JPH0748137B2 - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法Info
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- JPH0748137B2 JPH0748137B2 JP62170611A JP17061187A JPH0748137B2 JP H0748137 B2 JPH0748137 B2 JP H0748137B2 JP 62170611 A JP62170611 A JP 62170611A JP 17061187 A JP17061187 A JP 17061187A JP H0748137 B2 JPH0748137 B2 JP H0748137B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、交流駆動型容量性フラット・マトリックスデ
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜EL表示装置の駆動方
法に関するものである。
ィスプレイパネル、すなわち、薄膜EL表示装置の駆動方
法に関するものである。
＜発明の概要＞ 本発明はEL層を、互いに交差する方向に配列した走査側
電極とデータ側電極との間に介設して構成した薄膜EL表
示装置であり、前記走査側電極にデータ側電極に対して
負極性の書き込みパルスを印加する第１のフィールド
と、前記走査側電極に、データ側電極に対して正極性の
書き込みパルスを印加する第２のフィールドとを有し、
前記第１及び第２のフィールドを交互にくり返す線順次
駆動をしてなる薄膜EL表示装置の駆動方法において、そ
れぞれの走査側電極における発光絵素数の変化に応じて
書き込みパルス幅を変化させる事で、１画面内で発光絵
素数の違いによる輝度変化を防止し、良好な表示を得る
ものである。
電極とデータ側電極との間に介設して構成した薄膜EL表
示装置であり、前記走査側電極にデータ側電極に対して
負極性の書き込みパルスを印加する第１のフィールド
と、前記走査側電極に、データ側電極に対して正極性の
書き込みパルスを印加する第２のフィールドとを有し、
前記第１及び第２のフィールドを交互にくり返す線順次
駆動をしてなる薄膜EL表示装置の駆動方法において、そ
れぞれの走査側電極における発光絵素数の変化に応じて
書き込みパルス幅を変化させる事で、１画面内で発光絵
素数の違いによる輝度変化を防止し、良好な表示を得る
ものである。
＜従来の技術＞ 例えば、二重絶縁型（又は三層構造）薄膜EL表示装置は
次のように構成される。
次のように構成される。
第８図に図示のように、ガラス基板11の上にIn2O3より
なる帯状の透明電極12を平行に設けこの上に例えばY
2O3,Si3N4,TiO2,Al2O3等の誘電物質層13、Mn等の活性剤
をドープしたZnSよりなるEL層14、上記と同じくY2O3,Si
3N4,TiO2,Al2O3等の誘電物質層13′を蒸着法、スパッタ
リング法のような薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの
膜厚に積層して３層構造にし、その上に上記透明電極12
と直交する方向にAl2O3になる帯状の背面電極15を平行
に設ける。
なる帯状の透明電極12を平行に設けこの上に例えばY
2O3,Si3N4,TiO2,Al2O3等の誘電物質層13、Mn等の活性剤
をドープしたZnSよりなるEL層14、上記と同じくY2O3,Si
3N4,TiO2,Al2O3等の誘電物質層13′を蒸着法、スパッタ
リング法のような薄膜技術を用いて順次500〜10000Åの
膜厚に積層して３層構造にし、その上に上記透明電極12
と直交する方向にAl2O3になる帯状の背面電極15を平行
に設ける。
上記薄膜ELパネル10はその電極間に、誘電物質13,13′
で挾持されたEL物質14を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜ELパネル10は第９図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、250V程度の比較的高電圧を印加して駆動され
る。
で挾持されたEL物質14を介在させたものであるから、等
価回路的には容量性素子と見ることができる。また、該
薄膜ELパネル10は第９図に示す電圧−輝度特性から明ら
かな如く、250V程度の比較的高電圧を印加して駆動され
る。
従来、このような薄膜EL表示装置のため、走査側電極の
駆動回路としてNchMOSドライバーとPchMOSドライバーを
備え、フィールド（１画面の線順次駆動）毎に極性を反
転するいわゆるフィールド反転駆動を行なう駆動装置が
用いられてきた。さらに特願昭59−105375号において一
走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を変える事
により、パネルの印加電圧極性による発光強度のバラツ
キが平均化され、フリッカが低減できる駆動装置が提案
された。また、特願昭60−125384号において、データ側
にプッシュプル構成のドライバーICを使用し、EL表示装
置の絵素に印加される正負極性のパルス電圧波形を完全
対称として、分極による焼き付け現象をなくし長期信頼
性を向上させると共に、消費電力の低減もされた。
駆動回路としてNchMOSドライバーとPchMOSドライバーを
備え、フィールド（１画面の線順次駆動）毎に極性を反
転するいわゆるフィールド反転駆動を行なう駆動装置が
用いられてきた。さらに特願昭59−105375号において一
走査線毎に絵素に加わる書き込み波形の極性を変える事
により、パネルの印加電圧極性による発光強度のバラツ
キが平均化され、フリッカが低減できる駆動装置が提案
された。また、特願昭60−125384号において、データ側
にプッシュプル構成のドライバーICを使用し、EL表示装
置の絵素に印加される正負極性のパルス電圧波形を完全
対称として、分極による焼き付け現象をなくし長期信頼
性を向上させると共に、消費電力の低減もされた。
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかし、これらの駆動方法では、第２図に示す様に発光
絵素数の変化により、例えば一画面に600個の絵素を有
するELパネル10では、全絵素発光時の輝度を100とすれ
