ja) 1995-09-19 1997-03-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP3371646B2 (ja) 1995-10-20 2003-01-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
DE19605794A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Sel Alcatel Ag Monolithisch integriertes optisches oder optoelektronisches Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
GB2312524A (en) * 1996-04-24 1997-10-29 Northern Telecom Ltd Planar optical waveguide cladding by PECVD method
GB2312525A (en) * 1996-04-24 1997-10-29 Northern Telecom Ltd Providing cladding on planar optical waveguide by heating to flow

Also Published As

Publication number Publication date
CN1122187C (zh) 2003-09-24
CN1218189A (zh) 1999-06-02
GB9823566D0 (en) 1998-12-23
KR19990035454A (ko) 1999-05-15
GB2330800B (en) 2000-01-12
GB2330800A (en) 1999-05-05
US6177290B1 (en) 2001-01-23

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