JPH0192724A - 薄膜表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、交流駆動型容量性のフラット・マトリックス
デイスプレィパネル、すなわち薄ＷＡＥＬ（エレクトロ
　ルミネッセンス）表示装置の駆動方法に関するもので
ある。

従来技術 たとえば、二重絶縁型（または三層構造）薄膜ＥＬ表示
装置は次のように構成される。

第４図に図示のように、ガラス基板１の上にＩｎ２Ｏ，
よりなる帯状の透明電極２を千°行に設け、この上にた
とえばＹ　ｉＯｓ、　Ｓ　ｉ　３Ｎ　４＋　Ｔ　ｉ　Ｏ
□。

Ａ　１２０　ｘ等の誘電物質層３、Ｍｎ等の活性剤をド
ープしたＺｎＳよりなるＥＬＬｉ２上記と同じくＹ　２
０３　＋　　Ｓ　ｌ　ｚ　Ｎ　４　＋　Ｔ　ｉ　Ｏ２、
Ａ　’　２０３等の誘電物質層３ａを蒸着法、スパッタ
リング法のような１膜技術を用いて順次５００〜１００
００人膜厚に積層して三層構造にし、その上に上記透明
電極２と直交する方向にＡｔ’よりなる帯状の背面電極
５を平行に設ける。

上記薄膜ＥＬ表示装置はその電極間に、誘電物質Ｎ３．
３ａで挟持されたＥＬ１４を介在させたものであるから
、等価回路的には容量性素子と見ることができる。また
、該４［ＥＬ表示装置は、２００■程度の比較的高電圧
を印加して駆動される。

従来、このような薄膜ＥＬ素子を用いた表示装置の信頼
性の優れた駆動方法として、次に述べる方法が提案され
ている。

第５図に、上記従来の駆動回路構成−例を示す。

第５図において、２１０は薄膜ＥＬ表示装置を示し、こ
の図ではＸ方向電極を走査側電極とし、Ｙ方向電極をデ
ータ側電極として、電極のみを示している。２２０．２
３０は、Ｘ方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞ
れ対応する走査１ｉ１Ｎ−ｃｈ（Ｎチャネル）高耐圧Ｍ
Ｏ８ＩＣ（金属酸化膜半導体集積回路）で、２２１，２
３１は各ＩＣ（本積回路）中のシフトレジスタ等の論理
回路である。２４０，２５０は同走査側Ｐ−ｃｈ（Ｐチ
ャネル）高耐圧ＭＯＳ　　ＩＣで、２４１．２５１は各
ＩＣ中のシフトレジスタ等の論理回路である。２６０は
データ側Ｎ−ｃｈ高耐圧ＭＯ９ＩＣで、２６１はＩＣ中
のシフトレジスタ等の論理回路である。２７０はデータ
側のダイオードアレイを示し、これはデータ側駆動線の
分離およびスイッチング素子の逆バイアス保護をする。

２８０は予備充電駆動回路、２９０は引き上げ充電駆動
回路、３００は書込み駆動回路である。

第６図および第７図に各回路部および各素子のオン・オ
フタイミング、第８図に第５図中の絵素Ｃ，Ｄを代表例
とする印加電圧波形を示す。

次に、この回路の動作を、絵素Ｃを含む走査側電Ｘ２を
選択走査側電極とする場合を例として説明する０本駆動
回路では、１フイールド毎に絵素に印加される電圧の極
性を反転して駆動される。

第１のフィールドをＮ−ｃｈフィールド、第２のフィー
ルドをＰ−ｃｈフィールドと呼ぶ。

Ｎ−ｃｈフ　−ル゛寥　　　Ｔ：　　　　　ロ走査側Ｎ
−ｃｈ　　Ｍｏ９　　ＩＣ２２０，２３０内のすべての
Ｍｏ３）ランジスタＮ　Ｔ　Ｉ−′−Ｎ　Ｔ　ｉをオン
状態にする。同時に予備充電駆動回路２８０（電圧ＶＭ
／２＝３０Ｖ）をオン状態にし、データ側ダイオードア
レイ２７０を介してパネル全面を充電する。

