JPH0193004A - 透明導電性ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
透明導電性ガラス基板およびその製造方法Info
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- JPH0193004A JPH0193004A JP24586587A JP24586587A JPH0193004A JP H0193004 A JPH0193004 A JP H0193004A JP 24586587 A JP24586587 A JP 24586587A JP 24586587 A JP24586587 A JP 24586587A JP H0193004 A JPH0193004 A JP H0193004A
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- glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は太陽電池や表示デバイスの透明電極などに用い
られる透明導電性ガラス基板およびその製造方法に関す
るものである。
られる透明導電性ガラス基板およびその製造方法に関す
るものである。
［従来の技術］
透明導電性ガラス基板は直接製品の表面に設けられるこ
とが多いので、所定の物理的強度が必要とされる。特に
屋外で使用される大面積太陽電池用透明導電性ガラス基
板に対しては雪等の外的衝撃からの保護の為、ガラス基
板の強化が望まれている。
とが多いので、所定の物理的強度が必要とされる。特に
屋外で使用される大面積太陽電池用透明導電性ガラス基
板に対しては雪等の外的衝撃からの保護の為、ガラス基
板の強化が望まれている。
ガラス基板の強化法には、風冷強化に代表される物理的
強化法とイオン交換処理による化学的強化法が知られて
いるが、太陽電池用のガラス基板等の比較的板厚の薄い
ガラス基板に対しては、物理的強化法が困難であるとこ
ろから後者の化学的強化法が優れている。化学的強化法
として、代表的なＮａ”−＝Ｋ”のイオン交換法はガラ
スの転移温度以下の比較的低い温度域で、ガラス中のＮ
ａ＋イオンをそれよりもイオン半径の大きいに３イオン
と置換し、ガラス表面に圧縮歪を発生させる方法である
が、かかる圧縮歪はガラスの歪点以上の温度では緩和さ
れてしまう。
強化法とイオン交換処理による化学的強化法が知られて
いるが、太陽電池用のガラス基板等の比較的板厚の薄い
ガラス基板に対しては、物理的強化法が困難であるとこ
ろから後者の化学的強化法が優れている。化学的強化法
として、代表的なＮａ”−＝Ｋ”のイオン交換法はガラ
スの転移温度以下の比較的低い温度域で、ガラス中のＮ
ａ＋イオンをそれよりもイオン半径の大きいに３イオン
と置換し、ガラス表面に圧縮歪を発生させる方法である
が、かかる圧縮歪はガラスの歪点以上の温度では緩和さ
れてしまう。
一方、酸化錫を主成分とする透明導電膜が形成された透
明導電性ガラス基体の製造方法としては、低抵抗化、成
膜スピード、量産性、低コスト化などの点から化学的気
相蒸着法（ＣＶＤ法）、特に高温下、例えば、４００〜
６００℃、特に好ましくは５００〜６００℃程度の温度
下でのＣＶＤ法が最適である。かかる特に好ましい温度
は、透明導電性ガラス基板として通常に使用されるソー
ダライムシリケートガラスの場合、その徐冷点以上の温
度となる。従ってＣＶＤ法による成膜時のガラスの温度
下ではＮａ”−Ｋ“のイオン交換法によりガラス基板の
表面に形成された圧縮歪は上記した様に緩和されてしま
うので、歪点よりさらに高温の徐冷点以上の温度、即ち
約５００℃以上で通常処理される酸化錫のＣＶＤ法によ
る成膜プロセスには、上記したＮａ”−＝に＋のイオン
交換法は適さないという問題があった。
明導電性ガラス基体の製造方法としては、低抵抗化、成
膜スピード、量産性、低コスト化などの点から化学的気
相蒸着法（ＣＶＤ法）、特に高温下、例えば、４００〜
６００℃、特に好ましくは５００〜６００℃程度の温度
下でのＣＶＤ法が最適である。かかる特に好ましい温度
は、透明導電性ガラス基板として通常に使用されるソー
ダライムシリケートガラスの場合、その徐冷点以上の温
度となる。従ってＣＶＤ法による成膜時のガラスの温度