ば、100個の絵素が発光（1/6発光）した時にはその輝度
が約110％となる。但し、この値は、駆動用ドライバーI
Cの能力や書き込みパルスの幅や書込み電圧及びELパネ
ルの容量により異なる。
絵素数の変化により、例えば一画面に600個の絵素を有
するELパネル10では、全絵素発光時の輝度を100とすれ
ば、100個の絵素が発光（1/6発光）した時にはその輝度
が約110％となる。但し、この値は、駆動用ドライバーI
Cの能力や書き込みパルスの幅や書込み電圧及びELパネ
ルの容量により異なる。
この様な駆動において第３図で示す様にELパネル10に帯
状のパターン32をネガ表示した場合は全ビット点燈して
いるエリア33と、それよりも少ない点燈エリア34,35,36
は各々輝度が異なり、特にエリア33とエリア34の輝度差
は非常に大きくなり発光エリア（図の白抜き部分）内で
も帯状のパターンが見える様になる。
状のパターン32をネガ表示した場合は全ビット点燈して
いるエリア33と、それよりも少ない点燈エリア34,35,36
は各々輝度が異なり、特にエリア33とエリア34の輝度差
は非常に大きくなり発光エリア（図の白抜き部分）内で
も帯状のパターンが見える様になる。
その理由はパネルの発光絵素の違いによってラインの負
荷が異なり、印加電圧波形が異なる為である。第４図の
41は比較的発光絵素の多いラインに印加した電圧波形、
42は比較的発光絵素の少いラインに印加した電圧波形で
ある。両方ともパネルが発光しだす電圧Vthまでは波形
の傾きが同じであるが、電圧Vthを超えると発光絵素の
多いものほど大電流が流れるが、EL駆動用高耐圧icの能
力で定電流となり電圧波形がなまりだすその為絵素にか
かる最終電圧Vwに到達してから放電開始までの時間がtB
＞tAとなり発光輝度に差がでる。
荷が異なり、印加電圧波形が異なる為である。第４図の
41は比較的発光絵素の多いラインに印加した電圧波形、
42は比較的発光絵素の少いラインに印加した電圧波形で
ある。両方ともパネルが発光しだす電圧Vthまでは波形
の傾きが同じであるが、電圧Vthを超えると発光絵素の
多いものほど大電流が流れるが、EL駆動用高耐圧icの能
力で定電流となり電圧波形がなまりだすその為絵素にか
かる最終電圧Vwに到達してから放電開始までの時間がtB
＞tAとなり発光輝度に差がでる。
本発明は、この様な事情に鑑みてなされたもので、それ
ぞれの走査側電極ごとの発光絵素数の多少にかかわらず
同一の発光輝度を得ることのできる表示品質の高いEL表
示装置の駆動方法を提供する事を目的とする。
ぞれの走査側電極ごとの発光絵素数の多少にかかわらず
同一の発光輝度を得ることのできる表示品質の高いEL表
示装置の駆動方法を提供する事を目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明はEL層を、互いに交差する方向に配列した走査側
電極とデータ側電極の間に介設して構成され、データ側
電極に対して負極性の書き込みパルスを前記走査側電極
に印加する第１のフィールドと、データ側電極に対して
正極性の書き込みパルスを前記走査側電極に印加する第
２のフィールドとを有し、前記第１及び第２のフィール
ドを交互にくり返して表示する薄膜EL表示装置の駆動方
法において、前記第１のフィールド期間（又は第２のフ
ィールド期間）で次の第２のフィールド期間（又は第１
のフィールド期間）の表示データ信号を検出し、第２の
フィールド期間（又は第１のフィールド期間）に前記表
示データ信号に基づいて、それぞれの走査側電極に沿っ
て位置する発光絵素の数に応じた制御信号を発生させ、
前記正極性（又は負極性）の書き込みパルスのパルス幅
を変化させるパルス幅制御回路が前記正極性（又は負極
性）の書き込みパルスのスイッチングとして設けられた
ものである。
電極とデータ側電極の間に介設して構成され、データ側
電極に対して負極性の書き込みパルスを前記走査側電極
に印加する第１のフィールドと、データ側電極に対して
正極性の書き込みパルスを前記走査側電極に印加する第
２のフィールドとを有し、前記第１及び第２のフィール
ドを交互にくり返して表示する薄膜EL表示装置の駆動方
法において、前記第１のフィールド期間（又は第２のフ
ィールド期間）で次の第２のフィールド期間（又は第１
のフィールド期間）の表示データ信号を検出し、第２の
フィールド期間（又は第１のフィールド期間）に前記表
示データ信号に基づいて、それぞれの走査側電極に沿っ
て位置する発光絵素の数に応じた制御信号を発生させ、
前記正極性（又は負極性）の書き込みパルスのパルス幅
を変化させるパルス幅制御回路が前記正極性（又は負極
性）の書き込みパルスのスイッチングとして設けられた
ものである。
＜作用＞ 上記により、１画面内でのそれぞれの走査側電極の発光
絵素数の違いによる輝度変化を防止できる。
絵素数の違いによる輝度変化を防止できる。
＜実施例＞ 以下図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。な
お、これによって本発明が限定されるものではない。
お、これによって本発明が限定されるものではない。
第５図は本発明の一実施例を示す電気回路図である。
110は発光しきい電圧190V（＝Vw）の薄膜EL表示装置を
示し、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし、Ｙ方
向電極を走査側電極として電極のみを示している。120,
130はＹ方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ
対応する走査側Nch高耐圧MOSIC（第１スイッチング回路
に相当）、121,131は各IC120,130の中のシフトレジスタ
等の論理回路である。140,150は同走査側Pchの高耐圧MO
SIC（第２スイッチング回路に相当）、141,151は各IC14
0,150の中のシフトレジスタ等の論理回路である。
示し、この図ではＸ方向電極をデータ側電極とし、Ｙ方
向電極を走査側電極として電極のみを示している。120,
130はＹ方向電極の奇数ラインと偶数ラインにそれぞれ
対応する走査側Nch高耐圧MOSIC（第１スイッチング回路
に相当）、121,131は各IC120,130の中のシフトレジスタ
等の論理回路である。140,150は同走査側Pchの高耐圧MO
SIC（第２スイッチング回路に相当）、141,151は各IC14