コツトき、データ側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ８　　ＩＣ２６０
内の全ＭＯＳ）ランジスタＮｔｉ〜ＮｔＪおよび走査側
Ｐ−ａｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ２４０，２５０内の全ＭＯ
８）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉはすべてオフ状態に保た
れる。

Ｎ−ｃｈフィール’２”Ｔ：　　　　’４　　　１１次
に走査側Ｎ−ｃｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ２２０，２３０内
の全ＭＯＳ）ランジスタＮＴ、〜ＮＴｉをオフ状態にし
て、かつデータ側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ８ＩＣ２６０内の選
択されたデータ側電極に接続されたＭＯＳ）ランジスタ
のみオフ状態のままにし、他のデータ側駆動電極に接続
されたＭｏ８）ランジスタをオン状態に切り換える。ま
た同時に、走査（ｆｌＰ−ｃｈ　　Ｍｏ８　　ＩＣ２４
０，２５０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉを
オンにする。データ側の非選択電極の電荷は、オン状態
のデータ側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ２６０内のＭＯ
Ｓトランジス９と走Ｍ＠Ｐ−ｃｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ２
４０，２５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、〜ＰＴｉ
および書込み駆動回路３００内のダイオード３０１によ
る接地ループ形式で放電する。

次に走査側Ｐ−ｃｈＭＯ３Ｉｃ内の全ＭＯＳトランジス
タおよび引き上げ充電駆動回路２９０をオン状態にして
、走査側電極をすべてＶＭ／２　（３０Ｖ）の電位に引
き上げる。このとき、走査側Ｎ−ｃｈＭＯ８Ｉｃ内の全
Ｍ　ＯＳ　）−ランジスタは、オフ状態にしておく、こ
の結果、走査側電極を中心に考えると、選択されたデー
タ側電極は第８図の実線で示すように＋３０Ｖ、非選択
電極は第８図の破線で示すように一３０Ｖの状態にある
。

Ｎ−ｃｈフ　−ル゛、３Ｔ：”み　　　日選択された走
査側電極がＸ２であるとすると、走車側Ｎ−ｃｈ　　Ｍ
ｏｓ　１ｃ２３０内のＸ２に接続されたＭｏ８）ランジ
スタＮＴ、のみをオン状態に切り換え、同時に偶数（ｌ
ＩＰ−ｃｈ　　ＭＯＳＩＣ２５０内の全ＭｏＳトランジ
スタＰＴ２〜ＰＴｉをオフ状態にする。このとき、対向
する奇数ライン側のＰ−ｃｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ２４０
内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ、〜ＰＴ　ｉ−、はオン
状態にする。このときに書込み駆動回路３００をオン状
態にすることにより、奇数ライン側Ｐ−ｃｈ　　Ｍｏ３
　　ＩＣ２４０内の全ＭＯＳトランジスタＰ　Ｔ　＋〜
ＰＴｌ＋　を介してすべての奇数番目走査電極がＶＷ（
１９０Ｖ）に引き上げられる。

これによって容量結合の性質からＪデータ側選択［ｅ　
ｔ　ｉ　ハ、ｖｗ＋ｖＭ／２　（２２ｏＶ）に引き上げ
られ、データ側非選択電極は、ＶＷ−ＶＭ／。

２　（１６０Ｖ）に引き上げられる。

選択された走査側電極が奇数番目のときは、偶数番目の
方の走査側Ｐ−ｃｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ２５０内の全Ｍ
Ｏ３）ランジスタＰ　Ｔ　ｚ〜ＰＴｉをオン状態にする
ことにより、すべての偶数側走査電極がＶＷ（１９０Ｖ
）に引き上げられる。