下ではＮａ”−Ｋ“のイオン交換法によりガラス基板の
表面に形成された圧縮歪は上記した様に緩和されてしま
うので、歪点よりさらに高温の徐冷点以上の温度、即ち
約５００℃以上で通常処理される酸化錫のＣＶＤ法によ
る成膜プロセスには、上記したＮａ”−＝に＋のイオン
交換法は適さないという問題があった。
［発明の解決しようとする問題点］
本発明の目的は、ＣＶＤ法による酸化錫の成膜温度、通
常はガラスの徐冷点以上の温度においても圧縮応力歪が
緩和され難いガラス基板を用いた透明導電性ガラス基板
及びその製造方法を提供することにある。
常はガラスの徐冷点以上の温度においても圧縮応力歪が
緩和され難いガラス基板を用いた透明導電性ガラス基板
及びその製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は前述の問題点を解決するべくなされたものであ
り、その第１の発明は、ナトリウムを含有するガラス基
板面に化学的気相蒸着法により酸化錫を主成分とする透
明導電膜が形成された透明導電性ガラス基板に於いて、
上記ナトリウムを含有するガラス基板が上記透明導電膜
の形成に先立って該ガラス基板の徐冷点以上の温度でＮ
ａ３−Ｌｉ３のイオン交換強化処理されたものであるこ
とを特徴とする化学強化された透明導電性ガラス基板を
提供するものであり、その第２の発明は、ナトリウムを
含有するガラス基板を該ガラス基板の徐冷点以上の温度
でＮａ”−Ｌｉ“のイオン交換強化処理し、次いで、該
ガラス基板面に化学的気相蒸着法により酸化錫を主成分
とする透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電
性ガラス基板の製造方法を提供するものである。
り、その第１の発明は、ナトリウムを含有するガラス基
板面に化学的気相蒸着法により酸化錫を主成分とする透
明導電膜が形成された透明導電性ガラス基板に於いて、
上記ナトリウムを含有するガラス基板が上記透明導電膜
の形成に先立って該ガラス基板の徐冷点以上の温度でＮ
ａ３−Ｌｉ３のイオン交換強化処理されたものであるこ
とを特徴とする化学強化された透明導電性ガラス基板を
提供するものであり、その第２の発明は、ナトリウムを
含有するガラス基板を該ガラス基板の徐冷点以上の温度
でＮａ”−Ｌｉ“のイオン交換強化処理し、次いで、該
ガラス基板面に化学的気相蒸着法により酸化錫を主成分
とする透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電
性ガラス基板の製造方法を提供するものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において使用されるナトリウムを含有するガラス
基板としては、絶縁性で、化学的、物理的耐久性が高く
、かつ光学的特性の良好なイオン交換強化に適する透明
性ガラス板、例えばソーダライムシリケートガラス、は
うけい酸ガラス、アルミノはうけい酸ガラスなどが使用
できる。特に価格、入手の容易さから、基本組成が５ｉ
（ｈ （６５〜７５ｗｔ％） 、Ｎａ２Ｏ（１０〜２０
ｗｔ％）、Ｃａ０（５〜１５ｗｔ％） 、Ａ１２０３（
０，５〜４ ｗｔ％）、Ｍｇ０（０，５〜４ ｗｔ％）
、Ｆｅ２０３（＜２ｗｔ％）であるソーダライムシリ
ケートガラス基板が最適である。又、ガラス基板の厚さ
は特に限定されないが、光の透過率の低下、強度低下、
取扱いの不便さが起こらない様に、０．５ｍｍ〜６ｍｍ
が適当である。
基板としては、絶縁性で、化学的、物理的耐久性が高く
、かつ光学的特性の良好なイオン交換強化に適する透明
性ガラス板、例えばソーダライムシリケートガラス、は
うけい酸ガラス、アルミノはうけい酸ガラスなどが使用
できる。特に価格、入手の容易さから、基本組成が５ｉ
（ｈ （６５〜７５ｗｔ％） 、Ｎａ２Ｏ（１０〜２０
ｗｔ％）、Ｃａ０（５〜１５ｗｔ％） 、Ａ１２０３（
０，５〜４ ｗｔ％）、Ｍｇ０（０，５〜４ ｗｔ％）
、Ｆｅ２０３（＜２ｗｔ％）であるソーダライムシリ
ケートガラス基板が最適である。又、ガラス基板の厚さ
は特に限定されないが、光の透過率の低下、強度低下、
取扱いの不便さが起こらない様に、０．５ｍｍ〜６ｍｍ
が適当である。
本発明に於ける強化ガラス基板は、５００〜６５０℃の
温度のＬｉ０を含む溶融塩浴中に浸漬させることによっ
