JPH0196082A - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
- Publication number
- JPH0196082A JPH0196082A JP62253352A JP25335287A JPH0196082A JP H0196082 A JPH0196082 A JP H0196082A JP 62253352 A JP62253352 A JP 62253352A JP 25335287 A JP25335287 A JP 25335287A JP H0196082 A JPH0196082 A JP H0196082A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide superconductor
- tetrafluoroethylene
- water
- superconducting
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0716—Passivating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化物超電導体に関し、特に超電導特性の
劣化の抑制に関するものである。
劣化の抑制に関するものである。
従来から超電導材料としては金属系のものが最も一般的
に知られてお）、この中でＮｂ 、Ｇｅが２３．２ Ｋ
という最高の超電導転移温度（臨界温度）をもつもので
あった。
に知られてお）、この中でＮｂ 、Ｇｅが２３．２ Ｋ
という最高の超電導転移温度（臨界温度）をもつもので
あった。
一方、金属酸化物系の超電導材料は一般に金属系よルも
臨界温度が低く、最高のＢａＰｂ１−ｘＢｉｘｏｌでも
せいぜい１３に程度であった・ これに対して、最近臨界温度の高い酸化物系超電導材料
Ｌａ −５ｒ−Ｃｕ−０系（約４５Ｋ）及びＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系（約９８Ｋ）が見出され、超電導ブームをま
きおこしている。
臨界温度が低く、最高のＢａＰｂ１−ｘＢｉｘｏｌでも
せいぜい１３に程度であった・ これに対して、最近臨界温度の高い酸化物系超電導材料
Ｌａ −５ｒ−Ｃｕ−０系（約４５Ｋ）及びＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系（約９８Ｋ）が見出され、超電導ブームをま
きおこしている。
これらの酸化物超電導体は、雑誌「ジャパニーズ・ジャ
ーナルオブ・アプライド・フイジクス（Ｊａｐａｎｅｓ
ｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ ） Ｖｏｌ、 ２６＋Ｎｎ８ｓＰＬ １９６
（１９８７）および同Ｖｏｌ 、２６− Ｎｎ４ 、
ＰＬ ８１４ （１９８７）などに見られるように、い
わゆる乾式（粉末）法と共沈法とが一般に広く行なわれ
ている。
ーナルオブ・アプライド・フイジクス（Ｊａｐａｎｅｓ
ｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ ） Ｖｏｌ、 ２６＋Ｎｎ８ｓＰＬ １９６
（１９８７）および同Ｖｏｌ 、２６− Ｎｎ４ 、
ＰＬ ８１４ （１９８７）などに見られるように、い
わゆる乾式（粉末）法と共沈法とが一般に広く行なわれ
ている。
また、超電導膜を得る方法としては、「ジャパニーズ・
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ ）＋ Ｖｏｌ。
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ ）＋ Ｖｏｌ。
２６ 、 ｌＩ＆１４． ＰＬ ４１０ （１９８７）
、および同Ｖｏ１２６ 、 ｋ５ 、 ＰＬ７８Ｂ （
１９８７）などに記載されているように、スパッタリン
グ法が最も一般的で広く行なわれている。
、および同Ｖｏ１２６ 、 ｋ５ 、 ＰＬ７８Ｂ （
１９８７）などに記載されているように、スパッタリン
グ法が最も一般的で広く行なわれている。
そして、合成された酸化物超電導体は、超電導素子や超
電導回路、また、超電導コイル、超電導マグネットなど
様々な応用面があり、期待されている。
電導回路、また、超電導コイル、超電導マグネットなど
様々な応用面があり、期待されている。
ところが、合成された酸化物超電導体は、撥水性処理が
行なわれておらず、フッ素系樹脂等の撥水性被膜で被覆
された酸化物超電導体は現在のところ未だ存在していな
い。
行なわれておらず、フッ素系樹脂等の撥水性被膜で被覆
された酸化物超電導体は現在のところ未だ存在していな
い。
しかしながら、従来の撥水性処理を行っていない酸化物
超電導体は、−例として式（１）９式（２）に示すよう
に空気中の水蒸気と容易に反応し、分解しやすいために
、超電導特性が長期間持続できないという問題点があっ
た。
超電導体は、−例として式（１）９式（２）に示すよう
に空気中の水蒸気と容易に反応し、分解しやすいために
、超電導特性が長期間持続できないという問題点があっ
た。
４ＹＢａ、Ｃｕ、Ｏ，＋ ６Ｈ，Ｏ−＋ ２Ｙ、ＢａＣ
ｕＯ，＋ ６Ｂａ（ＯＨ）ｚ＋１０ＣｕＯ＋０２−−・
（１） Ｂａ （ＯＨ）２ ＋ Ｃｏ、→ＢａＣＯ５＋ Ｈ２Ｏ
・−−（２）この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、酸化物超電導体の耐久性を向上