以上の第１段階から第３段階までの駆動を、走査側電極
Ｘ１からＸｉまで順次行なうことによってＮ−ｃｈフィ
ールドの駆動を完了し、次にＰ−ｃ　ｈフィールドの駆
動を始める。

Ｐ−ｃｈフィールド　ＩＴ’：　　　　　−ｕこの予備
充電期間は、Ｎ−ｃｈフィールド第１段階と全く同様に
行なう。

Ｐ−ｃｈフィールド第２　階Ｔ２′：　　電　引き上げ
　電期間次に走査側Ｎ−ａｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ２２０
，２３０内の全ＭＯ３）ランジスタＮＴ、〜ＮＴｉをオ
フ状態にし、データ側Ｎ−ｃｈＭＯｓＩｃ２６０内の選
択されたデータ側駆動電極に接続されたＭｏＳトランジ
スタのみオン状態にして、他のデータ側駆動電極に接続
されたＭＯＳ）−ランジスタをオフ状態に切換える。ま
た同時に、走査側Ｐ−ｃｂ　　Ｍｏ８　　ＩＣ２４０，
２５０内の全ＭＯＳトランジスタＰＴ’＋へＰＴｉをオ
ン状態にする。データ側の選択電極の電荷はオン状態の
データ側Ｎ−ｃｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ２６０内のＭＯＳ
）ランジスタと走査側°Ｐ−ｃｈ−Ｍｏ３　　ＩＣ２４
０，２５０内の全ＭＯ８）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉお
よび書込み駆動回路３００内のダイオード３０１による
接地ループ形式で放電する。

次に走査側Ｐ−ｃｈＭＯ３Ｉｃ内の全ＭＯＳトランジス
タおよび引き上げ充電駆動回路２９０をオン状態にして
、走査側電極をすべてＶＭ／２（３０Ｖ）の電位に引き
上げる。このとき、走査側Ｎ−ｃｈＭＯ５Ｉｃ内の全Ｍ
Ｏ５）ランジスタはオフ状態にしておく。

次に、第３段＃Ｔ３’でソース電位に引き下げる走査側
の数個のＮ−ａｈ　　Ｍｏ３）ランジスタ〈奇数・偶数
いずれの側から選択してもよい〉をオンする。このとき
、オンしたＮ−ｃｈ　　ＭＯＳトランジスタと接続され
ていない走査ｉｌｌ　Ｐ　−ｃ　ｈＭＯ５）ランジスタ
の全部、またはその一部（多数個）をオンすることによ
って、非選択データ側を極Ｙ＋、Ｙ＝、・・・、ＹＪの
電位を６０Ｖに保つ。

Ｐ−ｃｈフィールドｒ３Ｔ’：”み　　　Ｕ選択された
走査側電極がＸ２であるとすると、走査１１１Ｐ−ｃｈ
　　ＭＯＳ　　ＩＣ２５０内のＸ２に接続されたＭＯＳ
トランジスタＰＴ２のみをオフ状態に切り換え、書込み
駆動回路３００によってｖｗ＋−ＶＭ／２　（２２０Ｖ
）の電圧を印加し、同時に第２段＊Ｔ２　’で選択した
数個の走査側Ｎ−ｃｈＭＯ８）ランジスタとデータ＠　
Ｎ　−ｃ　ｈＭＯ９ＩＣ２６０内の選択されたＭＯＳト
ランジスタをオフ状態にすることにより、Ｎ−ｃｈフィ
ールド第３段階、のどさとは逆向きの極性で、書込み電
圧を印加する。このとき、選択された数個の走査ＩＥＩ
　’Ｎ　−ｃ　ｈ　Ｍ　ＯＳ　）ランジスタ以外の走査
側Ｎ−ｃｈ　　ＭＯＳトランジスタおよび奇数ｆｌＷｐ
−ｃｈ　　Ｍｏ８　　ＩＣ２４０内の全ＭＯＳトランジ
スタはオフ状態に保たれる。これによって容量結合の性
質から、選択されたデータ側電極は第８図の実線で示す
ように−（ＶＷ＋ＶＭ／２）（＝−２２０Ｖ）に引き下
げられ、非選択のデータ側電極は第４図の破線で示すよ
うに−（ＶＷ−ＶＭ／２＞（＝−１６０Ｖ）に引き下げ
られる、選択された走査側電極が奇数番目のときは、奇
数？イン側の走査側Ｐ−ｃ、ｈ　　ＮｊＯ３ＩＣ２４０
内の選択された走査側電極に接続されたＭＯＳトランジ
スタと、走査ｆｌＩＮ−ｃｈ　　Ｍｏ８　ＩＣ２２０，
２−３０内の複数のＭｏ８）ランジスタと、データ側の
選択されたＮ−ｃｈ　　Ｍｏ３）ランジスタとをオンす
ることにより書込み電圧を印加する。