て得られる。かかる溶融塩浴のリチウム塩の組成として
は硝酸塩や硫酸塩等が良いが、ヘイズの少ない良質の透
明ガラス基板を得るには特に硫酸リチウムが好ましい。
温度のＬｉ０を含む溶融塩浴中に浸漬させることによっ
て得られる。かかる溶融塩浴のリチウム塩の組成として
は硝酸塩や硫酸塩等が良いが、ヘイズの少ない良質の透
明ガラス基板を得るには特に硫酸リチウムが好ましい。
又、硫酸リチウム塩単体では融点が８６０℃であり、ガ
ラス基板の徐冷点（約５００〜５６０°Ｃ）と比べて高
温であるので、他の塩との混合による共融系にすること
で融点を下げることも有効である。この際に用いる塩と
しては、亜鉛やカリウムなどの塩、特に上記リチウム塩
として硫酸リチウム塩を用いる場合には、硫酸亜鉛や硫
酸カリウムが好適である。かかる塩は硫酸リチウムに対
しモル濃度（％）で５〜４０％添加するのが好ましい。
ラス基板の徐冷点（約５００〜５６０°Ｃ）と比べて高
温であるので、他の塩との混合による共融系にすること
で融点を下げることも有効である。この際に用いる塩と
しては、亜鉛やカリウムなどの塩、特に上記リチウム塩
として硫酸リチウム塩を用いる場合には、硫酸亜鉛や硫
酸カリウムが好適である。かかる塩は硫酸リチウムに対
しモル濃度（％）で５〜４０％添加するのが好ましい。
次にＮａ＋→Ｌｉ０のイオン交換による強化機構につい
て概要を説明する。リチウムイオンな含む溶融塩浴中に
ガラス基板を浸漬するとガラス中のナトリウムイオンは
浴中のリチウムイオンと置換される。リチウムイオンは
ナトリウムイオンに比べてイオン半径が小さい為にイオ
ン交換とともにガラス基板表面の交換層には一時的に引
張り応力が発生する。しかし処理温度がガラスの徐冷点
以上であると、この応力はガラスの粘性流動によって緩
和されるため、歪の発生しない状態で基板表面層のナト
リウムイオンがリチウムイオンに置換され、その後ガラ
ス基板を冷却すると、表面のリチウムイオンの多い層の
冷却収縮が内部のナトリウムイオンの多い層より−も小
さい為に、基板の表面層に圧縮応力が生ずる。この時に
発生する圧縮応力値は１０〜５０にｇ／ｍｍ”程度で、
歪点以下の温度で処理されるＮａ”−に０イオン交換強
化によって表面層に生ずる圧縮応力値３０〜８０にｇ／
ｍｍ”よりも小さいが、表面のイオン交換層がＮａ”−
Ｋ”イオン交換の場合より厚いので充分な実用強度が得
られる。又、本発明に於ける徐冷点以上でのイオン交換
処理で得られた圧縮歪は徐冷点近傍で再熱処理を受けて
も、歪点以下で処理されたＮａ”−に＋イオン交換によ
る圧縮歪に比べて、圧縮歪の応力緩和程度が大巾に小さ
いので本発明の目的に応じた強化ガラス基板を提供でき
る。
て概要を説明する。リチウムイオンな含む溶融塩浴中に
ガラス基板を浸漬するとガラス中のナトリウムイオンは
浴中のリチウムイオンと置換される。リチウムイオンは
ナトリウムイオンに比べてイオン半径が小さい為にイオ
ン交換とともにガラス基板表面の交換層には一時的に引
張り応力が発生する。しかし処理温度がガラスの徐冷点
以上であると、この応力はガラスの粘性流動によって緩
和されるため、歪の発生しない状態で基板表面層のナト
リウムイオンがリチウムイオンに置換され、その後ガラ
ス基板を冷却すると、表面のリチウムイオンの多い層の
冷却収縮が内部のナトリウムイオンの多い層より−も小
さい為に、基板の表面層に圧縮応力が生ずる。この時に
発生する圧縮応力値は１０〜５０にｇ／ｍｍ”程度で、
歪点以下の温度で処理されるＮａ”−に０イオン交換強
化によって表面層に生ずる圧縮応力値３０〜８０にｇ／
ｍｍ”よりも小さいが、表面のイオン交換層がＮａ”−
Ｋ”イオン交換の場合より厚いので充分な実用強度が得
られる。又、本発明に於ける徐冷点以上でのイオン交換
処理で得られた圧縮歪は徐冷点近傍で再熱処理を受けて
も、歪点以下で処理されたＮａ”−に＋イオン交換によ
る圧縮歪に比べて、圧縮歪の応力緩和程度が大巾に小さ
いので本発明の目的に応じた強化ガラス基板を提供でき
る。
本発明において酸化錫透明導電膜を成膜する方法として
は、ガラス基板表面に錫化合物の蒸気を接触させて熱分
解酸化反応等により、酸化錫を堆積させて酸化錫膜を形
成するＣＶＤ法が適用される。
は、ガラス基板表面に錫化合物の蒸気を接触させて熱分
