JPH0192913A - 多チャンネル薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明はＰ　ＣＭ　（１’ｕｌｓｅ　Ｃｏｄｅ　Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ　）記録再生装置や電子スチルカメラ等
に用いられる多チャンネル薄膜磁気ヘッドに関し、特に
フロントギャップの形成方法の改良に関する。

〔従来技術〕

一般に、ｇＪ膜磁気ヘッドはヘッドを構成するコイル導
体、上部磁性体絶縁層等がスパッタリング等の真空薄膜
形成技術で形成されているため、量産性に優れ、かつ特
性の均一なヘッドが得られるとともにフォトリングラフ
イー技術でバターニングを行なっているため狭トラツク
、狭ギャップ等の微少寸法化が容易である。

このため、この種の薄膜磁気ヘッドは、記録に関与する
ヘッド磁界が急俊となり、高密度記録が出来、さらに小
型化が可能である。

このような薄膜磁気ヘッドは、第５図〜第７図に示すよ
うに、磁性あるいは非磁性基板（１０）上にアモルファ
ス、センダスト、パーマロイ等の軟磁性材料（１１）が
形成され、その上にＳ、０□等から成る第一絶縁ｒＰ！
Ｊ（１２）が形成された後Ｃ工等の金属導体よりなるコ
イル導体（１３）が形成され、その後第二絶縁層（１４
）が形成され、フロントギヤ７，７部（１９）とリアギ
ャップ（２０）に形成された絶縁１（１２）（１４）を
エツチングにより除き、その後フロントギャップ部（２
０）にギャップＪ！（１７）を形成した後、上部磁性体
（１８）をパターンエツチングして完成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、上述した薄膜磁気ヘッドの製造工程において
は第６図（Ａ）、第７図（Ａ）に示すようにフロントギ
ャップ部（１９）を、エツチングで形成する場合に、そ
れぞれチャンネルの上部磁性体（１８）が配設されるで
あろう位置のみをエツチングしている。

この場合、エツチングするためのマスクとなるフォトレ
ジスト（１５）を塗布し、露光現像した後ではフォトレ
ジストの側壁角度は約８０〜８５゜位になっている。

このような形状であるフォトレジストをマスクとして、
例えばイオンミリングで、イオンビーム入射角度θ−３
０゛　（フォトレジスト（１５）下面の法線方向の傾き
）でエツチングした場合にはエツチングされるべき絶縁
層（１４）（１２）が裾野をひいた形（第６図（Ｃ）の
符号（１２ａ）で示す部分）が形成されてしまい、トラ
ック巾（Ｔｗ、）となる・べき領域にわたりギャップ長
のバラツキを生ずる。また、薄膜磁気ヘッドのトラック
１１が狭い場合には、当然マスクとなるフォトレジスト
のパターニングにおいても、エツチングされるべき領域
は小さい形状となる。このような状況で、例えばイオン
ビーム入射角を１０°位ニしてエツチングした場合には
、フォトレジスト近傍（第６図（Ｄ）の符号（１２ｂ）
で示す部分）のみが非常にエツチングが進み、トラック
１１（’Ｉ’ｗｚ）の領域において、ギャップ長が湾曲
した形状となり、実際のヘッドでは、アジマスロスが大
きくなりＳ／Ｎの低下を招く。

そこで本発明は、上述の問題点に鑑み、下部磁性体上に
複数層のコイル導体、絶縁層、ギ中ツブ層を介して積層
形成されてなる多チャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて、
ギャップ長の不安定やギャップの湾曲等の問題を解決し
、製品歩留りと、Ｓ／Ｎの劣化の−ない薄膜磁気ヘッド
の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、下部磁性体上に複数層のコイル導体、及び上
部磁性体が絶８ｉ層、ギャップ層を介して積層形成され
て成る多チャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて、フロント
ギャップ形成領域のうち上部磁性体が配設される領域と
、上部磁性体が配設される領域と他の上部磁性体が配設
される領域との間の領域に存在する前記絶縁層が同時に
エツチングされている事を特徴とする薄ＩＩＩ　磁気ヘ
ッドにより、上述の問題点を解決せんとするものである
。この時、エツチングされるべき領域は上部磁性体が配
設される領域で、上部磁性体間側と反対側に適宜広げて
もよい。