0,150の中のシフトレジスタ等の論理回路である。
200はＸ方向電極に対応するデータ側ドライバICであ
り、ドライバ部分は片方が電圧VM（＝60V）の電源に接
続されプルアップ機能を有するPchFETもしくはPNPトラ
ンジスタUT1〜UTi（第３スイッチング回路に相当）、片
側が接地されプルダウン機能を有するNchFETもしくはNP
NトランジスタDT1〜DTi（第４スイッチング回路に相
当）及びそれぞれのトランジスタと逆方向に電流を流す
為のダイオードUD1〜UDi、DD1〜DDiで構成され、それぞ
れが同IC内のシフトレジスタ等の論理回路201によって
コントロールされる。
り、ドライバ部分は片方が電圧VM（＝60V）の電源に接
続されプルアップ機能を有するPchFETもしくはPNPトラ
ンジスタUT1〜UTi（第３スイッチング回路に相当）、片
側が接地されプルダウン機能を有するNchFETもしくはNP
NトランジスタDT1〜DTi（第４スイッチング回路に相
当）及びそれぞれのトランジスタと逆方向に電流を流す
為のダイオードUD1〜UDi、DD1〜DDiで構成され、それぞ
れが同IC内のシフトレジスタ等の論理回路201によって
コントロールされる。
300は前記走査側Pch高耐圧MOSIC140,150のソース電位切
換え回路であり、電位190V（＝Vw）と250V（＝Vw＋VM）
と0Vとが信号“PSW"により開閉するスイッチSW1と信号
“PSC"によって開閉するスイッチSW2によって切換えら
れる。
換え回路であり、電位190V（＝Vw）と250V（＝Vw＋VM）
と0Vとが信号“PSW"により開閉するスイッチSW1と信号
“PSC"によって開閉するスイッチSW2によって切換えら
れる。
400は前記走査側Nch高耐圧MOSIC120,130のソース電位切
換え回路であり、電位−190V（＝−Vw）と0Vとが、信号
“NSC"により開閉するスイッチSW3によって切換えられ
る。
換え回路であり、電位−190V（＝−Vw）と0Vとが、信号
“NSC"により開閉するスイッチSW3によって切換えられ
る。
500はデータ反転コントロール回路である。
600は、データ側ドライバIC200内のトランジスタUT1〜U
Ti及びダイオードUD1〜UDiの共通線（以下VCC2と呼ぶ）
をコントロールする為の回路であり、スイッチT1を“OF
F"スイッチT2を“ON"にし、コンデンサCMに30V（1/2
VM）を充電し、スイッチT1を“ON"スイッチ２を“OFF"
にして電位60V（VM）に引き上げる。スイッチT3は、共
通線電位VCC2をスイッチT1,T2でコントロールされる電
位とフローティングとを切換えるスイッチである。
Ti及びダイオードUD1〜UDiの共通線（以下VCC2と呼ぶ）
をコントロールする為の回路であり、スイッチT1を“OF
F"スイッチT2を“ON"にし、コンデンサCMに30V（1/2
VM）を充電し、スイッチT1を“ON"スイッチ２を“OFF"
にして電位60V（VM）に引き上げる。スイッチT3は、共
通線電位VCC2をスイッチT1,T2でコントロールされる電
位とフローティングとを切換えるスイッチである。
次に、第６図のタイムチャートを用いて、第５図の動作
を説明する。
を説明する。
ここでは線順次駆動で絵素Ａを含むY1と絵素Ｂを含むY2
の走査側電極が選択されるものとする。また、この駆動
装置では、１ライン毎に絵素に印加される電圧の極性を
反転して駆動されるが走査側選択電極に接続されている
Nch高耐圧MOSIC120,130のトランジスタをONし、その電
極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラ
インの駆動タイミングをNch駆動タイミングと呼び、一
方、走査側選択電極に接続されているPch高耐圧MOSIC14
0,150のトランジスターをONし、その電極ライン上の絵
素に正の書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイ
ミングをPch駆動タイミングと呼ぶことにする。
の走査側電極が選択されるものとする。また、この駆動
装置では、１ライン毎に絵素に印加される電圧の極性を
反転して駆動されるが走査側選択電極に接続されている
Nch高耐圧MOSIC120,130のトランジスタをONし、その電
極ライン上の絵素に負の書き込みパルスを印加する１ラ
インの駆動タイミングをNch駆動タイミングと呼び、一
方、走査側選択電極に接続されているPch高耐圧MOSIC14
0,150のトランジスターをONし、その電極ライン上の絵
素に正の書き込みパルスを印加する１ラインの駆動タイ
ミングをPch駆動タイミングと呼ぶことにする。
又、走査側奇数ラインに対してNch駆動をし偶数ライン
に対してPch駆動を実行するフィールド（画面）をNPフ
ィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼ぶこ
とにする。
に対してPch駆動を実行するフィールド（画面）をNPフ
ィールド、その逆のフィールドをPNフィールドと呼ぶこ
とにする。
第６図において、“H"は水平同期信号であり“High"期
間はデータ有効期間を示す。“V"は垂直同期信号であ
り、この信号の立ち上がりから、１フレームの駆動が開
始する。“DLS"はデータラッチ信号であり、１ラインの
データ転送が終了後出力される。“DCK"は、データ側デ
ータ転送クロックである。“RVC"は、データ反転信号で
あり、Pch駆動を行なうラインのデータ転送期間に“Hig
h"になり、この期間中のデータを全て反転させる。“DA
TA"は表示データ信号である。D1〜Diはデータ側のドラ
イバIC200のトランジスタUT1〜UTi,DT1〜DTiに入力され
るデータである。その他の信号については第１表に説明
している。
間はデータ有効期間を示す。“V"は垂直同期信号であ
り、この信号の立ち上がりから、１フレームの駆動が開
始する。“DLS"はデータラッチ信号であり、１ラインの
データ転送が終了後出力される。“DCK"は、データ側デ
ータ転送クロックである。“RVC"は、データ反転信号で
あり、Pch駆動を行なうラインのデータ転送期間に“Hig
h"になり、この期間中のデータを全て反転させる。“DA
TA"は表示データ信号である。D1〜Diはデータ側のドラ
イバIC200のトランジスタUT1〜UTi,DT1〜DTiに入力され
るデータである。その他の信号については第１表に説明