解酸化反応等により、酸化錫を堆積させて酸化錫膜を形
成するＣＶＤ法が適用される。
かかる酸化錫透明導電膜をＣＶＤ法により形成する際の
出発原料である錫化合物としては、優れた光学的性能、
化学的耐久性、物理的耐久性及び低抵抗を得ることがで
きる錫化合物が選ばれる。例えば、テトラメチル錫、テ
トラエチル錫等のアルキル錫化合物、四塩化錫、二塩化
錫等の塩化錫化合物、２メチル錫ジクロライド、モノブ
チル錫トリクロライド等のアルキル塩化錫化合物、ジブ
チル錫ジアセテート等のアルキル錫アセテート化合物な
どが好ましいものとして挙げられるが、勿論これらに限
定されるものではない。かかる錫化合物はそれ単独で用
いてもよいし、又、２種以上の混合物として使用しても
よい。又錫化合物を溶媒に溶かして溶液として使用して
もよい。溶液として使用する場合の溶媒としては、錫化
合物と相溶性があり、かつ溶液として高い蒸気圧を保ち
つつ分解温度を低下さない性質を有する有機溶媒、例え
ば、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類あるいはシクロヘキサン、ヘキサンなどの
炭化水素類、メチルエチルケトン、酢酸メチル、酢酸エ
チル等を１種又は２種以上の混合物として用いるのがよ
い。
出発原料である錫化合物としては、優れた光学的性能、
化学的耐久性、物理的耐久性及び低抵抗を得ることがで
きる錫化合物が選ばれる。例えば、テトラメチル錫、テ
トラエチル錫等のアルキル錫化合物、四塩化錫、二塩化
錫等の塩化錫化合物、２メチル錫ジクロライド、モノブ
チル錫トリクロライド等のアルキル塩化錫化合物、ジブ
チル錫ジアセテート等のアルキル錫アセテート化合物な
どが好ましいものとして挙げられるが、勿論これらに限
定されるものではない。かかる錫化合物はそれ単独で用
いてもよいし、又、２種以上の混合物として使用しても
よい。又錫化合物を溶媒に溶かして溶液として使用して
もよい。溶液として使用する場合の溶媒としては、錫化
合物と相溶性があり、かつ溶液として高い蒸気圧を保ち
つつ分解温度を低下さない性質を有する有機溶媒、例え
ば、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類あるいはシクロヘキサン、ヘキサンなどの
炭化水素類、メチルエチルケトン、酢酸メチル、酢酸エ
チル等を１種又は２種以上の混合物として用いるのがよ
い。
酸化錫に導電性を付与するために酸化錫にドープされる
成分としては、ＣＶＤ法による場合、フッ素又はアンチ
モンが最適である。このドーピング原料としては、フッ
素の場合、ブロモトリフロロメタン（ＣＦＪｒ）、クロ
ロジフロロメタン（ＣＨＦ２Ｃ１）、ヨードペンタフロ
ロエタン（Ｃ，ＦｓＩ）、トリフロロ酢酸等の有機フッ
化化合物、フッ化水素、六フッ化イオウ（ＳＦ６） 、
ニフッ化錫（ＳｎＦｚ）などのフッ素含有化合物が好ま
しいものとして挙げられ、又、アンチモンの場合には、
５ｂＣ１３，５ｂＣ１ｓ、トリブトキシアンチモン、ア
ンチモンアセチルアセトネートなどのアンチモン化合物
が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではない
。
成分としては、ＣＶＤ法による場合、フッ素又はアンチ
モンが最適である。このドーピング原料としては、フッ
素の場合、ブロモトリフロロメタン（ＣＦＪｒ）、クロ
ロジフロロメタン（ＣＨＦ２Ｃ１）、ヨードペンタフロ
ロエタン（Ｃ，ＦｓＩ）、トリフロロ酢酸等の有機フッ
化化合物、フッ化水素、六フッ化イオウ（ＳＦ６） 、
ニフッ化錫（ＳｎＦｚ）などのフッ素含有化合物が好ま
しいものとして挙げられ、又、アンチモンの場合には、
５ｂＣ１３，５ｂＣ１ｓ、トリブトキシアンチモン、ア
ンチモンアセチルアセトネートなどのアンチモン化合物
が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではない
。
上記した錫化合物は液状体として、あるいは溶液として
気化室において加熱され、蒸気とされ、同伴ガスとして
Ｎ２ガス、アルゴンなどの不活性ガスを用いてガラス基
板面へ適用される。
気化室において加熱され、蒸気とされ、同伴ガスとして
Ｎ２ガス、アルゴンなどの不活性ガスを用いてガラス基
板面へ適用される。
又、上記ドーピング原料が溶液の場合には気化室におい