〔作　用〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは、上部磁性体が形成されるフ
ロントギャップ部に存在するＭＡ縁層を全面にわたりエ
ツチングする。このため、ギャップ長の不安定やギャッ
プ長の湾曲を防止する事が出来、製品歩留が良好で、Ｓ
／Ｎの劣化のない薄膜磁気ヘッドが提供出来る。

〔実施例〕

本発明による°一実施例を第１図〜第４図を参照しなが
ら詳細に説明する。

本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁性体上（ｌ
　ａ）としてＭイーＺＨ系フェライトやＮ　ｒ　Ｚ−系
フェライト等の強磁性酸化物基板、またはセラミック等
の非磁性基板上にＣ，−Ｎｂ−Ｚ１合金（アモルファス
）、Ｆ、−Ａｆｆｉ−３，系合金（センタスト）、Ｆ−
Ｎｉ系合金（パーマロイ）等の強磁性金属材料を積層し
た複合基板、あるいは上記強磁性酸化物基板上にパーマ
ロイやセンダスト等の強磁性金属材料を積層した複合基
板等が使用される。

上記基板（１）上に例えば３１０□等から成る第一絶縁
層（２）をスバータリング等の真空ｈす膜技術で形成し
た後、Ｃｕ及び／１等の金属材料より成るコイル導体（
３）を形成する。さらに、前記コイル導体（３）を全て
覆うように、絶縁層（４）が形成される。その後フロン
トギャップ部（５ａ）及びリヤギャップ（５ｂ）をエツ
チングするために、フォトレジスト（ｂ）を全面に塗布
した後に露光、現像を加えてバターニングする。

設される場所のみならず、２チヤンネルを形成する上部
磁性体間の領域に存在する絶縁層（２）、（４）もエツ
チングされるようにバターニングする（第２図（Ａ））
。

なお本実施例においては、井戸状にフロントギャップ部
をエツチングしているが（第３図Ａ）形状は、この形に
限られるものではなく、上部磁性体間に存在する絶縁層
がギャップ１（７）を介して配設される領域と同時にエ
ツチングされていれば、いかなる形状でもよい事は勿論
である。

ところで、本実施例ではフロントギャップ部（５ａ）と
りアーギャップ部（５ｂ）とが同時にエツチングされる
ようにフォトレジストをパターン化しているが、前記フ
ロントギャップ部（５ａ）とリアギャップ（５ｂ）を別
々にエツチングしてもよい事は勿論である。

その後イオンビーム入射角（フォトレジスト（６）上面
の法線方向の傾き）を例えば３０°でエツチングする。

この結果上部磁性体（８）間の絶縁［（１２）、（１４
）もエツチングされているためこの間で段差が無いので
、上部磁性体（８）のパターンエツチングに際してマス
クとなるフォトレジストの塗布層が非常に均一になり、
厚膜上部磁性体（８）で支障なくエツチング出来る。フ
ロントギャップ部の両側（５ｃ）部分では、エツチング
された絶縁ｊｆｆｌ（１２）、（１４）が裾野をひいた
ような形となるが、上部磁性体（８）がギャップ層（７
）を介して配設される部分（８ａ）では平坦なエツチン
グ面が得られる。

この様な平坦にエツチングされたフロントギャップ部（
５ａ）上にギャップ層（７）をスパッタリングなどで形
成した後、Ｃ，Ｎ、Ｚｃ金合金アモルファス）、ＦｉＡ
ＩＳ五合金（センダスト）、Ｆ、Ｎ１合金（パーマロイ
）等の軟磁性材料から成る上部磁性体（８）がパターン
エツチングされる。

以上のように、フロントギャップ部（５ａ）を上部磁性
体（８）が配設されるべき領域以外も広くエツチングし
ているため、上部磁性体（８）のパターンエツチングが
良好に行なわれる。また、実効的なトラック中の変動や
ギャップ長の湾曲などもなくなり、製造歩留が良く、再
生時のアジマスロスのないＳ／Ｎ比の優れたヘッドが出
来る。

本実施例では、フロントギャップ部（５ａ）に対応する
エツチング部分はヘッドの最先端まで達していないが、
ヘッドを製造する場合、該ヘッドが一番外側で製造する
ヘッドでない場合には隣接するヘッドの非エツチング部
分が該ヘッドの最先端部に隣接することになるから、該
ヘッドのエツチングはヘッド先端部まで行なってもよい
。