させ、超電導特性の劣化を抑制することを目的とする。
ｕＯ，＋ ６Ｂａ（ＯＨ）ｚ＋１０ＣｕＯ＋０２−−・
（１） Ｂａ （ＯＨ）２ ＋ Ｃｏ、→ＢａＣＯ５＋ Ｈ２Ｏ
・−−（２）この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、酸化物超電導体の耐久性を向上
させ、超電導特性の劣化を抑制することを目的とする。
この発明に係る酸化物超電導体は、表面の少なくとも一
部を撥水性被膜で被覆したものである。
部を撥水性被膜で被覆したものである。
この発明における撥水性被膜は、酸化物超電導体を空気
中の水分から効果的に体層することができ、超電導特性
の耐久性が向上する。
中の水分から効果的に体層することができ、超電導特性
の耐久性が向上する。
本発明に用いるフッ素系樹脂は、分子内にフッ素原子を
含んだ高分子化合物であって、その構造形式および様式
はいかなるものであってもよい。
含んだ高分子化合物であって、その構造形式および様式
はいかなるものであってもよい。
フッ素含有量は特に規定がなく、また、分子内に０、Ｎ
、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆ以外のハロゲン元素などが含まれて
いてもよい。
、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆ以外のハロゲン元素などが含まれて
いてもよい。
原料となるフッ素系樹脂の具体例として、ポリテトツフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ） 、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン（ＰＣＴＦＥ） 、テトラフルオロエチレン
〜ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリ
ビニリデンフルオライド（ＰＶｄＦ） 。
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ） 、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン（ＰＣＴＦＥ） 、テトラフルオロエチレン
〜ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリ
ビニリデンフルオライド（ＰＶｄＦ） 。
ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）、テトラフルオロエ
チレン〜エチレン共重合体（ＥＴＦＥ） 、クロロトリ
フルオロエチレン〜エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、
テトフフルオロエチレン〜パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリフルオロアルキルメ
タクリレート、含フツ素シリコーンなどがあげられる。
チレン〜エチレン共重合体（ＥＴＦＥ） 、クロロトリ
フルオロエチレン〜エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、
テトフフルオロエチレン〜パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリフルオロアルキルメ
タクリレート、含フツ素シリコーンなどがあげられる。
また、フッ素系樹脂のコーティング方法は、特に規定が
なく、いかなるコーティング方法を用いてもよい。
なく、いかなるコーティング方法を用いてもよい。
例えば、スプレー、塗布・真空蒸着、スパッタリング、
プラズマ重合などにより簡単にコーティングすることが
できる。
プラズマ重合などにより簡単にコーティングすることが
できる。
ただし、プラズマ重合の場合、主反応物として含フツ素
モノマーを用いて酸化物超電導体に被覆される。
モノマーを用いて酸化物超電導体に被覆される。
〈実施例１〉
以下、第１図、第２図を用いてこの発明の一実施例を説
明する。
明する。
いわゆる乾式（粉末）法なる手法を用いて、８Ｘ８Ｘ１
０ｍｍの酸化物超電導体（Ｙ Ｂａｙ ｃ、３ｏ、−、
） （１）を合成した０次に、第１図に示すようにこの
酸化物超電導体（１）に内径１２ｍｍ肉厚０．１１の熱
収縮ＰＴＦＥチューブ（２）を覆せ、例えば手持ち温風
機（ホットブフスター）等で約２００℃に加熱してチュ
ーブ（２）を収縮させ、第２図に示すように酸化物超電
導体の全表面を被覆した。この酸化物超電導体に耐湿試
験（６ｏ℃、 ９０チＲＨ，ｓケ月）を行ない、そのと
きの超電導特性の結果を表１にまとめた。
０ｍｍの酸化物超電導体（Ｙ Ｂａｙ ｃ、３ｏ、−、
） （１）を合成した０次に、第１図に示すようにこの
酸化物超電導体（１）に内径１２ｍｍ肉厚０．１１の熱
収縮ＰＴＦＥチューブ（２）を覆せ、例えば手持ち温風
機（ホットブフスター）等で約２００℃に加熱してチュ
ーブ（２）を収縮させ、第２図に示すように酸化物超電
導体の全表面を被覆した。この酸化物超電導体に耐湿試
験（６ｏ℃、 ９０チＲＨ，ｓケ月）を行ない、そのと
きの超電導特性の結果を表１にまとめた。
〈実施例２〉
実施例１と同一のサンプｌ （１）の表面全体にＰＴＦ
Ｅを主成分とするテックスガード（ダイキン工業株式会
社、登録商標）をスプレー被覆の後自然乾操した。そし
てこの酸化物超電導体に実施例１と同様の耐湿試験を行
なった。得られた結果を表１にまとめた。