て加熱し、気化して必要に応じて上記した様な同伴ガス
を用いてガラス基板面に適用される。
て加熱し、気化して必要に応じて上記した様な同伴ガス
を用いてガラス基板面に適用される。
錫化合物とドーピング原料の蒸気は、酸素ガスとともに
、同伴ガスを利用しインジェクターを通してガラス基板
面へ適用され、熱分解によりフッ素又はアンチモンがド
ープされた酸化錫透明導電膜が形成される。この様にＣ
ＶＤ法により膜を成形する際、ガラス基板は、熱分解反
応によって光学的特性、化学的特性、電気的特性が向上
する様に、ガラス基板をガラスの軟化点以下の温度に加
熱するのが適当である。この様に加熱されたガラス基板
面と、錫化合物とドーピング原料の蒸気が接触すると、
熱分解反応によってガラス基体の表面に酸化錫透明導電
膜が形成される。
、同伴ガスを利用しインジェクターを通してガラス基板
面へ適用され、熱分解によりフッ素又はアンチモンがド
ープされた酸化錫透明導電膜が形成される。この様にＣ
ＶＤ法により膜を成形する際、ガラス基板は、熱分解反
応によって光学的特性、化学的特性、電気的特性が向上
する様に、ガラス基板をガラスの軟化点以下の温度に加
熱するのが適当である。この様に加熱されたガラス基板
面と、錫化合物とドーピング原料の蒸気が接触すると、
熱分解反応によってガラス基体の表面に酸化錫透明導電
膜が形成される。
ＣＶＤ法はプロセス制御も容易であり、良質の導電性を
有する被膜が得られるので、酸化錫膜の製法として極め
て有用である。
有する被膜が得られるので、酸化錫膜の製法として極め
て有用である。
なお、本発明におけるガラス基板はアルカリ金属元素を
含んでいるので、ガラスの表面からアルカリ金属が溶出
してその上面に形成される透明導電膜へ悪影響を及ぼさ
ないように、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化
ジルコニウ゛ム膜などのアルカリバリヤーコートをガラ
ス基板面に施してもよい。この場合、ガラス基板のＮａ
＋→Ｌｉ＋のイオン交換はアルカリバリヤーコートに先
立って行なう。
含んでいるので、ガラスの表面からアルカリ金属が溶出
してその上面に形成される透明導電膜へ悪影響を及ぼさ
ないように、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化
ジルコニウ゛ム膜などのアルカリバリヤーコートをガラ
ス基板面に施してもよい。この場合、ガラス基板のＮａ
＋→Ｌｉ＋のイオン交換はアルカリバリヤーコートに先
立って行なう。
［実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
板厚３ｍｍのソーダライムシリケートガラス基板（ガラ
ス基板の基本組成Ｓｉｎｇ ＋７２．５ｗ、ｔ％、Ａ
１ｘＯ＋ ： １．５ｗｔ％、ＦｅｚＬ： ０．２ｗｔ
％、Ｃａｂ： ７．６ｗｔ％、ＭｇＯ： ４．０ｗｔ％
、ＮａＪ： １３．９ｗｔ％）を用意し、２０〜２８メ
ツシユの電融ムライトを３０ｃｍの高さから落下させ基
板表面に２０μｍ深さのキズを与えてから、モル比でＬ
ｉ２５Ｏ，８０、Ｋ２Ｓ０４２０からなる ５５０℃の
溶融塩浴中に１０分間浸漬してイオン交換処理した後、
該溶融塩浴からとり出し、常温に達するまで放置し、サ
ンプル１を得た。
ス基板の基本組成Ｓｉｎｇ ＋７２．５ｗ、ｔ％、Ａ
１ｘＯ＋ ： １．５ｗｔ％、ＦｅｚＬ： ０．２ｗｔ
％、Ｃａｂ： ７．６ｗｔ％、ＭｇＯ： ４．０ｗｔ％
、ＮａＪ： １３．９ｗｔ％）を用意し、２０〜２８メ
ツシユの電融ムライトを３０ｃｍの高さから落下させ基
板表面に２０μｍ深さのキズを与えてから、モル比でＬ
ｉ２５Ｏ，８０、Ｋ２Ｓ０４２０からなる ５５０℃の
溶融塩浴中に１０分間浸漬してイオン交換処理した後、
該溶融塩浴からとり出し、常温に達するまで放置し、サ
ンプル１を得た。
同様に、溶融塩組成、処理温度、処理時間を表１、表２
に示すように様々に変えてサンプル２〜サンプル２１を
得た。
に示すように様々に変えてサンプル２〜サンプル２１を
得た。
サンプル１〜１８について、加傷曲げ強度（ガラス基板
にイオン交換強化処理する場合には、イオン交換処理前
にガラス基板に上記加傷処理を施し、次いでイオン交換
処理した後の曲げ強度（Ｋｇ／ｍｍ２）を意味する）を
