JPH0193112A - 加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの熱処理等に用いられる熱処理
方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体ウェハに薄膜を形成する場合は、第４図に
示すような縦型炉と呼ばれている熱処理装置を用い、拡
散、ＣＶＯ法等を利用して薄膜を形成している。同図に
おいて図中１は装置本体で、この装置本体１の上部には
熱処理容器例えば石英製の熱処理チューブ２が下端を開
口させて鉛直に設けられている。上記熱処理チューブ２
の周囲には加熱装置例えばヒータ３が配設され、このヒ
ータ３で熱処理チューブ２を外側から加熱するようにな
っている。また、熱処理チューブ２の下方にはスカベン
ジャー４を介してクリーンルーム５が設けられている。

このクリーンルーム５内には図示しない昇降装置が設け
られ、この昇降装置により石英ボート６に収容された数
十枚の半導体ウェハＷを炉Ｍ７とともにスカベンジャー
４の開口部８を通して熱処理チューブ２内に挿入するよ
うになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような従来の熱処理装置では、半導体ウニ１１Ｗが
熱処理チューブ２内に挿入されているときには炉蓋７が
熱処理チューブ２の下端開口部９を塞ぐため、熱処理チ
ューブ２内の熱が外部へ放出されることはないが、半導
体ウェハＷを熱処理チユース２内から取出したときには
炉蓋７が半導体ウェハＷとともにクリーンルーム５内に
降下するため、熱処理チューブ２内の熱が外部へ放出さ
れ、周辺機器に熱影響を与える欠点があった。従って、
連続して次のＯットの熱処理を行う場合、所望する温度
に設定するのに必要な時間を要し、生産性（スループッ
ト）が悪い欠点があった。

本発明は、このような問題点に着目してなされたもので
、その目的とするところは、熱処理容器内から処理済み
の被熱処理物を取出した後において熱処理容器内の熱を
外部へ放出させないようにし、周辺機器への熱影響を防
止することができると共に、スループットを向上できる
熱処理方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために本発明は、熱処理容器内か
ら処理済みの被熱処理物を取出し通過後に上記容器の下
端ｎ口部およびクリーンルームに連通したスカベンジャ
ーの開口部を遮蔽する熱処理方法を得るものである。

〔作　用〕

本発明では、熱処理容器内から処理済みの被熱処理物を
取出すと、炉口遮蔽装置が作動して熱処理チューブの下
端開口部およびクリーンルームに連通したスカベンジャ
ーの開口部を遮蔽するため、熱処理チューブからの放熱
を防止することができ、次の処理を連続して実行できる
。

する。なお、第４図と同一部分には同一符号を付し、そ
の詳綱な説明を省略する。

熱処理チューブ２の開口部９に結合して設けられたスカ
ベンジャー４内には炉口遮蔽装置１０が配設される。こ
の炉口遮蔽装置１０は第２図および第３図に示すように
例えば９００〜１２００℃の拡散処理を行う容器例えば
石英製熱処理チューブ２の下端開口部９を遮蔽する石英
製遮蔽板１１と、スカベンジャー４の開口部８を遮蔽す
る石英製のスカベンジャー遮蔽板１２とを有し、これら
の遮蔽板１１．１２はそれぞれ開閉制御する上側アーム
１３および下側アーム１４の先端に取付けられて構成さ
れている。

上記上側アーム１３および下側アーム１４は、両アーム
１３．１４の後端に取付けたアーム支持体１５．１６を
介して駆動軸１７の下端に水平に支持されている。この
駆動軸１７の上端には駆動部１８が設けられ、この駆動
部１８により駆動軸１７を周方向に回動させると共に軸
方向に上下動させるようになっている。上記アーム支持
体１５゜１６は駆動軸１７と一体に回動し、上側アーム
１３および下側アーム１４を第３図中実線で示す位置か
ら仮想線で示す位置へ回動させて石英遮蔽板１１および
スカベンジャー遮蔽板１２を熱処理チューブ１２の真下
に位置させるようになっている。また、アーム支持体１
５は駆動軸１７と一体に上下動し、上側アーム１３を第
２図中実線で示す位置から仮想線で示す位置へ上昇させ
て石英遮蔽板１１は熱処理チューブ２の下面に嵌合し押
し付けるようになっている。なお、上側アーム１２の先
端部にはスプリング１９により上方へ付勢された受は板
２０が上下動可能に設けられており、前記石英遮蔽板１
１は上記受は板２０の上面に弾性体２１を介して支持さ
れている。

上記の構成において半導体ウェハをボート（図示せず）
内に数十枚収納されて拡散処理を行う。

予め定められた処理後、上記拡散処理が終了し、９００
〜１２００℃に加熱された半導体ウェハＷを熱処理チュ
ーブ２内から取出し、この取出しを検出すると、炉口遮
蔽装置１０が閉作動し、上側アーム１３および下側アー
ム１４を回動させて石英遮蔽板１０およびスカベンジャ
ー遮蔽板１１を熱処理チューブ２の真下に位置させる。

次にこの状態で上側アーム１３を上方へ移動させ、石英
遮蔽板１１を熱処理チューブ２の下面に当接させる。

これにより熱処理チューブ２の下端開口部９は石英遮蔽
板１１により、またスカベンジャー４の開口部８はスカ
ベンジャー遮蔽板１２により遮蔽される。これらの一連
のプログラムは予め記憶され、自動的に実行される。

このように実行することにより、処理が終了し、カセッ
トに収納された処理物を取出した後において、熱処理チ
ューブ２内の熱が外部へ放出されるのを防止できる。こ
のため、次の処理を連続して実行でき、スルーブツトが
向上する。

（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、熱処理容器内から
処理済みの被熱処理物を取出したときに熱処理容器の下
端開口部およびスカベンジャーの開口部を炉口遮蔽装置
により遮蔽するようにしたので、熱処理容器内の熱が外
部へ放出されるようなことがなく、放熱による周辺機器
への熱影響を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による熱処理装置の一実施例を示す正面
図、第２図は同装置の炉口遮蔽装置を示す縦断面図、第
３図はその平面図、第４図は従来の熱処理装置を示す正
面図である。 １・・・装置本体、２・・・熱処理チューブ、３・・・
ヒータ、４・・・スカベンジャー、５・・・クリーンル
ーム、１０・・・炉口遮蔽装置、１１・・・石英遮蔽板
、１２・・・スカベンジャー遮蔽板。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 ｊｌＩ４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　装置本体に鉛直に設けられ下端が開口した熱処理容器
   と、この熱処理容器の外周に配設された加熱装置と、上
   記熱処理容器開口側にスカベンジャーを介して設けられ
   たクリーンルームとを有する熱処理方法において、上記
   熱処理容器内から処理済みの被熱処理物を取出し通過後
   上記関口部および上記クリーンルームに連通したスカベ
   ンジャーの開口部を遮蔽することを特徴とする熱処理方
   法。