JPH0193126A - プレートから半導体ウエハの剥がし方法

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】Ａ、産業上の利用分野半導体ウェハの製造工程でセラミック成るいはパイレッ
クス・プレートに加熱軟化型の接着剤で半導体ウェハを
貼って鏡面研摩しているが、本発明は、このプレートか
ら半導体ウェハを剥がす方法に関するものである。

Ｂ　従来の技術半導体ウェハが貼りつけられたプレートは、研摩工程が
終ると、冷却台あるいは加熱台でプレート自体を冷却あ
るいは加熱しながら、接着剤が硬・軟化するのを待って
手作業で剥がしていた。

半導体ウェハは、厚さ０．２ｍｓから０，７間と薄く、
脆く、表面には微小な傷も許されないという機械化しに
くい工程である。

Ｃ，実施例例１．　プレートと半導体の接着力を薄弱ならしめるた
め、プレート（２）を温度制御された１０’Ｃの冷水（
１）に浸して接着剤（４）を冷却硬化させ、エアシリン
ダー（８）の力で接着層に鋭利な刃物（７）を押し込み
、傾斜したプレート（２）面から搬送溝（６）へ剥がし
落とす。

例２．半導体ウェハ（３）部にだけ温度制御された１５
０°Ｃのシリコン・オイル噴流（５）を浴びせ、接着剤
を熱軟化させ、傾斜したプレート面（２）面から半導体
ウェハ（３）を、自重および噴流の力で滑らせて搬送溝
（６）へ落とす。

Ｄ　　効　　果効果１．接着剤の硬化あるいは軟化に液体を利用した方
が加熱・冷却効率も良くて、剥がす時の温度管理も早く
正確に実行できる。

効果２．半導体ウェハ表面には、傷を付けないため無接
触であることが望ましいが、本発明においては、液中あ
るいは表面へ噴流を浴びせた状態で剥がすため、広いウ
ェハ面と非水平な方向の運動に液体が抵抗となり、剥が
した瞬間の飛び跳ねを防止でき、正確に搬送溝（６）へ
落とし込むことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の要部の断面図。第２図は本発明の実施例２の斜視図。１は冷水２はプレート３は半導体ウェハ４は接着剤５はシリコン・オイル噴流６は搬送溝７は刃物８はエアーシリンダ９は半導体ウェハ収納治具特許出願人　　　大　石　孝　博図　　　　　　　　　　　Ｎ

【特許請求の範囲】１、温度制御された液体（１）に浸してプレート（２）
から半導体ウェハ（３）を剥がす方法。２、温度制御された液噴流（５）を半導体ウェハ（３）
に浴びせながらプレート（２）から剥がす方法。