測定した値を表１に示す。なお、イオン交換強化処理を
施していない上記ガラス基板に上述の加傷処理を施した
後の加傷曲げ強度は１５にｇ／ｍｍ”である。
にイオン交換強化処理する場合には、イオン交換処理前
にガラス基板に上記加傷処理を施し、次いでイオン交換
処理した後の曲げ強度（Ｋｇ／ｍｍ２）を意味する）を
測定した値を表１に示す。なお、イオン交換強化処理を
施していない上記ガラス基板に上述の加傷処理を施した
後の加傷曲げ強度は１５にｇ／ｍｍ”である。
表１
表１から明らかなように、イオン交換強化処理を施こす
ことによって、イオン交換強化処理をしない同板厚のガ
ラス板（加傷曲げ強度１５にｇ／ｍｍ２） の数倍の
強度のガラス板（サンプル１８では加傷曲げ強度４５Ｋ
ｇ／ｍｍ２） が得られていることが認められる。
ことによって、イオン交換強化処理をしない同板厚のガ
ラス板（加傷曲げ強度１５にｇ／ｍｍ２） の数倍の
強度のガラス板（サンプル１８では加傷曲げ強度４５Ｋ
ｇ／ｍｍ２） が得られていることが認められる。
サンプル７〜１２．１９〜２１について、イオン交換強
化処理によって生じた基板表面の圧縮応力層の深さ（μ
ｍ）を測定した値を表２に示す。
化処理によって生じた基板表面の圧縮応力層の深さ（μ
ｍ）を測定した値を表２に示す。
表２
次にサンプル１〜２１と同様のソーダライムシリケート
ガラス基板に上述の加傷処理を施した後、４６０℃の硝
酸カリウム溶融塩浴中に １２０分間浸漬してＮ ａ
” −＋ Ｋ ”のイオン交換処理した後、該溶融塩浴
からとり出し常温に達するまで放置し、サンプルＡを得
た。サンプルＡのこの時点の加傷曲げ強度は７２ （Ｋ
ｇ／ｍｍ”）であった。
ガラス基板に上述の加傷処理を施した後、４６０℃の硝
酸カリウム溶融塩浴中に １２０分間浸漬してＮ ａ
” −＋ Ｋ ”のイオン交換処理した後、該溶融塩浴
からとり出し常温に達するまで放置し、サンプルＡを得
た。サンプルＡのこの時点の加傷曲げ強度は７２ （Ｋ
ｇ／ｍｍ”）であった。
又、サンプル１〜２１と同様のソーダライムシリケート
ガラス板であって、加傷処理した後イオン交換処理を施
さない基板をサンプルＢとする。
ガラス板であって、加傷処理した後イオン交換処理を施
さない基板をサンプルＢとする。
上記サンプル１２（−１１−ル比テＬ１２５Ｏｎ ６０
． ＫｚＳ０４２０、ＺｎＳ０４２０の６２０℃の溶融
塩浴中で１２０分間Ｎａ”−Ｌｉ”のイオン交換処理し
たガラス基板）、サンプルＡ、サンプルＢの３種類のガ
ラス基板をそれぞれ常圧ＣＶＤ装置に入れ、それぞれ５
８０℃（ガラス基板温度）に加熱し、ガラス基板表面に
テトラメチル錫蒸気と酸素とブロモトリフロロメタン蒸
気を含む窒素ガスをＣＶＤノズルから吹きつけＣＶＤ法
によって約８０００人の酸化錫被膜を形成した。ＣＶＤ
法による酸化錫膜形成前のガラス基板と上記した様にし
て得られた透明導電性ガラス基板の加傷曲げ強度を測定
した値と、上記ＣＶＤプロセスによる酸化錫被膜形成前
後の強度比を表３に示す。
． ＫｚＳ０４２０、ＺｎＳ０４２０の６２０℃の溶融
塩浴中で１２０分間Ｎａ”−Ｌｉ”のイオン交換処理し
たガラス基板）、サンプルＡ、サンプルＢの３種類のガ
ラス基板をそれぞれ常圧ＣＶＤ装置に入れ、それぞれ５
８０℃（ガラス基板温度）に加熱し、ガラス基板表面に
テトラメチル錫蒸気と酸素とブロモトリフロロメタン蒸
気を含む窒素ガスをＣＶＤノズルから吹きつけＣＶＤ法
によって約８０００人の酸化錫被膜を形成した。ＣＶＤ
法による酸化錫膜形成前のガラス基板と上記した様にし
て得られた透明導電性ガラス基板の加傷曲げ強度を測定
した値と、上記ＣＶＤプロセスによる酸化錫被膜形成前
後の強度比を表３に示す。
表３
表３より明らかなようにＮａ”−Ｋ”イオン交換強化処
理によって得られるガラス基板は、大きな曲げ強度、即
ち大きな圧縮応力値が得られるが、かかる圧縮歪はＣＶ
Ｄ法による酸化錫被膜形成時の５００〜６００ ℃の加
熱処理により著しく低下してしまうのに対し、本発明の
Ｎａ”→Ｌｉ１ イオン交換強化処理によって得られる
ガラス基板は、上記したＣＶＤ法による酸化錫被膜形成
時の５００〜６００℃の加熱処理によってはほとんど強
度が低下しないことが認められる。
理によって得られるガラス基板は、大きな曲げ強度、即
ち大きな圧縮応力値が得られるが、かかる圧縮歪はＣＶ