以上の第１段階から第３段階の駆動を、走査側電極Ｘ、
からＸｔまで、順次駆動することによってＰ−ｃｈフィ
ールドの駆動を完了する。

第８図のタイムチャートに明らかなように、結局、選択
交点絵素には、Ｎ−ｃｈフィールドとＰ−ｃｈフィール
ドとで極性を反転させた発光に充分な書込み電圧ＶＷ＋
ＶＭ／２　（＝２２０Ｖ）の交流パルスが印加される。

非選択交点の絵素にはＶＷ−ＶＭ／２　（＝１６０Ｖ）
が加わるが、これは発光しきい値以下であり、この絵素
は発光しない。

この駆動方法では、Ｐ−ｃｈフィールドの書込み駆動に
おいて発光データが０のとき、データ側Ｎ−ｃｈ　　Ｍ
ＯＳ　　ＩＣ２６０はすべてオフ状態に保たれ、選択走
査電極から印加する書込み電圧を充電するため閉回路が
構成できず、Ｎ−ｃｈフィールドの書込み電圧との波形
対称性が悪くなる。

このため、非選択走査電極に接続された数個のＮ−ｃｈ
ＭＯ８ＩＣをオンすることにより、走査側電極を通じて
充電し、書込み電圧の対称性を保つ工夫をしている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記駆動方法を実施するために従来の駆動
では、走査側Ｐ−ｃｈＭＯ３Ｉｃのシフトレジスタに１
ライン選択のための１個の転送データと、これにプッシ
ュプル構成で接続されたＮ−ｃｈＭＯ８Ｉｃのシフトレ
ジスタに一致しないように複数の転送データを入力して
いる。

このため、線順次走査が最終電極に近くなるとＮ−ｃｈ
ＭＯ８Ｉｃの転送データの数が減ってしまい、データ側
の電位が変動してしまう現象が起き、印加パルスの対称
性がくずれてしまう。

またＥＬ駆動を１チツプでプッシュプル構成にしたＩＣ
を使う場合には、上−述の方法を採用する事が困難であ
るなどの問題点がある。

本発明の目的は、上述の問題を解決し、可及的に簡単な
構成で、誘電物質層を電力付勢し、その寿命を長くする
ことができるようにした薄膜表示装置の駆動方法を提供
することである。

問題点を解決するための手段 本発明は、誘電物質層を、互いに交差する方向に配列さ
れた走査側ｔｓｉとデータ側電極との間に介設し、表示
領域以外の部分に、駆動を補助するための補助電極を、
誘電物質層を介して、走査側電極またはデータ側電極の
少なくともいずれか一方と対向して設け、交流波形を、
走査側電極とデータ側電極との間に印加して表示を行な
い、補助′：４極を予め定めた電位としてその補助電極
に対向する前記走査側電極またはデータｍ電極と補助電
極との間に電圧を印加することを特徴とする薄膜表示装
置の駆動方法である。