Ｅを主成分とするテックスガード（ダイキン工業株式会
社、登録商標）をスプレー被覆の後自然乾操した。そし
てこの酸化物超電導体に実施例１と同様の耐湿試験を行
なった。得られた結果を表１にまとめた。
〈実施例８〉
実施例１と同一の酸化物超電導体（１）を平行平板電極
を有する真空装置の反応室内にセットし、ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒまで排気してから、テトラフμオロエチｖ ン
（ＴＦＥ ）を６ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで導入し
て平衡とし、１３．５６ ＭＨｚの高周波１４ＲＦ２０
０Ｗ８０分間ｌζよるプラズマ重合膜の形成を行った。
を有する真空装置の反応室内にセットし、ｌＸｌ０
Ｔｏｒｒまで排気してから、テトラフμオロエチｖ ン
（ＴＦＥ ）を６ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒまで導入し
て平衡とし、１３．５６ ＭＨｚの高周波１４ＲＦ２０
０Ｗ８０分間ｌζよるプラズマ重合膜の形成を行った。
酸化物超電導体の置く面を変えて、同様の装作を繰り返
し、酸化物超電導体の全表面を約１朋テトラフルオロエ
チレン膜で被覆した。
し、酸化物超電導体の全表面を約１朋テトラフルオロエ
チレン膜で被覆した。
そして、実施例１と同様に耐湿試験を行なった。
七の結果を表１にまとめた。
〈実施例４〉
スパッタ装置内にＰＴＦＥシートを置き、１０−’Ｔｏ
ｒｒまで排気してから、５Ｘ１（ｉ””Ｔｏｒｒになる
ようにＡｒを流しながら、１３．５６ＭＨｚの高周波Ｒ
Ｆ２００Ｗを印加し、蒸着速度１００Ａ／ｍｉｎで接地
電極側に取〕付けである実施例１°と同一の酸化物超電
導体の表面をＰＴＦＥで約５００ＯＡ被覆した。そして
、実施例１と同様に耐湿試験を行なった。その結果を表
１にまとめた。
ｒｒまで排気してから、５Ｘ１（ｉ””Ｔｏｒｒになる
ようにＡｒを流しながら、１３．５６ＭＨｚの高周波Ｒ
Ｆ２００Ｗを印加し、蒸着速度１００Ａ／ｍｉｎで接地
電極側に取〕付けである実施例１°と同一の酸化物超電
導体の表面をＰＴＦＥで約５００ＯＡ被覆した。そして
、実施例１と同様に耐湿試験を行なった。その結果を表
１にまとめた。
く比較例１〉
フッ素系樹脂で被覆していない実施例１と同二の酸化物
超電導体に同様の耐湿試験を行った。その結果を表１に
まとめた。
超電導体に同様の耐湿試験を行った。その結果を表１に
まとめた。
表１
注１：ＤＣ西端子法から求めた。
注２：超電導特性を示さない。
これらの実験結果から、フッ素系樹脂で超電導体を被覆
しなかった場合、１ケ月間の耐湿試験によって、超電導
体はその特性を失うことがわかる。
しなかった場合、１ケ月間の耐湿試験によって、超電導
体はその特性を失うことがわかる。
それに対して、実施例１〜４に示すように、フッ素系樹
脂で超電導体を被覆すると、水の悪影響を受けずに効果
的に超電導特性を維持できることがわかる。また、Ｘ線
回折からも、実施例１〜４の各試料がいわゆる８層酸素
欠損ペロプスカイト型構造すなわち超電導構造を維持し
ていることが明らかとなった。
脂で超電導体を被覆すると、水の悪影響を受けずに効果
的に超電導特性を維持できることがわかる。また、Ｘ線
回折からも、実施例１〜４の各試料がいわゆる８層酸素
欠損ペロプスカイト型構造すなわち超電導構造を維持し
ていることが明らかとなった。
なお、上記ｇｉ！施例では撥水性被膜がフッ素系樹脂で
ある場合について説明したがこれに限るものではなく、
例えばジメチルポリシロキサンやメチルハイドロジエン
ポリシロキサン等のけい素糸樹脂や、ポリエチレン樹脂
、ポリプロピレン、ポリエステル、酢酸ビニル、塩化ビ
ニル、エポキシ。
ある場合について説明したがこれに限るものではなく、
例えばジメチルポリシロキサンやメチルハイドロジエン
ポリシロキサン等のけい素糸樹脂や、ポリエチレン樹脂
、ポリプロピレン、ポリエステル、酢酸ビニル、塩化ビ
ニル、エポキシ。
ジアリルフタレート、ポリウレタン、ポリカーボネート
、スチローｌｖ、アクリル、ポリアセタール。
、スチローｌｖ、アクリル、ポリアセタール。
防湿ゼロファン、およびポリエチレンラミネートゼロフ
ァン等であってもよく、上記実施例と同様の効果が得ら
れる。
ァン等であってもよく、上記実施例と同様の効果が得ら
れる。
以上のように、この発明によれば、表面の少なくとも一
部を撥水性被膜で被膜したので、超電導特性の劣化を抑
制できる効果がある。
部を撥水性被膜で被膜したので、超電導特性の劣化を抑
制できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による酸化物超電導体の製
造工程を説明する断面図、第２図は第１図の工程によシ
製造されたこの発明の一実施例による酸化物超電導体を
示す断面図である。 図において、（１）は酸化物超電導体、（２）はＰＴＦ
Ｅである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
造工程を説明する断面図、第２図は第１図の工程によシ
製造されたこの発明の一実施例による酸化物超電導体を
示す断面図である。 図において、（１）は酸化物超電導体、（２）はＰＴＦ
Ｅである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。
Claims (3)
- （１）表面の少なくとも一部を撥水性被膜で被覆してな