Ｄ法による酸化錫被膜形成時の５００〜６００ ℃の加
熱処理により著しく低下してしまうのに対し、本発明の
Ｎａ”→Ｌｉ１ イオン交換強化処理によって得られる
ガラス基板は、上記したＣＶＤ法による酸化錫被膜形成
時の５００〜６００℃の加熱処理によってはほとんど強
度が低下しないことが認められる。
［発明の効果］
以上のように、本発明は、透明導電膜、特に酸化錫を主
成分とする透明導電膜をＣＶＤ法により形成する際の強
度低下が著しく小さく、透明導電膜形成後も充分な強度
を有する透明導電性強化ガラス基板が得られるという優
れた効果を有している。又、本発明によれば、板厚が小
さくても外的衝撃に充分耐える強度を有するガラス基板
が得られるので、特に太陽電池用基板として用いると大
変有利である。又、本発明に於いて、ガラス基板は徐冷
点以′上軟化点以下の高温で処理されているので、アモ
ルファスシリコン膜の形成その他の熱処理がさらに施さ
れても強度低下が少ないという優れた効果も認められる
。
成分とする透明導電膜をＣＶＤ法により形成する際の強
度低下が著しく小さく、透明導電膜形成後も充分な強度
を有する透明導電性強化ガラス基板が得られるという優
れた効果を有している。又、本発明によれば、板厚が小
さくても外的衝撃に充分耐える強度を有するガラス基板
が得られるので、特に太陽電池用基板として用いると大
変有利である。又、本発明に於いて、ガラス基板は徐冷
点以′上軟化点以下の高温で処理されているので、アモ
ルファスシリコン膜の形成その他の熱処理がさらに施さ
れても強度低下が少ないという優れた効果も認められる
。
、′自／ｒ、、、、、、、−
Claims (6)
- （１）ナトリウムを含有するガラス基板面に化学的気相
蒸着法により酸化錫を主成分とする透明導電膜が形成さ
れた透明導電性ガラス基板に於て、上記ナトリウムを含
有するガラス基板が上記透明導電膜の形成に先立って該
ガラス基板の徐冷点以上の温度でＮａ＾＋→Ｌｉ＾＋の
イオン交換強化処理されたものであることを 特徴とする化学強化された透明導電性ガラス基板。 - （２）ガラス基板をその徐冷点以上の温度において溶融
塩と接触させてＮａ＾＋→Ｌｉ＾＋のイオン交換強化処
理が行なわれたものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の透明導電性ガラス基板。 - （３）Ｎａ＾＋→Ｌｉ＾＋のイオン交換強化処理を行う
溶融塩が硫酸塩であることを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の透明導電性ガラス 基板。 - （４）ナトリウムを含有するガラス基板を、該ガラス基
板の徐冷点以上の温度でＮａ＾＋→Ｌｉ＾＋のイオン交
換強化処理し、次いで、該ガラス基板面に化学的気相蒸
着法により酸化錫を主成分とする透明導電膜を形成する
ことを特徴とする透明導電性ガラス基板の製造方法。 - （５）ガラス基板をその徐冷点以上の温度において溶融
塩と接触させてＮａ＾＋→Ｌｉ＾＋のイオン交換強化処
理を施すことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の
透明導電性ガラス基板の製造方法。 - （６）Ｎａ＾＋→Ｌｉ＾＋のイオン交換強化処理におい
てガラス基板と接触させる溶融塩が硫酸塩で あることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の透明
導電性ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24586587A JPH0193004A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 透明導電性ガラス基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24586587A JPH0193004A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 透明導電性ガラス基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193004A true