作　　用 本発明に従えば、補助電極を表示領域以外の部分に設け
、この補助電極は、誘電物質層を介して走査側電極また
はデータ側電極の少なくともいずれか一方と対向してい
る４表示領域にある走査側ｔｉとデータ側電極との間に
は交流波形を印加して表示を行なう。

表示領域における走査側電極とデータ側電極との間に電
圧が印加されて表示を行なう駆動部分の面積が少なくと
も小さいときには、その補助電極を予め定めた電位とし
、これによってその補助電極に対向する前記走査側電極
またはデータ側電極と補助電極との間に電圧を印加する
。これによってＥＬ層には発光表示すべき面積が小さい
とき、たとえば発光表示を行なわないときなどにおいて
も、交流波形が確実に与えられることが可能になる。こ
れによって誘電物質層の寿命を長くすることができる。

補助電極は予め定めた期間において発光表示すべき面積
の大小に拘わらず常に前記予め定めた電位を印加するよ
うに構成してもよい。

実施例 以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する
。

第１図に本発明における駆動回路構成例を示す。

第１図において、１０は薄膜表示装置である薄膜ＥＬ表
示装置を示し、第４図にＭ似の構成を有する。この図で
は、Ｘ方向電極を走査側電極とし、Ｙ方向電極をデータ
側電極として、電極のみを示している。

２０．３０は、Ｘ方向電極の奇数ラインと偶数ラインに
それぞれ対応する走査側Ｎ−ｃｈＭ。

ｓ　　ｒｃで、２１．３１は各ＩＣ中のシフトレジスタ
等の論理回路である。

４０．５０は同走査側Ｐ−ｃｈＭＯ３Ｉｃで、４１．５
１は各ＩＣ中のシフトレジスタ等の論理回路である。６
０は、データ側Ｎ−ｃｈＭＯ３ＩＣで、６１は、ＩＣ中
のシフトレジスタ等の論理回路である。７０は、データ
側ダイオードアレイを示し、これはデータ側駆動線の分
離およびスイッチング素子の逆バイアス保護をする。

８０は、予備充電駆動回路であり、９０は引き上げ充電
駆動回路であり、１００は書込み駆動回路である。１１
０は補助電極引き下げ回路である。

１２０は補助電極部であり、表示用電極との交点は、表
示部と電気的な特性において同様な容量性を持つ。

第２図は、Ｐ−ｃｈフィールド第２、第３段階のオン・
オフタイミングを示す、また第３図はこのタイミングで
駆動したときの第１図中の絵素Ａ。

Ｂを代表例とする印加電圧波形を示す。

次に、この補助電極を使った駆動方法について説明する
０本駆動回路は、従来技術で説明したＰ−ｃ　ｂフィー
ルドでの放電／引き上げ充電駆動および書込み駆動ぞの
問題点を解決するためのものであり、他のＮ−ｃｈフィ
ールドおよびＰ−ｃｈフィールドの予備充電駆動は、す
べて前述の従来技術の駆動方法と同じである。したがっ
てここではＰ−ｃｈフィールドの放電／引き上げ充電駆
動と書込み駆動のみ説明する。

Ｐ−ｃｈフ　−ルド　２・Ｔ’：、’　　　＋　　＋Ｌ
Ｉ走査側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ９　　ＩＣ２０，３０内の全
ＭＯ３）ランジスタＮＴ、−ＮＴｉをオフ状態−にし、
データ側Ｎｃｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ６０内の選択された
データｆｆｌ駆動電極に接続されたＭｏ８）ランジスタ
のみオン状態にして、他のデータ側駆動電極に接続され
たＭｏ９）ランジスタをオフ状態に切換える。また同時
に、補助電極１２０に接続された補助電極引き下げ回路
１１０のトランジスタ１１１をオン状態にするとともに
、走査側Ｐ−ｃｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ４０，５０内の全
ＭＯ８）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉをオン状態にする。