〔発明の効果〕

本発明の多チャンネル薄膜磁気ヘッドは、上部磁性体が
ギャップ層を介して配置される領域と多チャンネルを形
成する上部磁性体間の領域に存在する絶縁層を同時にエ
ツチングする事により、前記上部磁性体と下部磁性層間
のギャップ部の湾曲あるいは実効的なトラック中の減少
という事がなくなる。したがって、アジマスロスのない
Ｓ／Ｎの優れた磁気ヘッドが歩留良く製造出来るという
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、第２図（Ａ）、第３図（Ａ）、第４図（
Ａ）は製造プロセスに準じて本発明による一実施例を示
す平面図。第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ断面図
、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）のａ−ａ断面図、第３図
Ｃｌ５）は第３図（Ａ）のａ−ａ断面図、第４図（Ｂ）
は第４図（Ａ）のａ−ａ断面図、第４図（Ｃ）は第４図
（Ａ）のｂ−ｂ断面図、第５図（Ａ）、第６図（Ａ）、
第７図（Ａ）は、製造プロセスに準じて従来例を示す平
面図、第５図（Ｂ）は、第５図（Ａ）のａ−ａ断面図、
第５図（Ｃ）は、第５図図（Ａ）のｂ−ｂ断面図、第６
図（Ｂ）は、第６図（Ａ）のａ−ａ断面図、第６図（Ｃ
）、（Ｄ）は第６図（Ａ）のｂ−ｂ断面図、第７図（Ｂ
）は第７図（Ａ）のａ−ａ断面図、第７図（Ｃ）、（Ｄ
）は第７図（Ａ）のｂ−ｂ断面図である。 １・・・・・・基板 １ａ・・・・・・下部磁性体 ２．４・・・・・・絶縁層 ３・・・・・・コイル導体 ５ａ・・・・・・フロントギャップ部 ５ｂ・・・・・・リアギャップ部 ６・・・・・・フォトレジスト ７・・・・・・ギャップ層 ８・・・・・・上部磁性体 情　３　図（Ａ） 坑　３　図（Ｂ） 第　１　図（Ａ） 第　　２　　図　（Ａ） らｈ 第　１　　図　（Ｂ） 第２図（Ｂ） 第　　６　　図　（Ａ） 第　　６　　図　　（Ｂ） 第　　６　　図　　（Ｃ） 第　　６　　図　（Ｄ） 第　　７　　図　（Ａ） 第　　７　　図　（Ｂ） 第　　７　　図　（Ｃ） 第７図（Ｄ） 手続補正書 昭和６２年特許願第２４９９１９号 ２、　発明の名称 多チャンネル薄膜磁気ヘッド 名称　　（５２０）富士写真フィルム株式会社２）明細
書の１発明の詳細な説明」の欄を次の通り補正する。 （１）明細内筒２頁１行目、「上部磁性体」の後に「及
ｑ」と挿入する。 （２）同書第４頁１４行目、「層を介して」の後に「上
部磁性体が」と挿入する。 （３）同書第６頁１３行目、［スパッタリング」を「ス
パッタリング」と補正する。 （４）同ｔｉｊ第８頁１／Ｉ行目、ＩＣｏＮ、ＺＣｊを
ｒＣｏＮ、Ｚ、Ｊと補正する。 （５）同書第９頁１２行目と１３行目の間に「また本実
施例では２チヤンネル薄膜磁気ヘッドについて述べたが
、これ以上のチャンネル数をもつ薄膜磁気ヘッドにも適
用出来る事は勿論である。、１と挿入する。 特許請求の範囲 下部磁性体上に、複数層のコイル導体及び上部磁性体が
絶縁層叉１工ｉ？ツブ層を介して積層形成されて成る多
チャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて、フロントギ【・ツ
ブ形成領域のうら上部磁性体が配設される領域と、各１
部磁性体が配設される錐賑の間の領域に存在づる前記絶
縁層が同時にエツチングされている事を特徴どする多チ
ャンネル薄膜磁気ヘッド。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下部磁性体上に、複数層のコイル導体及び上部磁性体が
   絶縁層キャップ層を介して積層形成されて成る多チャン
   ネル薄膜磁気ヘッドにおいて、フロントギャップ形成領
   域のうち上部磁性体が配設される領域と、各上部磁性体
   が配設されるの間の領域に存在する前記絶縁層が同時に
   エッチングされている事を特徴とする多チャンネル薄膜
   磁気ヘッド。