る酸化物超電導体。 - （２）撥水性被膜はフッ素系樹脂、けい素系樹、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、酢酸ビニ
ル、塩化ビニル、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリ
ウレタン、ポリカーボネート、スチロール、アクリル、
ポリアセタール、防湿ゼロファン、およびポリエチレン
ラミネートセロフアンのうちの１種である特許請求の範
囲第１項記載の酸化物超電導体。 - （３）フッ素系樹脂は、ポリテトツフルオロエチレン、
ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチ
レン〜ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリビニリ
デンフルオライド、ポリビニルフルオライド、テトラフ
ルオロエチレン〜エチレン共重合体、クロロトリフルオ
ロエチレン〜エチレン共重合体、テトラフルオロエチレ
ン〜パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、お
よびポリフルオロアルキルメタクリレートのうちの１種
である特許請求の範囲第２項記載の酸化物超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253352A JPH0196082A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 酸化物超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253352A JPH0196082A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 酸化物超電導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196082A true JPH0196082A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17250138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62253352A Pending JPH0196082A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 酸化物超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196082A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183484A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Fujita Corp | 超電導セラミックスの表面処理方法 |
| JPH01215776A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理高温超伝導体及びその製造方法 |
| JPH02152111A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Junkosha Co Ltd | 超電導ケーブル |
| JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
| JP2013203612A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Awaji Materia Co Ltd | 超電導バルク体の被膜形成剤、超電導バルク体用被膜、並びに被膜を有する超電導バルク体および超電導バルク磁石 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62253352A patent/JPH0196082A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183484A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Fujita Corp | 超電導セラミックスの表面処理方法 |
| JPH01215776A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理高温超伝導体及びその製造方法 |
| JPH02152111A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Junkosha Co Ltd | 超電導ケーブル |
| JP2006321668A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Nippon Steel Corp | 酸化物超電導バルク体及びその製造方法 |
| JP2013203612A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Awaji Materia Co Ltd | 超電導バルク体の被膜形成剤、超電導バルク体用被膜、並びに被膜を有する超電導バルク体および超電導バルク磁石 |
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