している。
データ側の駆動は、基本的には、表示データ（H:発光,
L:非発光）に従って１水平期間の周期で各データ側ライ
ンに印加する電圧を、60V（＝VM）と0Vに切り換えるこ
とにより行なう。
L:非発光）に従って１水平期間の周期で各データ側ライ
ンに印加する電圧を、60V（＝VM）と0Vに切り換えるこ
とにより行なう。
次に、その切り換えるタイミングについて説明する。第
７図（ａ）はデータ側ドライバIC200の論理回路201の内
部構成を示している。あるラインの駆動が実行されてい
る期間に、次のラインの表示データ（H:発光,L:非発
光）と信号“RVC"との排他的論理和出力が順次１ライン
分の記憶容量をもつシフトレジスタ2011に入力される。
このシフトレジスタに入力された“DATARVC"は、１ラ
インのデータ転送終了後、入力される信号“DLS"によっ
てラッチ回路2012に取り込まれ、以後、その駆動タイミ
ングの終了時までラッチ回路2012に於いて記憶される。
そしてラッチ回路2012の出力によりトランジスタUT1〜U
Ti,DT1〜DTiをそれぞれコントロールする。ゆえにデー
タ側の電極の電圧は信号“DLS"の入力毎に１水平期間の
周期を切り換わることになる。
７図（ａ）はデータ側ドライバIC200の論理回路201の内
部構成を示している。あるラインの駆動が実行されてい
る期間に、次のラインの表示データ（H:発光,L:非発
光）と信号“RVC"との排他的論理和出力が順次１ライン
分の記憶容量をもつシフトレジスタ2011に入力される。
このシフトレジスタに入力された“DATARVC"は、１ラ
インのデータ転送終了後、入力される信号“DLS"によっ
てラッチ回路2012に取り込まれ、以後、その駆動タイミ
ングの終了時までラッチ回路2012に於いて記憶される。
そしてラッチ回路2012の出力によりトランジスタUT1〜U
Ti,DT1〜DTiをそれぞれコントロールする。ゆえにデー
タ側の電極の電圧は信号“DLS"の入力毎に１水平期間の
周期を切り換わることになる。
但し、本案駆動回路の特長としてトランジスタUTnが“O
N"してもすぐに60V（＝VM）は印加されずVCC2コントロ
ール回路600により、30V（＝1/2VM）から60V（＝VM）へ
と段階状の駆動を行ない変調時の消費電力を3/4に低減
している。
N"してもすぐに60V（＝VM）は印加されずVCC2コントロ
ール回路600により、30V（＝1/2VM）から60V（＝VM）へ
と段階状の駆動を行ない変調時の消費電力を3/4に低減
している。
又、信号“RVC"はPch駆動を実行するラインのデータ転
送期間中にHighになり、この期間中のデータを反転させ
る為のデータ反転信号であるが、Pch駆動の表示データ
を反転させる理由を以下に示す。
送期間中にHighになり、この期間中のデータを反転させ
る為のデータ反転信号であるが、Pch駆動の表示データ
を反転させる理由を以下に示す。
後述のように、Pch駆動では、書き込みパルス印加時に
走査側の選択ラインをPch高耐圧MOSIC140,150のトラン
ジスタを“ON"にして250V（＝Vw＋VM）に引き上げ、デ
ータ側の選択ラインを0Vにし、250V（＝Vw＋VM）を絵素
に印加することにより発光させる。この時、非選択ライ
ンは60V（＝VM）にし、（Vw＋VM）−VM＝190Vを絵素に
印加するが、これは発光のしきい値以下なので、この絵
素は発光しない。このような駆動を実行する為にデータ
側の選択ラインＮに接続されているトランジスタUTnは
“OFF",トランジスタDTnは“ON"にする。非選択ライン
Ｍでは、トランジスタUTmを“ON",トランジスタDTmを
“OFF"にする。つまり、選択ラインの入力データDnは
“Low",非選択ラインの入力データDmは“High"にしなけ
ればならない。これは、入力の表示データ（H:発光,L:
非発光）とは逆になり、データを反転する為の信号“RV
C"が必要となる。以上の駆動によるデータ側の印加波形
を第６図にデータ側X2として示す。実線は全面発光時，
点線は全面消去時の印加波形である。
走査側の選択ラインをPch高耐圧MOSIC140,150のトラン
ジスタを“ON"にして250V（＝Vw＋VM）に引き上げ、デ
ータ側の選択ラインを0Vにし、250V（＝Vw＋VM）を絵素
に印加することにより発光させる。この時、非選択ライ
ンは60V（＝VM）にし、（Vw＋VM）−VM＝190Vを絵素に
印加するが、これは発光のしきい値以下なので、この絵
素は発光しない。このような駆動を実行する為にデータ
側の選択ラインＮに接続されているトランジスタUTnは
“OFF",トランジスタDTnは“ON"にする。非選択ライン
Ｍでは、トランジスタUTmを“ON",トランジスタDTmを
“OFF"にする。つまり、選択ラインの入力データDnは
“Low",非選択ラインの入力データDmは“High"にしなけ
ればならない。これは、入力の表示データ（H:発光,L:
非発光）とは逆になり、データを反転する為の信号“RV
C"が必要となる。以上の駆動によるデータ側の印加波形
を第６図にデータ側X2として示す。実線は全面発光時，
点線は全面消去時の印加波形である。
次に走査側の駆動について説明する。走査側は選択ライ
ンに印加される書き込みパルス幅を発光絵素数に応じ
て、信号“PSW"又は信号“NSC"又は信号“PSW"と信号
“NSC"の両方を制御する事で変化させている。基本構成
は変わらない為、本発明では信号“NSC"の説明のみ行な
う。
ンに印加される書き込みパルス幅を発光絵素数に応じ
て、信号“PSW"又は信号“NSC"又は信号“PSW"と信号
“NSC"の両方を制御する事で変化させている。基本構成
は変わらない為、本発明では信号“NSC"の説明のみ行な
う。
なお、Nch高耐圧MOSIC120,130の論理回路121,131の内部
構成例を第７図（ｂ）に、Pch高耐圧MOSIC140,150の論
理回路141,151の内部構成例を第８図（ｃ）に示し、300
0,4000はシフトレジスタ、3001,4001はラッチ回路であ
る。それぞれの論理回路の真理値表を第２表，第３表に
示す。この２つのICは、相補型の回路構成からなり、論
理は全て逆になるが構成は同様である為、Nch高耐圧MOS
IC120,130についてのみ説明する。
構成例を第７図（ｂ）に、Pch高耐圧MOSIC140,150の論
理回路141,151の内部構成例を第８図（ｃ）に示し、300