データ側の選択電極の電荷はオン状態のデータ側Ｎ−ｃ
　１１Ｍ　ＯＳ　　Ｉ　Ｃ６０内のＭｏ３）ランジスタ
と走査側Ｐ−ｃｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ４０，，５０内の
全ＭＯＳ）ランジスタＰＴ、〜ＰＴｉおよび書込み駆動
回路１００内のダイオード１０１による接地ループ形式
で放電する。

次に走査側Ｐ　−ｃ　ｈ　　Ｍ　ＯＳ　　Ｉ　Ｃ内の全
ＭＯＳトランジスタおよび引き上げ充電駆動回路９０を
オン状態にして、走査側電極をすべてＶＭ／２（３０Ｖ
）の電位に引き上げる。このとき、走査側Ｎ　−ｃ　ｈ
　　Ｍ　ＯＳ　　Ｉ　Ｃ内の全ＭｏＳトランジスタはオ
フ状態にしておく。

Ｐ−ｃｈフ　−ルド、３　　”Ｔ’ニー’入み　Ｗ選択
された走査側電位がＸ２であるとすると、走査側Ｐ−ｃ
ｈ　　ＭＯＳ　　ＩＣ５０内のＸ２に接続されたＭｏ３
）ランジスタＰＴ、のみをオン状態に切換え、書込み駆
動回路１００によってＶＷ＋ｖＭ／２（２２０Ｖ）の電
圧を印加し、同時にデータ側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ９　　Ｉ
Ｃ６０内の選択されたＭｏ３）ランジスタと、補助電極
１２０に接続された補助電極引き下げ回路をオン状態に
することにより、Ｎ−ｃｈフィールド第３段階のときと
は逆向きの極性で書込み電圧を印加する。このとき、選
択された数個の走査側Ｎ−ｃｈ　　ＭＯＳトランジスタ
以外の走査側Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ３）ランジスタおよび奇
数１１Ｐ−ｃｈ　　Ｍｏ８　　ＩＣ内の全ＭＯＳ）ラン
ジスタはオフ状態に保たれる。

これによって容量結合の性質から、選択されたデータ側
電極！ｉ−（ＶＷ＋ＶＭ／２）（＝−２２０■）に引き
下げられ、非選択のデータ側電極は−（ＶＷ−ＶＭ／２
）、、（−−１６０Ｖ）に引き下げられる。これによっ
て選択絵素には２２０■が印加され発光し、非選択絵素
にはしきい値以下の１６０ＶＬか印加されず非発光とな
る。

選択された走査側電極が奇数番目のときは、奇数ライン
側ノ走査側Ｐ−ｃｈ　　Ｍｏ８　　ＩＣ４０内の選択さ
れた走査側電極に接続されたＭＯＳトランジスタと走査
１１１Ｎ−ｃｈ　　Ｍｏ３　　ＩＣ２０゜３０内の複数
のＭＯＳ）ランジスタとをオンすることにより書込み電
圧を印加する。

上述の実施例を要約すると、ＥＬ層を、互いに交差する
方向に配列した走査側電極とデータ側電極との間に介設
して構成し、前記データ側電極を奇数側と偶数側に分け
て交互に両端から取り出してなる薄膜ＥＬ表示装置にお
いて、表示部外のデータ側または走査側に電気的特性が
表示部と同等の膜構成であり表示に関与しない補助電極
を設け、Ｐ　−ｃ　ｈフィールドの書込み駆動時、この
電極をＧＮＤ電位に引き下げることを特徴とする。

このような実施例によれば、Ｐ−ｃｈフィールドの書込
み駆動時、この電極をＧＮＤ電位に引き下げることによ
り、データ側Ｎ　−ｃ　ｈ　　Ｍ　ＯＳＩＣが全てオフ
となる表示データの書込み駆動を行なっても、この電極
により書込み電圧の充電の閉回路が構成されるため、走
査側の複数の非選択電極を使って充電する必要がなくな
る。このため、１チツプ上でプッシュプル構成にしたＩ
Ｃも容易に採用できる。