JPH0193004A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17139970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24586587A Pending JPH0193004A (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 透明導電性ガラス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193004A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010168270A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Hoya Corp | ガラス基材及びその製造方法 |
| JP2012216251A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 磁気情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| US10116035B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-10-30 | Corning Incorporated | Electrically conductive articles with discrete metallic silver layers and methods for making same |
| JP2020526473A (ja) * | 2017-07-13 | 2020-08-31 | コーニング インコーポレイテッド | 応力プロファイルが改善されたガラス系物品 |
| US11535555B2 (en) | 2011-10-28 | 2022-12-27 | Corning Incorporated | Glass articles with infrared reflectivity and methods for making the same |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP24586587A patent/JPH0193004A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010168270A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Hoya Corp | ガラス基材及びその製造方法 |
| JP2011105598A (ja) * | 2008-12-26 | 2011-06-02 | Hoya Corp | ガラス基材の製造方法 |
| JP2012254928A (ja) * | 2008-12-26 | 2012-12-27 | Hoya Corp | 携帯端末装置のカバーガラス用のガラス基材 |
| US8642175B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-02-04 | Hoya Corporation | Glass substrate and method for manufactring the same |
| US8813520B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-08-26 | Hoya Corporation | Glass substrate and method for manufacturing the same |
| CN104724917A (zh) * | 2008-12-26 | 2015-06-24 | Hoya株式会社 | 玻璃基材及其制造方法 |
| US9096463B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-08-04 | Hoya Corporation | Glass substrate |
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