0,4000はシフトレジスタ、3001,4001はラッチ回路であ
る。それぞれの論理回路の真理値表を第２表，第３表に
示す。この２つのICは、相補型の回路構成からなり、論
理は全て逆になるが構成は同様である為、Nch高耐圧MOS
IC120,130についてのみ説明する。
シフトレジスタ3000は走査側の選択ラインを記憶してお
く為の回路であり、CLOCK信号のHigh期間で“▲
▼”を取り込み、Low期間で転送する構成とする。
この駆動装置ではCLOCK信号として、奇数側Nch高耐圧MO
SIC120には第６図の信号“NSTodd"を、偶数側Nch高耐圧
MOSIC130には信号“NSTeven"をそれぞれ入力する。又、
NDATA信号として、第６図のように１フレームに１回、
Ｖ信号の立ち上がりの後に入力される最初のCLOCK信号
“NSTodd",“NSTeven"のHigh期間だけLowにした信号を
入力する。このように２回の水平期間に対して、１回の
割り合いで、CLOCK信号“NSTodd",“NSTeven"を入力す
るのは、１ライン毎にNch駆動とPch駆動とを繰り返して
実行するためである。ゆえにNch高耐圧MOSICとPch高耐
圧MOSICに入力するCLOCK信号の位相は、１水平期間分ず
らして入力する。又NPフィールドでは、奇数ラインに対
してNch駆動を実行する為、信号“NSTodd"（＝“CLOCKo
dd"）のみに、PNフィールドでは偶数ラインに対してNch
駆動を実行する為信号“NSTeven"（＝“CLOCKeven"）の
みに、パルス信号を入力することにより目的の駆動を実
現している。
く為の回路であり、CLOCK信号のHigh期間で“▲
▼”を取り込み、Low期間で転送する構成とする。
この駆動装置ではCLOCK信号として、奇数側Nch高耐圧MO
SIC120には第６図の信号“NSTodd"を、偶数側Nch高耐圧
MOSIC130には信号“NSTeven"をそれぞれ入力する。又、
NDATA信号として、第６図のように１フレームに１回、
Ｖ信号の立ち上がりの後に入力される最初のCLOCK信号
“NSTodd",“NSTeven"のHigh期間だけLowにした信号を
入力する。このように２回の水平期間に対して、１回の
割り合いで、CLOCK信号“NSTodd",“NSTeven"を入力す
るのは、１ライン毎にNch駆動とPch駆動とを繰り返して
実行するためである。ゆえにNch高耐圧MOSICとPch高耐
圧MOSICに入力するCLOCK信号の位相は、１水平期間分ず
らして入力する。又NPフィールドでは、奇数ラインに対
してNch駆動を実行する為、信号“NSTodd"（＝“CLOCKo
dd"）のみに、PNフィールドでは偶数ラインに対してNch
駆動を実行する為信号“NSTeven"（＝“CLOCKeven"）の
みに、パルス信号を入力することにより目的の駆動を実
現している。
論理回路3001は、信号“NST"と信号“NCL"の２種類を使
い、高耐圧MOSICのトランジスタを“ON",“OFF",シフレ
ジスタ3000のデータに従う３つの状態に切り換える為の
回路であり、その論理は前記第２表の真理値による。
い、高耐圧MOSICのトランジスタを“ON",“OFF",シフレ
ジスタ3000のデータに従う３つの状態に切り換える為の
回路であり、その論理は前記第２表の真理値による。
Pch駆動では、ソース電位切換え回路300のソース電位を
190V（＝Vw）にしてPch高耐圧MOSIC140のトランジスタ
をシフトレジスタ141のデータに従って“ON"し、Nch駆
動ではソース電位切換え回路400のソース電位を−190V
を（＝−Vw）にしてNch高耐圧MOSIC150のトランジスタ
をシフトレジスタ151のデータに従って“ON"する。この
期間のデータ側は、VCC2コントロール回路600のソース
電圧を0Vにするので、電極X1〜Xiはすべて0Vになる。ま
た、PNフィールドではこの逆の駆動を行なう。
190V（＝Vw）にしてPch高耐圧MOSIC140のトランジスタ
をシフトレジスタ141のデータに従って“ON"し、Nch駆
動ではソース電位切換え回路400のソース電位を−190V
を（＝−Vw）にしてNch高耐圧MOSIC150のトランジスタ
をシフトレジスタ151のデータに従って“ON"する。この
期間のデータ側は、VCC2コントロール回路600のソース
電圧を0Vにするので、電極X1〜Xiはすべて0Vになる。ま
た、PNフィールドではこの逆の駆動を行なう。
以上の動作をまとめると、この駆動回路の動作は、前述
のとおり大きく分けてNPフィールドPNフィールドの２種
類のタイミングから構成され、この２つのフィールドを
実行を完了することにより、薄膜EL表示装置の全絵素に
対して発光に必要な交流パルスを閉じるものである。更
に、それぞれのフィールドはNch駆動と、Pch駆動の２種
類のタイミングから構成されており、書き込みパルス印
加期間はNPフィールドでは走査側の奇数番目選択ライン
に対してNch駆動を実行し、PNフィールドではその逆の
駆動を実行する。
のとおり大きく分けてNPフィールドPNフィールドの２種
類のタイミングから構成され、この２つのフィールドを
実行を完了することにより、薄膜EL表示装置の全絵素に
対して発光に必要な交流パルスを閉じるものである。更
に、それぞれのフィールドはNch駆動と、Pch駆動の２種
類のタイミングから構成されており、書き込みパルス印
加期間はNPフィールドでは走査側の奇数番目選択ライン
に対してNch駆動を実行し、PNフィールドではその逆の
駆動を実行する。
次に第１図を用いて本発明の一実施例に係る信号“NSC"
について説明する。第１図（ａ）のパルス幅制御回路に
おいて、1,4,5はインバータ（NOT回路）、2,3,6はAND回
路、７はOR回路である。まず初めに信号“DATA"をイン
バータ１で反転しAND回路２へ入力する。データの有効
期間は信号“HD"が“H"レベルの時のみであるから信号
“HD"もAND回路２へ入力する。これより出力されるデー
タはＮ駆動とＰ駆動の両方に関係しているから、Ｎ駆動
のみに関するデータを取り出す為、AND回路３におく信
号“NS"との論理和をとる。これより出力されたデータ
がダイオードD1と抵抗R2を通りコンデンサC1に電荷をチ
ャージしていく。コンデンサC1は信号“DATA"で“L"が
多いほどチャージ量が増える。ダイオードD1はコンデン