上述の実施例は次のような利点を有する。

（１）従来の駆動で行なっていたＰ−ｃｈＭＯ８ＩＣの
１ケの走査側転送データと、Ｎ−Ｃｈ　　ＭＯＳ　　Ｉ
Ｃの複数の引き下げ駆動のための走査側転送データとを
、入力する必要のない新しい駆動回路においては、走査
側駆動用ＩＣに１チツプ化されたプッシュプル型の安価
なＩＣが使える。

さらに走査側ＩＣのＧＮＤ電位をフローティングレベル
にする必要がないため、高価格のフォトカプラーも必要
なく、低コストの薄膜ＥＬ表示装置を提供することであ
る。

（２）どの走査電位の駆動においても、引き下げ電極（
補助電極）数が一定−であるため、線順次走査の最終電
極付近でも、一定の電位が保たれるため、印加パルスの
対称性が改善できる。

上述の実施例では、補助電極は、走査側電極Ｘ１〜Ｘｉ
に、ＥＬＦを介在して対向するように配置され、またデ
ータ側電極Ｙ１〜ＹｊにＥＬ層を介在して対向するよう
に配置されたけれども、本発明の他の実施例として走査
側電極またはデータ側電極のいずれか一方だけに対向し
て配置されるようにしてもよい。

上述の実施例では補助電極は、走査制電ｉｘ。

〜Ｘｉに対向して複数本が配置されているけれども、本
発明の他の実施例として８月層の寿命を損なわない程度
に充分な幅の大きな単一本の補助電極が用いられてもよ
い。

効　　果 以上のように本発明によれば、誘電物質層に確実に正負
の電圧が印加されることになるので、簡単な構成で表示
素子の寿命を長くすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１１２Ｉは本発明の一実施例の電気回路図、第２図は
第１図の動作を説明する各部のオン・オフタイミング図
、第３図は第１図中の絵素Ａ、Ｈの印加電圧波形を示す
タイムチャート、第４図は薄膜ＥＬ表示装置の一部切欠
き斜視図、第５図は先行技術における駆動回路構成−を
示すブロック図、第６図および第７図は第゛５図の動作
を説明する各部のオン・オフタイミング図、第８図は第
５図中の絵素Ｃ，Ｄの印加電圧波形を示すタイムチャー
トである。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３，３ａ・・
・絶縁層、４・・・発光層、５・・・背面電極、１０，
２１０・・・薄膜ＥＬ／”Ｃネル、２０，３０，２２０
，２３０・・・走査側高耐圧Ｎ−ｃｈＭＯ８Ｉｃ、４０
゜５０．２４０，２５０−・・走査側高耐圧Ｐ　−ｃ　
ｈＭＯＳ　　ＩＣ１２１，３１，４１，５１，６１゜２
２１．２３１，２４１，２５１，２６１・・・論理回路
、６０．２６０・・・データ側高耐圧ＭＯ３ＩＣ１７０
，２７０・・・データ側ダイオードアレイ、８９．２８
０・・・予備充電駆動回路、９０，２９０・・・引き上
げ充電駆動回路、１００，３００・・・書込み駆動回路 代理人　　弁理士　画数　圭一部 第　２図 第４図 ｑ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 誘電物質層を、互いに交差する方向に配列された走査側
   電極とデータ側電極との間に介設し、表示領域以外の部
   分に、駆動を補助するための補助電極を、誘電物質層を
   介して、走査側電極またはデータ側電極の少なくともい
   ずれか一方と対向して設け、交流波形を、走査側電極と
   データ側電極との間に印加して表示を行ない、補助電極
   を予め定めた電位としてその補助電極に対向する前記走
   査側電極またはデータ側電極と補助電極との間に電圧を
   印加することを特徴とする薄膜表示装置の駆動方法。