サC1にためた電荷がAND回路３に逆流するのを防ぐ為に
必要で抵抗R2は信号“HD"の幅に応じて適当な値を選ぶ
必要がある。次にＮ駆動が始まってしばらくした後イン
バーター４によりコンデンサC1にためていた電荷をディ
スチャージする。そのディスチャージの量は抵抗R1でコ
ントロールする。これによりコンデンサC1のレベル（即
ちＡ点の電圧レベル）は第１図（ｂ）で示す様になる。
について説明する。第１図（ａ）のパルス幅制御回路に
おいて、1,4,5はインバータ（NOT回路）、2,3,6はAND回
路、７はOR回路である。まず初めに信号“DATA"をイン
バータ１で反転しAND回路２へ入力する。データの有効
期間は信号“HD"が“H"レベルの時のみであるから信号
“HD"もAND回路２へ入力する。これより出力されるデー
タはＮ駆動とＰ駆動の両方に関係しているから、Ｎ駆動
のみに関するデータを取り出す為、AND回路３におく信
号“NS"との論理和をとる。これより出力されたデータ
がダイオードD1と抵抗R2を通りコンデンサC1に電荷をチ
ャージしていく。コンデンサC1は信号“DATA"で“L"が
多いほどチャージ量が増える。ダイオードD1はコンデン
サC1にためた電荷がAND回路３に逆流するのを防ぐ為に
必要で抵抗R2は信号“HD"の幅に応じて適当な値を選ぶ
必要がある。次にＮ駆動が始まってしばらくした後イン
バーター４によりコンデンサC1にためていた電荷をディ
スチャージする。そのディスチャージの量は抵抗R1でコ
ントロールする。これによりコンデンサC1のレベル（即
ちＡ点の電圧レベル）は第１図（ｂ）で示す様になる。
放電開始後コンデンサC1の電位がインバーター５の“L"
レベルになった時はじめてインバーター５の出力が“H"
レベルになる。但しこの“H"レベルは信号“DATA"が全
て“H"であれば常に“H"レベルとなり、Ｎ駆動以外でも
信号“NSC"が“H"になる為最大パルス幅として信号“NW
H"とAND回路６によって論理和をとる必要がある。さら
に信号“DATA"が全て“L"であれば使用部品の若干の誤
差変動で信号“NSC"が常に“L"になる事を防ぐ為最小パ
ルス幅として信号“NWC"との論理和を0R回路７によりと
っている。これよりＮ駆動時、発光絵素数の変化に応じ
て信号“NSC"のスイッチング期間を最大パルス幅信号
“NWH"から最小パルス幅信号“NWC"まで変化させる事が
できる。
レベルになった時はじめてインバーター５の出力が“H"
レベルになる。但しこの“H"レベルは信号“DATA"が全
て“H"であれば常に“H"レベルとなり、Ｎ駆動以外でも
信号“NSC"が“H"になる為最大パルス幅として信号“NW
H"とAND回路６によって論理和をとる必要がある。さら
に信号“DATA"が全て“L"であれば使用部品の若干の誤
差変動で信号“NSC"が常に“L"になる事を防ぐ為最小パ
ルス幅として信号“NWC"との論理和を0R回路７によりと
っている。これよりＮ駆動時、発光絵素数の変化に応じ
て信号“NSC"のスイッチング期間を最大パルス幅信号
“NWH"から最小パルス幅信号“NWC"まで変化させる事が
できる。
次に本発明を使用した駆動方法について、第10図に示す
第５図の等価回路図を用いて説明する。
第５図の等価回路図を用いて説明する。
なお、第４表は第10図の記号の説明を示す。
1. NPフィールドNch駆動における書き込み期間 Pch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を0Vにする為、
信号“PSC"を“OFF"にする。そしてシフトレジスタ21の
データに従って奇数側Nch高耐圧MOSトランジスタNTodd
の中から１ラインを選択しトランジスタNTSを“ON"にす
る。その他のNch及びPch高耐圧MOSトランジスタは全て
“OFF"にする。
信号“PSC"を“OFF"にする。そしてシフトレジスタ21の
データに従って奇数側Nch高耐圧MOSトランジスタNTodd
の中から１ラインを選択しトランジスタNTSを“ON"にす
る。その他のNch及びPch高耐圧MOSトランジスタは全て
“OFF"にする。
Nch高耐圧MOSトランジスタのソース電位を−190V（＝V
w）にする為、信号“NSC"を発光絵素数の変化に応じて
“ON"し印加波形の立ち上がりタイミングを制御する。
次にデータ側のトランジスタUTB,UTD,DTB,DTDは変調期
間の駆動を継続し、ラインVCC2は、まずスイッチ３を
“ON"にし電位を0Vから1/2VMに切り換え、次にスイッチ
T2を“OFF",スイッチ１を“ON"にし、電位VMに引き上げ
る。これによりデータ側の選択絵素を含む電極はVM＝60
V非選択電極は0Vの電位になり走査側の選択電極が−Vw
＝190Vであるから、走査側の選択電極とデータ側の選択
電極間の絵素CBSには60V−（−190V）＝250Vが印加され
発光する。データ側の非選択電極間の絵素CDSには、0V
−（−190V）＝190Vが印加されるが発光するしきい値以
下なので発光しない。又走査側非選択ライン上の絵素
CB,CDについては走査側の電極はフローティングである
からデータ側の選択ラインと非選択ラインの比率によっ
て0Vから60Vまで変化する。
w）にする為、信号“NSC"を発光絵素数の変化に応じて
“ON"し印加波形の立ち上がりタイミングを制御する。
次にデータ側のトランジスタUTB,UTD,DTB,DTDは変調期
間の駆動を継続し、ラインVCC2は、まずスイッチ３を
“ON"にし電位を0Vから1/2VMに切り換え、次にスイッチ
T2を“OFF",スイッチ１を“ON"にし、電位VMに引き上げ
る。これによりデータ側の選択絵素を含む電極はVM＝60
V非選択電極は0Vの電位になり走査側の選択電極が−Vw
＝190Vであるから、走査側の選択電極とデータ側の選択
電極間の絵素CBSには60V−（−190V）＝250Vが印加され
発光する。データ側の非選択電極間の絵素CDSには、0V
−（−190V）＝190Vが印加されるが発光するしきい値以
下なので発光しない。又走査側非選択ライン上の絵素
CB,CDについては走査側の電極はフローティングである
からデータ側の選択ラインと非選択ラインの比率によっ
て0Vから60Vまで変化する。
2. NPフィールドPch駆動における書き込み期間 Pch高耐圧MOSトランジスタのソース電位をVw＋VM＝250V
にする為、信号“PSW"及び信号“PSC"を“ON"にし、Nch
高耐圧MOSトランジスタのソース電位を0Vにする為、信
号“NSC"を“OFF"にする。そしてシフトレジスタ51のデ
ータに従って偶数側Pch高耐圧MOSトランジスタPTevenの
中から１ラインを選択しトランジスタPTSを“ON"にす
る。その他のNch及びPch高耐圧MOSトランジスタPT,NTS,
NTは全て“OFF"にする。データ側のトランジスタUTB,UT
D,DTB,DTDは変調期間の駆動を継続し、ラインVCC2はま
ずスイッチT3を“ON"にし、電位を0Vから1/2VMに切り換
え次にスイッチT2を“OFF",スイッチT1を“ON"にし電位
VMに引き上げる。これによりデータ側の選択絵素を含む
電極は0V,非選択電極はVM＝60Vの電位になり、走査側の
選択電極がVw＋VM＝250Vであるから、走査側の選択電極
とデータ側の選択電極間の絵素には250V−0V＝250Vが前
Nch駆動の書き込みパルスとは逆極性で印加されること
になり、発光する。しかしデータ側の非選択電極間の絵
素では、250V−60V＝190Vが印加されるが発光するしき
い値以下なので発光しない。
にする為、信号“PSW"及び信号“PSC"を“ON"にし、Nch
高耐圧MOSトランジスタのソース電位を0Vにする為、信
号“NSC"を“OFF"にする。そしてシフトレジスタ51のデ
ータに従って偶数側Pch高耐圧MOSトランジスタPTevenの
中から１ラインを選択しトランジスタPTSを“ON"にす
る。その他のNch及びPch高耐圧MOSトランジスタPT,NTS,
NTは全て“OFF"にする。データ側のトランジスタUTB,UT
D,DTB,DTDは変調期間の駆動を継続し、ラインVCC2はま
ずスイッチT3を“ON"にし、電位を0Vから1/2VMに切り換
え次にスイッチT2を“OFF",スイッチT1を“ON"にし電位
VMに引き上げる。これによりデータ側の選択絵素を含む
電極は0V,非選択電極はVM＝60Vの電位になり、走査側の
選択電極がVw＋VM＝250Vであるから、走査側の選択電極
とデータ側の選択電極間の絵素には250V−0V＝250Vが前
Nch駆動の書き込みパルスとは逆極性で印加されること
になり、発光する。しかしデータ側の非選択電極間の絵
素では、250V−60V＝190Vが印加されるが発光するしき
い値以下なので発光しない。
3. PNフィールドPch駆動における書き込み期間 走査側の選択ラインが奇数側から選択される以外はNPフ
ィールドのPch駆動と同様の駆動を行なう。
ィールドのPch駆動と同様の駆動を行なう。
4. PNフィールドNch駆動における書き込み期間 走査側の選択ラインが偶数側から選択され、そのライン
のNch高耐圧MOSトランジスタがONする以外は、NPフィー
ルドと同様の駆動の行なう。
のNch高耐圧MOSトランジスタがONする以外は、NPフィー
ルドと同様の駆動の行なう。
以上Nch駆動におけるパルス幅変調方法について述べた
がPch駆動に対して行なっても、さらにはNch,Pch駆動両
方に行なってもさしさわりはない。
がPch駆動に対して行なっても、さらにはNch,Pch駆動両
方に行なってもさしさわりはない。
これらの選択は使用する走査側ドライバーiC120,130,14
0,150の流せる電流能力の大小及びELパネルの１ライン
当りの容量の大小さらには駆動タイミングの長短により
決定する事でよりよい表示状態が得られる。
0,150の流せる電流能力の大小及びELパネルの１ライン
当りの容量の大小さらには駆動タイミングの長短により
決定する事でよりよい表示状態が得られる。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば発光絵素数の多少にかかわ
りなく常に一定の輝度が得られる表示品位のすぐれた薄
膜EL表示装置の駆動方法を提供できる。
りなく常に一定の輝度が得られる表示品位のすぐれた薄
膜EL表示装置の駆動方法を提供できる。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を示す回路及
びタイミングチャート第２図は従来の駆動方法での発光
絵素数と相対輝度を示すグラフ、第３図は輝度差が判別
できるELパネルの表示パターンを示す模式図、第４図は
発光絵素数と絵素にかかる電圧波形を示す波形図、第５
図は一実施例を示す電気回路図、第６図は第５図の動作
を説明するタイムチャート、第７図（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ第５図における論理回路を説明する説
明図、第８図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第
９図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示
すグラフ、第10図は第５図の動作状態を等価回路によっ
て示す説明図である。 110……薄膜EL表示装置、120,130……走査側Nch高耐圧M
OSIC（第１スイッチング回路）、140,150……走査側Pch
高耐圧MOSIC（第２スイッチング回路）、200……データ
側ドライバIC（第３及び第４スイッチング回路）、300
……走査側Pch高耐圧MOSICのソース電位切換回路（第６
スイッチング回路）、400……走査側Nch高耐圧MOSICの
ソース電位切換回路（第５スイッチング回路）、600…
…VCC2コントロール回路（第７スイッチング回路）。
びタイミングチャート第２図は従来の駆動方法での発光
絵素数と相対輝度を示すグラフ、第３図は輝度差が判別
できるELパネルの表示パターンを示す模式図、第４図は
発光絵素数と絵素にかかる電圧波形を示す波形図、第５
図は一実施例を示す電気回路図、第６図は第５図の動作
を説明するタイムチャート、第７図（ａ），（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ第５図における論理回路を説明する説
明図、第８図は薄膜EL表示装置の一部切欠き斜視図、第
９図は薄膜EL表示装置の印加電圧に対する輝度特性を示
すグラフ、第10図は第５図の動作状態を等価回路によっ
て示す説明図である。 110……薄膜EL表示装置、120,130……走査側Nch高耐圧M
OSIC（第１スイッチング回路）、140,150……走査側Pch
高耐圧MOSIC（第２スイッチング回路）、200……データ
側ドライバIC（第３及び第４スイッチング回路）、300
……走査側Pch高耐圧MOSICのソース電位切換回路（第６
スイッチング回路）、400……走査側Nch高耐圧MOSICの
ソース電位切換回路（第５スイッチング回路）、600…
…VCC2コントロール回路（第７スイッチング回路）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−83596（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】EL層を、互いに交差する方向に配列した走
査側電極とデータ側電極との間に介設して構成され、 データ側電極に対して負極性の書き込みパルスを前記走
査側電極に印加する第１のフィールドと、データ側電極
に対して正極性の書き込みパルスを前記走査側電極に印
加する第２のフィールドとを有し、前記第１及び第２の
フィールドを交互にくり返して表示する薄膜EL表示装置
の駆動方法において、 前記第１のフィールド期間（又は第２のフィールド期
間）で次の第２のフィールド期間（又は第１のフィール
ド期間）の表示データ信号を検出し、第２のフィールド
期間（又は第１のフィールド期間）に前記表示データ信
号に基づいて、それぞれの走査側電極に沿って位置する
発光絵素の数に応じた制御信号を発生させ、前記正極性
（又は負極性）の書き込みパルスのパルス幅を変化させ
るパルス幅制御回路が前記正極性（又は負極性）の書き
込みパルスのスイッチングとして設けられたことを特徴
とする薄膜EL表示装置の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170611A JPH0748137B2 (ja) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| US07/215,772 US4951041A (en) | 1987-07-07 | 1988-07-06 | Driving method for thin film el display device and driving circuit thereof |
| DE3823061A DE3823061A1 (de) | 1987-07-07 | 1988-07-07 | Verfahren und schaltung zur ansteuerung einer duennfilm-elektrolumineszenz(el)-anzeigeeinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62170611A JPH0748137B2 (ja) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6413194A JPS6413194A (en) | 1989-01-18 |
| JPH0748137B2 true JPH0748137B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=15908066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62170611A Expired - Lifetime JPH0748137B2 (ja) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4951041A (ja) |
| JP (1) | JPH0748137B2 (ja) |
| DE (1) | DE3823061A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001515229A (ja) * | 1997-08-29 | 2001-09-18 | キャンデサント、テクノロジーズ、コーポレーション | 被供給デバイスの輝度を制御する回路および方法 |
| JP2001515228A (ja) * | 1997-08-29 | 2001-09-18 | キャンデサント、テクノロジーズ、コーポレーション | 光センサに応答して被供給デバイスの輝度を制御する回路および方法 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797185B2 (ja) * | 1987-09-16 | 1998-09-17 | 富士通株式会社 | マトリクス表示パネルの駆動回路 |
| JP2619028B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1997-06-11 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法および装置 |
| US5001481A (en) * | 1990-01-30 | 1991-03-19 | David Sarnoff Research Center, Inc. | MOS transistor threshold compensation circuit |
| JP2682886B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1997-11-26 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
| JPH04128786A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-30 | Sharp Corp | 表示装置 |
| US5742265A (en) * | 1990-12-17 | 1998-04-21 | Photonics Systems Corporation | AC plasma gas discharge gray scale graphic, including color and video display drive system |
| WO1994014154A1 (en) * | 1992-12-10 | 1994-06-23 | Westinghouse Electric Corporation | Increased brightness drive system for an electroluminescent display panel |
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